- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 30/47 - Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p. ex. transistors FET à nanoruban ou transistors à haute mobilité électronique [HEMT]
Détention brevets de la classe H10D 30/47
Brevets de cette classe: 1171
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| United Microelectronics Corp. | 4492 |
79 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157557 |
59 |
| Toshiba Corporation | 12548 |
44 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48248 |
38 |
| Enkris Semiconductor, Inc. | 404 |
29 |
| Intel Corporation | 47102 |
27 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2318 |
25 |
| Texas Instruments Incorporated | 19663 |
24 |
| Innoscience (Suzhou) Technology Co., ltd. | 171 |
23 |
| Rohm Co., Ltd. | 6824 |
22 |
| NXP USA, Inc. | 4394 |
22 |
| Innoscience (Suzhou) Semiconductor Co., Ltd. | 160 |
22 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11551 |
19 |
| Panasonic Holdings Corporation | 1791 |
19 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16305 |
18 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6391 |
18 |
| Nuvoton Technology Corporation Japan | 726 |
17 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2328 |
15 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47971 |
15 |
| MACOM Technology Solutions Holdings, Inc. | 856 |
15 |
| Autres propriétaires | 621 |