In an embodiment an integrated device includes a first physical unclonable function module configured to generate an initial data group and management module configured to generate an output data group from at least the initial data group, authorize only D successive deliveries of the output data group on a first output interface of the device, D being a non-zero positive integer, and prevent any new generation of the output data group.
H03K 19/17768 - Détails structurels des ressources de configuration pour la sécurité
H03K 19/08 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
H03K 19/1776 - Détails structurels des ressources de configuration pour les mémoires
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception
Produits et services
Chips being integrated circuits; electric or electronic components, namely semiconductors; electronic circuits; microcircuits; integrated circuits; smart integrated circuits; integrated circuits chips being integrated circuits; printed electronic circuits being electronic circuit cards, boards, micromodules, smart cards, for integrated circuit apparatus and cards bearing integrated circuits; electrical or electronic circuits, namely protection circuits being circuit overload protector devices; electric or electronic components, namely chips being integrated circuits related to contactless payment; electric or electronic components, namely chips being integrated circuits related to contactless financial transactions; electric or electronic components, namely semiconductors related to contactless financial transactions; electric or electronic components, namely chips being integrated circuits related to contactless financial transactions; electric or electronic components, namely chips being integrated circuits; near-field communication technology chips being integrated circuits; near-field communication technology chips being integrated circuits used in the field of contactless payment solution; near-field communication technology chips being integrated circuits used in the field of contactless financial transactions; near-field communication technology chips being integrated circuits used in the field of mobile ticketing; cryptography software being preloaded, namely, recorded and downloadable software for generating cryptographic keys for receiving and spending fiat and crypto currency; secure integrated circuits; Software solution in the field of contactless financial transactions, namely preloaded, namely, recorded and downloadable software for processing, securing, and managing payment transactions and ensuring user authentication; Software solution in the field of contactless payment transactions, namely preloaded, namely, recorded and downloadable software for processing, securing, and managing payment transactions and ensuring user authentication; preloaded, namely, recorded and downloadable software for processing, securing, and managing payment transactions and ensuring user authentication; preloaded, namely, recorded and downloadable software for processing payment applications and performing user authentication; software applications, namely preloaded, namely, recorded and downloadable software for processing payment applications and performing user authentication Engineering services in the field of contactless payment solution; engineering services in the field of financial transactions; design of chips being integrated circuits for others; design of chips being integrated circuits related to contactless payment solution; design of near-field communication technology chips being integrated circuits; design of software solutions in the field of contactless payment solution; data encryption services
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception
Produits et services
Microcontrollers with embedded operating system software; downloadable computer software development tools; downloadable middleware for software application integration; microcontrollers. Software design and development; Providing technical support services, namely, troubleshooting of computer software problems relating to software design and programming.
4.
Data volume sculptor for deep learning acceleration
A device include on-board memory, an applications processor, a digital signal processor (DSP) cluster, a configurable accelerator framework (CAF), and a communication bus architecture. The communication bus communicatively couples the applications processor, the DSP cluster, and the CAF to the on-board memory. The CAF includes a reconfigurable stream switch and data volume sculpting circuitry, which has an input and an output coupled to the reconfigurable stream switch. The data volume sculpting circuitry receives a series of frames, each frame formed as a two dimensional (2D) data structure, and determines a first dimension and a second dimension of each frame of the series of frames. Based on the first and second dimensions, the data volume sculpting circuitry determines for each frame a position and a size of a region-of-interest to be extracted from the respective frame, and extracts from each frame, data in the frame that is within the region-of-interest.
G06N 3/063 - Réalisation physique, c.-à-d. mise en œuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurone utilisant des moyens électroniques
G06V 10/82 - Dispositions pour la reconnaissance ou la compréhension d’images ou de vidéos utilisant la reconnaissance de formes ou l’apprentissage automatique utilisant les réseaux neuronaux
G06V 20/00 - ScènesÉléments spécifiques à la scène
G06V 10/75 - Organisation de procédés de l’appariement, p. ex. comparaisons simultanées ou séquentielles des caractéristiques d’images ou de vidéosApproches-approximative-fine, p. ex. approches multi-échellesAppariement de motifs d’image ou de vidéoMesures de proximité dans les espaces de caractéristiques utilisant l’analyse de contexteSélection des dictionnaires
An integrated circuit includes a reconfigurable stream switch and an arithmetic circuit. The stream switch, in operation, streams data. The arithmetic circuit has a plurality of inputs coupled to the reconfigurable stream switch. In operation, the arithmetic circuit generates an output according to AX+BY+C, where A, B and C are vector or scalar constants, and X and Y are data streams streamed to the arithmetic circuit through the reconfigurable stream switch.
