- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 77/124 - Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs
Détention brevets de la classe H10F 77/124
Brevets de cette classe: 98
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 46267 |
7 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15823 |
5 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4519 |
4 |
| Asahi Kasei Microdevices Corporation | 559 |
3 |
| Aeluma, Inc. | 18 |
3 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 47065 |
2 |
| United Microelectronics Corp. | 4323 |
2 |
| Azur Space Solar Power GmbH | 162 |
2 |
| Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 639 |
2 |
| The Government of the United States of America, as represented by the Secretary of the Navy | 1370 |
2 |
| Sensor Electronic Technology, Inc. | 468 |
2 |
| Texas Tech University System | 609 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 149582 |
1 |
| The Boeing Company | 20059 |
1 |
| FUJIFILM Corporation | 29871 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 19361 |
1 |
| California Institute of Technology | 3995 |
1 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3798 |
1 |
| Alliance for Sustainable Energy, LLC | 833 |
1 |
| Arizona Board of Regents on behalf of Arizona State University | 2737 |
1 |
| Autres propriétaires | 54 |