- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 84/80 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET
Détention brevets de la classe H10D 84/80
Brevets de cette classe: 568
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11821 |
100 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48302 |
67 |
| Fuji Electric Co., Ltd. | 5478 |
55 |
| Rohm Co., Ltd. | 6826 |
47 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157719 |
16 |
| Denso Corporation | 25534 |
16 |
| Minebea Power Semiconductor Device Inc. | 219 |
16 |
| Texas Instruments Incorporated | 19672 |
15 |
| United Microelectronics Corp. | 4492 |
15 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48018 |
10 |
| Microchip Technology Incorporated | 3323 |
10 |
| International Business Machines Corporation | 62634 |
7 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11577 |
7 |
| Nuvoton Technology Corporation Japan | 727 |
7 |
| Toshiba Corporation | 12560 |
6 |
| Infineon Technologies Austria AG | 2334 |
6 |
| Psemi Corporation | 1080 |
6 |
| Renesas Electronics Corporation | 5870 |
5 |
| STMicroelectronics International N.V. | 4157 |
5 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2322 |
5 |
| Autres propriétaires | 147 |