Abrégé

A driver for a shared bus, such as a LIN bus, having a supply node (Vbat), a bus node (LIN), a transmit data input node (TX) and a receive data output node (RX), said driver comprising: a pull-up circuitry between the supply node and the bus node, driver circuitry (100) having a control input connected to the transmit data input node, feedback circuitry (200) configured to provide feedback from the shared bus to the control input of the driver circuitry; said feedback circuitry comprising copy circuitry (210) configured to obtain at least one copy signal representative for a signal on the bus node, filter circuitry (220) configured to low-pass filter the at least one copy signal, derivative circuitry (230) configured to obtain at least one derivative signal representative for the speed at which the signal on the bus node varies.

Classes IPC  ?

• H03K 19/018 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors bipolaires
• H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
• H03K 19/00 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion
• H03K 19/12 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des redresseurs
• H03K 19/17736 - Détails structurels des ressources de routage
• H03K 19/17784 - Détails structurels pour l'adaptation des paramètres physiques pour la tension d'alimentation

Abrégé

An electrostatic discharge (ESD) protection device including a stack of ESD clamps, a trigger circuit, and a transistor. The trigger circuit may respond to an ESD event by conducting current, which may cause the transistor to turn on. A combination of the trigger circuit conducting current and the transistor turning on may trigger the ESD clamps into a conducting state to shunt current from a first node to a second node.

Classes IPC  ?

• H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension

Abrégé

A driver for a shared bus, such as a LIN bus, having a supply node (Vbat), a bus node (LIN), a transmit data input node (TX) and a receive data output node (RX), said driver comprising:a pull-up circuitry between the supply node and the bus node,driver circuitry (100) having a control input connected to the transmit data input node,feedback circuitry (200) configured to provide feedback from the shared bus to the control input of the driver circuitry;said feedback circuitry comprising copy circuitry (210) configured to obtain at least one copy signal representative for a signal on the bus node, filter circuitry (220) configured to low-pass filter the at least one copy signal, derivative circuitry (230) configured to obtain at least one derivative signal representative for the speed at which the signal on the bus node varies.

Classes IPC  ?

• H03K 19/00 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion
• H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ

Produits et services

Design and testing for new product development; Product design and development in the field of integrated circuits; Product development and engineering services for others; Product development consultation; Product research and development; Product safety testing; Research and development of computer software; Testing, analysis, and evaluation of of materials and products for electrostatic discharge to assure compliance with industry standards Consulting in the field of intellectual property licensing; Licensing of intellectual property; Licensing of intellectual property in the field of integrated circuits; Licensing of intellectual property in the field of integrated circuits, physical interface (PHY) circuits and electrostatic discharge (ESD) protection devices

Produits et services

Science and technology services; Research relating to technology; Technological services and design relating thereto; Industrial analysis and research services; Product research and development; Design and testing for new product development; Product safety testing in the field of electronics, computer software and integrated circuits; Testing, analysis and evaluation of electrostatic discharge materials and products; Product development; Engineering services for others; Product development consultation; Research and development of computer software. Licensing of computer software [legal services]; Licensing of intellectual property; Licensing of technology and technology transfer, namely mediation in, providing of consultancy relating to and use of licences and services in connection with licences.

Abrégé

An electrostatic discharge (ESD) protection device with a high holding voltage is disclosed including at least an ESD clamp coupled to a holding voltage tuning circuit. The ESD clamp may be coupled to the holding voltage tuning circuit through a connection circuit such as a diode. The ESD clamp may be implemented by a first silicon controlled rectifier (SCR) and the holding voltage tuning circuit may be implemented as a second SCR.

Classes IPC  ?

• H02H 9/00 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
• H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface

Abrégé

Disclosed is an electrostatic discharge (ESD) protection circuit. The ESD protection circuit may include a silicon controller rectifier (SCR) which may be triggered via at least one of its first trigger gate or second trigger gate. The ESD protection circuit may further include a highly doped region coupled to either the anode or cathode of the SCR, wherein the highly doped region may provide additional carriers to facilitate triggering of the SCR during an ESD event, whereby the SCR may be triggered more quickly.

