An apparatus and method for producing a perpetual energy harvester which harvests ambient near ultraviolet to infrared radiation and provides continual power regardless of the environment. The device seeks to harvest the largely overlooked blackbody radiation through use of a semiconductor thermal harvester, providing a continuous source of power. Additionally, increased power output is provided through a solar harvester. The solar and thermal harvesters are physically connected but electrically isolated. “Perpetual energy harvester” as mentioned in this invention is interpreted to mean an energy harvester which is configured to harvest energy during day and/or night and/or light and/or dark.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/054 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière
H01L 31/075 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PIN, p.ex. cellules solaires PIN en silicium amorphe
H01L 31/076 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
This invention relates to smart bottle system that informs the user through a display, the time and date that the contents are to be taken. More specifically, the smart bottle system provides an information to the user/patient, the time to take medication and inform the caregiver, physician, pharmacy personnel, or patient/users of missed doses, the profile, and/or the health condition of the patient/user. The bottle system may track the dosses remaining in the bottle, and inform the caregiver or patient/user, or pharmacy personnel the time to get a refill of the medication. The system can able to compute the profile and/or health condition of the users, based on the medication intake, and/or missed, or users image, and can communicate with the persons located remotely by sending/receiving information.
A61J 7/04 - Dispositions pour l'indication ou le rappel du moment où l'on doit prendre des médicaments, p. ex. distributeurs programmés
G16H 20/10 - TIC spécialement adaptées aux thérapies ou aux plans d’amélioration de la santé, p. ex. pour manier les prescriptions, orienter la thérapie ou surveiller l’observance par les patients concernant des médicaments ou des médications, p. ex. pour s’assurer de l’administration correcte aux patients
A61J 1/03 - Récipients spécialement adaptés à des fins médicales ou pharmaceutiques pour pilules ou comprimés
B65D 51/24 - Fermetures non prévues ailleurs combinées avec dispositifs auxiliaires pour des buts autres que la fermeture
This invention relates to a sensor and sensor platform, for an autonomous system. The sensor and its platform sense, perform signal or data processing, and make the decision locally at the point of sensing. More specifically, the sensor along with its platform simulates the human-like or human capacity to make decisions by combing the data from several sensors that detect different data sets, and combine them in a series of data processes that allows autonomous decisions to be made. Additionally, the sensor platform combines multiple sensors in one metasensor with the functionality of multiple sensors placed on a common carrier or platform.
H04N 13/25 - Générateurs de signaux d’images utilisant des caméras à images stéréoscopiques utilisant plusieurs capteurs d’images aux caractéristiques différentes autres que la position ou le point de vue, p. ex. avec des différences dans la résolution ou les propriétés de saisie de couleursCommande des caractéristiques d’un capteur par les signaux d’images d’un autre capteur
H04N 13/254 - Générateurs de signaux d’images utilisant des caméras à images stéréoscopiques en combinaison avec des sources de rayonnement électromagnétique pour l’éclairage du sujet
H04N 13/204 - Générateurs de signaux d’images utilisant des caméras à images stéréoscopiques
H04N 13/271 - Générateurs de signaux d’images où les signaux d’images générés comprennent des cartes de profondeur ou de disparité
G05D 1/00 - Commande de la position, du cap, de l'altitude ou de l'attitude des véhicules terrestres, aquatiques, aériens ou spatiaux, p. ex. utilisant des pilotes automatiques
This invention relates to the means for detection of molecular and chemical matter utilizing multiple techniques covering electronics, optics, and imaging techniques. More particularly, this invention is related to detecting levels of certain molecules inside the body through non-invasive contact or non-contact with the body. More specifically, this invention is related to the means to detect levels of molecules associated with metabolic diseases, more particularly the early diagnosis of the disease, especially diabetes. This invention also relates to a medical device that utilizes electromagnetic waves of varying wavelengths and detects waves returned to the device.
A61B 5/145 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang
A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
A61B 5/1455 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang en utilisant des capteurs optiques, p. ex. des oxymètres à photométrie spectrale
This invention provides a non-invasive diagnosis system that is not only capable of producing high-resolution, three-dimensional images of abnormalities of tissue growth inside the body but, it can also detect the type of abnormalities and their location using multispectral imaging techniques. It is possible to provide a portable, non-invasive device that is handheld and with which a person may use to screen themselves for early detection of skin cancer without the need to visit a physician. As the present invention uses broadband sources and/or multiple coherent sources, secondary factors such as oxygen metabolism or blood volume associated with the cancer tissues could also be detected to provide further verification of the type. This invention would raise the accuracy of diagnosis and reduce the rate of false positives and false negatives.
This invention relates to a sensor and sensor platform, for an autonomous system. The sensor and its platform sense, perform signal or data processing, and make the decision locally at the point of sensing. More specifically, the sensor along with its platform simulates the human-like or human capacity to make decisions by combing the data from several sensors that detect different data sets, and combine them in a series of data processes that allows autonomous decisions to be made. Additionally, the sensor platform combines multiple sensors in one metasensor with the functionality of multiple sensors placed on a common carrier or platform.
H04N 13/254 - Générateurs de signaux d’images utilisant des caméras à images stéréoscopiques en combinaison avec des sources de rayonnement électromagnétique pour l’éclairage du sujet
H04N 13/204 - Générateurs de signaux d’images utilisant des caméras à images stéréoscopiques
H04N 13/271 - Générateurs de signaux d’images où les signaux d’images générés comprennent des cartes de profondeur ou de disparité
G05D 1/00 - Commande de la position, du cap, de l'altitude ou de l'attitude des véhicules terrestres, aquatiques, aériens ou spatiaux, p. ex. utilisant des pilotes automatiques
This invention relates to smart bottle system that informs the user through a display, the time and date that the contents are to be taken. More specifically, the smart bottle system provides an information to the user/patient, the time to take medication and inform the caregiver, physician, pharmacy personnel, or patient/users of missed doses, the profile, and/or the health condition of the patient/user. The bottle system may track the doses remaining in the bottle, and inform the caregiver or patient/user, or pharmacy personnel the time to get a refill of the medication. The system can able to compute the profile and/or health condition of the users, based on the medication intake, and/or missed, or users image, and can communicate with the persons located remotely by sending/receiving information.
