- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 30/47 - Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p. ex. transistors FET à nanoruban ou transistors à haute mobilité électronique [HEMT]
Détention brevets de la classe H10D 30/47
Brevets de cette classe: 544
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
1
|
0
|
1
|
1
|
54
|
89
|
71
|
263
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| United Microelectronics Corp. | 4293 |
52 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 45590 |
30 |
| Toshiba Corporation | 12534 |
17 |
| Enkris Semiconductor, Inc. | 392 |
15 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10780 |
14 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148765 |
13 |
| Rohm Co., Ltd. | 6544 |
12 |
| NXP USA, Inc. | 4341 |
11 |
| Innoscience (Suzhou) Technology Co., ltd. | 171 |
11 |
| Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. | 150 |
11 |
| MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | 833 |
10 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2089 |
10 |
| Fujitsu Limited | 17675 |
8 |
| Wolfspeed, Inc. | 770 |
8 |
| Panasonic Holdings Corporation | 1771 |
8 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15732 |
7 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2212 |
7 |
| STMicroelectronics International N.V. | 3502 |
7 |
| Nuvoton Technology Corporation Japan | 660 |
7 |
| Intel Corporation | 46455 |
6 |
| Autres propriétaires | 280 |