Classes IPC  ?

• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones

Abrégé

An electrostatic discharge (ESD) protection device is disclosed including at least an NPN transistor and a PNP transistor coupled between a first node and a second node, wherein the ESD protection device may be configured to sink current from the first node to the second node in response to an ESD event. The transistors may be coupled such that a collector of the NPN may be coupled to the first node. A collector of the PNP may be coupled to the second node. A base of the NPN may be coupled to the emitter of the PNP. An emitter of the NPN may be coupled to a base of the PNP.

Classes IPC  ?

• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension

Abrégé

An electrostatic discharge (ESD) protection device is disclosed including at least an NPN transistor and a PNP transistor coupled between a first node and a second node, wherein the ESD protection device may be configured to sink current from the first node to the second node in response to an ESD event. The transistors may be coupled such that a collector of the NPN may be coupled to the first node. A collector of the PNP may be coupled to the second node. A base of the NPN may be coupled to the emitter of the PNP. An emitter of the NPN may be coupled to a base of the PNP.

Classes IPC  ?

• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 23/60 - Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p. ex. écrans Faraday
• H01L 29/87 - Diodes thyristor, p.ex. diodes Shockley, diodes à retournement
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension

Abrégé

Disclosed is an electrostatic discharge (ESD) protection circuit. The ESD protection circuit may include a silicon controller rectifier (SCR) which may be triggered via at least one of its first trigger gate or second trigger gate. The ESD protection circuit may further include a highly doped region coupled to either the anode or cathode of the SCR, wherein the highly doped region may provide additional carriers to facilitate triggering of the SCR during an ESD event, whereby the SCR may be triggered more quickly.

Classes IPC  ?

• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones

Abrégé

An electrostatic discharge (ESD) protection device with a high holding voltage is disclosed including at least an ESD clamp coupled to a holding voltage tuning circuit. The ESD clamp may be coupled to the holding voltage tuning circuit through a connection circuit such as a diode. The ESD clamp may be implemented by a first silicon controlled rectifier (SCR) and the holding voltage tuning circuit may be implemented as a second SCR.

Classes IPC  ?

• H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface

Abrégé

An electrostatic discharge (ESD) protection device with a high holding voltage is disclosed including at least an ESD clamp coupled to a holding voltage tuning circuit. The ESD clamp may be coupled to the holding voltage tuning circuit through a connection device such as a diode. The ESD clamp may be implemented by a first silicon controlled rectifier (SCR) and the holding voltage tuning circuit may be implemented as a second SCR.

Classes IPC  ?

• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension

Abrégé

A high holding voltage (HV) electrostatic discharge (ESD) protection circuit comprises a silicon controlled rectifier (SCR) device and compensation regions located within the length between the anode and cathode (LAC) of the SCR device which increase the holding voltage of the SCR device. The compensation regions may introduce negative feedback mechanisms into the SCR device which may influence the loop gain of the SCR and cause it to reach regenerative feedback at a higher holding voltage.

Classes IPC  ?

• H01L 23/60 - Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p. ex. écrans Faraday
• H01L 29/87 - Diodes thyristor, p.ex. diodes Shockley, diodes à retournement
• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface

Abrégé

An electrostatic discharge (ESD) protection device is disclosed. The ESD protection circuit is configured to operate in high voltage domains. The ESD protection device may further include stacked NMOS or PMOS devices. The gates of the MOS devices may be driven by respective inverters. The inverters may be coupled to a voltage divider and may be triggered by respective trigger circuits. Power nodes of the inverters may be connected such that devices in the ESD protection circuit are exposed to voltages that are within their maximum voltage rating.

Classes IPC  ?