A61J 7/04 - Dispositions pour l'indication ou le rappel du moment où l'on doit prendre des médicaments, p. ex. distributeurs programmés
G16H 20/10 - TIC spécialement adaptées aux thérapies ou aux plans d’amélioration de la santé, p. ex. pour manier les prescriptions, orienter la thérapie ou surveiller l’observance par les patients concernant des médicaments ou des médications, p. ex. pour s’assurer de l’administration correcte aux patients
B65D 51/24 - Fermetures non prévues ailleurs combinées avec dispositifs auxiliaires pour des buts autres que la fermeture
A61J 1/03 - Récipients spécialement adaptés à des fins médicales ou pharmaceutiques pour pilules ou comprimés
8.
IMAGING SYSTEM FOR SCREENING AND DIAGNOSIS OF BREAST CANCER
This invention provides a non-invasive diagnosis system that is not only capable of producing high-resolution, three-dimensional images of abnormalities of tissue growth inside the body but, it can also detect the type of abnormalities and their location using multispectral imaging techniques. It is possible to provide a portable, non-invasive device that is handheld and with which women may use to screen themselves for early detection of breast cancer without the need to visit a physician. As the present invention uses broadband sources and/or multiple coherent sources, secondary factors such as oxygen metabolism or blood volume associated with the cancer tissues could also be detected to provide further verification of the type. This invention would raise the accuracy of diagnosis and reduce the rate of false positives and false negatives.
This invention provides a non-invasive diagnosis system that is not only capable of producing high-resolution, three-dimensional images of abnormalities of tissue growth inside the body but, it can also detect the type of abnormalities and their location using multispectral imaging techniques. It is possible to provide a portable, non-invasive device that is handheld and with which women may use to screen themselves for early detection of breast cancer without the need to visit a physician. As the present invention uses broadband sources and/or multiple coherent sources, secondary factors such as oxygen metabolism or blood volume associated with the cancer tissues could also be detected to provide further verification of the type. This invention would raise the accuracy of diagnosis and reduce the rate of false positives and false negatives.
Novel structures of photovoltaic cells are provided. The cells are based on nanometer or micrometer-scaled wires, tubes, and/or rods, which are made of electronic materials covering semiconductors, insulators, and may be metallic in structure. These photovoltaic cells have large power generation capability per unit physical area over the conventional cells. These cells will have enormous applications such as in space, commercial, residential and industrial applications.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/068 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/072 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
H01L 31/07 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type Schottky
H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 31/0735 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement des composés semiconducteurs AIIIBV, p.ex. cellules solaires en GaAs/AlGaAs ou InP/GaInAs
H01L 31/073 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement des composés semiconducteurs AIIBVI, p.ex. cellules solaires en CdS/CdTe
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 31/0296 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
11.
Stackable optoelectronics chip-to-chip interconnects and method of manufacturing
An optoelectronics chip-to-chip interconnects system is provided, including at least one packaged chip to be connected on the printed-circuit-board with at least one other packaged chip, optical-electrical (O-E) conversion mean, waveguide-board, and (PCB). Single to multiple chips interconnects can be interconnected provided using the technique disclosed in this invention. The packaged chip includes semiconductor die and its package based on the ball-grid array or chip-scale-package. The O-E board includes the optoelectronics components and multiple electrical contacts on both sides of the O-E substrate. The waveguide board includes the electrical conductor transferring the signal from O-E board to PCB and the flex optical waveguide easily stackable onto the PCB to guide optical signal from one chip-to-other chip. Alternatively, the electrode can be directly connected to the PCB instead of including in the waveguide board. The chip-to-chip interconnections system is pin-free and compatible with the PCB. The main advantages of this invention are to use the packaged chip for interconnection and the conventional PCB technology can be used for low speed electrical signal connection. Also, the part of the heat from the packaged chip can be transmitted to the PCB through the conductors, so that complex cooling system can be avoided.
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
G02B 6/32 - Moyens de couplage optique ayant des moyens de focalisation par lentilles
H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
An optoelectronics chip-to-chip interconnects system is provided, including at least one packaged chip to be connected on the printed-circuit-board with at least one other packaged chip, optical-electrical (O-E) conversion mean, waveguide-board, and (PCB). Single to multiple chips interconnects can be interconnected provided using the technique disclosed in this invention. The packaged chip includes semiconductor die and its package based on the ball-grid array or chip-scale-package. The O-E board includes the optoelectronics components and multiple electrical contacts on both sides of the O-E substrate. The waveguide board includes the electrical conductor transferring the signal from O-E board to PCB and the flex optical waveguide easily stackable onto the PCB to guide optical signal from one chip-to-other chip. Alternatively, the electrode can be directly connected to the PCB instead of including in the waveguide board. The chip-to-chip interconnections system is pin-free and compatible with the PCB. The main advantages of this invention are to use the packaged chip for interconnection and the conventional PCB technology can be used for low speed electrical signal connection. Also, the part of the heat from the packaged chip can be transmitted to the PCB through the conductors, so that complex cooling system can be avoided.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
13.
Process for creating high efficiency photovoltaic cells
A novel method to fabricate the high-efficiency solar cells are provided by this application. The cells are based on micro (or nano) structures that not only increase the surface area but also have the capability of self-concentrating the solar spectrum incident onto the cell. These photovoltaic cells have a larger power generation capability per unit physical area than conventional cells. These cells will have enormous applications in space, commercial, residential and industrial sectors.
H01L 31/072 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
14.
