- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 30/47 - Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p. ex. transistors FET à nanoruban ou transistors à haute mobilité électronique [HEMT]
Détention brevets de la classe H10D 30/47
Brevets de cette classe: 879
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| United Microelectronics Corp. | 4440 |
72 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47211 |
35 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 153573 |
34 |
| Toshiba Corporation | 12693 |
34 |
| Enkris Semiconductor, Inc. | 402 |
21 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2271 |
20 |
| Innoscience (Suzhou) Technology Co., ltd. | 171 |
20 |
| Rohm Co., Ltd. | 6740 |
18 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11206 |
18 |
| Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. | 156 |
17 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16071 |
15 |
| Panasonic Holdings Corporation | 1793 |
15 |
| MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | 846 |
14 |
| Nuvoton Technology Corporation Japan | 699 |
14 |
| Fujitsu Limited | 16989 |
13 |
| Texas Instruments Incorporated | 19615 |
13 |
| NXP USA, Inc. | 4421 |
13 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6398 |
12 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47556 |
11 |
| Wolfspeed, Inc. | 861 |
11 |
| Autres propriétaires | 459 |