- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 55/25 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement couverts par les groupes , ou structurellement associés à des sources lumineuses électriques et électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sources dans lesquels la source lumineuse électrique commande les dispositifs à semi-conducteurs sensibles au rayonnement, p. ex. optocoupleurs dans lesquels les dispositifs sensibles au rayonnement et la source lumineuse électrique sont tous des dispositifs à semi-conducteurs
Détention brevets de la classe H10F 55/25
Brevets de cette classe: 27
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | 33997 |
4 |
| Toshiba Corporation | 12560 |
3 |
| Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation | 2322 |
3 |
| Avicenatech Corp. | 110 |
2 |
| Massachusetts Institute of Technology | 10251 |
1 |
| Rohm Co., Ltd. | 6826 |
1 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4681 |
1 |
| Autonics Corporation | 50 |
1 |
| Barco N.V. | 568 |
1 |
| Bridgelux, Inc. | 361 |
1 |
| Google LLC | 44482 |
1 |
| Lite-On Technology Corporation | 892 |
1 |
| SensorTek technology Corp. | 56 |
1 |
| Technische Universitat Berlin | 353 |
1 |
| Triple Win Technology(shenzhen) Co.Ltd. | 324 |
1 |
| Lumeova, Inc. | 28 |
1 |
| Sony Group Corporation | 15642 |
1 |
| Taiwan-Asia Semiconductor Corporation | 109 |
1 |
| IHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics/Leibniz-Instit. für innovativeIHP GmbH-Innovations for High Performance Microelectronics/Leibniz-Instit. für innovative | 1 |
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| Autres propriétaires | 0 |