High efficiency photovoltaic cells and manufacturing thereof
Novel structures of photovoltaic cells are provided. The cells are based on nanometer or micrometer-scaled wires, tubes, and/or rods, which are made of electronic materials covering semiconductors, insulators, and may be metallic in structure. These photovoltaic cells have large power generation capability per unit physical area over the conventional cells. These cells will have enormous applications such as in space, commercial, residential and industrial applications.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/068 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
An optoelectronics chip-to-chip interconnects system is provided, including at least one packaged chip to be connected on the printed-circuit-board with at least one other packaged chip, optical-electrical (O-E) conversion mean, waveguide-board, and (PCB). Single to multiple chips interconnects can be interconnected provided using the technique disclosed in this invention. The packaged chip includes semiconductor die and its package based on the ball-grid array or chip-scale-package. The O-E board includes the optoelectronics components and multiple electrical contacts on both sides of the O-E substrate. The waveguide board includes the electrical conductor transferring the signal from O-E board to PCB and the flex optical waveguide easily stackable onto the PCB to guide optical signal from one chip-to-other chip. Alternatively, the electrode can be directly connected to the PCB instead of including in the waveguide board. The chip-to-chip interconnections system is pin-free and compatible with the PCB. The main advantages of this invention are to use the packaged chip for interconnection and the conventional PCB technology can be used for low speed electrical signal connection. Also, the part of the heat from the packaged chip can be transmitted to the PCB through the conductors, so that complex cooling system can be avoided.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
G02B 6/32 - Moyens de couplage optique ayant des moyens de focalisation par lentilles
H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
An apparatus for perpetually harvesting ambient near ultraviolet to far infrared radiation to provide continual power regardless of the environment, incorporating a system for the harvesting electronics governing power management, storage control, and output regulation. The harvesting electronics address issues of efficiently matching the voltage and current characteristics of the different harvested energy levels, low power consumption, and matching the power output demand. The device seeks to harvest the largely overlooked blackbody radiation through use of a thermal harvester, providing a continuous source of power, coupled with a solar harvester to provide increased power output.
H02J 3/38 - Dispositions pour l’alimentation en parallèle d’un seul réseau, par plusieurs générateurs, convertisseurs ou transformateurs
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
17.
High efficiency photovoltaic cells and manufacturing thereof
This invention relates to a novel structure of photovoltaic devices (e.g. photovoltaic cells also called as solar cells) are provided. The cells are based on the micro or nano scaled structures which could not only increase the surface area but also have the capability of reducing the reflection and increasing the absorption of incident light. More specifically, the structures are based on 3D structure which are made of electric materials covering semiconductors, insulators, dielectric, polymer, and metallic type materials. By using such structures reflection loss of the light from the cell is significantly reduced, increasing the absorption, which results in increasing the conversion efficiency of the solar cell, and reducing the usage of material while increasing the flexibility of the solar cell. The structures can be also used in other optical devices wherein the reflection loss and absorption are required to enhance significantly improve the device performances.
H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
This invention relates to a system and methods including their manufacturing technologies for enhanced sensing capability of one or more bioagents covering from HIV, Pathogens, virus, to cells detection. More particularly, this invention is related to HIV and pathogen diagnosis system and methods which may increase its sensitivity and may reduce the diagnosis time. Furthermore, the diagnosis system and method may be applicable to all early stage patients with various age groups, where early and accuracy in diagnosis, are required.
C12M 1/34 - Mesure ou test par des moyens de mesure ou de détection des conditions du milieu, p. ex. par des compteurs de colonies
G01N 33/569 - Tests immunologiquesTests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiquesMatériaux à cet effet pour micro-organismes, p. ex. protozoaires, bactéries, virus
19.
High efficiency photovoltaic cells with self concentrating effect
This invention relates to a novel structure of photovoltaic devices (e.g. photovoltaic cells also called as solar cells) are provided. The cells are based on the micro or nano scaled structures which could not only increase the surface area but also have the capability of self-concentrating the light incident onto the photonics devices. More specifically, the structures are based on 3D structure including quintic or quintic-like shaped micor-nanostructures. By using such structures reflection loss of the light from the cell is significantly reduced, increasing the absorption, which results in increasing the conversion efficiency of the solar cell, and reducing the usage of material while increasing the flexibility of the solar cell. The structures can be also used in other optical devices wherein the reflection loss and absorption are required to enhanced to significantly improve the device performances.
H01L 31/054 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/0296 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
This invention relates to the means for detection of molecular and chemical matter utilizing multiple techniques covering electronics, optics, and imaging techniques. More particularly, this invention is related to detecting levels of certain molecules inside the body through non-invasive contact or non-contact with the body. More specifically, this invention is related to the means to detect levels of molecules associated with metabolic diseases, more particularly the early diagnosis of the disease, especially diabetes. This invention also relates to a medical device that utilizes electromagnetic waves of varying wavelengths and detects waves returned to the device.
A61B 5/145 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang
A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
A61B 5/1455 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang en utilisant des capteurs optiques, p. ex. des oxymètres à photométrie spectrale
21.
Stackable optoelectronics chip-to-chip interconnects and method of manufacturing thereof
An optoelectronics chip-to-chip interconnects system is provided, including at least one packaged chip to be connected on the printed-circuit-board with at least one other packaged chip, optical-electrical (O-E) conversion mean, waveguide-board, and (PCB). Single to multiple chips interconnects can be interconnected provided using the technique disclosed in this invention. The packaged chip includes semiconductor die and its package based on the ball-grid array or chip-scale-package. The O-E board includes the optoelectronics components and multiple electrical contacts on both sides of the O-E substrate. The waveguide board includes the electrical conductor transferring the signal from O-E board to PCB and the flex optical waveguide easily stackable onto the PCB to guide optical signal from one chip-to-other chip. Alternatively, the electrode can be directly connected to the PCB instead of including in the waveguide board. The chip-to-chip interconnections system is pin-free and compatible with the PCB. The main advantages of this invention are to use the packaged chip for interconnection and the conventional PCB technology can be used for low speed electrical signal connection. Also, the part of the heat from the packaged chip can be transmitted to the PCB through the conductors, so that complex cooling system can be avoided.
