- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 62/83 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe IV, p. ex. Si dopé B ou Ge non dopé
Détention brevets de la classe H10D 62/83
Brevets de cette classe: 315
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48560 |
61 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158442 |
22 |
| Rohm Co., Ltd. | 6877 |
14 |
| United Microelectronics Corp. | 4502 |
11 |
| Micron Technology, Inc. | 27636 |
10 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48172 |
10 |
| Intel Corporation | 47178 |
9 |
| SK Hynix Inc. | 12582 |
8 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5511 |
5 |
| Toshiba Corporation | 12594 |
4 |
| Applied Materials, Inc. | 20467 |
4 |
| Infineon Technologies AG | 8410 |
4 |
| STMicroelectronics (Tours) SAS | 213 |
4 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11855 |
3 |
| National Taiwan University | 1326 |
3 |
| Nanya Technology Corporation | 2922 |
3 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11717 |
3 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2339 |
3 |
| Kioxia Corporation | 10856 |
3 |
| Diamfab | 5 |
3 |
| Autres propriétaires | 128 |