• H02H 9/00 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
• H01C 7/12 - Résistances de protection contre les surtensionsParafoudres
• H02H 1/00 - Détails de circuits de protection de sécurité
• H02H 1/04 - Dispositions pour prévenir la réponse à des conditions transitoires anormales, p. ex. à la foudre
• H02H 3/22 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension de courte durée, p. ex. foudre
• H02H 9/06 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension utilisant des éclateurs à étincelles

Abrégé

A protection device including at least an NPN transistor (1203) and a PNP transistor (1204) coupled between a first node (1201) and a second node (1202) so as to sink current from the first node to the second node in response to an electrostatic discharge (ESD) event. The transistors may be coupled such that the N collector (1222) of the NPN transistor is coupled to the first node, the P base (1224) of the NPN transistor is coupled to the P emitter (1224) of the PNP transistor, the N emitter (1225) of the NPN transistor is coupled to the N base (1225) of the PNP transistor and the P collector (1223) of the PNP transistor is coupled to the second node, whereby a device having an NPNP structure may be achieved.

Classes IPC  ?

• H01L 29/87 - Diodes thyristor, p.ex. diodes Shockley, diodes à retournement

Abrégé

An electrostatic discharge (ESD) protection device is disclosed including at least an NPN transistor and a PNP transistor coupled between a first node and a second node, wherein the ESD protection device may be configured to sink current from the first node to the second node in response to an ESD event. The transistors may be coupled such that a collector of the NPN may be coupled to the first node. A collector of the PNP may be coupled to the second node. A base of the NPN may be coupled to the emitter of the PNP. An emitter of the NPN may be coupled to a base of the PNP.

Classes IPC  ?

• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 23/60 - Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p. ex. écrans Faraday
• H01L 29/87 - Diodes thyristor, p.ex. diodes Shockley, diodes à retournement

Abrégé

An electrostatic discharge (ESD) protection circuit is disclosed including at least a clamping device, a switching device, and a voltage limiter. The ESD protection circuit may include devices of different voltage domains. The switching device may be in series with the clamping device to block at least a portion of a voltage from dropping across the clamping device. The switching device may sustain higher maximum operating voltages than the clamping device.

Classes IPC  ?

• H02H 3/22 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension de courte durée, p. ex. foudre
• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension

Abrégé

An electrostatic discharge (ESD) protection circuit is disclosed including at least a clamping device, a switching device, and a voltage limiter. The ESD protection circuit may include devices of different voltage domains. The switching device may be in series with the clamping device to block at least a portion of a voltage from dropping across the clamping device. The switching device may sustain higher maximum operating voltages than the clamping device.

Classes IPC  ?

• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface

Abrégé

The present invention provides an ESD protection device having at least one diode in a well of first conductivity type formed in a substrate of second conductivity type. The circuit further includes a guard-band of the first conductivity surrounding at least a portion of the diode, thus forming an NPN transistor between the diode cathode, the substrate and the guard-band.

Classes IPC  ?

• H02H 3/22 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension de courte durée, p. ex. foudre

Abrégé

A high holding voltage (HVO electrostatic discharge (ESD) protection circuit comprises a silicon controlled rectifier (SCE) device and compensation regions located within the length between the anode and cathode (LAC) of the SCR device which increase the holding voltage of the SCR device. The compensation regions may introduce negative feedback mechanisms into the SCR device which may influence the loop gain of the SCR and cause it to reach regenerative feedback at a higher holding voltage.

Classes IPC  ?

• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires

Abrégé

A high holding voltage (HV) electrostatic discharge (ESD) protection circuit comprises a silicon controlled rectifier (SCR) device and compensation regions located within the length between the anode and cathode (LAC) of the SCR device which increase the holding voltage of the SCR device. The compensation regions may introduce negative feedback mechanisms into the SCR device which may influence the loop gain of the SCR and cause it to reach regenerative feedback at a higher holding voltage.

Classes IPC  ?

• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

An electrostatic discharge (ESD) protection circuit for protecting an integrated circuit (IC) having a first voltage potential, a first power supply potential and a second power supply potential. The ESD circuit includes a first NPN bipolar transistor having a first N-doped junction, a second N-doped junction and a third P-doped base junction. The first N-doped junction is coupled to the first voltage potential and the second N-doped junction is coupled to the first power supply potential. The ESD circuit also includes a first PNP bipolar transistor having a first P-doped junction, a second P-doped junction and a third N-doped base junction. The first P-doped junction is coupled to the first voltage potential and the second P-doped junction is coupled to the second power supply potential. The third P-doped base junction of the first NPN bipolar transistor is coupled to the third N-doped base junction of the first PNP bipolar transistor.

