Abrégé

An LED driving circuit can include: a linear driving circuit coupled in series with an LED load, in order to control a current flowing through the LED load; a first capacitor coupled in parallel with a serial structure having the linear driving circuit and the LED load; and a control circuit configured to decrease a difference between a voltage of the first capacitor and a load voltage of the LED load, in order to increase an efficiency of the LED driving circuit.

Classes IPC  ?

• H05B 45/345 - Stabilisation du courant; Maintien d'un courant constant

Abrégé

An LED driving circuit can include: an electrolytic capacitor coupled between two outputs of a rectifier circuit; an auxiliary power supply circuit coupled in parallel with the electrolytic capacitor, and being configured to convert a voltage of the electrolytic capacitor into a power supply voltage to at least power a dimming control circuit, where the dimming control circuit is configured to generate a dimming control signal; and a linear driving circuit configured to control a driving current flowing through an LED load based on the dimming control signal, where the linear driving circuit is coupled in series with the LED load.

Classes IPC  ?

• H05B 45/10 - Commande de l'intensité de la lumière
• H05B 45/44 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] - Détails des circuits de charge à LED avec un contrôle actif à l'intérieur d'une matrice de LED

Abrégé

A laminated transformer can include: a plurality of magnetic layers; a plurality of coil layers including a primary coil having a first type of coil layer, and a secondary coil having a second type of coil layer, where each coil layer is laminated between a pair of the plurality of magnetic layers; and a plurality of non-magnetic layers, where a first of the plurality of non-magnetic layers is disposed between an adjacent pair of the coil layers in order to increase a coupling coefficient between the primary and secondary coils.

Classes IPC  ?

• H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
• H01F 27/24 - Noyaux magnétiques
• H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments

Abrégé

A high electron mobility transistor can include: a substrate; a channel layer located above the substrate; a potential energy barrier layer located on the channel layer; a drain electrode and a source electrode configured to at least extend downward to an upper surface of the potential energy barrier layer; a gate conductor located above the potential energy barrier layer; and a current limiting structure located on the potential energy barrier layer and extending upward along the surface of a first side of the source electrode to reduce the saturation current of the transistor, where the first side of the source electrode is a side near the gate conductor.

Classes IPC  ?

• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

An information feedback method can include: transmitting, by a master device, an instruction to acquire specific information, where each of a plurality of slave devices when receiving the instruction serves as the current slave device; configuring the current slave device in the communication link in the first mode to receive the instruction from the master device or a previous slave device, and forwarding the instruction to a next slave device; connecting input port SDI and output port SDO of the current slave device by controlling the current slave device in the second mode to form a first pathway; determining, by the current slave device, whether the specific information is present in the current slave device to obtain a corresponding determination result; and then selectively configuring, by the current slave device, a potential of the first pathway of the current slave device to be at a first level.

Classes IPC  ?

• G06F 13/42 - Protocole de transfert pour bus, p.ex. liaison; Synchronisation

Abrégé

A method of making a bevel structure can include: forming an insulating layer on a substrate; forming a first photoresist layer on the insulating layer; performing an exposure and development process on the first photoresist layer to form a second photoresist layer; using the second photoresist layer as a mask to perform a first etching process from an upper surface of the exposed insulating layer until the upper surface of the substrate is exposed; removing part of a first side of the second photoresist layer to continuously expose the upper surface of the insulating layer; using a retained portion of the second photoresist layer as a mask to perform a second etching process from the upper surface of the exposed insulating layer to inside the insulation layer to form a stair-step insulating layer with decreasing length; and wet etching the stair-step insulating layer to form a smooth bevel structure.

Classes IPC  ?

• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

An address extension circuit for configuring an address of a chip, can include where: the address extension circuit is configured to encode the address of the chip differently according to different state information of at least one address pin of the chip; and the state information of the address pin is configured to comprise at least one of floating, coupling with a communication input pin of the chip, and coupling with a communication output pin of the chip.

Classes IPC  ?

• G06F 13/42 - Protocole de transfert pour bus, p.ex. liaison; Synchronisation
• G06F 13/40 - Structure du bus

Abrégé

A single-wire communication method for a single-wire communication system having a master device and a plurality of slave devices, where the master device and each of the plurality of slave devices are sequentially connected through a single wire, the method can include: sequentially transmitting an addressing command to each of the plurality of slave device by the master device, where each of the plurality of slave devices when receiving the addressing command serves as a current slave device; setting an address of the current slave device as address data of the received addressing command when the current slave device has not been addressed; and transmitting the received addressing command to a next slave device when the current slave device has been addressed.

Classes IPC  ?

• G06F 13/42 - Protocole de transfert pour bus, p.ex. liaison; Synchronisation
• G06F 13/40 - Structure du bus

Abrégé

A single wire serial communication method for a system having a master device and a plurality of slave devices sequentially connected by a single wire can include: in each communication, transmitting a data packet by the master device, and sequentially receiving the data packet by each of the slave devices; receiving the data packet and forwarding the data packet to a next slave device by a current slave device, where each of the plurality of slave devices when receiving the data packet serve as the current slave device; modifying device address data in the data packet by the current slave device; and comparing the device address data in the data packet received by the current slave device against a preset data or the device address data in the data packet transmitted by the master device, in order to find at least one target slave device in the communication.

Classes IPC  ?

• H04L 61/3015 - Enregistrement, génération ou allocation de nom
• H04L 45/64 - Routage ou recherche de routes de paquets dans les réseaux de commutation de données à l'aide d'une couche de routage superposée

Abrégé

A multi-phase voltage converter can include: a control chip configured to generate N pulse distribution signals, where N is a positive integer greater than 1; a power conversion module comprising N first-level conversion modules; where the first-level conversion module comprises at least one second-level conversion module, and the second-level conversion module comprises at least one third-level conversion module; where when the second-level conversion module comprises multiple third-level conversion modules, the multiple third-level conversion modules are coupled in parallel with each other; and where the first-level conversion module receives a corresponding one of the N pulse distribution signals, the second-level conversion module receives a first phase distribution signal generated based on the corresponding pulse distribution signal, and the third-level conversion module receives a second phase distribution signal generated based on the first phase distribution signal.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

Abrégé

A communication system can include: at least two communication channels, each of which comprises at least one chip coupled in series, wherein each chip comprises a communication input pin, a communication output pin, and at least one addressing pin, and connections of the addressing pin in the chip comprise one of floating, coupling with the communication input pin of the chip, and coupling with the communication output pin of the chip; and a master device configured to identify each communication channel according to level information of each addressing pin of at least first chip in each communication channel, where the first chip in each communication channel is connected to a corresponding output port of the master device.

Classes IPC  ?

• G06F 13/40 - Structure du bus
• G06F 13/362 - Gestion de demandes d'interconnexion ou de transfert pour l'accès au bus ou au système à bus communs avec commande d'accès centralisée

Abrégé

A semiconductor device having an LDMOS transistor can include: a first deep well region having a first doping type; a drift region located in the first deep well region and having a second doping type; and a drain region located in the drift region and having the second doping type, where the second doping type is opposite to the first doping type, and where a doping concentration peak of the first deep well region is located below the drift region to optimize the breakdown voltage and the on-resistance of the LDMOS transistor.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 21/8234 - Technologie MIS
• H01L 21/8238 - Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
• H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
• H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A magnetic element can include: at least one group of inner cores; where each group of inner cores comprises a lower magnetic core cover plate, a first winding, at least one middle magnetic core cover plate, a second winding, and an upper magnetic core cover plate that are stacked in sequence; where the first winding and the second winding are spaced by the at least one corresponding middle magnetic core cover plate; and where materials of the upper magnetic core cover plate, the middle magnetic core cover plate, and the lower magnetic core cover plate comprise a metal magnetic powder core material.

Classes IPC  ?

• H01F 27/02 - Enveloppes
• H01F 27/24 - Noyaux magnétiques
• H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices
• H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants

Abrégé

A leakage protection circuit for a lighting system can include: a pull-down current generation circuit configured to generate a pull-down current flowing from a DC bus to a reference voltage; and a control circuit configured to control the pull-down current generation circuit to generate a varied pull-down current during an operating interval, and to determine whether leakage occurs in accordance with a change state of a detection voltage signal representative of a voltage on the DC bus in a detection time interval, where the detection time interval is within the operating interval.

Classes IPC  ?

• H02H 3/32 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un angle de déphasage entre tensions ou courants comprenant la comparaison des valeurs de tension ou de courant en des points correspondants des différents conducteurs d'un même système, p.ex. de courants dans des conducteurs d'aller et retour
• G01R 31/52 - Test pour déceler la présence de courts-circuits, de fuites de courant ou de défauts à la terre
• H02H 1/00 - CIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ - Détails de circuits de protection de sécurité
• H05B 45/50 - Circuits pour faire fonctionner des diodes électroluminescentes [LED] sensibles à la vie des LED; Circuits de protection

Abrégé

An inductor can include at least one winding, where each winding comprises a coil body and at least two lead-out terminals being in contact with the coil body; a first encapsulation body configured to at least encapsulate part of the lead-out terminals and part of the coil body, and to expose the lead-out terminals; and where the first encapsulation body includes an insulating main material and magnetic particles dispersed in the insulating main material.

Classes IPC  ?

• H01F 27/02 - Enveloppes
• H01F 27/29 - Bornes; Aménagements de prises
• H01F 41/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques
• H01F 41/26 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateurs; Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats à partir de liquides en utilisant des courants électriques

Abrégé

A module structure can include a first type structure including a first encapsulation body having a magnetic property, and at least one inductive element, where at least part of the inductive element is encapsulated in the first encapsulation body; a second type structure including a second encapsulation body having a non-magnetic property, and at least one non-inductive element, where the non-inductive element is encapsulated in the second encapsulation body; and pin structures located on exposed surfaces of the first type structure and/or the second type structure, in order to lead out corresponding electrodes.

Classes IPC  ?

• H01F 27/02 - Enveloppes
• H01F 27/24 - Noyaux magnétiques
• H01F 27/29 - Bornes; Aménagements de prises
• H01F 27/40 - Association structurelle de composants électriques incorporés, p.ex. fusibles

Abrégé

A magnetic structure can include: a first magnetic component and a second magnetic component; two magnetic columns configured to form a magnetic flux loop with at least part of the first magnetic component and at least part of the second magnetic component, where at least one of the two magnetic columns is wound with one or more windings; and where the at least part of the first magnetic component is located between the two magnetic columns.

Classes IPC  ?

• H01F 27/24 - Noyaux magnétiques
• H01F 27/28 - Bobines; Enroulements; Connexions conductrices

Abrégé

An integrated substrate can include: a top structure having a plurality of first pads for mounting electronic devices, where each of the first pads is electrically coupled with a corresponding electronic device, such that each of the first pads has a corresponding potential; a bottom structure having a plurality of second pads for coupling with peripheral circuits; a plurality of intermediate metal layers stacked up/down and located between the top structure and the bottom structure; a first type of penetrating connection structures configured to couple the intermediate metal layers and a part of the first pads, such that the intermediate metal layers have the same potential as the part of the first pads; and a second type of penetrating connection structures configured to couple the intermediate metal layers and the second pads, such that the second pads have the same potential as the part of the first pads.

Classes IPC  ?

• H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants

Abrégé

A method of manufacturing a semiconductor device structure can include: forming a first gate dielectric layer on a first region of a semiconductor substrate, and forming a second gate dielectric layer on a second region of the semiconductor substrate; forming a conductive layer on the first and second gate dielectric layers; forming a barrier layer on the conductive layer; patterning the barrier layer to form a barrier pattern; etching the conductive layer to form first and second gates using the barrier pattern as a mask; forming a photolithography pattern on the semiconductor substrate, where the photolithography pattern exposes the well implantation area of the first region and a portion of the barrier pattern on the first gate; forming a well region in the well implantation area using the lithography pattern and the exposed barrier pattern as masks; and removing the photolithography pattern and the barrier pattern.

Classes IPC  ?

• H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
• H01L 21/8238 - Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p.ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
• H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques

Abrégé

A terminal structure of a bidirectional switching device, where the terminal structure can include: a field plate located on a top surface of a well region and between a first voltage-withstand region and a second voltage-withstand region, where the bidirectional switching device comprises the well region, and the first and second voltage-withstand regions located in the well region; and where a potential is connected to the field plate, in order to decrease an electrical leakage of a parasitic transistor, where the parasitic transistor is formed by the first voltage-withstand region, the well region, and the second voltage-withstand region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A method of driving a switching element in a switching circuit, where the switching element comprises a plurality of power transistors coupled in parallel, can include: determining a state of a load in the switching circuit; decreasing a driving voltage of at least one power transistor in order to reduce driving loss of the switching element when a load is in a first load state; and maintaining driving voltages of the plurality of power transistors at a first threshold when the load is in a second load state.

Classes IPC  ?

• H05B 47/14 - Commande de la source lumineuse en réponse à des paramètres détectés en détectant les paramètres électriques de la source lumineuse

Abrégé

A stacked packaging structure can include: a lead frame; a die located on a first surface of the lead frame; an electrical interconnection structure located above the die and configured to be electrically connected with corresponding electrodes of the die; a diode located on the electrical interconnection structure; and where a lower surface of the diode is electrically connected to the electrical interconnection structure, and the electrode on an upper surface of the diode is connected to the corresponding pins of the lead frame.

Classes IPC  ?

• H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu

Abrégé

A method of synchronous monitoring for a battery management system, where the battery management system includes a battery pack having a plurality of batteries coupled in series, can include: obtaining two measurement results representing a state parameter of a battery at a same time; and determining a final result, where a first of the two measurement results is a main measurement result and a second of the two measurement results is an auxiliary measurement result, and the main measurement result is configured as the final result.

Classes IPC  ?

• G01R 31/3842 - Dispositions pour la surveillance de variables des batteries ou des accumulateurs, p.ex. état de charge combinant des mesures de tension et de courant

Abrégé

A current sampling circuit for a multi-level DC-DC converter having first and second power switches connected in series, and a first inductor having one terminal coupled to a common node of the first and second power switches, where the current sampling circuit is configured to: receive a first signal representing a current flowing through the first power switch; receive a second signal representing a current flowing through the second power switch; and generate a third signal representing an inductor current flowing through the first inductor according to the first signal and the second signal.

Classes IPC  ?

• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe

Abrégé

A method of making a semiconductor device can include: providing a semiconductor substrate; etching the substrate to form a trench therein; filling the trench with an insulating material, wherein a top surface of the insulating material is higher than a top surface of the trench; etching the insulating material to expose sharp corners at a junction of sidewalls of the trench and an upper surface of the substrate; forming a field oxide layer on a portion of the upper surface of the substrate and the insulating material, where the field oxide layer covers one of the sharp corners; and oxidizing correspondingly the sharp corner covered by the field oxide layer, at the junction of the trench sidewalls and the upper surface of the substrate, in order to form into a round corner.

Classes IPC  ?

• H01L 21/762 - Régions diélectriques
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A method of making a semiconductor device can include: etching a substrate to form a trench in the substrate; filling the trench with an insulating material layer, wherein a top surface of the insulating material layer is higher than a top surface of the trench; etching the insulating material layer to form a side groove between the insulating material layer and a top side wall of the trench to expose a corner at a top of the trench; and forming a field oxide layer on a top surface of the substrate by an oxidation process, wherein the corner at the top of the trench is correspondingly oxidized to form into a round corner by the oxidation process.

Classes IPC  ?

• H01L 21/762 - Régions diélectriques
• H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

A driving circuit of a switch array for controlling one of a plurality of battery modules coupled in series, where: each battery module comprises a plurality of batteries coupled in series; the driving circuit is configured to generate corresponding driving signals to control corresponding switches in the switch array, such that one battery that is selected to be balanced, is coupled between positive and negative poles of a DC bus voltage; and a reference ground of the driving circuit is configured as the negative pole of the DC bus voltage.

Classes IPC  ?

• H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries

Abrégé

A method of making a semiconductor device can include: etching a substrate to form a trench in the substrate; forming a liner oxide layer on side surfaces and a process bottom portion of the trench through an oxide layer formation method; and where an oxidation time of a junction between an upper surface of the semiconductor substrate and side walls of the trench is increased by the oxide layer formation process, in order to smoothen the junction.

Classes IPC  ?

• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
• H01L 21/762 - Régions diélectriques

Abrégé

A lumped power supply circuit for converting an AC signal into a DC signal, the lumped power supply circuit including: a cascaded H-bridge circuit having N H-bridge sub-circuits connected in series between two input terminals of the AC signal, and being configured to convert the AC signal into N first voltage signals, where N is a positive integer greater than or equal to 2; a high-frequency filtering module configured to filter the N first voltage signals, and to generate N second voltage signals; a DC conversion module to receive the N second voltage signals, and to convert the N second voltage signals into at least one third voltage signal; and a lumped power buffer module having an output terminal coupled to a load, and being configured to receive the at least one third voltage signal, and to filter out part of power frequency fluctuations in the third voltage signal.

Classes IPC  ?

• H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont
• H02M 7/23 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs agencés pour la marche en parallèle
• H02M 1/14 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu

Abrégé

A method of controlling a three-level DC-DC converter having first, second, third, and fourth power switches coupled in series between an input voltage and a reference ground, and a flying capacitor coupled between a common node of the first and second power switches and a common node of the third and fourth power switches, can include: operating the flying capacitor in a first mode in which the voltage across the flying capacitor is controlled to not be decreased in at least two consecutive first intervals, where each first interval is half of a switching period of the three-level DC-DC converter; and operating the flying capacitor in a second mode in which the voltage across the flying capacitor is controlled not to be increased in at least two consecutive first intervals, such that the voltage across the flying capacitor approaches a predetermined value.

Classes IPC  ?

• H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle

Abrégé

A digital isolator can include: a first die having one of an encoding circuit and a decoding circuit; a second die having one of the encoding circuit and the decoding circuit that is not in the first die, where the first die and the second die are separated from each other; and an isolated transmission structure configured to transmit an encoded signal generated by the encoding circuit to the decoding circuit.

Classes IPC  ?

• H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

A control circuit of a three-level DC-DC converter, can include where: the three-level DC-DC converter includes first, second, third, and fourth power switches coupled in series between an input voltage and a reference ground, and a flying capacitor coupled between a common node of the first and second power switches and a common node of the third and fourth power switches; and the control circuit is configured to adjust a phase difference between driving signals of the first and second power switches, and duty ratios of the first and second power switches, according to an error between a voltage across the flying capacitor and a predetermined value, such that the voltage across the flying capacitor is stabilized at the predetermined value.

Classes IPC  ?

• H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 1/084 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques utilisant un circuit de commande commun à plusieurs phases d'un système polyphasé

Abrégé

A back electromotive force sensing circuit can include: a sampling circuit configured to acquire a sampling signal representing a phase current of one of three phases of a three-phase permanent magnet motor, where the three-phase permanent magnet motor adopts sine wave control; and a signal processing circuit configured to receive the sampling signal, and to obtain a back electromotive force of the one phase according to a difference between a phase voltage of the one phase and a sum of a voltage across a phase resistor and a voltage across a phase inductor of the one phase.

Classes IPC  ?

• H02P 6/182 - Dispositions de circuits pour détecter la position sans éléments séparés pour détecter la position utilisant la force contre-électromotrice dans les enroulements
• H02P 27/08 - Dispositions ou procédés pour la commande de moteurs à courant alternatif caractérisés par le type de tension d'alimentation utilisant une tension d’alimentation à fréquence variable, p.ex. tension d’alimentation d’onduleurs ou de convertisseurs utilisant des convertisseurs de courant continu en courant alternatif ou des onduleurs avec modulation de largeur d'impulsions
• H02P 6/08 - Dispositions pour commander la vitesse ou le couple d'un seul moteur

Abrégé

A power converter can include: a plurality of circuit modules coupled in parallel between a first port and a second port, where each of the plurality of circuit modules includes a switching power stage circuit having a first magnetic element coupled between a switch node of the switching power stage circuit and a first terminal of the second port, at least one switch group having first and second transistors and being coupled between a first terminal of the first port and a first terminal of the switching power stage circuit, and at least one first energy storage capacitor for providing energy to a load of the power converter; and a plurality of second energy storage capacitors configured to periodically store energy and release energy to corresponding first energy storage capacitors.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

A zero-voltage-switching control circuit for a switching power supply having a main power switch and a synchronous rectifier switch, is configured to: control the synchronous rectifier switch to be turned on for a first time period before the main power switch is turned on and after a current flowing through the synchronous rectifier switch is decreased to zero according to a switching operation of the main power switch in a previous switching period of the main power switch; and where a drain-source voltage of the main power switch is decreased when the main power switch is turned on, in order to reduce conduction loss.

Classes IPC  ?

• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

A digital isolator can include: an encoding circuit configured to receive an input digital signal, and to encode a rising edge and a falling edge of the input digital signal into different encoded signals; an isolating element coupled to the encoding circuit, and being configured to transmit the encoded signal in an electrical isolation manner; and a decoding circuit configured to receive the encoded signal through the isolating element, and to decode the encoded signal to obtain the rising edge and the falling edge, in order to output an output digital signal consistent with the input digital signal.

Classes IPC  ?

• H03K 7/10 - Modulation combinée, p.ex. modulation de vitesse et modulation d'amplitude
• H04L 25/06 - Moyens pour rétablir le niveau à courant continu; Correction de distorsion de polarisation
• H04L 25/49 - Circuits d'émission; Circuits de réception à au moins trois niveaux d'amplitude

Abrégé

A digital isolator can include: an encoding circuit configured to receive and encode an input digital signal, in order to generate an encoded signal, wherein a rising edge of the input digital signal is encoded as a first pulse sequence, and a falling edge of the input digital signal is encoded as a second pulse sequence; an isolation element coupled to the encoding circuit, and being configured to transmit the encoded signal in an electrically isolated manner; and a decoding circuit configured to receive the encoded signal through the isolation element, and to decode the encoded signal, in order to generate an output digital signal consistent with the input digital signal.

Classes IPC  ?

• H04L 25/02 - Systèmes à bande de base - Détails
• H03M 13/37 - Méthodes ou techniques de décodage non spécifiques à un type particulier de codage prévu dans les groupes
• H04L 25/49 - Circuits d'émission; Circuits de réception à au moins trois niveaux d'amplitude

Abrégé

A sample-and-hold amplifier can include: an operational amplifier; a sampling capacitor having a first terminal coupled to an inverting input terminal of the operational amplifier, and a second terminal coupled to a reference ground; and a switching circuit configured to switch feedback paths of the sample-and-hold amplifier in a first stage and a second stage, such that an offset voltage of the operational amplifier is at least partially eliminated.

