Fluidized bed systems for separating powder from granular material, such as separating silicon powder from granular polysilicon, can include a main vessel, a cone at a lower end of the main vessel, and an injector assembly coupled to the cone. The injector assembly includes an injector conduit configured to direct fluidization gas into the main vessel through the cone and withdraw granular material from the main vessel. The main vessel has a top cover including an outlet through which fluidization gas and entrained powder can be withdrawn.
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
B01J 19/26 - Réacteurs du type à injecteur, c.-à-d. dans lesquels la distribution des réactifs de départ dans le réacteur est effectuée par introduction ou injection au moyen d'injecteurs
C01B 33/027 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
C23C 16/442 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement utilisant des procédés à lits fluidisés
A granular material flow control system includes a granular material supply, a discharge head in fluid communication with the granular material supply, and a pan positioned beneath the discharge head to receive granular material discharged from the discharge head, the pan comprising a first end portion and a second end portion. A flow regulator conduit is coupled to a weight sensor, the flow regulator conduit having an inlet opening and an outlet opening, the second end portion of the pan being received in the inlet opening of the flow regulator conduit. A vibratory feeder is coupled to the pan and configured to vibrate the pan to induce granular material in the pan to flow off of an edge of the second end portion into the flow regulator conduit.
C30B 15/02 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p. ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
B65G 27/04 - Porte-charges autres que les canaux ou conduits hélicoïdaux ou en spirale
B65G 27/32 - Utilisation de dispositifs pour créer ou transmettre les secousses avec moyens pour commander la direction, la fréquence ou l'amplitude des vibrations ou des mouvements d'oscillation
B65G 47/16 - Dispositifs pour alimenter en objets ou matériaux les transporteurs pour alimenter en matériaux en vrac
A granular material flow control system includes a granular material supply, a discharge head in fluid communication with the granular material supply, and a pan positioned beneath the discharge head to receive granular material discharged from the discharge head, the pan comprising a first end portion and a second end portion. A flow regulator conduit is coupled to a weight sensor, the flow regulator conduit having an inlet opening and an outlet opening, the second end portion of the pan being received in the inlet opening of the flow regulator conduit. A vibratory feeder is coupled to the pan and configured to vibrate the pan to induce granular material in the pan to flow off of an edge of the second end portion into the flow regulator conduit.
A method of controlling particle additions to a fluidized bed reactor includes measuring pressure fluctuations inside the fluidized bed reactor over a selected time period, determining a pressure parameter indicative of amplitudes of the pressure fluctuations, comparing the pressure parameter to a specified threshold, and controlling particle additions to the fluidized bed reactor when the pressure parameter deviates from the specified threshold.
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
A method of controlling particle additions to a fluidized bed reactor includes measuring pressure fluctuations inside the fluidized bed reactor over a selected time period, determining a pressure parameter indicative of amplitudes of the pressure fluctuations, comparing the pressure parameter to a specified threshold, and controlling particle additions to the fluidized bed reactor when the pressure parameter deviates from the specified threshold.
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
6.
METHOD FOR ANNEALING GRANULAR SILICON WITH AGGLOMERATION CONTROL
This disclosure concerns embodiments of an annealing device and a method for annealing flowable, finely divided solids, such as annealing granular silicon to reduce a hydrogen content of the granular silicon. The annealing device comprises at least one tube through which flowable, finely divided solids are flowed downwardly. The tube includes a heating zone and (i) a residence zone below the heating zone, (ii) a cooling zone below the heating zone, or (iii) a residence zone below the heating zone and a cooling zone below the residence zone. An inert gas is flowed upwardly through the tube. The tube may be constructed from two or more tube segments. The annealing device may include a plurality of tubes arranged and housed within a shell. The annealing device and method are suitable for a continuous process.
This disclosure concerns embodiments of an annealing device and a method for annealing flowable, finely divided solids, such as annealing granular silicon to reduce a hydrogen content of the granular silicon. The annealing device comprises at least one tube through which flowable, finely divided solids are flowed downwardly. The tube includes a heating zone and (i) a residence zone below the heating zone, (ii) a cooling zone below the heating zone, or (iii) a residence zone below the heating zone and a cooling zone below the residence zone. An inert gas is flowed upwardly through the tube. The tube may be constructed from two or more tube segments. The annealing device may include a plurality of tubes arranged and housed within a shell. The annealing device and method are suitable for a continuous process.
B01J 19/00 - Procédés chimiques, physiques ou physico-chimiques en généralAppareils appropriés
B01J 2/16 - Procédés ou dispositifs pour la granulation de substances, en généralTraitement de matériaux particulaires leur permettant de s'écouler librement, en général, p. ex. en les rendant hydrophobes par suspension de la substance en poudre dans un gaz, p. ex. sous forme de "lits fluidisés" ou de rideau
8.
CONTROL OF SILICON OXIDE OFF-GAS TO PREVENT FOULING OF GRANULAR SILICON ANNEALING SYSTEM
This disclosure concerns embodiments of an annealing device and a method for annealing granular silicon to reduce a hydrogen content of the granular silicon. The annealing device comprises at least one tube through which granular silicon is flowed downwardly. The tube includes a heating zone and (i) a residence zone below the heating zone, (ii) a cooling zone below the heating zone, or (iii) a residence zone below the heating zone and a cooling zone below the residence zone. An inert gas is flowed upwardly through the tube. The tube may be constructed from two or more tube segments. The annealing device may include a plurality of tubes arranged in parallel and housed within a shell. The annealing device and method are suitable for a continuous process.