Classes IPC  ?

• H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones

Produits et services

Advertising; business management; business administration; office functions; management and administrating technology licensing and technology transfer services, namely the licensing and transfer of intellectual property relating to electrostatic discharge (ESD) protection of integrated circuits. Scientific and technological services and research and design relating thereto; industrial analysis and research services. Technology licensing and technology transfer services; namely arranging, granting, (advising) and exploiting licenses and services relating to licenses.

Produits et services

Licensing of intellectual property for others in the field of integrated circuits; licensing of intellectual property for others in the field of integrated circuits and electrostatic discharge (ESD) protection devices

Abrégé

An improved ESD protection circuit having an ESD device and a triggering device to provide a continuously adjustable trigger voltage. This can be accomplished by various techniques such as placing a selected number of triggering elements in series, modifying the gate control circuitry and varying the size of the triggering elements.

Classes IPC  ?

• H02H 9/00 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
• H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
• H02H 3/00 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion

Abrégé

An ESD protection circuit including an SCR having at least a PNP transistor and at least a NPN transistor such that said PNP transistor is coupled to an anode and the NPN transistor is coupled to a cathode. The circuit also includes a first resistor coupled between the anode and the base of the pnp transistor and a second resistor coupled between the cathode and the base of the npn transistor. A parasitic distributed bipolar transistor is formed between said first and second transistor to control triggering of the SCR.

Classes IPC  ?

• H02H 9/00 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
• H01C 7/12 - Résistances de protection contre les surtensionsParafoudres
• H02H 1/00 - Détails de circuits de protection de sécurité

Abrégé

An ESD protection circuit including an SCR having at least one PNP transistor and at least one NPN transistor such that at least one of the PNP transistor and the NPN transistor having an additional second collector. The circuit further including at least one control circuit coupled to the at least one second collector to control holding voltage of the SCR.

Classes IPC  ?

• H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones

Produits et services

Product research and development; contract design and testing for new product development; product safety testing in the fields of electronics, computer software and integrated circuits; testing, analysis and evaluation of materials and products for electrostatic discharge; product development and engineering services for others; product development consultation; research and development of computer software. Licensing of computer software and intellectual property.

Produits et services

Product research and development; contract design and testing for new product development; product safety testing in the fields of electronics, computer software and integrated circuits; testing, analysis and evaluation of materials and products for electrostatic discharge; product development and engineering services for others; product development consultation; research and development of computer software. Licensing of computer software and intellectual property.

Produits et services

Product research and development; contract design and testing for new product development; product safety testing in the fields of electronics, computer software and integrated circuits; testing, analysis and evaluation of materials and products for electrostatic discharge; product development and engineering services for others; product development consultation; research and development of computer software Licensing of computer software and intellectual property

Produits et services

Product research and development; contract design and testing for new product development; product safety testing in the fields of electronics, computer software and integrated circuits; testing, analysis and evaluation of materials and products for electrostatic discharge; product development and engineering services for others; product development consultation; research and development of computer software Licensing of computer software and intellectual property

Abrégé

The present invention provides an electrostatic discharge (ESD) protection circuit with a silicon controlled rectifier (SCR) having a plurality of SCR fingers (SCRs) with the advantages to couple the different fingers or SCRs to decrease the multi-triggering problem and to increase the ESD-performance of the circuit. Additionally, a boost circuit can be introduced or additionally multiple SCRs can be coupled inherent through a common base.

Classes IPC  ?

• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface

Abrégé

The present invention provides an ESD protection device having at least one diode in a well of a first conductivity type formed in a substrate of a second conductivity type. The circuit further includes a guard-band of the first conductivity surrounding at least a portion of the diode, thus forming an NPN transistor between the diode cathode, the substrate and the guard-band.

Classes IPC  ?