Classes IPC  ?

• H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels

Abrégé

A method of manufacturing a semiconductor device having a combination structure of a horizontal oxide layer structure and a vertical oxide layer structure, can include: etching from an upper surface of the semiconductor substrate to inside of the semiconductor substrate to form a trench; depositing oxides in the trench to form the vertical oxide layer structure; etching the vertical oxide layer structure from an upper surface thereof to decrease height of the vertical oxide layer structure, and to make a top surface of the vertical oxide layer structure be below the upper surface of the semiconductor substrate, in order to expose side surfaces of the trench; and forming, by an oxidation process, the horizontal oxide layer structure to cover part of the upper surface of the semiconductor substrate and the upper surface of the vertical oxide layer structure.

Classes IPC  ?

• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 21/762 - Régions diélectriques

Abrégé

A semiconductor device can include: a semiconductor doped region; a patterned interlayer dielectric layer located on the semiconductor doped region; an electrode structure connected to the semiconductor doped region through opening holes of the interlayer dielectric layer; a patterned metal silicide layer located on the semiconductor doped region; where the electrode structure comprises a first conductive pillar and a second conductive pillar, the first conductive pillar is connected to the metal silicide layer, and the second conductive pillar is connected to an upper surface of the semiconductor doped region; and where the first conductive pillar and the second conductive pillar are not in contact with a heavily doped region in the semiconductor doped region, and the doping concentration of the semiconductor doped region is not greater than 1018 cm−3.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p.ex. condensation

Abrégé

A digital isolator can include: an encoding circuit configured to receive an input digital signal, and to generate an encoded signal according to the input digital signal; an isolation element having a primary winding, a first secondary winding, and a second secondary winding; a differential circuit configured to receive first and second differential signals, and to generate a difference signal according to the first and second differential signals; and a decoding circuit coupled with the differential circuit, and being configured to receive the difference signal, and to generate a target digital signal after decoding.

Classes IPC  ?

• H04B 10/80 - Aspects optiques concernant l’utilisation de la transmission optique pour des applications spécifiques non prévues dans les groupes , p.ex. alimentation par faisceau optique ou transmission optique dans l’eau
• H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels
• H04L 25/49 - Circuits d'émission; Circuits de réception à au moins trois niveaux d'amplitude

Abrégé

A three dimensional circuit module can include: a plurality of PCBs located on different faces, where surfaces of the PCBs include circuit modules; a plurality of circuit assemblies connected through components; where the plurality of circuit assemblies comprises at least one first circuit assembly having a first main board and at least one first side board that are located on different faces, where the first main board and at least one first side board of the first circuit assembly are obtained by integrated curing molding process; and where the first main board of the first circuit assembly is located on one PCB board, and the first side board is located on an adjacent PCB board, in order to realize connection of adjacent PCBs.

Classes IPC  ?

• H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés
• H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
• H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
• H05K 3/00 - Appareils ou procédés pour la fabrication de circuits imprimés

Abrégé

An auxiliary circuit of a power converter is disclosed, where: the auxiliary circuit is coupled to a load of the power converter; and the auxiliary circuit is configured to generate an auxiliary current provided to the load, in order to limit a variation range of a load voltage of the load when a variation of an output signal of the power converter is greater than a predetermined value.

Classes IPC  ?

• H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle

Abrégé

An analog signal processing circuit can include a front-stage processing module configured to process an analog signal to generate a first differential signal; at least one switched capacitor circuit, coupled with the front-stage processing module to receive the first differential signal, and configured to integrate or sample and hold the first differential signal to generate a second differential signal; and where the front-stage processing module and the at least one switched capacitor circuit receive synchronous control signals, the front-stage processing module chops the analog signal according to the control signals, and the at least one switched capacitor circuit is in different operating modes at a first phase and a second phase of an operation cycle of the control signals, in order to eliminate DC offset voltages of the front-stage processing module and the at least one switched capacitor circuit.

Classes IPC  ?

• H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels

Abrégé

A digital isolator can include: an encoding circuit configured to receive an input digital signal, and to encode a rising edge and a falling edge of the input digital signal into different coded signals; an isolating element coupled to encoding circuit, and being configured to transmit the coded signal in an electrical isolation manner; and a decoding circuit configured to receive the coded signal through the isolation element, and to decode the coded signal to obtain the rising edge and the falling edge, in order to output an output digital signal consistent with the input digital signal, where the rising edge of the input digital signal is encoded as a first pulse sequence, and the falling edge of the input digital signal is encoded as a second pulse sequence different from the first pulse sequence.

Classes IPC  ?

• H01P 1/36 - Isolateurs
• H03M 5/16 - Conversion en, ou à partir d'une représentation par impulsions les impulsions ayant trois niveaux

Abrégé

A charging circuit can include: a first module having a plurality of power transistors, and being coupled between a first port and a reference ground; a second module having a plurality of power transistors, and being coupled between a second port and the reference ground; at least one inductor coupled between the first module and the second module; and where at least one of the first module and the second module forms a multi-level converter with the at least one inductor.

Classes IPC  ?

• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 7/483 - Convertisseurs munis de sorties pouvant chacune avoir plus de deux niveaux de tension
• H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries

Abrégé

A sampling circuit for a switching power supply, can include: a first sampling circuit configured to acquire a first sampling signal of a current flowing through an inductor in the switching power supply; and a second sampling circuit configured to obtain a compensation signal with a same rising slope as the first sampling signal within a turn-off delay time of a power switch in the switching power supply, and to superimpose the compensation signal on the first sampling signal to generate a second sampling signal.

Classes IPC  ?

• H02M 5/08 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant alternatif, p.ex. pour changement de la tension, pour changement de la fréquence, pour changement du nombre de phases sans transformation intermédiaire en courant continu par convertisseurs statiques utilisant des impédances utilisant des condensateurs uniquement
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

A semiconductor device can include: a substrate having a first doping type; a first well region located in the substrate and having a second doping type, where the first well region is located at opposite sides of a first region of the substrate; a source region and a drain region located in the first region, where the source region has the second doping type, and the drain region has the second doping type; and a buried layer having the second doping type located in the substrate and below the first region, where the buried layer is in contact with the first well region, where the first region is surrounded by the buried layer and the first well region, and the first doping type is opposite to the second doping type.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 21/82 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants
• H01L 21/8234 - Technologie MIS
• H01L 21/8238 - Transistors à effet de champ complémentaires, p.ex. CMOS
• H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
• H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A switching power supply circuit can include: a transformer having a primary winding and a secondary winding; a resonant capacitor and a resonant inductor coupled in series with the primary winding to form a series structure; a power switch module receiving an input voltage and connecting two terminals of the series structure to form a resonance circuit; an output rectification module coupled to the secondary winding and generating an output voltage; an operating mode control module receiving the input voltage and the output voltage, to control the output rectification module such that the switching power supply circuit is operated in the LLC mode or the AHB mode based on a ratio of the input voltage and the output voltage relative to a predetermined value.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

A multilevel self-balance control circuit can include: a voltage divider unit configured to receive and divide an input voltage; a voltage-controlled charge source load coupled to an output terminal of the voltage divider unit, and being configured to adaptively adjust charge amount input to the voltage-controlled charge source load based on an output voltage of the voltage divider unit, such that a total amount of charges flowing through the voltage-controlled charge source load during a period of each working state of the voltage divider unit is positively correlated with the output voltage of the voltage divider unit, thereby forming a negative feedback loop to achieve voltage balancing of the voltage divider unit; and a control unit configured to generate control signals for the voltage divider unit and the voltage-controlled charge source load, thereby coordinately controlling the voltage divider unit and the voltage-controlled charge source load.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
• H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 7/04 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques

Abrégé

A method of performing fault detection can include: performing a sampling operation to obtain a first voltage signal and a first current signal from a circuit path; performing a phase adjustment on the first voltage signal and the first current signal to generate a second voltage signal and a second current signal; transmitting the second voltage signal and the second current signal to a fault detection network that is pre-trained to accordingly process and generate a fault detection result; and operably disconnecting the circuit path when a fault is detected based on the fault detection result.

