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- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 61/00 - Dispositifs de mémoire magnétique, p. ex. dispositifs RAM magnéto-résistifs [MRAM]
Détention brevets de la classe H10B 61/00
Brevets de cette classe: 2277
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48438 |
531 |
| United Microelectronics Corp. | 4496 |
255 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157946 |
228 |
| International Business Machines Corporation | 62671 |
180 |
| Kioxia Corporation | 10823 |
122 |
| TDK Corporation | 6876 |
112 |
| SK Hynix Inc. | 12506 |
57 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11613 |
53 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5439 |
39 |
| Everspin Technologies, Inc. | 499 |
37 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4933 |
30 |
| Intel Corporation | 47122 |
23 |
| Western Digital Technologies, Inc. | 1894 |
22 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1459 |
21 |
| The University of Tokyo | 4369 |
20 |
| Tohoku University | 2981 |
18 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2695 |
16 |
| National Taiwan University | 1325 |
15 |
| IMEC VZW | 1816 |
15 |
| JPMorgan Chase Bank, National Association | 8958 |
13 |
| Autres propriétaires | 470 |