This disclosure concerns embodiments of an annealing device and a method for annealing granular silicon to reduce a hydrogen content of the granular silicon. The annealing device comprises at least one tube through which granular silicon is flowed downwardly. The tube includes a heating zone and (i) a residence zone below the heating zone, (ii) a cooling zone below the heating zone, or (iii) a residence zone below the heating zone and a cooling zone below the residence zone. An inert gas is flowed upwardly through the tube. The tube may be constructed from two or more tube segments. The annealing device may include a plurality of tubes arranged in parallel and housed within a shell. The annealing device and method are suitable for a continuous process.
This disclosure concerns embodiments of an annealing device and a method for annealing flowable, finely divided solids, such as annealing granular silicon to reduce a hydrogen content of the granular silicon. The annealing device comprises at least one tube through which flowable, finely divided solids are flowed downwardly. The tube includes a heating zone and (i) a residence zone below the heating zone, (ii) a cooling zone below the heating zone, or (iii) a residence zone below the heating zone and a cooling zone below the residence zone. An inert gas is flowed upwardly through the tube. The tube may be constructed from two or more tube segments. The annealing device may include a plurality of tubes arranged and housed within a shell. The annealing device and method are suitable for a continuous process.
C01B 33/03 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition d'halogénures de silicium ou de silanes halogénés ou réduction de ceux-ci avec de l'hydrogène comme seul agent réducteur
Reaction chamber liners for use in a fluidized bed reactor for production of polysilicon-coated granulate material are disclosed. The liners include an aperture and a cavity configured to receive a reactor component, such as a probe, a sensor, a nozzle, a feed line, a sampling line, a heating/cooling component, or the like. In some embodiments, the liner is a segmented liner comprised of vertically stacked or laterally joined segments, wherein at least one segment includes an aperture and a cavity configured to receive a reactor component.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
A feeder operable to convey a divided solids material comprises a conduit and an actuator. The conduit has a hollow body with a length, a first end, a second end opposite the first end and a displaceable body segment defined along at least a portion of the length. The displaceable body segment has at least a first fixable location positionable at a first fixed location. The actuator is positioned to apply force to the conduit and is controllable to cause selected flow of divided solids material in a feed direction extending generally from the first end to the second end. Methods are also disclosed.
B65G 65/30 - Procédés ou dispositifs pour remplir ou vider les caissons, trémies, réservoirs ou réceptacles analogues sauf pour ce qui concerne leur utilisation dans des processus chimiques ou physiques ou leur application dans des machines particulières, p. ex. non couverts par une seule autre sous-classe
F16L 11/04 - Manches, c.-à-d. tuyaux flexibles en caoutchouc ou en matériaux plastiques flexibles
An oscillatory feeder operable to convey a flowable solid material has a tubular body and a displaceable body segment. The tubular body has at least one first end, at least one second end opposite the first end and a displaceable body segment between the first and second ends. The displaceable body segment has a first fixable location positionable at a first fixed location and a second fixable location positionable at a second fixed location. The actuator is attached to the displaceable body segment and controllable to cause selected displacement of the body segment and attached actuator and corresponding selected flow of solid material within the displaceable body segment in a feed direction extending generally from the first end to the second end.
B65G 11/20 - Dispositifs auxiliaires, p. ex. pour dévier, régler la vitesse ou remuer les objets ou les solides
B65G 47/20 - Aménagements ou utilisation de trémies ou colonnes de descente les trémies ou colonnes de descente étant mobiles
B65G 25/02 - Transporteurs comportant un porte-charges ou un impulseur à mouvement cyclique, p. ex. à va-et-vient, désengagé de la charge pendant le mouvement de retour le porte-charges ou l'impulseur ayant des courses aller et retour différentes, p. ex. transporteurs à balancier
14.
Tumbling device for the separation of granular polysilicon and polysilicon powder
Methods and apparatus for separating polysilicon powder from a mixture of granular polysilicon and polysilicon powder are disclosed. The method includes tumbling the polysilicon material in a tumbling device while flowing humidified sweep gas through the tumbling device. Also disclosed are compositions including granulate polysilicon or polycrystalline silicon, in some examples, including a coating layer consisting essentially of water.
B07B 4/08 - Séparation des solides, obtenue en soumettant leur mélange à des courants de gaz pendant que le mélange est supporté par des cribles, des tamis ou des éléments mécaniques analogues
B07B 4/06 - Séparation des solides, obtenue en soumettant leur mélange à des courants de gaz pendant que le mélange tombe en utilisant des tambours en rotation
B07B 7/02 - Séparation sélective des matériaux solides portés par des courants de gaz, ou dispersés dans ceux-ci par inversion de la direction du flux
Methods and apparatus for separating polysilicon powder from a mixture of granular polysilicon and polysilicon powder are disclosed. The method includes tumbling the polysilicon material in a tumbling device while flowing humidified sweep gas through the tumbling device. Also disclosed are compositions including granulate polysilicon or polycrystalline silicon, in some examples, including a coating layer consisting essentially of water.
Fine particulate material is separated from a mixture of coarse particulate material and fine particulate material by passing sweep gas through the chamber of a rotating tumbler drum that contains an introduced material that is a mixture of coarse particulate material and fine particulate material. In particular, polysilicon powder may be separated from granular polysilicon. Seals are present, at locations where gas-conveying parts of the apparatus move relative to one another, to block the escape of sweep gas to the atmosphere surrounding the apparatus. A downstream seal extends between a stationary exhaust duct and an exhaust tube that rotates with the tumbler drum. The seal is protected by a flow of clean flush gas that is delivered to a gap between the exhaust duct and the exhaust tube. A dust collection assembly receives separated fine particulate material. Tumbled particulate material, having a reduced percentage by weight of fine particulate material than the introduced polysilicon material, is collected from the tumbler drum.
