- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 61/00 - Dispositifs de mémoire magnétique, p. ex. dispositifs RAM magnéto-résistifs [MRAM]
Détention brevets de la classe H10B 61/00
Brevets de cette classe: 1676
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42863 |
411 |
| United Microelectronics Corp. | 4230 |
192 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 146534 |
161 |
| International Business Machines Corporation | 61287 |
127 |
| TDK Corporation | 6750 |
90 |
| Kioxia Corporation | 10301 |
87 |
| SK Hynix Inc. | 11380 |
37 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10489 |
34 |
| Everspin Technologies, Inc. | 483 |
28 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4926 |
26 |
| Intel Corporation | 47013 |
18 |
| Tohoku University | 2791 |
15 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1383 |
14 |
| JPMorgan Chase Bank, National Association | 8568 |
13 |
| IMEC VZW | 1640 |
13 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2556 |
13 |
| The University of Tokyo | 4182 |
12 |
| Sandisk Technologies Inc. | 4815 |
11 |
| Western Digital Technologies, Inc. | 1737 |
10 |
| National Taiwan University | 1227 |
10 |
| Autres propriétaires | 354 |