G06N 3/063 - Réalisation physique, c.-à-d. mise en œuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurone utilisant des moyens électroniques
A method includes receiving, at a master agent, announcements from candidate consumer agents indicating the presence of the candidate consumer agents. Each announcement includes display parameters for a display of the corresponding candidate consumer agent. The method further includes receiving at the master agent content parameters from a producer agent, the content parameters defining characteristics of content to be provided by the consumer agent. A mosaic screen is configured based on the received announcements and the content parameters. This configuring of the mosaic screen includes selecting ones of the consumer agents for which an announcement was received and generating content distribution parameters based on the content parameters and the display parameters of the selected ones of the consumer agents. The generated content distribution parameters are provided to the consumer agent.
The present disclosure is directed to a circuit layout of a dual port static random-access-memory (SRAM) cell. The memory cell includes active regions in a substrate, with polysilicon gate electrodes on the active regions to define transistors of the memory cell. The eight transistor (8T) memory cell layout includes a reduced aspect ratio and non-polysilicon bit line discharge path routing by positioning an active region for the first port opposite an active region for the second port and consolidating power line nodes at a central portion of the memory cell.
G11C 7/10 - Dispositions d'interface d'entrée/sortie [E/S, I/O] de données, p. ex. circuits de commande E/S de données, mémoires tampon de données E/S
H10B 10/00 - Mémoires statiques à accès aléatoire [SRAM]
G11C 5/06 - Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage
G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c.-à-d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p. ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
G11C 8/16 - Réseau de mémoire à accès multiple, p. ex. adressage à un élément d'emmagasinage par au moins deux groupes de lignes d'adressage indépendantes
G11C 11/417 - Circuits auxiliaires, p. ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
8.
Non-volatile memory device readable only a predetermined number of times
In an embodiment a non-volatile memory device includes a memory plane including at least one memory area including an array of memory cells having two rows and N columns, wherein each memory cell comprises a state transistor having a control gate and a floating gate selectable by a vertical selection transistor buried in a substrate and including a buried selection gate, and wherein each column of memory cells includes a pair of twin memory cells, two selection transistors of the pair of twin memory cells having a common selection gate and a processing device configured to store in the memory area information including a succession of N bits so that, with exception of the last bit of the succession, a current bit of the succession is stored in two memory cells located on the same row and on two adjacent columns and a current bit and the following bit are respectively stored in two twin cells.
G11C 16/04 - Mémoires mortes programmables effaçables programmables électriquement utilisant des transistors à seuil variable, p. ex. FAMOS
G11C 16/08 - Circuits d'adressageDécodeursCircuits de commande de lignes de mots
G11C 16/10 - Circuits de programmation ou d'entrée de données
G11C 16/26 - Circuits de détection ou de lectureCircuits de sortie de données
H10B 41/35 - Dispositifs de mémoire morte reprogrammable électriquement [EEPROM] comprenant des grilles flottantes caractérisés par la région noyau de mémoire avec un transistor de sélection de cellules, p. ex. NON-ET
In an embodiment an integrated device includes a first physical unclonable function module configured to generate an initial data group and management module configured to generate an output data group from at least the initial data group, authorize only D successive deliveries of the output data group on a first output interface of the device, D being a non-zero positive integer, and prevent any new generation of the output data group.
H03K 19/17768 - Détails structurels des ressources de configuration pour la sécurité
H03K 19/08 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
H03K 19/1776 - Détails structurels des ressources de configuration pour les mémoires
H04L 9/32 - Dispositions pour les communications secrètes ou protégéesProtocoles réseaux de sécurité comprenant des moyens pour vérifier l'identité ou l'autorisation d'un utilisateur du système
10.
LED control and driving circuit capable of both analog and digital dimming
A method includes receiving a plurality of digital feedback signals from a voltage converter, controlling the voltage converter based upon a user desired brightness level and the plurality of digital feedback signals, the voltage converter receiving input from a DC voltage bus and providing output to drive a lighting load, and receiving a plurality of feedback signals from a power factor correction circuit that receives a rectified mains voltage and provides output to the DC voltage bus, and based thereupon operating the power factor correction circuit in transition mode or discontinuous mode based upon the user desired brightness level and a threshold brightness. The plurality of feedback signals include an input sense signal that is a function of the rectified mains voltage as drawn by the power factor correction circuit and an output sense signal that is a function of the output provided to the DC voltage bus.
H05B 45/355 - Correction du facteur de puissance [PFC]Compensation réactive de la puissance
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H05B 45/18 - Commande de l'intensité de la lumière à l'aide d'un retour de température
H05B 45/375 - Alimentation du circuit à découpage [SMPS] en utilisant une topologie de dévoltage
H05B 45/44 - Détails des circuits de charge à LED avec un contrôle actif à l'intérieur d'une matrice de LED
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
11.
Sensor package with interference reduction and method of operation
A sensor package includes a first die having a capacitor sensor that includes an active sensing portion and a shield surrounding the active sensing portion. The sensor package further includes a second die that includes a voltage regulator configured to produce a shield voltage and a compensation circuit configured to produce a compensation signal. The voltage regulator and the compensation circuit are electrically coupled to the shield. The voltage regulator is configured to regulate the shield to the shield voltage and the compensation signal produced by the compensation circuit is configured to reduce an interference signal on the shield voltage. The compensation circuit includes one or more coupling capacitors that may be programmable capacitor arrays and calibration methodology entails selecting capacitance values for the programmable capacitor arrays that minimizes the error on an output signal of the sensor package.
G01D 5/24 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier la capacité
G01P 15/125 - Mesure de l'accélérationMesure de la décélérationMesure des chocs, c.-à-d. d'une variation brusque de l'accélération en ayant recours aux forces d'inertie avec conversion en valeurs électriques ou magnétiques au moyen de capteurs à capacité
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
G05F 1/46 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu
A diode and method of design the layout of the same having reduced parasitic capacitance is disclosed. In particular, the diode for providing fast response protection of an RF circuit from a high power noise event, such as an ESD, voltage spike, power surge or other noise is disclose. The parasitic capacitance in disclosed circuit is a greatly reduced compared to the prior art, thus significantly increasing the speed of the response to dissipate all high power noise events.
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
13.
Dual port memory cell with improved access resistance
The present disclosure is directed to a circuit layout of a dual port static random-access-memory (SRAM) cell. The memory cell includes active regions in a substrate, with polysilicon gate electrodes on the active regions to define transistors of the memory cell. The eight transistor (8T) memory cell layout includes a reduced aspect ratio and non-polysilicon bit line discharge path routing by positioning an active region for the first port opposite an active region for the second port and consolidating power line nodes at a central portion of the memory cell.
G11C 11/00 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants
H01L 27/11 - Structures de mémoires statiques à accès aléatoire
G11C 5/06 - Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage
G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c.-à-d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p. ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
G11C 8/16 - Réseau de mémoire à accès multiple, p. ex. adressage à un élément d'emmagasinage par au moins deux groupes de lignes d'adressage indépendantes
G11C 11/417 - Circuits auxiliaires, p. ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
14.
Sub-bandgap compensated reference voltage generation circuit
A reference current generator circuit generating a reference current that is proportional to absolute temperature as a function of a difference between bias voltages of first and second transistors. A voltage generator generates an input voltage from the reference current by applying the reference current that is proportional to absolute temperature through a plurality of transistors coupled in series between the bias voltage of the second transistor and ground, with the input voltage being generated at a node between given adjacent ones of the plurality of transistors. The input voltage is complementary to absolute temperature. A differential amplifier is biased by a current derived from the reference current and generates a temperature insensitive output reference voltage from the input voltage and a voltage proportional to absolute temperature.