G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
H05K 1/14 - Association structurale de plusieurs circuits imprimés
H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
Novel structures of photovoltaic cells (also called as solar cells) are provided. The cells are based on nanoparticles or nanometer-scaled wires, tubes, and/or rods, which are made of electrical materials covering semiconductors, insulators, and also metallic in structure. These photovoltaic cells have large power generation capability per unit physical area over the conventional cells. These cells will have enormous applications such as in space, commercial, residential and industrial applications.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/0384 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant d'autres matériaux non cristallins, p.ex. des particules semi-conductrices incorporées dans un matériau isolant
H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
An electronics interconnection system is provided with reduced capacitance between a signal line and the surrounding dielectric material. By using a non-homogenous dielectric, the effective dielectric loss of the material is reduced. This reduction results in less power loss from the signal line to the dielectric material, which reduces the number of buffers needed on the signal line. This increases the speed of the signal, and reduces the power consumed by the interconnection system. The fabrication techniques provided are advantageous because they can be fabricated using today's standard IC fabrication techniques.
H05K 1/11 - Éléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/473 - Dispositions pour le refroidissement, le chauffage, la ventilation ou la compensation de la température impliquant le transfert de chaleur par des fluides en circulation par une circulation de liquides
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
An apparatus for perpetually harvesting ambient near ultraviolet to far infrared radiation to provide continual power regardless of the environment, incorporating a system for the harvesting electronics governing power management, storage control, and output regulation. The harvesting electronics address issues of efficiently matching the voltage and current characteristics of the different harvested energy levels, low power consumption, and matching the power output demand. The device seeks to harvest the largely overlooked blackbody radiation through use of a thermal harvester, providing a continuous source of power, coupled with a solar harvester to provide increased power output.
H02J 7/00 - Circuits pour la charge ou la dépolarisation des batteries ou pour alimenter des charges par des batteries
H02J 1/12 - Fonctionnement de générateurs à courant continu en parallèle avec des convertisseurs, p. ex. avec un redresseur à arc de mercure
H02J 1/10 - Fonctionnement de sources à courant continu en parallèle
H02J 7/35 - Fonctionnement en parallèle, dans des réseaux, de batteries avec d'autres sources à courant continu, p. ex. batterie tampon avec des cellules sensibles à la lumière
H02J 1/00 - Circuits pour réseaux principaux ou de distribution, à courant continu
This invention relates to multiband detector and multiband image sensing devices, and their manufacturing technologies. The innovative detector (or image sensing) provides significant broadband capability covering the wavelengths from within ultra-violet (UV) to long-Infrared, and it is achieved in a single element. More particularly, this invention is related to the multiband or dual band detectors, which can not only detect the broad spectrum wavelengths ranges from within as low as UV to the wavelengths as high as 25 μm, but also band selection capability. This invention is also related to the multiband detector arrays or image sensing device for multicolor imaging, sensing, and advanced communication.
Autonomous/self-powering image detecting systems and their manufacturing technologies are disclosed. An antenna is used to communicate signals. A first energy harvester is used to harvest energy from blackbody radiation, RF signals, movement/vibration, or combination thereof. A power management system is used which controls the energy flow to and from the energy-storage. An image sensor to take the image, a lens, and a transmitter to transmit the images to an outside device are also used in this invention. According to this preferred embodiment, an energy harvester harnessing energy from blackbody radiation from and within the body, is used to extract enough energy to increase the operation time and also to make precision of the image detecting system.
A61B 1/04 - Instruments pour procéder à l'examen médical de l'intérieur des cavités ou des conduits du corps par inspection visuelle ou photographique, p. ex. endoscopesDispositions pour l'éclairage dans ces instruments combinés avec des dispositifs photographiques ou de télévision
A61B 1/00 - Instruments pour procéder à l'examen médical de l'intérieur des cavités ou des conduits du corps par inspection visuelle ou photographique, p. ex. endoscopesDispositions pour l'éclairage dans ces instruments
27.
Energy harvesting devices and method of fabrication thereof
An apparatus and method pertaining to a perpetual energy harvester. The harvester absorbs ambient infrared radiation and provides continual power regardless of the environment. The device seeks to harvest the largely overlooked blackbody radiation through use of a semiconductor thermal harvester.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/0687 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
28.
Photovoltaic cells based on nano or micro-scale structures
Novel structures of photovoltaic cells (also treated as solar cells) are provided. The cells are based on nanometer-scaled wires, tubes, and/or rods, which are made of electronic materials covering semiconductors, insulators or metallic in structure. These photovoltaic cells have large power generation capability per unit physical area over the conventional cells. These cells will have enormous applications in space, commercial, residential, and industrial applications.
H01L 31/068 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
An apparatus for perpetually harvesting ambient near ultraviolet to far infrared radiation to provide continual power regardless of the environment, incorporating a system for the harvesting electronics governing power management, storage control, and output regulation. The harvesting electronics address issues of efficiently matching the voltage and current characteristics of the different harvested energy levels, low power consumption, and matching the power output demand. The device seeks to harvest the largely overlooked blackbody radiation through use of a thermal harvester, providing a continuous source of power, coupled with a solar harvester to provide increased power output.
This invention is related to energy scavenging device and in particular, to energy harvesting or scavenging from the environmental radiation covering from solar spectrum and thermal radiation. Energy harvesting device is an integrated device comprising the devices that capture the radiation and converted into electrons, and also energy management devices to manage the converted energy either to store, to operate the electronic devices, and/or recharge the batteries. The energy scavenging devices integrates several device capabilities such as energy conversion, management, and storing the energy, on a common platform. Herein a design of a device capable to scavenge or harvest the energy from environment radiation is disclosed. A primary objective of this invention is to provide a design of a scavenging device that harvests the energy from environment radiation, operates 24/7, thereby generate and store, manage the energy as required.
