- Sections
- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 63/10 - Dispositifs RAM à changement de phase [PCRAM, PRAM]
Détention brevets de la classe H10B 63/10
Brevets de cette classe: 125
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| International Business Machines Corporation | 60095 |
16 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 138729 |
12 |
| Micron Technology, Inc. | 25791 |
7 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 106664 |
7 |
| Kioxia Corporation | 10120 |
6 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 40583 |
5 |
| SK Hynix Inc. | 10784 |
5 |
| Nippon Electric Glass Co., Ltd. | 2394 |
5 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 2323 |
5 |
| IBM United Kingdom Limited | 4389 |
4 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 9688 |
4 |
| STMicroelectronics International N.V. | 2799 |
4 |
| Tohoku University | 2680 |
4 |
| IBM China Company Limited | 1093 |
4 |
| Shanghai IC R&D Center Co., Ltd | 187 |
3 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11080 |
2 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10694 |
2 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3734 |
2 |
| NEO Semiconductor, Inc. | 59 |
2 |
| Chengdu PBM Technology Ltd. | 23 |
2 |
| Autres propriétaires | 24 |