The present disclosure is directed to a lead frame design that includes a copper alloy base material coated with an electroplated copper layer, a precious metal, and an adhesion promotion compound. The layers compensate for scratches or surface irregularities in the base material while promoting adhesion from the lead frame to the conductive connectors, and to the encapsulant by coupling them to different layers of a multilayer coating on the lead frame. The first layer of the multilayer coating is a soft electroplated copper to smooth the surface of the base material. The second layer of the multilayer coating is a thin precious metal to facilitate a mechanical coupling between leads of the lead frame and conductive connectors. The third layer of the multilayer coating is the adhesion promotion compound for facilitating a mechanical coupling to an encapsulant around the lead frame.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
C25D 3/38 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de cuivre
C25D 5/10 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents
C25D 5/48 - Post-traitement des surfaces revêtues de métaux par voie électrolytique
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
X−1); and M switches associated with the M resistors. Each of the M resistors is between a first node and its associated one of the M switches. Each of the M switches couples its associated one of the M resistors to a second node.
H01C 17/26 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de résistances adaptés pour ajuster la valeur de la résistance en transformant le matériau résistif
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
17.
System and method to increase display area utilizing a plurality of discrete displays
A method includes receiving, at a master agent, announcements from candidate consumer agents indicating the presence of the candidate consumer agents. Each announcement includes display parameters for a display of the corresponding candidate consumer agent. The method further includes receiving at the master agent content parameters from a producer agent, the content parameters defining characteristics of content to be provided by the consumer agent. A mosaic screen is configured based on the received announcements and the content parameters. This configuring of the mosaic screen includes selecting ones of the consumer agents for which an announcement was received and generating content distribution parameters based on the content parameters and the display parameters of the selected ones of the consumer agents. The generated content distribution parameters are provided to the consumer agent.
A distributed computing system for artificial intelligence in autonomously appreciating a circumstance context of a smart device. Raw context data is detected by sensors associated with the smart device. The raw context data is pre-processed by the smart device and then provided to a cloud based server for further processing. At the cloud based server, various sets of feature data are obtained from the pre-processed context data. The various sets of feature data are compared with corresponding classification parameters to determine a classification of a continuous event and/or a classification of transient event, if any, which occur in the context. The determined classification of the continuous event and the transient event will be used to autonomously configure the smart device or another related smart device to fit the context.
H04W 4/029 - Services de gestion ou de suivi basés sur la localisation
G06N 20/10 - Apprentissage automatique utilisant des méthodes à noyaux, p. ex. séparateurs à vaste marge [SVM]
G10L 21/10 - Transformation en information visible
G06K 9/62 - Méthodes ou dispositions pour la reconnaissance utilisant des moyens électroniques
G01P 15/00 - Mesure de l'accélérationMesure de la décélérationMesure des chocs, c.-à-d. d'une variation brusque de l'accélération
G01P 15/18 - Mesure de l'accélérationMesure de la décélérationMesure des chocs, c.-à-d. d'une variation brusque de l'accélération dans plusieurs dimensions
H04W 4/50 - Fourniture de services ou reconfiguration de services
G06F 3/0346 - Dispositifs de pointage déplacés ou positionnés par l'utilisateurLeurs accessoires avec détection de l’orientation ou du mouvement libre du dispositif dans un espace en trois dimensions [3D], p. ex. souris 3D, dispositifs de pointage à six degrés de liberté [6-DOF] utilisant des capteurs gyroscopiques, accéléromètres ou d’inclinaison
G10L 25/51 - Techniques d'analyse de la parole ou de la voix qui ne se limitent pas à un seul des groupes spécialement adaptées pour un usage particulier pour comparaison ou différentiation
G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
H04M 1/72454 - Interfaces utilisateur spécialement adaptées aux téléphones sans fil ou mobiles avec des moyens permettant d’adapter la fonctionnalité du dispositif dans des circonstances spécifiques en tenant compte des contraintes imposées par le contexte ou par l’environnement
G10L 25/78 - Détection de la présence ou de l’absence de signaux de voix
H04W 4/38 - Services spécialement adaptés à des environnements, à des situations ou à des fins spécifiques pour la collecte d’informations de capteurs
H04L 67/12 - Protocoles spécialement adaptés aux environnements propriétaires ou de mise en réseau pour un usage spécial, p. ex. les réseaux médicaux, les réseaux de capteurs, les réseaux dans les véhicules ou les réseaux de mesure à distance
19.
Data volume sculptor for deep learning acceleration
A device include on-board memory, an applications processor, a digital signal processor (DSP) cluster, a configurable accelerator framework (CAF), and at least one communication bus architecture. The communication bus communicatively couples the applications processor, the DSP cluster, and the CAF to the on-board memory. The CAF includes a reconfigurable stream switch and data volume sculpting circuitry, which has an input and an output coupled to the reconfigurable stream switch. The data volume sculpting circuitry receives a series of frames, each frame formed as a two dimensional (2D) data structure, and determines a first dimension and a second dimension of each frame of the series of frames. Based on the first and second dimensions, the data volume sculpting circuitry determines for each frame a position and a size of a region-of-interest to be extracted from the respective frame, and extracts from each frame, data in the frame that is within the region-of-interest.
G06N 3/04 - Architecture, p. ex. topologie d'interconnexion
G06N 3/063 - Réalisation physique, c.-à-d. mise en œuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurone utilisant des moyens électroniques
G06V 20/00 - ScènesÉléments spécifiques à la scène
G06V 10/82 - Dispositions pour la reconnaissance ou la compréhension d’images ou de vidéos utilisant la reconnaissance de formes ou l’apprentissage automatique utilisant les réseaux neuronaux
G06V 10/75 - Organisation de procédés de l’appariement, p. ex. comparaisons simultanées ou séquentielles des caractéristiques d’images ou de vidéosApproches-approximative-fine, p. ex. approches multi-échellesAppariement de motifs d’image ou de vidéoMesures de proximité dans les espaces de caractéristiques utilisant l’analyse de contexteSélection des dictionnaires
20.
Latch-up immunization techniques for integrated circuits
In an integrated circuit supporting complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integrated circuits, latch-up immunity is supported by surrounding a hot n-well with an n-well strap spaced from the hot n-well by a specified distance in accordance with design rules. The n-well strap is positioned between the hot n-well and other n-well or n-type diffusion structures.
H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/11 - Structures de mémoires statiques à accès aléatoire
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/74 - Dispositifs du type thyristor, p.ex. avec un fonctionnement par régénération à quatre zones
H01L 27/118 - Circuits intégrés à tranche maîtresse
21.
LED control and driving circuit capable of both analog and digital dimming
A LED driving circuit includes a power factor correction circuit receiving a rectified mains voltage and providing output to a DC voltage bus, a string of LEDs connected in series, a voltage converter receiving input from the DC voltage bus and providing output to the string of LEDs, and a microcontroller. The microcontroller receives a plurality of digital feedback signals from the voltage converter, controls the voltage converter based upon a user desired brightness level and the plurality of digital feedback signals, and receive a plurality of feedback signals from the power factor correction circuit. Based on the plurality of feedback signals, the microcontroller operates the power factor correction circuit in transition mode where the user desired brightness level is above a threshold brightness, and operates the power factor correction circuit in discontinuous mode where the user desired brightness level is below the threshold brightness.
H05B 45/18 - Commande de l'intensité de la lumière à l'aide d'un retour de température
H05B 45/355 - Correction du facteur de puissance [PFC]Compensation réactive de la puissance
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H05B 45/44 - Détails des circuits de charge à LED avec un contrôle actif à l'intérieur d'une matrice de LED
H05B 45/375 - Alimentation du circuit à découpage [SMPS] en utilisant une topologie de dévoltage
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
22.
Tool to create a reconfigurable interconnect framework
Embodiments are directed towards a method to create a reconfigurable interconnect framework in an integrated circuit. The method includes accessing a configuration template directed toward the reconfigurable interconnect framework, editing parameters of the configuration template, functionally combining the configuration template with a plurality of modules from an IP library to produce a register transfer level (RTL) circuit model, generating at least one automated test-bench function, and generating at least one logic synthesis script. Editing parameters of the configuration template includes confirming a first number of output ports of a reconfigurable stream switch and confirming a second number of input ports of the reconfigurable stream switch. Each output port and each input port has a respective architectural composition. The output port architectural composition is defined by a plurality of N data paths including A data outputs and B control outputs. The input port architectural composition is defined by a plurality of M data paths including A data inputs and B control inputs.
