- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 30/223 - Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel étant du type PIN
Détention brevets de la classe H10F 30/223
Brevets de cette classe: 124
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 48629 |
10 |
| Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 11124 |
5 |
| GLOBALFOUNDRIES U.S. Inc. | 6385 |
5 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16331 |
4 |
| Cisco Technology, Inc. | 22584 |
4 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4695 |
4 |
| Ranovus Inc. | 49 |
4 |
| Sony Semiconductor Solutions Corporation | 11764 |
4 |
| FUJIFILM Corporation | 30628 |
3 |
| Marvell Asia PTE, Ltd. | 6258 |
3 |
| Electrophotonic-ic Inc. | 34 |
3 |
| Ntt, Inc. | 4429 |
3 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 158605 |
2 |
| Samsung Display Co., Ltd. | 38914 |
2 |
| The Regents of the University of California | 20842 |
2 |
| Canon Inc. | 44134 |
2 |
| Toshiba Corporation | 12625 |
2 |
| Nichia Corporation | 3886 |
2 |
| Mellanox Technologies Ltd. | 1664 |
2 |
| Sensor Electronic Technology, Inc. | 465 |
2 |
| Autres propriétaires | 56 |