H01L 31/058 - comprenant des moyens pour utiliser l'énergie thermique, p.ex. systèmes hybrides, ou une source additionnelle d'énergie électrique
G05F 1/67 - Régulation de la puissance électrique à la puissance maximale que peut fournir un générateur, p. ex. une cellule solaire
H02J 7/35 - Fonctionnement en parallèle, dans des réseaux, de batteries avec d'autres sources à courant continu, p. ex. batterie tampon avec des cellules sensibles à la lumière
H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
H01L 31/12 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour
31.
High efficiency photovoltaic cells with self concentrating effect
Novel structures of photonics devices (e.g. photovoltaic cells also called as solar cells) are provided. The Cells are based on the micro (or nano) structures which could not only increase the surface area but also have the capability of self-concentrating the light incident onto the photonics devices. Using of such structures, it is possible to achieve significant performance improvement. For example, if such structures are used in the photovoltaic cells, large power generation capability per unit physical area is possible over the conventional cells, and have enormous applications such as in space, in commercial, residential and industrial applications. Such structures are also beneficial to other photonics devices such as photodetector to enhance the performance.
H01L 31/0296 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/054 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière
32.
Stackable optoelectronics chip-to-chip interconnects and method of manufacturing
The optoelectronics chip-to-chip interconnect system includes at least one packaged chip connected on the printed-circuit-hoard (PCB) with at least one other packaged chip, opticalelectrical (O-E) conversion means, and waveguide-board. Single to multiple chips can be interconnected using this technique. Packaged chip includes semiconductor die and package based on ball-grid array or chipscale-package. O-E board includes optoelectronics and multiple electrical contacts on both board sides. Waveguide board includes electrodes transferring signals from O-E board to PCB, and the flex optical waveguide, stackable onto the PCB, to guide optical signals chip-to-chip. Electrodes can be connected to the PCB instead of on waveguide hoard. The chip-to-chip interconnection system is pin-free, compatible with the PCB. Advantages are to use the packaged chip for interconnection, while conventional PCB can be used for low speed signal connection, and transmitting part of the heat from the packaged chip to the PCB through conductors, avoiding complex cooling systems.
3). The novel sensing system may be of great value to many industries, for example, medical, forensics, and military. The fundamental principles of this novel invention may be implemented in many variations and combinations of techniques.
G01N 21/00 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c.-à-d. en utilisant des ondes submillimétriques, de la lumière infrarouge, visible ou ultraviolette
H01L 31/09 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
G01N 33/543 - Tests immunologiquesTests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiquesMatériaux à cet effet avec un support insoluble pour l'immobilisation de composés immunochimiques
34.
On-chip interconnects VIAS and method of fabrication
An interconnection system is provided with reduced capacitance between a signal via and the surrounding dielectric material. By using a non-homogenous dielectric, the effective dielectric constant of the system is reduced. The signal vias are surrounded with some combination of open trenches and/or grounded vias to decrease the effective dielectric constant of the surrounding system, providing shielding from the interference of nearby signal lines and vias. The fabrication techniques provided are advantageous because they can be preformed using today's standard IC fabrication techniques.
Novel structures of photovoltaic cells (also treated as solar cells) are provided. The cells are based on nanometer-scaled wires, tubes, and/or rods, which are made of electronic materials covering semiconductors, insulators or metallic in structure. These photovoltaic cells have large power generation capability per unit physical area over the conventional cells. These cells will have enormous applications in space, commercial, residential, and industrial applications.
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
Novel structures of photovoltaic cells (also known as solar cells) are provided. The Cells are based on the nanometer-scaled wire, tubes, and/or rods, which are made of the electronics materials covering semiconductors, insulator or metallic in structure. These photovoltaic cells have large power generation capability per unit physical area over the conventional cells. These cells can have also high radiation tolerant capability. These cells will have enormous applications such as in space, in commercial, residential and industrial applications.
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
Novel structures of photovoltaic cells (also known as solar cells) are provided. The Cells are based on the nanometer-scaled wire, tubes, and/or rods, which are made of the electronics materials covering semiconductors, insulator or metallic in structure. These photovoltaic cells have large power generation capability per unit physical area over the conventional cells. These cells can have also high radiation tolerant capability. These cells will have enormous applications such as in space, in commercial, residential and industrial applications.
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
38.
Multispectral imaging device and manufacturing thereof
This invention relates to photodetector and its array in the form of a image sensor having multispectral detection capability covering the wavelengths from ultra-violet (UV) or near UV to shortwave infrared (over 1700 nm), ultra-violet (UV) or near UV to mid infrared (3500 nm), or ultra-violet (UV) or near UV to 5500 nm. More particularly, this invention is related to the multicolor detector, which can detect the light wavelengths ranges from as low as UV to the wavelengths over 1700 nm covering the most of the communication wavelength, and also from UV to as high as 5500 nm using of the single monolithic detector fabricated on the single wafer. This invention is also related to the multispectral photodetector arrays for multicolor imaging, sensing, and advanced communication. Our innovative approach utilizes surface incident type (either top- or bottom-illuminated type) photodiode structure having single absorption layer and consisting of more than micro-nano-scaled 3-dimensional (3-D) blocks which can provide broader spectral response than that of the absorption layer made from the same type of material having macro-scaled structure.
An apparatus and method for producing a perpetual energy harvester which harvests ambient near ultraviolet to infrared radiation and provides continual power regardless of the environment. The device seeks to harvest the largely overlooked blackbody radiation through use of a semiconductor thermal harvester, providing a continuous source of power. Additionally, increased power output is provided through a solar harvester. The solar and thermal harvesters are physically connected but electrically isolated.
H01L 31/0687 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/076 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
H01L 31/075 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PIN, p.ex. cellules solaires PIN en silicium amorphe
H01L 31/054 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière
40.