G06F 30/327 - Synthèse logiqueSynthèse de comportement, p. ex. logique de correspondance, langage de description de matériel [HDL] à liste d’interconnections [Netlist], langage de haut niveau à langage de transfert entre registres [RTL] ou liste d’interconnections [Netlist]
G06N 20/10 - Apprentissage automatique utilisant des méthodes à noyaux, p. ex. séparateurs à vaste marge [SVM]
G06N 3/084 - Rétropropagation, p. ex. suivant l’algorithme du gradient
G06F 30/34 - Conception de circuits pour circuits reconfigurables, p. ex. réseaux de portes programmables [FPGA] ou circuits logiques programmables [PLD]
G06F 115/08 - Blocs propriété intellectuelle [PI] ou cœur PI
G06N 7/01 - Modèles graphiques probabilistes, p. ex. réseaux probabilistes
G06N 3/063 - Réalisation physique, c.-à-d. mise en œuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurone utilisant des moyens électroniques
Electrostatic discharge (ESD) protection is provided in using a supply clamp circuit using an ESD event actuated MOSFET device. Triggering of the MOSFET device is made at both the gate terminal and the substrate (back gate) terminal. Additionally, the MOSFET device can be formed of cascoded MOSFETs.
H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
24.
Voltage multiplier circuit with a common bulk and configured for positive and negative voltage generation
A voltage doubler circuit supports operation in both a positive voltage boosting mode to positively boost voltage from a first node to a second node and a negative voltage boosting mode to negatively boost voltage from the second node to the first node. The voltage doubler circuit is formed by transistors of a same conductivity type that share a common bulk that is not tied to a source of any of the voltage doubler circuit transistors. A bias generator circuit is coupled to receive a first voltage from the first node and second voltage from the second node. The bias generator circuit operates to apply a lower one of the first and second voltages to the common bulk.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
A method is for operating an electronic device formed by a low dropout regulator (LDO) having an output coupled to a first conduction terminal of a transistor, with a second conduction terminal of the transistor being coupled to an output node. The electronic device is turned on by turning on the LDO, removing a DC bias from the second conduction terminal of the transistor by opening a first switch that selectively couples the second conduction terminal of the transistor to a supply node through a first diode coupled transistor and by opening a second switch that selectively couples the second conduction terminal of the transistor to a ground node through a second diode coupled transistor, and turning on the transistor. The electronic device is turned off by turning off the transistor, forming the DC bias at the second conduction terminal of the transistor, and turning off the LDO.
G05F 1/575 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final caractérisé par le circuit de rétroaction
G05F 1/46 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu
G05F 1/613 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en parallèle avec la charge comme dispositifs de réglage final
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
26.
Functional safety method, corresponding system-on-chip, device and vehicle
A method is provided to access a data storage memory that stores data signals in a plurality of indexed memory locations. An access control circuit receives a memory access request signals from a processing circuit. The method includes replicating the respective memory access request signals to provide for each a respective replicated memory access request signal, accessing indexed internal memory locations to retrieve a first data signal retrieved as a function of the respective memory access request signal and a second data signal retrieved as a function of the respective replicated memory access request signal, and checking for identity the first data signal and the at least one second data signal. The access control circuit transmits to the processing circuit a data signal or an integrity error flag signal as a result of the identity check.
The present disclosure provides supports for microfluidic die that allow for nozzles of the microfluidic die to be on a different plane or face a different direction from electrical contacts on the same support. This includes a rigid support having electrical contacts on a different side of the rigid support with respect to a direction of ejection of the nozzles, and a semi-flexible support or semi-rigid support that allow the electrical contacts to be moved with respect to a direction of ejection of the nozzles. The semi-flexible and semi-rigid supports allow the die to be up to and beyond a 90 degree angle with respect to a plane of the electrical contacts. The different supports allow for a variety of positions of the microfluidic die with respect to a position of the electrical contacts.
A system on a chip (SoC) includes a plurality of processing cores and a stream switch coupled to two or more of the plurality of processing cores. The stream switch includes a plurality of N multibit input ports, wherein N is a first integer, a plurality of M multibit output ports, wherein M is a second integer, and a plurality of M multibit stream links dedicated to respective output ports of the plurality of M multibit output ports. The M multibit stream links are reconfigurably coupleable at run time to a selectable number of the N multibit input ports, wherein the selectable number is an integer between zero and N.
