- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 30/22 - Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes
Détention brevets de la classe H10F 30/22
Brevets de cette classe: 62
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48438 |
7 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11613 |
5 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4686 |
4 |
| Taiwan-Asia Semiconductor Corporation | 109 |
3 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48048 |
2 |
| The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy | 1454 |
2 |
| Ranovus Inc. | 47 |
2 |
| Vishay Semiconductor GmbH | 51 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 157946 |
1 |
| The Boeing Company | 20163 |
1 |
| Canon Inc. | 43869 |
1 |
| Electronics and Telecommunications Research Institute | 9678 |
1 |
| Infineon Technologies AG | 8402 |
1 |
| Huawei Technologies Co., Ltd. | 123543 |
1 |
| Kyocera Corporation | 14383 |
1 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11124 |
1 |
| Agency for Science, Technology and Research | 3736 |
1 |
| Japan Display Inc. | 3003 |
1 |
| Korea Advanced Institute of Science and Technology | 4670 |
1 |
| Purdue Research Foundation | 3921 |
1 |
| Autres propriétaires | 23 |