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  • H - Électricité
  • H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
  • H10F 77/124 - Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs

Détention brevets de la classe H10F 77/124

Brevets de cette classe: 175

Historique des publications depuis 10 ans

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Propriétaires principaux

Proprétaire
Total
Cette classe
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
16305
10
Hamamatsu Photonics K.K.
4669
10
Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.
48248
7
Mitsubishi Electric Corporation
47971
6
Asahi Kasei Microdevices Corporation
587
4
Dowa Electronics Materials Co., Ltd.
636
4
Sensor Electronic Technology, Inc.
465
4
Aeluma, Inc.
25
4
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives
11127
3
Epistar Corporation
830
3
Lynred
133
3
Sicily Merger Sub II, Inc.
169
3
Apple Inc.
58705
2
The Regents of the University of California
20720
2
FUJIFILM Corporation
30512
2
United Microelectronics Corp.
4492
2
Azur Space Solar Power GmbH
161
2
The Board of Regents of the University of Oklahoma
656
2
The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy
1449
2
Institute of Semiconductors, Chinese Academy of Sciences
101
2
Autres propriétaires 98

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