- Sections
- H - Électricité
- H10D - Dispositifs électriques à semi-conducteurs inorganiques
- H10D 86/80 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats isolants ou conducteurs, p. ex. formés dans des substrats de silicium sur isolant [SOI] ou sur des substrats en acier inoxydable ou en verre caractérisés par de multiples composants passifs, p. ex. des résistances, des condensateurs ou des inducteurs
Détention brevets de la classe H10D 86/80
Brevets de cette classe: 21
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
1
|
5
|
5
|
1
|
7
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Pragmatic Semiconductor Limited | 103 |
4 |
| Micron Technology, Inc. | 26395 |
3 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 11527 |
3 |
| Microchip Technology Incorporated | 2972 |
3 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 148649 |
1 |
| Toyota Motor Corporation | 33275 |
1 |
| Denso Corporation | 24692 |
1 |
| Csmc Technologies Fab2 Co., Ltd. | 721 |
1 |
| Management Sciences, Inc. | 8 |
1 |
| Zhuhai Access Semiconductor Co., Ltd. | 100 |
1 |
| MIRISE Technologies Corporation | 333 |
1 |
| Suzhou Metabrain Intelligent Technology Co., Ltd. | 983 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |