- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 53/50 - Dispositifs RAM ferro-électrique [FeRAM] comprenant des condensateurs ferro-électriques de mémoire caractérisés par la région limite entre la région noyau et la région de circuit périphérique
Détention brevets de la classe H10B 53/50
Brevets de cette classe: 7
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Micron Technology, Inc. | 27215 |
2 |
| Kepler Computing Inc. | 322 |
2 |
| SK Hynix Inc. | 11969 |
1 |
| IUCF-HYU (Industry-University Cooperation Foundation Hanyang University) | 1508 |
1 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3074 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |