- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 30/47 - Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p. ex. transistors FET à nanoruban ou transistors à haute mobilité électronique [HEMT]
Détention brevets de la classe H10D 30/47
Brevets de cette classe: 238
Historique des publications depuis 10 ans
|
1
|
1
|
3
|
2
|
2
|
3
|
27
|
40
|
30
|
103
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| United Microelectronics Corp. | 4254 |
22 |
| Innoscience (Suzhou) Technology Co., ltd. | 170 |
10 |
| Enkris Semiconductor, Inc. | 382 |
8 |
| Toshiba Corporation | 12326 |
6 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 42549 |
6 |
| Japan Display Inc. | 6899 |
6 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10404 |
6 |
| Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. | 147 |
6 |
| Intel Corporation | 46960 |
5 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2145 |
5 |
| Rohm Co., Ltd. | 6433 |
5 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 1958 |
5 |
| Nuvoton Technology Corporation Japan | 597 |
5 |
| The Ritsumeikan Trust | 160 |
4 |
| NXP USA, Inc. | 4299 |
4 |
| Panasonic Holdings Corporation | 1734 |
4 |
| Patentix Inc. | 7 |
4 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 10418 |
3 |
| The Regents of the University of Michigan | 4689 |
3 |
| Indian Institute of Science | 314 |
3 |
| Autres propriétaires | 118 |