Classes IPC  ?

• G01R 31/08 - Localisation de défauts dans les câbles, les lignes de transmission ou les réseaux

Abrégé

A cascade circuit can include: N power conversion units connected in series between two ports of a power supply, where N is a positive integer greater than or equal to 2; a controller connected to one of the N power conversion units, and being configured to send a signal to be transmitted through the connected power conversion unit; where each of the power conversion units is configured to send the signal to be transmitted to a next-stage power conversion unit when the each of the power conversion unit shares a reference voltage with the adjacent next-stage power conversion unit; and where the signal to be transmitted is controlled to be transmitted from a previous-stage power conversion unit to a next-stage power conversion unit in sequence until the signal to be transmitted is received by all of the N power conversion units.

Classes IPC  ?

• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

A method of controlling a power convertor to perform diming control for a light-emitting diode (LED) load, can include: adjusting a length of a switching period of the power converter in accordance with a dimming signal; and controlling the power converter to generate a drive current corresponding to the dimming signal.

Classes IPC  ?

• H05B 45/3725 - Alimentation du circuit à découpage [SMPS]
• H05B 45/10 - Commande de l'intensité de la lumière
• H05B 45/325 - Modulation de la largeur des impulsions [PWM]

Abrégé

A method of controlling a multi-phase power converter having a plurality of power stage circuits coupled in parallel, can include: obtaining a load current of the multi-phase power converter; enabling corresponding power stage circuits to operate in accordance with the load current, such that a switching frequency is maintained within a predetermined range when the load current changes; and controlling the power stage circuits to operate under different modes in accordance with the load current, such that the switching frequency is maintained within the predetermined range when the load current changes.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• G01R 19/165 - Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée
• G01R 19/175 - Indications des instants de passage du courant ou de la tension par une valeur déterminée, p.ex. de passage par zéro
• H02M 1/084 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques utilisant un circuit de commande commun à plusieurs phases d'un système polyphasé
• H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

A method of controlling a switch-mode converter can include: obtaining an overcurrent reference threshold according to an output voltage sampling signal indicative of an output voltage of the switch-mode converter; and generating an over current protection triggering signal in response to an output current sampling signal indicative of an output current of the switch-mode converter and the overcurrent reference threshold meet a predetermined criterion, thereby triggering the switch-mode converter to enter a protection state.

Classes IPC  ?

• H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 7/06 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge sans électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs sans éléctrode de commande

Abrégé

A control circuit for a switching converter, where: in a first operation state, the control circuit controls a switching period of the switching converter to remain unchanged, controls a turn-on time of a power transistor in the switching converter to be not less than a minimum turn-on time in each switching period, and controls a turn-off time of the power transistor to be not less than a minimum turn-off time; in a second operation state, the control circuit controls the turn-on time of the power transistor to be the minimum turn-on time in each switching period, and adjusts the switching period to further reduce a duty cycle; and in a third operation state, the control circuit controls the turn-off time of the power transistor to be the minimum turn-off time in each switching period, and adjusts the switching period to further increase the duty cycle.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

A control circuit for a switching power supply, can include: a sampling circuit configured to obtain an inductor current and a drain-source voltage of a main power transistor in a power stage circuit, in order to generate a sampling signal; where the control circuit generates an inductor current sampling signal according to the sampling signal during an on-period of the main power transistor; and where during an off-period of the main power transistor, the control circuit generates a zero-crossing signal of the inductor current and an overvoltage signal of an output voltage of the switching power supply according to the sampling signal.

Classes IPC  ?

• H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

A method for controlling a phase-locked loop circuit, can include: acquiring values of a voltage-controlled oscillator capacitor array control signal respectively corresponding to desired values of a frequency control word signal and acquiring values of a charge pump current control signal respectively corresponding to the desired values of the frequency control word signal in a calibration mode, where the frequency control word signal characterizes a ratio of a desired locked frequency to a frequency of a reference signal; and determining a target value of the voltage-controlled oscillator capacitor array control signal corresponding to a target value of the frequency control word signal and a target value of the charge pump current control signal corresponding to the target value of the frequency control word signal in a phase-locked mode, in order to control the phase-locked loop circuit to achieve phase lock.

Classes IPC  ?

• H03L 7/099 - Commande automatique de fréquence ou de phase; Synchronisation utilisant un signal de référence qui est appliqué à une boucle verrouillée en fréquence ou en phase - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'oscillateur commandé de la boucle
• H03L 7/08 - Commande automatique de fréquence ou de phase; Synchronisation utilisant un signal de référence qui est appliqué à une boucle verrouillée en fréquence ou en phase - Détails de la boucle verrouillée en phase
• H03L 7/089 - Commande automatique de fréquence ou de phase; Synchronisation utilisant un signal de référence qui est appliqué à une boucle verrouillée en fréquence ou en phase - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'agencement de détection de phase ou de fréquence y compris le filtrage ou l'amplification de son signal de sortie le détecteur de phase ou de fréquence engendrant des impulsions d'augmentation ou de diminution

Abrégé

A control circuit for a resonant converter having at least two output signals, the control circuit including: a charge feedback circuit configured to generate a charge feedback signal representing a resonant current of a resonant circuit in the resonant converter; and a switching control signal generating circuit configured to generate switching control signals according to the charge feedback signal and feedback signals representing error information of each of the at least two output signals.

Classes IPC  ?

• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu

Abrégé

A control circuit for a resonant converter, can include: a feedforward circuit configured to generate a feedforward current; a charge feedback circuit configured to receive a resonant current sampling signal representing a resonant current of the resonant converter in a first mode to generate a charge feedback signal, and to receive the resonant current sampling signal and the feedforward current together to generate the charge feedback signal in a second mode; and a driving control circuit configured to generate driving signals according to the charge feedback signal and a first threshold signal, in order to control switching states of power transistors of the resonant converter, where the first threshold signal is generated according to an error compensation signal representing an error information between a feedback signal of an output signal of the resonant converter and a reference signal.

Classes IPC  ?

• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu

Abrégé

A stacked package structure for a chip, can include: a substrate having a first surface and a second surface opposite thereto; a first die having an active and back faces, where the active face of the first die includes pads; a first enclosure that covers the first die; an interlinkage that extends to the first enclosure to electrically couple with the pads; a first redistribution body electrically coupled to the interlinkage, and being partially exposed on a surface of the stacked package structure to provide outer pins for electrically coupling to external circuitry; a penetrating body that penetrates the first enclosure and substrate; a second die having an electrode electrically coupled to a first terminal of the penetrating body; and a second terminal of the penetrating body that is exposed on the surface of the stacked package structure to provide outer pins for electrically coupling to the external circuitry.

Classes IPC  ?