Fine particulate material is separated from a mixture of coarse particulate material and fine particulate material by passing sweep gas through the chamber of a rotating tumbler drum that contains an introduced material that is a mixture of coarse particulate material and fine particulate material. In particular, polysilicon powder may be separated from granular polysilicon. Seals are present, at locations where gas-conveying parts of the apparatus move relative to one another, to block the escape of sweep gas to the atmosphere surrounding the apparatus. A downstream seal extends between a stationary exhaust duct and an exhaust tube that rotates with the tumbler drum. The seal is protected by a flow of clean flush gas that is delivered to a gap between the exhaust duct and the exhaust tube.
B07B 4/08 - Séparation des solides, obtenue en soumettant leur mélange à des courants de gaz pendant que le mélange est supporté par des cribles, des tamis ou des éléments mécaniques analogues
B07B 11/02 - Disposition des accessoires pour le conditionnement de l'air ou des matériaux
B07B 11/06 - Dispositifs d'alimentation ou de déchargement
B07B 4/06 - Séparation des solides, obtenue en soumettant leur mélange à des courants de gaz pendant que le mélange tombe en utilisant des tambours en rotation
18.
SILICON DEPOSITION REACTOR WITH BOTTOM SEAL ARRANGEMENT
Fluidized bed reactor systems for producing high purity silicon-coated particles are disclosed. A vessel has an outer shell, an insulation layer inwardly of the outer shell, a concentric inner shell inwardly of the outer shell, and a concentric liner that is positioned inwardly of the inner shell and that defines a reactor chamber. The inner shell and liner are sealed together at their bottoms by an O-ring seal arrangement to prevent gas in the reactor chamber from entering a space between the inner shell and the liner. A central inlet nozzle produces a vertical gas plume in the reactor chamber.
C01B 33/035 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés en présence de filaments chauffés de silicium, de carbone ou d'un métal réfractaire, p. ex. de tantale ou de tungstène, ou en présence de tiges de silicium chauffées sur lesquelles le silicium formé se dépose avec obtention d'une tige de silicium, p. ex. procédé Siemens
C23C 16/442 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement utilisant des procédés à lits fluidisés
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
Embodiments of a reflective surface and a reflector comprising a reflective surface for use in a thermal decomposition reactor are disclosed. Methods for using the reflective surface, or reflector comprising the reflective surface, to manage a temperature profile in a silicon rod grown in the thermal decomposition reactor are also disclosed. The reflective surface is configured to receive radiant heat energy emitted from an energy emitting region of an elongated polysilicon body grown during chemical vapor deposition onto a silicon filament and reflect at least a portion of the received radiant heat energy to a reflected energy receiving region of the elongated polysilicon body or to a reflected energy receiving region of a second elongated polysilicon body, to thereby add radiant heat energy to the reflected energy receiving region.
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
20.
Apparatus and method for silicon powder management
Methods and apparatus for separating polysilicon powder from a mixture of granular polysilicon and polysilicon powder are disclosed. The method includes tumbling the polysilicon material in a tumbling device. The tumbling device includes a tumbler drum having one or more lifting vanes spaced apart from one another and extending longitudinally along an interior surface of the tumbler drum. The lifting vanes facilitate separation of polysilicon powder and granules as the tumbler drum is rotated about its longitudinal axis of rotation.
B07B 4/06 - Séparation des solides, obtenue en soumettant leur mélange à des courants de gaz pendant que le mélange tombe en utilisant des tambours en rotation
21.
CHEMICAL VAPOR DEPOSITION REACTOR WITH FILAMENT HOLDING ASSEMBLY
Polysilicon crystalline rods are formed by chemical vapor deposition in the reaction chamber of a Siemens reactor. Filament holding assemblies secure vertically extending filaments to electrodes located along the floor of the reactor. A filament holding assembly includes a chuck support member that is mounted on an electrode and that has an upwardly tapering side surface. A chuck is seated on the chuck support member with at least a portion of the chuck support member received within a cavity defined in the base of the chuck with the side surface of the chuck support member engaging the surface that defines the cavity. The cavity can sized and shaped such that a gap is defined between the distal end of the chuck support member and an end wall surface of the cavity. The chuck has an upwardly opening receptacle that receives and holds the end portion of an upwardly extending filament.
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
22.
APPARATUS AND METHOD FOR SILICON POWDER MANAGEMENT
Methods and apparatus for separating polysilicon powder from a mixture of granular polysilicon and polysilicon powder are disclosed. The method includes tumbling the polysilicon material in a tumbling device. The tumbling device includes a tumbler drum having one or more lifting vanes spaced apart from one another and extending longitudinally along an interior surface of the tumbler drum. The lifting vanes facilitate separation of polysilicon powder and granules as the tumbler drum is rotated about its longitudinal axis of rotation.
C04B 35/14 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes à base de silice
C04B 35/01 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base d'oxydes
23.
SEGMENTED LINER AND TRANSITION SUPPORT RING FOR USE IN A FLUIDIZED BED REACTOR
Transition support rings for joining tubular segments of different inner cross-sectional dimensions to make segmented liners for use in a fluidized bed reactor (FBR) for making polysilicon-coated granulate material are disclosed. Segmented liners comprising the transition support rings and fluidized bed reactors including segmented liners are also disclosed.