On-chip interconnects with reduced capacitance and method of afbrication
An electronics interconnection system is provided with reduced capacitance between a signal line and the surrounding dielectric material. By using a non-homogenous dielectric, the effective dielectric constant of the material is reduced. This reduction results in less power loss from the signal line to the dielectric material, and therefore reduces the number of buffers needed on the signal line. This increases the speed of the signal, and reduces the power consumed by the interconnection system. The fabrication techniques provided are advantageous because they can be preformed using today's standard IC fabrication techniques.
An optoelectronics chip-to-chip interconnects system is provided, including at least one packaged chip to be connected on the printed-circuit-board with at least one other packaged chip, optical-electrical (O-E) conversion mean, waveguide-board, and (PCB). Single to multiple chips interconnects can be interconnected provided using the technique disclosed in this invention. The packaged chip includes semiconductor die and its package based on the ball-grid array or chip-scale-package. The O-E board includes the optoelectronics components and multiple electrical contacts on both sides of the O-E substrate. The waveguide board includes the electrical conductor transferring the signal from O-E board to PCB and the flex optical waveguide easily stackable onto the PCB to guide optical signal from one chip-to-other chip. Alternatively, the electrode can be directly connected to the PCB instead of including in the waveguide board. The chip-to-chip interconnections system is pin-free and compatible with the PCB. The main advantages of this invention are to use the packaged chip for interconnection and the conventional PCB technology can be used for low speed electrical signal connection. Also, the part of the heat from the packaged chip can be transmitted to the PCB through the conductors, so that complex cooling system can be avoided.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
This invention relates to imaging device and its related transferring technologies to independent substrate able to attain significant broadband capability covering the wavelengths from ultra-violet (UV) to long-Infrared. More particularly, this invention is related to the broadband image sensor (along with its manufacturing technologies), which can detect the light wavelengths ranges from as low as UV to the wavelengths as high as 20 μm covering the most of the wavelengths using of the single monolithic image sensor on the single wafer. This invention is also related to the integrated circuit and the bonding technologies of the image sensor to standard integrated circuit for multicolor imaging, sensing, and advanced communication. Our innovative approach utilizes surface structure having more than micro-nano-scaled 3-dimensional (3-D) blocks which can provide broad spectral response. Utilizing multiple micro-nano scaled blocks help to increase the absorption spectra more than the material used as the absorption layer. In addition, utilizing the multiple nano-scaled 3-D blocks help to increase the absorption over the wavelength due to the multiple reflections and diffractions inside the 3-D structures. The absorption layers will be designed to achieve the required quantum efficiency and also required speed.
3). The novel sensing system may be of great value to many industries, for example, medical, forensics, and military. The fundamental principles of this novel invention may be implemented in many variations and combinations of techniques.
G01N 21/00 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c.-à-d. en utilisant des ondes submillimétriques, de la lumière infrarouge, visible ou ultraviolette
44.
Method of manufacturing high speed printed circuit board interconnects
Described are methods for fabricating high speed metallic electrical interconnects for printed wiring board for high speed transmission of a data signal across an interconnect in a systems. The trench under electrical signal line is made using the separate dielectric layer having through holes opened through that said dielectric layer and aligned with electrical signal line. The layer with through holes aligned with electrical signal line sandwiched in between layer carrying the electrical signal line and a layer carrying ground conducting line for the case of microstrip-type transmission line. The two separate layers with the through-holes opened and aligned with the electrical signal line are needed for the stripline-type transmission line. Multi-layers board having high speed electrical signal lines can be made utilizing the configuration described.
It is highly desirable to design a monolithic image sensor (and array), which could offer high quantum efficiency over broad spectral ranges, and the possibility to rapidly and randomly address any element in the array. This invention utilizes the growth of semiconductor nanowires such as Si, Ge, Si:Ge, ZnO, or their alloys based nanowires on standard substrates to create multispectral image sensors and photovoltaic cells having these highly desirable features.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 31/072 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
H01L 31/109 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à hétérojonction
H01L 31/0328 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes
H01L 31/0336 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes dans des régions semi-conductrices différentes, p.ex. des hétéro-jonctions Cu2X/CdX, X étant un élément du groupe VI de la classification périodique
46.
Stackable optoelectronics chip-to-chip interconnects and method of manufacturing
An optoelectronics chip-to-chip interconnects system is provided, including at least one packaged chip to be connected on the printed-circuit-board with at least one other packaged chip, optical-electrical (O-E) conversion mean, waveguide-board, and (PCB). Single to multiple chips interconnects can be interconnected provided using the technique disclosed in this invention. The packaged chip includes semiconductor die and its package based on the ball-grid array or chip-scale-package. The O-E board includes the optoelectronics components and multiple electrical contacts on both sides of the O-E substrate. The waveguide board includes the electrical conductor transferring the signal from O-E board to PCB and the flex optical waveguide easily stackable onto the PCB to guide optical signal from one chip-to-other chip. Alternatively, the electrode can be directly connected to the PCB instead of including in the waveguide board. The chip-to-chip interconnections system is pin-free and compatible with the PCB. The main advantages of this invention are to use the packaged chip for interconnection and the conventional PCB technology can be used for low speed electrical signal connection. Also, the part of the heat from the packaged chip can be transmitted to the PCB through the conductors, so that complex cooling system can be avoided.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 29/22 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI
47.
Stackable optoelectronics chip-to-chip interconnects and method of manufacturing
An optoelectronics chip-to-chip interconnects system is provided, including at least one packaged chip to be connected on the printed-circuit-board with at least one other packaged chip, optical-electrical (O-E) conversion mean, waveguide-board, and (PCB). Single to multiple chips interconnects can be interconnected provided using the technique disclosed in this invention. The packaged chip includes semiconductor die and its package based on the ball-grid array or chip-scale-package. The O-E board includes the optoelectronics components and multiple electrical contacts on both sides of the O-E substrate. The waveguide board includes the electrical conductor transferring the signal from O-E board to PCB and the flex optical waveguide easily stackable onto the PCB to guide optical signal from one chip-to-other chip. Alternatively, the electrode can be directly connected to the PCB instead of including in the waveguide board. The chip-to-chip interconnections system is pin-free and compatible with the PCB. The main advantages of this invention are to use the packaged chip for interconnection and the conventional PCB technology can be used for low speed electrical signal connection. Also, the part of the heat from the packaged chip can be transmitted to the PCB through the conductors, so that complex cooling system can be avoided.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
48.