• H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
• H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
• H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 25/03 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses
• H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

A method of sensing wheel rotation can include: sensing magnetic force information in an environment of a wheel by a magnetometer to obtain measured magnetic force information; generating relative magnetic force information by performing mathematical operation processing in accordance with the measured magnetic force information, where the relative magnetic force information does not change with geomagnetic field and does change with a rotation angle of a wheel; and obtaining angle information related to the rotation angle of the wheel in accordance with the relative magnetic force information.

Classes IPC  ?

• B60C 23/04 - Dispositifs avertisseurs actionnés par la pression du pneumatique montés sur la roue ou le pneumatique
• G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
• G01D 5/12 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensible; Moyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminé; Transducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques
• G01L 17/00 - Dispositifs ou appareils pour mesurer la pression des pneumatiques ou la pression dans d'autres corps gonflés
• B60T 17/18 - Dispositifs de sécurité; Surveillance

Abrégé

A frequency modulation circuit can include: a modulation circuit configured to generate a digital modulation signal and an analog modulation signal according to an input signal of the frequency modulation circuit; and a phase-locked loop having a voltage-controlled oscillator configured to receive a reference frequency, and to modulate a frequency of an output signal of the voltage-controlled oscillator according to the analog modulation signal and the digital modulation signal.

Classes IPC  ?

• H04B 1/04 - Circuits
• H04B 1/00 - TRANSMISSION - Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
• H04B 1/66 - TRANSMISSION - Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission pour améliorer l'efficacité de la transmission

Abrégé

A voltage detection circuit for a switching converter having a switch and a magnetic element connected in series, where a first terminal of the switch and a first terminal of the magnetic element are connected to a common node, the voltage detection circuit including: an average circuit configured to receive a first voltage across the switch, and to generate a second voltage representing an average value of the first voltage; and where the second voltage represents a voltage between a second terminal of the switch and a second terminal of the magnetic element in a steady state of the switching converter.

Classes IPC  ?

• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
• G01R 19/10 - Mesure d'une somme, d'une différence, ou d'un rapport

Abrégé

A driving circuit and a driving method are provided. According to embodiments of the present disclosure, a power switch is driven by constant voltage or constant current during different time periods. The power switch is driven by using a first driving current during a Miller platform period, and the power switch is driven by using a second driving current when the Miller platform period ends, where the first driving current is less than the second driving current, so as to optimize EMI, reduce loss and improve efficiency.

Classes IPC  ?

• H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
• H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
• H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c. à d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
• H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur

Abrégé

A zero-crossing correction circuit for a switching converter having a main power switch and a synchronous power switch connected in series, can include: a detection circuit configured to detect an on-off state of a body diode of the synchronous power switch in a first time interval after the synchronous power switch is turned off and generate a detection signal; and a control and adjustment circuit configured to adjust a turn-off moment of the synchronous power switch according to an on-off state of the main power switch in a second time interval after the synchronous power switch is turned off and the detection signal.

Classes IPC  ?

• H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
• H02M 1/38 - Moyens pour empêcher la conduction simultanée de commutateurs
• H02M 3/157 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation avec commande numérique
• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

Abrégé

A control circuit and an AC-DC power supply are provided. A ripple reference signal characterizing an industrial frequency ripple component of an output voltage is added to a reference voltage of a desired output voltage, so that a reference and a feedback voltage of the output voltage are almost the same at the industrial frequency band. In addition, a voltage compensation signal outputted by an error compensation circuit does not include the industrial frequency ripple component, and the voltage compensation signal without the industrial frequency ripple component does not affect a tracking reference of the current loop. Therefore, the loop can be designed without considering limit of the industrial frequency on a cut-off frequency of the loop, thereby effectively increasing the cut-off frequency of the loop and improving a dynamic response speed of the loop.

Classes IPC  ?

• H02M 1/14 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
• H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
• H02M 7/06 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge sans électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs sans éléctrode de commande

Abrégé

A semiconductor structure can include: a semiconductor substrate having a first region, a second region, and an isolation region disposed between the first region and the second region; an isolation component located in the isolation region; and where the isolation component is configured to recombine first carriers flowing from the first region toward the second region, and to extract second carriers flowing from the second region toward the first region.

Classes IPC  ?

• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01L 21/761 - Jonctions PN
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais

Abrégé

A semiconductor structure can include: a semiconductor substrate having a first region, a second region, and an isolation region disposed between the first region and the second region; an isolation component located in the isolation region; and where the isolation component is configured to recombine first carriers flowing from the first region toward the second region, and to extract second carriers flowing from the second region toward the first region.

Classes IPC  ?

• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01L 21/761 - Jonctions PN
• H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais

Abrégé

An electrode structure can include: a semiconductor substrate; a trench extending from an upper surface of the semiconductor substrate into the semiconductor substrate; a contact region extending from the upper surface of the semiconductor substrate into the semiconductor substrate; and filling material in the trench, wherein the contact area is in contact with outer sidewalls of the trench.

Classes IPC  ?

• H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
• H01L 21/762 - Régions diélectriques

Abrégé

A power converter can include a positive input terminal and a negative input terminal, configured to receive an input voltage; a positive output terminal and a negative output terminal, configured to generate an output voltage; a first power switch and a second power switch, sequentially coupled in series between the positive input terminal and a first node; a third power switch and a fourth power switch, sequentially coupled in series between a second node and the negative input terminal; a first energy storage element coupled between a common terminal of the first power switch and the second power switch and a common terminal of the third power switch and the fourth power switch; a first switched capacitor circuit coupled between the first node and the positive output terminal; and a second switched capacitor circuit coupled between the second node and the positive output terminal.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

A method of forming a lead frame can include: providing a frame base; providing a substrate to support the frame base; and selectively etching the frame base to form first and second type pins. The first type pins are distributed in the central area of the lead frame, and the second type of the pins are distributed in the edge area of the lead frame. The first type pins are separated from the second type of the pins, and the first and second type pins are not connected by connecting bars. A pattern of a first surface of the first and second type pins is different from that of a second surface of the first and second type pins. The metal of the first surface is different from the metal of the second surface, and the second surface is opposite to the first surface.

Classes IPC  ?

• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
• H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements

Abrégé

A switched capacitor converter can include a plurality of input switch groups connected in series between an input terminal and an output terminal, where each input switch group can include two power switches connected in series. The switched capacitor converter can also include a plurality of output switch groups, where each output switch group can include two power switches connected in series. The switched capacitor converter can also include a plurality of capacitors, first terminals of which are respectively connected to the common nodes of every two series-connected power switches in the plurality of input switch groups, and second terminals of which are respectively connected to intermediate nodes of each output switch group. The switched capacitor converter can also include a plurality of inductors, where a first terminal of each output switch group can connect to a first terminal of a corresponding inductor.

Classes IPC  ?

• H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle

Abrégé

A power supply converter can include: an AC-DC linear circuit configured to rectify an AC input voltage to generate a DC voltage, and to transfer the input energy to an output terminal thereof during at least part of a time interval when the DC voltage is greater than an output voltage thereof, in order to generate a first output voltage and a first output current; and a conversion circuit configured to convert the first output voltage to a second output voltage, and to convert the first output current to a second output current for a load.

Classes IPC  ?