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
B01J 19/02 - Appareils caractérisés par le fait qu'ils sont construits avec des matériaux choisis pour leurs propriétés de résistance aux agents chimiques
B01J 13/00 - Chimie des colloïdes, p. ex. production de substances colloïdales ou de leurs solutions, non prévue ailleursFabrication de microcapsules ou de microbilles
Embodiments of an obstructing member and methods for its use in a fluidized bed reactor are disclosed. The obstructing member comprises a plurality of receiving members, each receiving member comprising a tubular wall defining a passageway dimensioned to receive an internal reactor component, and a plurality of connecting elements connecting the receiving members, wherein the obstructing member occupies from 15-60% of a horizontal cross-section of a reaction chamber of the fluidized bed reactor.
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
Segmented silicon carbide liners for use in a fluidized bed reactor for production of polysilicon-coated granulate material are disclosed, as well as methods of making and using the segmented silicon carbide liners. Non-contaminating bonding materials for joining silicon carbide segments also are disclosed. One or more of the silicon carbide segments may be constructed of reaction-bonded silicon carbide.
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
C01B 33/029 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition de monosilane
C01B 33/03 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition d'halogénures de silicium ou de silanes halogénés ou réduction de ceux-ci avec de l'hydrogène comme seul agent réducteur
C01B 33/027 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
26.
HIGH-PURITY SILICON TO FORM SILICON CARBIDE FOR USE IN A FLUIDIZED BED REACTOR
Segmented silicon carbide liners for use in a fluidized bed reactor for production of polysilicon-coated granulate material are disclosed, as well as methods of making and using the segmented silicon carbide liners. Non-contaminating bonding materials for joining silicon carbide segments also are disclosed. One or more of the silicon carbide segments may be constructed of reaction-bonded silicon carbide.
B01J 19/02 - Appareils caractérisés par le fait qu'ils sont construits avec des matériaux choisis pour leurs propriétés de résistance aux agents chimiques
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
Segmented silicon carbide liners for use in a fluidized bed reactor for production of polysilicon-coated granulate material are disclosed, as well as methods of making and using the segmented silicon carbide liners. Non-contaminating bonding materials for joining silicon carbide segments also are disclosed. One or more of the silicon carbide segments may be constructed of reaction-bonded silicon carbide.
B01J 19/02 - Appareils caractérisés par le fait qu'ils sont construits avec des matériaux choisis pour leurs propriétés de résistance aux agents chimiques
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
28.
Non-contaminating bonding material for segmented silicon carbide liner in a fluidized bed reactor
Segmented silicon carbide liners for use in a fluidized bed reactor for production of polysilicon-coated granulate material are disclosed, as well as methods of making and using the segmented silicon carbide liners. Non-contaminating bonding materials for joining silicon carbide segments also are disclosed. One or more of the silicon carbide segments may be constructed of reaction-bonded silicon carbide.
B01J 19/02 - Appareils caractérisés par le fait qu'ils sont construits avec des matériaux choisis pour leurs propriétés de résistance aux agents chimiques
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
C01B 37/00 - Composés ayant des propriétés de tamis moléculaires mais n'ayant pas de propriétés d'échangeurs de base
C23C 16/442 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement utilisant des procédés à lits fluidisés
B01J 2/16 - Procédés ou dispositifs pour la granulation de substances, en généralTraitement de matériaux particulaires leur permettant de s'écouler librement, en général, p. ex. en les rendant hydrophobes par suspension de la substance en poudre dans un gaz, p. ex. sous forme de "lits fluidisés" ou de rideau
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C04B 35/565 - Produits céramiques mis en forme, caractérisés par leur compositionCompositions céramiquesTraitement de poudres de composés inorganiques préalablement à la fabrication de produits céramiques à base de non oxydes à base de carbures à base de carbure de silicium
C04B 37/00 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage
F27D 1/04 - CarcassesGarnissagesParoisVoûtes caractérisés par la forme des briques ou des blocs utilisés
B01J 2/00 - Procédés ou dispositifs pour la granulation de substances, en généralTraitement de matériaux particulaires leur permettant de s'écouler librement, en général, p. ex. en les rendant hydrophobes
Embodiments of an obstructing member and methods for its use in a fluidized bed reactor are disclosed. The obstructing member comprises a plurality of receiving members, each receiving member comprising a tubular wall defining a passageway dimensioned to receive an internal reactor component, and a plurality of connecting elements connecting the receiving members, wherein the obstructing member occupies from 15-60% of a horizontal cross-section of a reaction chamber of the fluidized bed reactor.
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/442 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement utilisant des procédés à lits fluidisés
30.
NON-CONTAMINATING BONDING MATERIAL FOR SEGMENTED SILICON CARBIDE LINER IN A FLUIDIZED BED REACTOR
Segmented silicon carbide liners for use in a fluidized bed reactor for production of polysilicon-coated granulate material are disclosed, as well as methods of making and using the segmented silicon carbide liners. Non-contaminating bonding materials for joining silicon carbide segments also are disclosed. One or more of the silicon carbide segments may be constructed of reaction-bonded silicon carbide.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
31.
JOINT DESIGN FOR SEGMENTED SILICON CARBIDE LINER IN A FLUIDIZED BED REACTOR
Segmented silicon carbide liners for use in a fluidized bed reactor for production of polysilicon-coated granulate material are disclosed, as well as methods of making and using the segmented silicon carbide liners. Non-contaminating bonding materials for joining silicon carbide segments also are disclosed. One or more of the silicon carbide segments may be constructed of reaction-bonded silicon carbide.
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
B01J 19/02 - Appareils caractérisés par le fait qu'ils sont construits avec des matériaux choisis pour leurs propriétés de résistance aux agents chimiques
32.
