- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/80 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET
Détention brevets de la classe H10D 84/80
Brevets de cette classe: 223
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11500 |
41 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 44433 |
28 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5232 |
23 |
| Rohm Co., Ltd. | 6529 |
19 |
| Minebea Power Semiconductor Device Inc. | 212 |
14 |
| Denso Corporation | 24652 |
6 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148402 |
4 |
| Texas Instruments Incorporated | 19478 |
4 |
| United Microelectronics Corp. | 4269 |
4 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 10739 |
4 |
| International Business Machines Corporation | 61636 |
3 |
| Toshiba Corporation | 12520 |
3 |
| Intel Corporation | 46939 |
3 |
| Richtek Technology Corp. | 630 |
3 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2076 |
3 |
| Psemi Corporation | 1040 |
3 |
| Qualcomm Incorporated | 86899 |
2 |
| Micron Technology, Inc. | 26348 |
2 |
| Renesas Electronics Corporation | 5969 |
2 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 46734 |
2 |
| Autres propriétaires | 50 |