- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 30/47 - Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p. ex. transistors FET à nanoruban ou transistors à haute mobilité électronique [HEMT]
Détention brevets de la classe H10D 30/47
Brevets de cette classe: 347
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| United Microelectronics Corp. | 4244 |
37 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43064 |
12 |
| Enkris Semiconductor, Inc. | 384 |
12 |
| Innoscience (Suzhou) Technology Co., ltd. | 170 |
10 |
| Toshiba Corporation | 12383 |
9 |
| Rohm Co., Ltd. | 6464 |
8 |
| NXP USA, Inc. | 4306 |
8 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10547 |
7 |
| STMicroelectronics International N.V. | 3230 |
7 |
| Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. | 147 |
7 |
| Panasonic Holdings Corporation | 1752 |
7 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2157 |
6 |
| Japan Display Inc. | 6973 |
6 |
| Intel Corporation | 47062 |
5 |
| National Research Council of Canada | 1545 |
5 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 1999 |
5 |
| Nuvoton Technology Corporation Japan | 626 |
5 |
| Wolfspeed, Inc. | 722 |
5 |
| Cree, Inc. | 990 |
4 |
| The Ritsumeikan Trust | 164 |
4 |
| Autres propriétaires | 178 |