Segmented liner and transition support ring for use in a fluidized bed reactor
Transition support rings for joining tubular segments of different inner cross-sectional dimensions to make segmented liners for use in a fluidized bed reactor (FBR) for making polysilicon-coated granulate material are disclosed. Segmented liners comprising the transition support rings and fluidized bed reactors including segmented liners are also disclosed.
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
B01J 8/00 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
B01J 19/00 - Procédés chimiques, physiques ou physico-chimiques en généralAppareils appropriés
B01J 19/24 - Réacteurs fixes sans élément interne mobile
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
C23C 16/22 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/442 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement utilisant des procédés à lits fluidisés
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
Segmented silicon carbide liners for use in a fluidized bed reactor for production of polysilicon-coated granulate material are disclosed, as well as methods of making and using the segmented silicon carbide liners. Non-contaminating bonding materials for joining silicon carbide segments also are disclosed. One or more of the silicon carbide segments may be constructed of reaction-bonded silicon carbide.
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
C01B 33/029 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition de monosilane
C01B 33/03 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition d'halogénures de silicium ou de silanes halogénés ou réduction de ceux-ci avec de l'hydrogène comme seul agent réducteur
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
C01B 33/027 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
34.
RECOVERY OF HYDROHALOSILANES FROM REACTION RESIDUES
Methods of recovering hydrohalosilanes from reaction residues are disclosed. An inorganic halosilane slurry comprising (i) tetrahalosilane, trihalosilane, dihalosilane, or any combination thereof, (ii) silicon particles, and (iii) heavies is passed through a thin-film dryer to remove halosilanes and form a solid residue comprising silicon particles. Heavies also may be removed as the slurry passes through the thin-film dryer.
Methods of recovering hydrohalosilanes from reaction residues are disclosed. An inorganic halosilane slurry comprising (i) tetrahalosilane, trihalosilane, dihalosilane, or any combination thereof, (ii) silicon particles, and (iii) heavies is passed through a thin-film dryer to remove halosilanes and form a solid residue comprising silicon particles. Heavies also may be removed as the slurry passes through the thin-film dryer.
Apparatus and methods for consolidating granular silicon and determining trace elements content of the consolidated silicon are disclosed. Silicon granules are placed in a vessel, and a silicon slug of known purity is embedded at least partially in the granules. The slug is preheated to a temperature sufficient to couple with an induction heater. As the silicon slug melts, silicon granules adjacent the molten silicon also melt. The vessel passes through an induction coil to successively inductively heat and melt regions of the silicon granules from the leading end to the trailing end with each region solidifying as the molten silicon exits the induction coil to provide a multicrystalline silicon ingot. The multicrystalline silicon ingot is sliced into wafers, which are analyzed by low-temperature Fourier transform infrared spectroscopy to determine levels of trace elements in the ingot.
Apparatus and methods for consolidating granular silicon and determining trace elements content of the consolidated silicon are disclosed. Silicon granules are placed in a vessel, and a silicon slug of known purity is embedded at least partially in the granules. The slug is preheated to a temperature sufficient to couple with an induction heater. As the silicon slug melts, silicon granules adjacent the molten silicon also melt. The vessel passes through an induction coil to successively inductively heat and melt regions of the silicon granules from the leading end to the trailing end with each region solidifying as the molten silicon exits the induction coil to provide a multicrystalline silicon ingot. The multicrystalline silicon ingot is sliced into wafers, which are analyzed by low-temperature Fourier transform infrared spectroscopy to determine levels of trace elements in the ingot.
G01N 21/3563 - CouleurPropriétés spectrales, c.-à-d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes en recherchant l'effet relatif du matériau pour les longueurs d'ondes caractéristiques d'éléments ou de molécules spécifiques, p. ex. spectrométrie d'absorption atomique en utilisant la lumière infrarouge pour l'analyse de solidesPréparation des échantillons à cet effet
C01B 33/035 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés en présence de filaments chauffés de silicium, de carbone ou d'un métal réfractaire, p. ex. de tantale ou de tungstène, ou en présence de tiges de silicium chauffées sur lesquelles le silicium formé se dépose avec obtention d'une tige de silicium, p. ex. procédé Siemens
G01N 21/35 - CouleurPropriétés spectrales, c.-à-d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes en recherchant l'effet relatif du matériau pour les longueurs d'ondes caractéristiques d'éléments ou de molécules spécifiques, p. ex. spectrométrie d'absorption atomique en utilisant la lumière infrarouge
38.
POLYSILICON TRANSPORTATION DEVICE AND A REACTOR SYSTEM AND METHOD OF POLYCRYCRYSTALLINE SILICON PRODUCTION THEREWITH
A method and system for reduction or mitigation of metal contamination of polycrystalline silicon are disclosed. A conveyance device comprising a flexible synthetic resin tube having an inner surface at least partially coated with an inner layer comprising elastomeric microcellular polyurethane is disclosed for use in fluidized bed reactor operations associated with manufacture and product handling procedures for ultra pure granular polysilicon. Use of the conduit to effect passage of the polysilicon mitigates foreign metal contact contamination from sources otherwise typically present in such manufacturing units.
A method and fluidized bed reactor for reducing or eliminating contamination of silicon-coated particles are disclosed. The metal surface of one or more fluidized bed reactor components is at least partially coated with a hard protective layer comprising a material having an ultimate tensile strength of at least 700 MPa at 650° C.
C23C 16/442 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement utilisant des procédés à lits fluidisés
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C22C 19/00 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
40.
