- Sections
- H - Électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 63/10 - Dispositifs RAM à changement de phase [PCRAM, PRAM]
Détention brevets de la classe H10B 63/10
Brevets de cette classe: 283
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| International Business Machines Corporation | 62220 |
33 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 153845 |
29 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47319 |
27 |
| Micron Technology, Inc. | 27285 |
20 |
| SK Hynix Inc. | 12154 |
15 |
| STMicroelectronics International N.V. | 3763 |
15 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 120098 |
11 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 3156 |
8 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11010 |
7 |
| Sandisk Technologies Inc. | 5366 |
6 |
| Kioxia Corporation | 10709 |
6 |
| Nippon Electric Glass Co., Ltd. | 2512 |
5 |
| Huazhong University of Science and Technology | 1104 |
4 |
| IBM United Kingdom Limited | 4107 |
4 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11230 |
4 |
| Tohoku University | 2908 |
4 |
| IBM China Company Limited | 1194 |
4 |
| Shanghai IC R&D Center Co., Ltd | 188 |
4 |
| TetraMem Inc. | 173 |
4 |
| Chengdu PBM Technology Ltd. | 32 |
4 |
| Autres propriétaires | 69 |