• H02M 7/06 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge sans électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs sans éléctrode de commande
• H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

Abrégé

The present disclosure discloses a control circuit, a control method and a voltage regulator. The technical solution provided by embodiments of the present disclosure can be extended to N*M phase applications by connecting N multi-phase power converters in a voltage regulator in parallel in an interleaving manner and controlling M-phase power stage circuits in each multi-phase power converter to be connected in parallel in an interleaving manner, thereby effectively achieving multi-phase interleaving control and reducing output voltage ripples.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 1/14 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu

Abrégé

Disclosed is a field effect transistor (FET) and a method for manufacturing the same, the FET comprises: a substrate, a first well region located on the substrate, a second well region, a body contact region, a source region, a drain region and a gate conductor. The body contact region, the source region and the drain region are located in the first well region, the doping concentration of the second well region is higher than that of the first well region. A parasitic bipolar junction transistor (BJT) is located in the field effect transistor, current flowing through the BJT is controlled by adjusting doping concentration or area of the second well region. The second well region is formed in the first well region, so that the holding voltage of the FET is improved, and finally effect on the FET caused by the current flowing through the BJT can be weakened.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

Abrégé

An inductor current reconstruction circuit of a power converter can include: a switching current sampling circuit configured to acquire at least one of a current flowing through a main power transistor and a current flowing through a rectifier transistor to generate a switching current sampling signal; an inductor current generating circuit configured to generate a reconstruction signal representing an inductor current in one complete switching cycle; and where the reconstruction signal comprises the switching current sampling signal and a current analog signal generated according to the switching current sampling signal and an inductor voltage signal representing a voltage across an inductor in the power converter.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique

Abrégé

A dimming mode detection circuit for an LED lighting system that receives an alternating current input voltage and generates a bus voltage to drive an LED load, the dimming mode detection circuit including: a leading edge detection circuit configured to generate a leading edge detection signal by detecting a leading edge of a first voltage representative of the bus voltage in one sine half-wave cycle, in order to determine whether the LED lighting system operates in a leading edge dimming mode; and a trailing edge detection circuit configured to generate a trailing edge detection signal in accordance with a time length of a first interval from a first value of the first voltage in a previous sine half-wave cycle to a second value of the first voltage in a next sine half-wave cycle, in order to determine whether the LED lighting system operates in a trailing edge dimming mode.

Classes IPC  ?

• H05B 45/30 - Circuits de commande
• H05B 45/31 - Circuits de commande de phase

Abrégé

A control circuit for controlling a power converter can include: a constant voltage output module, a constant current output module, and a power stage circuit; and where the control circuit is configured to select one of a first feedback signal representative of output information of the constant current output module, and a second feedback signal representative of output information of the constant voltage output module as a feedback input signal based on operation states of the constant current output module and the constant voltage output module, in order to control a switching state of a power switch of the power stage circuit.

Classes IPC  ?

• H05B 45/385 - Alimentation du circuit à découpage [SMPS] en utilisant une topologie à transfert en retour
• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

A controller of a switching power supply can include: a frequency-jittering control circuit configured to generate a first frequency-jittering signal and a second frequency-jittering signal; where a jittering range of an operating frequency of a power transistor in the switching power supply is adjusted by the first frequency-jittering signal; and where a jittering amplitude of a peak value of an inductor current of the switching power supply is adjusted by the second frequency-jittering signal.

Classes IPC  ?

• H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

A voltage converter can include: an input end configured to receive an input voltage; an output end configured to generate an output voltage; N switched capacitor circuits sequentially coupled in series between the input end and the output end, where N is a positive integer greater than or equal to 2; where each switched capacitor circuit comprises a switch circuit and a flying capacitor, and at least the flying capacitor of an i-th switched capacitor circuit is configured as an output capacitor of an (i−1)-th switched capacitor circuit, where i is a positive integer that is greater than or equal to 2 and less than or equal to N; and a first energy storage element coupled to the output end.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

Abrégé

A switching power supply controller and a control method thereof are disclosed in the invention. By adjusting a switching frequency of the switching power supply based on a radio of a switching period of the power transistor to the sum of the conduction time of the power transistor and the demagnetization time of an inductor, the switching frequency of the switching power supply varies within a preset range under different load conditions. The switching power supply controller of the present invention prevents the effect of the frequency jittering control from being weakened due to the decrease of the switching frequency under heavy load, thereby improving the conducted electromagnetic interference.

Classes IPC  ?

• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 1/44 - Circuits ou dispositions pour corriger les interférences électromagnétiques dans les convertisseurs ou les onduleurs
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

Disclosed is a vertical device, an ESD protection device having the vertical device, and a method for manufacturing the vertical device. The vertical device includes a forward diode which is formed by a semiconductor substrate and an epitaxial semiconductor layer, and a reverse Schottky barrier between an anode metal and the epitaxial semiconductor layer. The vertical device has a vertical current path from a second electrode to a first electrode, and a lateral current distribution at least partially surrounded and limited by the reverse Schottky barrier. The reverse Schottky barrier reduces the parasitic capacitance of the diode at high voltages, thereby increasing the response speed of the ESD protection device at high voltages.

Classes IPC  ?

• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 29/861 - Diodes
• H01L 27/08 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/872 - Diodes Schottky
• H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension

Abrégé

A control circuit for a switching converter, can include: a ripple signal generation circuit configured to generate a ripple signal with a same frequency and phase as an inductor current of the switching converter, where the ripple signal changes between zero and a preset value; a superimposing circuit configured to superimpose the ripple signal on a feedback signal representing an output voltage of the switching converter, in order to generate a loop control signal; and a switching control signal generation circuit configured to generate switching control signals according to the loop control signal and a reference signal, in order to control a switching state of a power stage circuit in the switching converter.

Classes IPC  ?

• H02M 3/155 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
• H02M 1/15 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu utilisant des éléments actifs

Abrégé

A concentration control circuit can include: a voltage feedback circuit configured to generate a current reference signal representing an error between a voltage reference signal and an output voltage feedback signal shared by each of a plurality of power stage circuits of a multi-phase power converter to adjust a respective phase current; and a clock signal generation circuit configured to generate a clock signal to adjust at least one of switching frequency and phase of each of the power stage circuits, where the clock signal is adjusted in accordance with a change of the current reference signal.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

A power converter can include at least one first power stage circuit and a second power stage circuit, where each of the at least one first power stage circuit can include: at least one power switch, configured as a main power switch; a first magnetic element; a first energy storage element configured to be coupled to a first node of the first power stage circuit together with one adjacent power stage circuit, and to be charged or discharged through the adjacent power stage circuit; and an auxiliary module configured to ensure that a current flowing through the first magnetic element is not less than zero in a current discontinuous mode, where a first terminal of the second power stage circuit is coupled to an adjacent first power stage circuit.

Classes IPC  ?

• H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

A power converter can include: positive and negative input terminals configured to receive an input voltage; positive and negative output terminals configured to generate an output voltage; first and second power switches sequentially coupled in series between the positive input terminal and a first node; third and fourth power switches sequentially coupled in series between a second node and the negative input terminal, where there is no physical connection between the first node and the second node; a first energy storage element coupled between a common terminal of the first and second power switches and a common terminal of the third and fourth power switches; a first multi-level power conversion circuit coupled between the first node and the positive output terminal; and a second multi-level power conversion circuit coupled between the first node and the positive output terminal.

Classes IPC  ?

• H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

An ESD protection device can include: a base layer; a first well region of a first doping type and extending from an upper surface of the base layer to internal portion of the base layer; a first doped region of a first doping type and located in the first well region and extending from the upper surface of the base layer to internal portion of the base layer; a second doped region of second doping type and extending from the upper surface of the base layer to internal portion of the base layer; a field oxide layer located on the upper surface of the base layer and adjacent to the second doped region; and a field plate extending from the upper surface of the field oxide layer to the first doped region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/861 - Diodes
• H01L 29/40 - Electrodes

Abrégé

A control circuit for a switching converter having a main power switch and an auxiliary power switch, where the control circuit is configured to: charge and discharge a junction capacitor of the main power switch during a turn-off period of the main power switch; and adjust a conduction time of the auxiliary power switch according to a difference between the charged and discharged charge levels across the junction capacitor.