METHOD AND APPARATUS FOR PRODUCTION OF SILANE AND HYDROHALOSILANES
Silane and hydrohalosilanes of the general formula HySiX4-y (y = 1, 2, or 3) are produced by reactive distillation in a system that includes a fixed-bed catalytic redistribution reactor that can be back-flushed during operation.
4-y (y=1, 2, or 3) are produced by reactive distillation in a system that includes a fixed-bed catalytic redistribution reactor that can be back-flushed during operation.
B01D 3/00 - Distillation ou procédés d'échange apparentés dans lesquels des liquides sont en contact avec des milieux gazeux, p. ex. extraction
B01J 8/00 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés
B01J 8/02 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés avec des particules immobiles, p. ex. dans des lits fixes
B01J 8/04 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés avec des particules immobiles, p. ex. dans des lits fixes le fluide passant successivement à travers plusieurs lits
B01J 19/00 - Procédés chimiques, physiques ou physico-chimiques en généralAppareils appropriés
B01J 19/24 - Réacteurs fixes sans élément interne mobile
42.
CORROSION AND FOULING REDUCTION IN HYDROCHLOROSILANE PRODUCTION
Methods for reducing iron silicide and/or iron phosphide fouling and/or corrosion in a hydrochlorosilane production plant are disclosed. Sufficient hydrogen is added to a silicon tetrachloride process stream to inhibit iron (II) chloride formation and reduce iron silicide and/or iron phosphide fouling, superheater corrosion, or a combination thereof. Trichlorosilane also may be added to the silicon tetrachloride process stream.
Embodiments of a reaction chamber liner for use in a heated silicon deposition reactor are disclosed. The liner has an upper portion, a mid portion comprising a material other than a stainless steel alloy, and a lower portion comprising a martensitic stainless steel alloy. The liner's upper portion may have a composition substantially similar to the lower portion.
C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c.-à-d. non caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 26/00 - Revêtements non prévus par les groupes
B32B 15/08 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comprenant un métal comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de résine synthétique
Embodiments of a probe assembly for a fluid bed reactor are disclosed. The probe assembly includes a fluid bed reactor (FBR) member, and a pressure tap comprising a wall defining a passageway within which the FBR member is located. Exemplary FBR members include, but are not limited to, a thermocouple, a seed pipe, a particle sampling line, a gas sampling line, a gas feed line, a heater, a second pressure tap, or a combination thereof. Disclosed embodiments of the probe assembly reduce or eliminate the need for support rods and rings within the fluid bed reactor, reduce component fouling within the reactor, and/or reduce product contamination.
B01L 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
45.
METHOD AND APPARATUS TO REDUCE CONTAMINATION OF PARTICLES IN A FLUIDIZED BED REACTOR
A method and fluidized bed reactor for reducing or eliminating contamination of silicon-coated particles are disclosed. The metal surface of one or more fluidized bed reactor components is at least partially coated with a hard protective layer comprising a material having an ultimate tensile strength of at least 700 MPa at 650°C.
B01J 19/02 - Appareils caractérisés par le fait qu'ils sont construits avec des matériaux choisis pour leurs propriétés de résistance aux agents chimiques
C30B 28/14 - Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée directement à partir de l'état gazeux par réaction chimique de gaz réactifs
C01B 33/035 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés en présence de filaments chauffés de silicium, de carbone ou d'un métal réfractaire, p. ex. de tantale ou de tungstène, ou en présence de tiges de silicium chauffées sur lesquelles le silicium formé se dépose avec obtention d'une tige de silicium, p. ex. procédé Siemens
46.
A CONTAINER AND METHOD OF MITIGATING METAL-CONTACT CONTAMINATION OF POLYSILICON
The present disclosure concerns reduction or mitigation of metal-contamination of polycrystalline silicon when held or stored in containers at least partially constructed of metal and/or having polysilicon contact surfaces at least partially of metal. In particular, the disclosure relates to a method of mitigating metal contamination of polycrystalline silicon from contact with a metal surface of a container by providing the surface with a protective layer comprising a microcellular elastomeric polyurethane.
B65D 85/84 - Réceptacles, éléments d'emballage ou paquets spécialement adaptés à des objets ou à des matériaux particuliers pour produits chimiques corrosifs
Embodiments of a probe assembly for a fluid bed reactor are disclosed. The probe assembly includes a fluid bed reactor (FBR) member, and a pressure tap comprising a wall defining a passageway within which the FBR member is located. Exemplary FBR members include, but are not limited to, a thermocouple, a seed pipe, a particle sampling line, a gas sampling line, a gas feed line, a heater, a second pressure tap, or a combination thereof. Disclosed embodiments of the probe assembly reduce or eliminate the need for support rods and rings within the fluid bed reactor, reduce component fouling within the reactor, and/or reduce product contamination.
G01K 7/02 - Mesure de la température basée sur l'utilisation d'éléments électriques ou magnétiques directement sensibles à la chaleur utilisant des éléments thermo-électriques, p. ex. des thermocouples
C23C 16/442 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement utilisant des procédés à lits fluidisés
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
48.
THREADED NOZZLE AND CLOSABLE NOZZLE VALVE ASSEMBLY
Embodiments of a nozzle assembly and a closable valve assembly for use in a fluid bed reactor system are disclosed. The nozzle assembly includes a first member that extends upwardly through a bottom wall of a fluid bed reaction chamber, and a second member. The first and second members are detachably fitted together via threads on each member. The second member can be removed and/or replaced, thereby facilitating fluid bed reactor maintenance. The closable valve assembly is connected to a nozzle, and includes a valve body and a gate pivotally connected to the valve body. The gate is movable between a first position at least partially covering the nozzle orifice in the absence of gas flow through the orifice, and a second position wherein the orifice is not covered when gas flows through the orifice.
