- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 30/29 - Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p. ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire
Détention brevets de la classe H10F 30/29
Brevets de cette classe: 40
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| LG Energy Solution, Ltd. | 18737 |
10 |
| ASML Netherlands B.V. | 7894 |
4 |
| University of Waterloo | 140 |
2 |
| Canon Inc. | 43707 |
1 |
| Centre National de La Recherche Scientifique | 11010 |
1 |
| Board of Regents, The University of Texas System | 6086 |
1 |
| Boe Technology Group Co., Ltd. | 43910 |
1 |
| Colorado State University Research Foundation | 721 |
1 |
| Drtech Corporation | 78 |
1 |
| Micro System Co., Ltd. | 3 |
1 |
| Nanjing University | 799 |
1 |
| Oz Optics Ltd. | 33 |
1 |
| Rayence Co., Ltd. | 117 |
1 |
| Rensselaer Polytechnic Institute | 847 |
1 |
| Universite D'aix-marseille | 934 |
1 |
| Vatech Ewoo Holdings Co., Ltd. | 240 |
1 |
| Thunder Bay Regional Health Research Institute | 4 |
1 |
| Universite de Tours | 79 |
1 |
| Triad National Security, LLC | 635 |
1 |
| Beijing BOE Sensor Technology Co., Ltd. | 483 |
1 |
| Autres propriétaires | 7 |