Stackable optoelectronics chip-to-chip interconnects and method of manufacturing
An optoelectronics chip-to-chip interconnects system is provided, including at least one packaged chip to be connected on the printed-circuit-board with at least one other packaged chip, optical-electrical (O-E) conversion mean, waveguide-board, and (PCB). Single to multiple chips interconnects can be interconnected provided using the technique disclosed in this invention. The packaged chip includes semiconductor die and its package based on the ball-grid array or chip-scale-package. The O-E board includes the optoelectronics components and multiple electrical contacts on both sides of the O-E substrate. The waveguide board includes the electrical conductor transferring the signal from O-E board to PCB and the flex optical waveguide easily stackable onto the PCB to guide optical signal from one chip-to-other chip. Alternatively, the electrode can be directly connected to the PCB instead of including in the waveguide board. The chip-to-chip interconnections system is pin-free and compatible with the PCB. The main advantages of this invention are to use the packaged chip for interconnection and the conventional PCB technology can be used for low speed electrical signal connection. Also, the part of the heat from the packaged chip can be transmitted to the PCB through the conductors, so that complex cooling system can be avoided.
H01L 29/22 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI
H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
49.
Multicolor photodiode array and method of manufacturing
Novel structures of the photodetector having broad spectral ranges detection capability are provided. The photodetector offers high quantum efficiency>95% over wide spectral ranges, high frequency response>10 GHz (@3 dB). The photodiode array of N×N (or M×N) elements is also provided. The array also offers wide spectral detection ranges ultraviolet to 2500 nm with high quantum efficiency>95% and high frequency response of >10 GHz, cross-talk of <0.1%. In the array, each photodiode is independently addressable and is made either as top-illuminated or as bottom illuminated type detector. The photodiode and its array provided in this invention, could be used in multiple purpose applications such as telecommunication, imaging, and sensing applications including surveillance, satellite tracking, advanced lidar systems, etc. The advantages of this photodetectors are that they are uncooled and performance will not be degraded under wide range of temperature variation.
H01L 31/105 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PIN
50.
Multicolor photodiode array and method of manufacturing
Novel structures of the photodetector having broad spectral ranges detection capability are provided. The photodetector offers high quantum efficiency>95% over wide spectral ranges, high frequency response>10 GHz (@3 dB). The photodiode array of N×N (or M×N) elements is also provided. The array also offers wide spectral detection ranges ultraviolet to 2500 nm with high quantum efficiency>95% and high frequency response of >10 GHz, cross-talk of <0.1%. In the array, each photodiode is independently addressable and is made either as top-illuminated or as bottom illuminated type detector. The photodiode and its array provided in this invention, could be used in multiple purpose applications such as telecommunication, imaging, and sensing applications including surveillance, satellite tracking, advanced lidar systems, etc. The advantages of this photodetectors are that they are uncooled and performance will not be degraded under wide range of temperature variation.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
A hybrid photovoltaic device comprising a plurality of nanostructures embedded in a matrix of a photosensitive material including one or more layers. A combination of innovative structural aspects of the hybrid photovoltaic device results in significant improvements in collection of incident light from the solar spectrum, better absorption of light, and better collection of the photo-carriers generated in response to the incident light, thereby improving efficiency of the hybrid photovoltaic device.
H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
Fundamental interconnect systems for connecting high-speed electronics elements are provided. The interconnect systems consists of signal line, dielectric system with open trench or slot filled up with air or lower dielectric loss material, and the ground plane. The signal line could be for example, microstripline, strip line, coplanar line, single line or differential pairs. The interconnect system can be used for on-chip interconnects or can also be used for off-chip interconnects. The fundamental techniques provided in this invention can also be used for high-speed connectors and high-speed cables.
3). The novel sensing system may be of great value to many industries, for example, medical, forensics, and military. The fundamental principles of this novel invention may be implemented in many variations and combinations of techniques.
G01N 21/00 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c.-à-d. en utilisant des ondes submillimétriques, de la lumière infrarouge, visible ou ultraviolette
54.
High efficiency photovoltaic cells with self concentrating effect
Novel structures of photovoltaic cells (also called as solar cells) are provided. The Cells are based on the micro (or nano) structures which could not only increase the surface area but also have the capability of self concentrating the solar spectrum incident onto the cell. These photovoltaic cells have large power generation capability per unit physical area over the conventional cells. These cells will have enormous applications such as in space, in commercial, residential and industrial applications.
H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
A delay line system able to reduce the microwave loss by reducing the effective dielectric loss and dielectric constant of the system including a signal line, dielectric system with opened trench or slot filled up with the air or lower dielectric loss material, a ground plane, and a system of switches if the line is to be variable. The delay line proposed in this invention could be made of any type of signal line configuration, for example: micro-strip line, strip line, or coplanar line. The signal line can also be made as single ended or differential pairs of any configurations. The delay line systems based on the fundamental techniques provided in this invention can be used for on-chip devices where the delay line is laid on the oxide or dielectric material, or in a traditional PCB implementation such as FR4.
Novel structures of photovoltaic cells (also treated as solar cells) are provided. The cells are based on nanometer-scaled wires, tubes, and/or rods, which are made of electronic materials covering semiconductors, insulators or metallic in structure. These photovoltaic cells have large power generation capability per unit physical area over the conventional cells. These cells will have enormous applications in space, commercial, residential, and industrial applications.
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
57.