B01J 19/26 - Réacteurs du type à injecteur, c.-à-d. dans lesquels la distribution des réactifs de départ dans le réacteur est effectuée par introduction ou injection au moyen d'injecteurs
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
49.
A REACTOR SYSTEM AND METHOD OF POLYCRYSTALLINE SILICON PRODUCTION THEREWITH
A method and system for reduction or mitigation of metal contamination of polycrystalline silicon are disclosed. Metal contamination of granulate polycrystalline silicon, from contact with a metal surface of components of the supporting transportation and auxiliary infrastructure of a fluidized bed reactor unit, is mitigated by use of a protective coating comprising a microcellular elastomeric polyurethane.
Embodiments of a system and process for the production of ultra-high purity silane and hydrohalosilanes of the general formula HySiX4-y (y = 1, 2, or 3) by a reactive distillation method are disclosed.
Embodiments of a method for reducing iron silicide and/or iron phosphide fouling and/or corrosion in a hydrochlorosilane production plant are disclosed. Sufficient trichlorosilane is included in a silicon tetrachloride process stream to minimize hydrogen chloride formation, thereby inhibiting iron (II) chloride formation and reducing iron silicide and/or iron phosphide fouling, superheater corrosion, or a combination thereof.
Embodiments of a method for reducing iron silicide and/or iron phosphide fouling and/or corrosion in a hydrochlorosilane production plant are disclosed. Sufficient trichlorosilane is included in a silicon tetrachloride process stream to minimize hydrogen chloride formation, thereby inhibiting iron (II) chloride formation and reducing iron silicide and/or iron phosphide fouling, superheater corrosion, or a combination thereof.
Apparatus and methods are described for transporting and cooling silicon- coated granules produced in a fluidized bed reactor. The described system allows consistent silicon-coated granule production with fewer impurities than traditional silicon granule coolers. Granules flow from the reactor into a cooling vessel and subsequently are transported to a post production treatment system below the cooler. The cooling vessel is constructed as a single standpipe, vertical or near vertical, with a pipe diameter that allows granules to flow freely while providing adequate residence time for cooling. The standpipe is cooled by flowing a cooling medium through a passageway that extends along an external surface of the standpipe. The passageway can be provided by a pipe jacket or conduit.
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
B01J 2/06 - Procédés ou dispositifs pour la granulation de substances, en généralTraitement de matériaux particulaires leur permettant de s'écouler librement, en général, p. ex. en les rendant hydrophobes par division du produit liquide en gouttelettes, p. ex. par pulvérisation, et solidification des gouttelettes en milieu liquide
B01J 19/24 - Réacteurs fixes sans élément interne mobile
Fluidized bed reactor systems for producing high purity silicon-coated particles are disclosed. A vessel has an outer wall, an insulation layer inwardly of the outer wall, at least one heater positioned inwardly of the insulation layer, a removable concentric liner inwardly of the heater, a central inlet nozzle, a plurality of fluidization nozzles, at least one cooling gas nozzle, and at least one product outlet. The system may include a removable concentric sleeve inwardly of the liner. In particular systems the central inlet nozzle is configured to produce a primary gas vertical plume centrally in the reactor chamber to minimize silicon deposition on reactor surfaces.
B05D 7/00 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
C23C 16/00 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD]
B05B 7/00 - Appareillages de pulvérisation pour débiter des liquides ou d'autres matériaux fluides provenant de plusieurs sources, p. ex. un liquide et de l'air, une poudre et un gaz
B05C 5/00 - Appareillages dans lesquels un liquide ou autre matériau fluide est projeté, versé ou répandu sur la surface de l'ouvrage
B05C 19/00 - Appareillages spécialement adaptés pour appliquer des matériaux en particules à des surfaces
C23C 16/442 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement utilisant des procédés à lits fluidisés
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
A polysilicon system comprises polysilicon in at least three form-factors, or shapes, providing for an enhanced loading efficiency of a mold or crucible. The system is used in processes to manufacture multi-crystalline or single crystal silicon.
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
57.
REACTOR SYSTEM AND METHOD OF POLYCRYSTALLINE SILICON PRODUCTION THEREWITH
Embodiments of a method for reducing or mitigating metal contamination of polycrystalline silicon are disclosed. In particular the disclosure relates to a method of mitigating metal contamination of granulate polycrystalline silicon, during its manufacture in a fluidized bed reactor unit, resulting from contact with a metal surface of components of the supporting transportation and auxiliary infrastructure by use of a protective coating comprising silicon or a silicon-containing material.
Embodiments of a system and method for melting feedstock and casting ingots are disclosed. The system comprises a feedstock source, a stationary melting furnace, and one or more solidification modules capable of receiving molten feedstock from the melting furnace. In some embodiments, the system further includes a feed system for transferring feedstock from the feedstock source to the melting furnace. Feedstock is fed into the melting furnace and heated to produce molten feedstock. Molten feedstock flows into a solidification crucible within the solidification module. The solidification crucible is cooled to provide directional solidification and production of an ingot. The melting furnace may include a thermal valve system to prevent molten feedstock from flowing into the solidification crucible until substantially all of the feedstock within the melting furnace is molten. In some embodiments, the feedstock consists essentially of silicon and a multi-crystalline silicon ingot is produced.
