- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 30/221 - Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel étant une homojunction PN
Détention brevets de la classe H10F 30/221
Brevets de cette classe: 58
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48438 |
10 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11124 |
3 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4686 |
3 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 48048 |
2 |
| Gigajot Technology, Inc. | 61 |
2 |
| Aeluma, Inc. | 25 |
2 |
| Tmrw Electronics, SARL | 28 |
2 |
| Illinois Tool Works Inc. | 11866 |
1 |
| The Regents of the University of California | 20778 |
1 |
| Cisco Technology, Inc. | 22503 |
1 |
| Raytheon Company | 8448 |
1 |
| Massachusetts Institute of Technology | 10254 |
1 |
| Thales SA | 2391 |
1 |
| Nichia Corporation | 3876 |
1 |
| Asahi Kasei Microdevices Corporation | 597 |
1 |
| Atomera Incorporated | 266 |
1 |
| Cornell University | 3426 |
1 |
| Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 636 |
1 |
| Effect Photonics B.V. | 36 |
1 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6385 |
1 |
| Autres propriétaires | 21 |