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- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 61/00 - Dispositifs de mémoire magnétique, p. ex. dispositifs RAM magnéto-résistifs [MRAM]
Détention brevets de la classe H10B 61/00
Brevets de cette classe: 2066
Historique des publications depuis 10 ans
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| 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 | 2026 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46661 |
494 |
| United Microelectronics Corp. | 4398 |
243 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 151726 |
204 |
| International Business Machines Corporation | 61969 |
157 |
| Kioxia Corporation | 10534 |
106 |
| TDK Corporation | 6778 |
102 |
| SK Hynix Inc. | 11940 |
47 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11074 |
41 |
| Everspin Technologies, Inc. | 500 |
36 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5272 |
32 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4924 |
29 |
| Intel Corporation | 46583 |
22 |
| Tohoku University | 2879 |
18 |
| The University of Tokyo | 4297 |
16 |
| National Taiwan University | 1288 |
14 |
| Institute of Microelectronics, Chinese Academy of Sciences | 1412 |
14 |
| JPMorgan Chase Bank, N.A., AS The Agent | 2657 |
14 |
| JPMorgan Chase Bank, National Association | 8625 |
13 |
| IMEC VZW | 1719 |
13 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 351 |
13 |
| Autres propriétaires | 438 |