• H02H 3/22 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension de courte durée, p. ex. foudre

Abrégé

The present invention provides an ESD protection circuitry in a semiconductor integrated circuit (IC) having protected circuitry to prevent false triggering of the ESD clamp. The circuitry includes an SCR as an ESD clamp having an anode adapted for coupling to a first voltage source, and a cathode adapted for coupling to a second voltage source. The circuitry also includes at least one noise current buffer (NCB) coupled between at least one of a first trigger tap of the SCR and the first voltage source such that the first trigger tap of the SCR is coupled to a power supply.

Classes IPC  ?

• H02H 9/00 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
• H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
• H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
• H02H 3/22 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension de courte durée, p. ex. foudre
• H02H 1/00 - Détails de circuits de protection de sécurité
• H02H 1/04 - Dispositions pour prévenir la réponse à des conditions transitoires anormales, p. ex. à la foudre
• H02H 9/06 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension utilisant des éclateurs à étincelles
• H01C 7/12 - Résistances de protection contre les surtensionsParafoudres

Abrégé

The present invention provides a MOS transistor device for providing ESD protection including at least one interleaved finger having a source, drain and gate region formed over a channel region disposed between the source and the drain regions. The transistor device further includes at least one isolation gate formed in at least one of the interleaved fingers. The device can further include a bulk connection coupled to at least one of the source, drain and gate regions via through at least one of diode, MOS, resistor, capacitor inductor, short, etc. The bulk connection is preferably isolated through the isolation gate.

Classes IPC  ?

• H01L 23/62 - Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p. ex. fusibles, shunts
• H01L 29/72 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués
• H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones
• H01L 31/111 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par au moins trois barrières de potentiel, p.ex. photothyristor
• H01L 29/73 - Transistors bipolaires à jonction
• H01L 27/10 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive
• H01L 29/76 - Dispositifs unipolaires
• H01L 29/94 - Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS
• H01L 31/062 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type métal-isolant-semi-conducteur
• H01L 31/113 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. phototransistor à effet de champ à jonction du type conducteur-isolant-semi-conducteur, p.ex. transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur
• H01L 31/119 - Dispositifs sensibles au rayonnement d'ondes très courtes, p.ex. rayons X, rayons gamma ou rayonnement corpusculaire caractérisés par un fonctionnement par effet de champ, p.ex. détecteurs du type MIS

Abrégé

The present invention provides a semiconductor structure device having a first and a second semiconductor devices with a silicon controlled rectifier (SCR) formed between the two devices with advantages to couple the devices to provide more design flexibility and enhanced triggering in order to improve the ESD performance of the device.

Classes IPC  ?

• H01L 23/62 - Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p. ex. fusibles, shunts

Abrégé

An electronic device having an LV-well element trigger structure that reduces the effective snapback trigger voltage in MOS drivers or ESD protection devices. A reduced triggering voltage facilitates multi-finger turn-on and thus uniform current flow and/or helps to avoid competitive triggering issues.

Classes IPC  ?

• H01L 23/62 - Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p. ex. fusibles, shunts

Abrégé

A method and apparatus for providing ESD protection. An ESD clamp is connected across the terminals to be protected circuit. The clamp is coupled to a current detector that activates the clamp when current from an ESD event exceeds a predefined limit.

Classes IPC  ?

• H02H 3/22 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension de courte durée, p. ex. foudre
• H02H 9/00 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion

Abrégé

A method and apparatus for providing ESD event protection for a circuit using a source or bulk pump to increase the bulk and/or source potential level during an ESD event. The apparatus comprises a protection circuit that, in response to an ESD event, limits the voltage formed between two terminals of a transistor by adjusting a potential level on the second terminal.

Classes IPC  ?

• H02H 9/00 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
• H02H 3/22 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension de courte durée, p. ex. foudre
• H02H 1/00 - Détails de circuits de protection de sécurité
• H02H 1/04 - Dispositions pour prévenir la réponse à des conditions transitoires anormales, p. ex. à la foudre
• H02H 9/06 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension utilisant des éclateurs à étincelles
• H01C 7/12 - Résistances de protection contre les surtensionsParafoudres

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Technology licensing, namely, licensing of integrated circuits Technology licensing, namely, intellectual property licensing of integrated circuits

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Technology licensing in the field of integrated circuits.

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