C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
A chemical vapor deposition (CVD) reactor system has a reaction chamber enclosed by a reaction chamber wall with an inner surface disposed towards the interior of the chamber. At least a portion of the wall is a heat control layer that faces the chamber and that consists of a material, such as electrolytic ally deposited nickel, that has an emissivity coefficient, as measured at 300K, of 0.1 or less and a hardness of at least 3.5 Moh. Polycrystalline silicon is produced from silicon-rich gases using such a CVD reactor system.
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
C30B 25/00 - Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p. ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture
Produits et services
(1) Industrial chemicals, namely, silicon and silanes; chemical products containing silicon for use in the manufacture of photovoltaic products, semi-conductors, and electronics, namely silicon rods, chunks, chips, granules and powders for use in the manufacture of photovoltaic cells, semi-conductor devices, semi-conductor wafers, microchips and integrated circuits; silicon for industrial use, namely, silicon for use in making solar cells, silicon wafers, solar cell modules, solar panels, semi-conductors, and electronics; and industrial chemicals in gas form, namely, silanes.
(2) Industrial chemicals, namely, silicon and silanes.
Fluidized bed reactor systems for producing high purity silicon-coated particles are disclosed. A vessel has an outer wall, an insulation layer inwardly of the outer wall, at least one heater positioned inwardly of the insulation layer, a removable concentric liner inwardly of the heater, a central inlet nozzle, a plurality of fluidization nozzles, at least one cooling gas nozzle, and at least one product outlet. The system may include a removable concentric sleeve inwardly of the liner. In particular systems the central inlet nozzle is configured to produce a primary gas vertical plume centrally in the reactor chamber to minimize silicon deposition on reactor surfaces.
C23C 16/442 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement utilisant des procédés à lits fluidisés
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
Fluidized bed reactor systems for producing high purity silicon-coated particles are disclosed. A vessel has an outer wall, an insulation layer inwardly of the outer wall, at least one heater positioned inwardly of the insulation layer, a removable concentric liner inwardly of the heater, a central inlet nozzle, a plurality of fluidization nozzles, at least one cooling gas nozzle, and at least one product outlet. The system may include a removable concentric sleeve inwardly of the liner. In particular systems the central inlet nozzle is configured to produce a primary gas vertical plume centrally in the reactor chamber to minimize silicon deposition on reactor surfaces.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/442 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement utilisant des procédés à lits fluidisés
C23F 1/00 - Décapage de matériaux métalliques par des moyens chimiques
H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
C23C 16/22 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt de matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
Silicon granules are produced by chemical vapor deposition on seed particles inside a chamber within a fluidized bed reactor. The chamber contains an obstructing member, or bubble breaker, which is sized and shaped to restrict the growth of bubbles inside the chamber and which has interior passageways through which a heated fluid passes to transfer heat to gas inside the chamber.
B01J 8/34 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé" le lit fluidisé comportant un matériau de remplissage fixe, p. ex. matériaux fragmentés, anneaux métalliques, chicanes
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
C01B 33/027 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
70.
SOLIDIFICATION OF MOLTEN MATERIAL OVER MOVING BED OF DIVIDED SOLID MATERIAL
Systems and methods for converting a powder to a solid mass are disclosed. A furnace is provided to melt the powder and deliver a stream of resulting molten material to a bed of beads on a vibratory conveyor. Cooling gas flows through nozzles positioned above and along the conveyor to cool the beads and liquid. The liquid solidifies and forms a solid mass, incorporating beads from the bed. The conveyor can be periodically stopped to produce a plurality of discrete solid masses. Masses and unincorporated beads fall into a collection container. Unincorporated beads pass through a screening device and are returned to the bed of beads. A make-up bead system adds beads to the bed as needed to maintain a suitable bed depth. In some embodiments, the powder and beads consist essentially of silicon, and the solid masses formed are suitable for preparing silicon ingots.
Silicon granules are produced by chemical vapor deposition on seed particles inside a chamber within a fluidized bed reactor. The chamber contains an obstructing member, or bubble breaker, which is sized and shaped to restrict the growth of bubbles inside the chamber and which has interior passageways through which a heated fluid passes to transfer heat to gas inside the chamber.
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
C01B 33/027 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
A method for producing silicon or a reactive metal is disclosed herein that includes: introducing a silicon-bearing feed or reactive metal-bearing feed into a reactor chamber, wherein the reactor chamber includes a reactor chamber wall having (i) an inside surface facing a reaction space and (ii) an opposing outside surface; generating a first thermal energy within the reaction space sufficient to generate a liquid silicon product or a liquid reactive metal product; generating a second thermal energy exterior to the reactor chamber wall such that a heat flow from the second thermal energy initially impacts the outside surface of the reactor chamber wall; and establishing an inside surface wall temperature within a temperature range that is above or below a melting point temperature of the silicon or the reactive metal by controlling the first thermal energy source and the second thermal energy source.
C01B 33/027 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
A method for producing solid multicrystalline silicon ingots or wafers, comprising: introducing a silicon-bearing gas into a reactor chamber, wherein the reaction chamber includes a reactor chamber wall having (i) an inside surface facing a reaction space and (11) an opposing outside surface, and a product outlet; generating a plasma in the reactor space, thermally decomposing the silicon-bearing gas by subjecting the silicon- bearing gas to a sufficient temperature to produce liquid silicon; maintaining the inside surface of the reactor chamber wall at an equilibrium temperature below the melting point temperature of silicon while thermally decomposing the silicon-bearing gas; and introducing the liquid silicon from the product outlet directly into a module for casting the liquid silicon into solid multicrystalline silicon ingots or multicrystalline silicon wafer.
C30B 28/14 - Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée directement à partir de l'état gazeux par réaction chimique de gaz réactifs