Classes IPC  ?

• H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation

Abrégé

An alternating current to direct current conversion circuit includes N first power converters instead of a boost circuit including a power switch with a high withstand voltage. The N first power converters each have an input end and theses input ends are connected in series, to perform power factor correction. Therefore, the alternating current to direct current conversion circuit includes no power switch with a high withstand voltage, so that the alternating current to direct current conversion circuit has a small volume, low switching loss, less energy loss, and good heat dissipation, thereby increasing power density.

Classes IPC  ?

• H02M 7/49 - Combinaison des formes de tension de sortie d'une pluralité de convertisseurs
• H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 7/12 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 1/14 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu
• H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
• H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande

Abrégé

An alternating current to direct current conversion circuit includes a rectifier circuit, a first DC to DC conversion module and a second DC to DC conversion module. The first DC to DC conversion module includes multiple power switches and an inductor and is coupled between the rectifier circuit and the second DC to DC conversion module. Multiple power switches in the first DC to DC conversion module are controlled to be turned on simultaneously, so that a voltage across each of the power switches in the first DC to DC conversion module is reduced. The alternating current to direct current conversion circuit includes no power switch with a high withstand voltage, so that the alternating current to direct current conversion circuit has a small volume, low switching loss, less energy loss, and good heat dissipation, thereby increasing power density.

Classes IPC  ?

• H02M 7/217 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
• H02M 7/49 - Combinaison des formes de tension de sortie d'une pluralité de convertisseurs
• H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
• H02M 1/14 - Dispositions de réduction des ondulations d'une entrée ou d'une sortie en courant continu
• H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p.ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
• H02M 7/04 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques

Abrégé

A communication control circuit for a power supply chip, can include: a main control die having a main control circuit; a plurality of sub-control dice configured to respectively receive a control signal sent by the main control die, where each sub-control die comprises a sub-control circuit; and where a reference ground of each sub-control die is different from a reference ground of the main control die, the reference grounds of the plurality of sub-control dice are different with each other, and communication between the main control die and each sub-control die is achieved by a corresponding level conversion circuit.

Classes IPC  ?

• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation
• H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont
• H02M 7/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu; Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant alternatif
• H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle

Abrégé

An overvoltage protection circuit configured to prevent an overvoltage of an output voltage of a switching converter, can include: an output voltage simulation circuit configured to generate an output voltage simulation signal according to circuit parameters of the switching converter, where the output voltage simulation signal changes along with the output voltage; and an overvoltage signal generator configured to activate an overvoltage signal when a feedback voltage is less than a first threshold value and the output voltage simulation signal is greater than a second threshold value.

Classes IPC  ?

• H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation
• H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
• H02H 1/00 - CIRCUITS DE PROTECTION DE SÉCURITÉ - Détails de circuits de protection de sécurité
• H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

Abrégé

An LDMOS transistor can include: a field oxide layer structure adjacent to a drain region; and at least one drain oxide layer structure adjacent to the field oxide layer structure along a lateral direction, where a thickness of the drain oxide layer structure is less than a thickness of the field oxide layer, and at least one of a length of the field oxide layer structure and a length of the drain oxide layer structure is adjusted to improve a breakdown voltage performance of the LDMOS transistor.

Classes IPC  ?

• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 21/762 - Régions diélectriques
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A method of making a semiconductor structure can include: (i) forming a plurality of oxide layers on a semiconductor substrate; (ii) forming a plurality of conductor layers on the plurality of oxide layers; (iii) forming plurality of thickening layers on the plurality of conductor layers; (iv) patterning the plurality of conductor layers and the plurality of thickening layers to form a hard mask; and (v) implanting ion using the hard mask to form a plurality of doped regions.

Classes IPC  ?

• H01L 23/535 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions internes, p.ex. structures d'interconnexions enterrées
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince
• H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes

Abrégé

A control circuit for a switching converter having a main power switch, the control circuit including: a voltage generation circuit configured to be connected with a common connection terminal of the main power switch and an inductor to receive a drain-source voltage of the main power switch, and to generate a first voltage according to the drain-source voltage; a valley detection circuit configured to generate a valley detection signal according to the first voltage when the drain-source voltage resonates to a valley; and where the control circuit is configured to turn on the main power switch according to the valley detection signal.

Classes IPC  ?

• H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p.ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
• H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques

Abrégé

A switching power supply circuit can include: an energy storage capacitor; a high-frequency switching network coupled to the energy storage capacitor, and being configured to receive a low-frequency AC input voltage, to charge the energy storage capacitor, to perform high-frequency chopping on the low-frequency AC input voltage and/or a voltage of the energy storage capacitor, and to generate a high-frequency AC signal; and a rectifier module coupled to the high-frequency switching network, and being configured to receive the high-frequency AC signal, to rectify the high-frequency AC signal, and to generate a DC signal.

Classes IPC  ?

• H02M 7/219 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans une configuration en pont
• H02M 5/293 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant alternatif, p.ex. pour changement de la tension, pour changement de la fréquence, pour changement du nombre de phases sans transformation intermédiaire en courant continu par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs

Abrégé

A metal-oxide-semiconductor device can include: a base layer; a source region extending from an upper surface of the base layer to internal portion of the base layer and having a first doping type; a gate structure located on the upper surface of the base layer and at least exposing the source region, and a semiconductor layer located on the upper surface of the base layer and having the first doping type, where the semiconductor layer is used as a partial withstand voltage region of the device, and the source region is located at a first side of the gate structure, the semiconductor layer is located at a second side of the gate structure, and the first side and the second side of the gate structure are opposite to each other.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A charging circuit can include: a first input terminal for receiving an input signal; a first switching circuit coupled between the first input terminal and a first battery; a second switching circuit coupled between the first input terminal and a second battery; a bidirectional buck-boost circuit coupled between the first input terminal and a main battery; where when an external power supply is connected, the input signal respectively charges the first battery and the second battery through the first and second switching circuits, and charges the main battery through the bidirectional buck-boost circuit; and where when an external power supply is not connected, the main battery charges the first battery through the bidirectional buck-boost circuit and the first switching circuit, and charges the second battery through the bidirectional buck-boost circuit and the second switching circuit.

Classes IPC  ?

• H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries

Abrégé

The present disclose relates to an intermittent power saving mode control circuit and method thereof, comprising: a mode indication signal generating circuit configured to generate a mode indication signal according to an output voltage compensation signal, a first reference voltage, and a second reference voltage, the mode indication signal is configured to indicate that a switching power supply is working in a work mode or a sleep mode; wherein the second reference voltage is adjusted according to a frequency of the mode indication signal, so that the frequency of the mode indication signal is maintained within a predetermined range.

Classes IPC  ?

• H02M 1/00 - APPAREILS POUR LA TRANSFORMATION DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT ALTERNATIF, DE COURANT ALTERNATIF EN COURANT CONTINU OU VICE VERSA OU DE COURANT CONTINU EN COURANT CONTINU ET EMPLOYÉS AVEC LES RÉSEAUX DE DISTRIBUTION D'ÉNERGIE OU DES SYSTÈMES D'ALI; TRANSFORMATION D'UNE PUISSANCE D'ENTRÉE EN COURANT CONTINU OU COURANT ALTERNATIF EN UNE PUISSANCE DE SORTIE DE CHOC; LEUR COMMANDE OU RÉGULATION - Détails d'appareils pour transformation