- Sections
- H - Électricité
- H10F - Dispositifs à semi-conducteurs inorganiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire
- H10F 77/124 - Matériaux actifs comportant uniquement des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs
Détention brevets de la classe H10F 77/124
Brevets de cette classe: 68
Historique des publications depuis 10 ans
|
0
|
0
|
0
|
0
|
0
|
2
|
7
|
8
|
5
|
30
|
| 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 | 2025 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
|
Cette classe
|
|---|---|---|
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 43854 |
6 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 15659 |
3 |
| Mitsubishi Electric Corporation | 46590 |
2 |
| Asahi Kasei Microdevices Corporation | 547 |
2 |
| Texas Tech University System | 597 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 147983 |
1 |
| The Boeing Company | 20139 |
1 |
| FUJIFILM Corporation | 29702 |
1 |
| Applied Materials, Inc. | 18968 |
1 |
| United Microelectronics Corp. | 4256 |
1 |
| California Institute of Technology | 3986 |
1 |
| Hamamatsu Photonics K.K. | 4461 |
1 |
| Alliance for Sustainable Energy, LLC | 815 |
1 |
| Arizona Board of Regents on behalf of Arizona State University | 2678 |
1 |
| The Board of Regents of the University of Oklahoma | 618 |
1 |
| Delta Electronics (Shanghai) Co., Ltd. | 727 |
1 |
| Dowa Electronics Materials Co., Ltd. | 634 |
1 |
| Dowa Holdings Co., Ltd. | 80 |
1 |
| Drexel University | 1005 |
1 |
| Epistar Corporation | 1485 |
1 |
| Autres propriétaires | 38 |