High efficiency photovoltaic cells and manufacturing thereof
Novel structures of photovoltaic cells (also treated as solar cells) are provided. The cells are based on nanometer or micrometer-scaled wires, tubes, and/or rods, which are made of electronic materials covering semiconductors, insulators, and may be metallic in structure. These photovoltaic cells have large power generation capability per unit physical area over the conventional cells. These cells will have enormous applications such as in space, commercial, residential and industrial applications.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/068 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin
H01L 51/44 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement - Détails des dispositifs
H01L 31/072 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction
H01L 31/07 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type Schottky
H01L 31/0296 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/0735 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement des composés semiconducteurs AIIIBV, p.ex. cellules solaires en GaAs/AlGaAs ou InP/GaInAs
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 31/073 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction comprenant uniquement des composés semiconducteurs AIIBVI, p.ex. cellules solaires en CdS/CdTe
Novel structures of photovoltaic cells (also called as solar cells) are provided. The cells are based on nanoparticles or nanometer-scaled wires, tubes, and/or rods, which are made of electronic materials covering semiconductors, insulators, and may be metallic in structure. These photovoltaic cells have large power generation capability per unit physical area over the conventional cells. These cells will have enormous applications such as in space, commercial, residential and industrial applications.
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/0384 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant d'autres matériaux non cristallins, p.ex. des particules semi-conductrices incorporées dans un matériau isolant
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
59.
High-speed flex printed circuit and method of manufacturing
Multilayer high speed flex printed circuit boards (FLEX-PCBs) are disclosed including a dielectrics systems with the back-side trenches, adhesives, signal lines and ground planes, wherein the signal line and ground plane lane are located on the dielectrics. Using of the open trenches in the substrate help to reduce the microwave loss and dielectric constant and thus increasing the signal carrying speed of the interconnects. Thus, according to the present invention, it is possible to provide a simply constructed multiplayer high speed FLEX-PCB using the conventional material and conventional FLEX-PCB manufacturing which facilitates the design of circuits with controlled bandwidth based on the trench opening in the dielectrics, and affords excellent connection reliability. As the effective dielectric constant is reduced, the signal width is required to make wider or the dielectric thickness is required to make thinner keeping fixed characteristics impedance. The fundamental techniques disclosed here can also be used for high-speed packaging.
Novel structures of photovoltaic cells (also treated as solar cells) are provided. The Cells are based on the nanometer-scaled wire, tubes, and/or rods, which are made of the electronics materials covering semiconductors, insulator or metallic in structure. These photovoltaic cells have large power generation capability per unit physical area over the conventional cells. These cells can have also high radiation tolerant capability. These cells will have enormous applications such as in space, in commercial, residential and industrial applications.
H01L 31/04 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV]
H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
61.
Multicolor photodiode array and method of manufacturing
Novel structures of the photodetector having broad spectral ranges detection capability are provided. The photodetector can offer high quantum efficiency >95% over wide spectral ranges, high frequency response >10 GHz (@3 dB). The photodiode array of N×N elements is also provided. The array can also offer wide spectral detection ranges ultraviolet to 2500 nm with high quantum efficiency >95% and high quantum efficiency of >10 GHz, cross-talk of <1%. In the array, each photodiode can be independently addressable and can be made either as top-illuminated or as bottom illuminated type detector. The photodiode and its array provided in this invention, could be used in multiple purpose applications such as telecommunication, imaging and sensing applications including surveillance, satellite tracking, advanced lidar systems, etc. The advantages of this photodetectors are that they are uncooled and performance will not be degraded under wide range of temperature variation.
High speed printed circuit boards (PCBs) are disclosed comprising a dielectrics systems with the back-side trenches, prepregs, signal lines and ground-plans, wherein the signal line and ground-plan are located on the dielectrics. Using of the open trenches in the substrate help to reduce the microwave loss and dielectric constant and thus increasing the signal carrying speed of the interconnects. Thus, according to the present invention, it is possible to provide a simple high speed PCB using the conventional material and conventional PCB manufacturing which facilitates the design of circuits with controlled bandwidth based on the trench opening in the dielectrics, and affords excellent reliability. According to this present invention, high speed PCB with the interconnect system contains whole portion or portion of interconnects for high speed chips interconnects and that have have the dielectric system with opened trench or slot to reduce the microwave loss.
The invention is a method of producing an array, or multiple arrays of quantum dots. Single dots, as well as two or three-dimensional groupings may be created. The invention involves the transfer of quantum dots from a receptor site on a substrate where they are originally created to a separate substrate or layer, with a repetition of the process and a variation in the original pattern to create different structures.
Fundamental interconnect systems for connecting high-speed electronics elements are provided. Interconnect system has the means, which could reduce the microwave loss by reducing the effective dielectric loss and dielectric constant of the interconnect system, and increase the bandwidth of the interconnects and also reduce the signal propagation delay, respectively. Ideally, the speed of the electrical signal on the signal line can be reached to speed of the light in the air, and the bandwidth can be reached to closer to the optical fiber. The interconnect systems consists of the signal line, dielectric system with opened trench or slot filled up with the air or lower dielectric loss material, and the ground plan. The signal line proposed in this invention could be made any type of signal line configuration for example, microstripline, strip line or coplanar line. The signal line can also be made as single ended or differential pairs of any configurations. The interconnect system based on the fundamental techniques provided in this invention, can be used for on-chip interconnects where the high speed electronics devices are connected by the signal line laid on the oxide or dielectric material. Again, the interconnect system based on the fundamental techniques provided in this invention, can also be used for off-chip interconnects (chip-to-chip interconnects), where the whole portion or portion of the PCB on which high speed chips are to be connected, are having the dielectric system with opened trench or slot to reduce the microwave loss. High scale chip-to-chip interconnection using of the multilayered PCB is possible. The fundamental techniques provided in this invention can also be used for high-speed connectors and high-speed cables. The main advantages of this invention are to make high speed interconnects systems for on-chip and off-chip interconnects. More over, this fundamental technology is also used for the high sped die package, high speed connector, and high speed cables where conventional manufacturing technology can be used and yet to increase the bandwidth of the interconnects.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
brevets