- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 77/124 - Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs
Détention brevets de la classe H10F 77/124
Brevets de cette classe: 136
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16071 |
8 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 47211 |
7 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47556 |
6 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4595 |
6 |
| Epistar Corporation | 1480 |
4 |
| Asahi Kasei Microdevices Corporation | 572 |
3 |
| Aeluma, Inc. | 21 |
3 |
| Sicily Merger Sub II, Inc. | 85 |
3 |
| FUJIFILM Corporation | 30210 |
2 |
| United Microelectronics Corp. | 4440 |
2 |
| Azur Space Solar Power GmbH | 163 |
2 |
| Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 636 |
2 |
| The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy | 1412 |
2 |
| Mellanox Technologies Ltd. | 1552 |
2 |
| Sensor Electronic Technology, Inc. | 465 |
2 |
| South China University of Technology | 1861 |
2 |
| Texas Tech University System | 631 |
2 |
| Squidled SAS | 2 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 153573 |
1 |
| The Regents of the University of California | 20506 |
1 |
| Autres propriétaires | 74 |