G02B 6/35 - Moyens de couplage optique comportant des moyens de commutation
G06F 30/327 - Synthèse logiqueSynthèse de comportement, p. ex. logique de correspondance, langage de description de matériel [HDL] à liste d’interconnections [Netlist], langage de haut niveau à langage de transfert entre registres [RTL] ou liste d’interconnections [Netlist]
G06N 20/10 - Apprentissage automatique utilisant des méthodes à noyaux, p. ex. séparateurs à vaste marge [SVM]
G06N 3/04 - Architecture, p. ex. topologie d'interconnexion
G06F 30/34 - Conception de circuits pour circuits reconfigurables, p. ex. réseaux de portes programmables [FPGA] ou circuits logiques programmables [PLD]
G06N 7/00 - Agencements informatiques fondés sur des modèles mathématiques spécifiques
G06F 115/08 - Blocs propriété intellectuelle [PI] ou cœur PI
G06N 3/063 - Réalisation physique, c.-à-d. mise en œuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurone utilisant des moyens électroniques
A row decoder located on one side of a memory array selectively drives word lines in response to a row address. A word line fault detection circuit located on an opposite side of the first memory array operates to detect an open word line fault between the opposed sides of the memory array. The word line fault detection circuit includes a first clamp circuit that operates to clamp the word lines to ground. An encoder circuit encodes signals on the word lines to generate an encoded address. The encoded address is compared to the row address by a comparator circuit which sets an error flag indicating the open word line fault has been detected if the encoded address does not match the row address.
A clock signal is generated with an oscillator. A crystal oscillator core within the oscillator circuit is switched on to produce first and second oscillation signals that are approximately opposite in phase. When a difference between a voltage of the first oscillation signal and a voltage of the second oscillation signal exceeds an upper threshold range, the crystal oscillator core is switched off. When the difference between the voltage of the first oscillation signal and the voltage of the second oscillation signal falls below the upper threshold range, the crystal oscillator core is switched back on. This operation is repeated so as to produce the clock signal.
H03B 5/36 - Production d'oscillation au moyen d'un amplificateur comportant un circuit de réaction entre sa sortie et son entrée l'élément déterminant la fréquence étant un résonateur électromécanique un résonateur piézo-électrique l'élément actif de l'amplificateur comportant un dispositif semi-conducteur
H03B 5/06 - Modifications du générateur pour assurer l'amorçage des oscillations
35.
Charge pump regulation circuit to increase program and erase efficiency in nonvolatile memory
A charge pump circuit generates a charge pump output signal at a first node and is enabled by a control signal. A diode has an anode coupled to the first node and a cathode coupled to a second node. A current mirror arrangement sources a first current to the second node and sinks a second current from a third node. A comparator causes the control signal to direct the charge pump circuit to generate the charge pump output signal as having a voltage that ramps upwardly in magnitude (but negative in sign) if the voltage at the second node is greater than the voltage at the third node, and causes the control signal to direct the charge pump circuit to cease the ramping of the voltage of the charge pump output signal if the voltage at the second node is at least equal to the voltage at the third node.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
36.
Charge pump regulation circuit to increase program and erase efficiency in nonvolatile memory
A charge pump circuit generates a charge pump output signal at a first node and is enabled by a charge pump control signal. A diode has first and second terminals coupled to first and second nodes. A comparator has an inverting input coupled to the second node and a non-inverting input coupled to a third node, and causes generation of the charge pump control signal. A first current mirror produces a first current at the second node, and a second current mirror produces a second current (equal in magnitude to the first current) at the third node. The first terminal and second terminals may be a cathode and an anode. The first current mirror may be a current sink sinking a first current from the second node. The second current mirror may be current source sourcing a second current (equal in magnitude to the first current) to the third node.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
A decoder decodes a memory address and selectively drives a select line (such as a word line or mux line) of a memory. An encoding circuit encodes the data on select lines to generate an encoded address. The encoded address and the memory address are compared by a comparison circuit to generate a test result signal which is indicative of whether the decoder is operating properly. To test the comparison circuit for proper operation, a subset of an MBIST scan routine causes the encoded address to be blocked from the comparison circuit and a force signal to be applied in its place. A test signal from the scan routine and the force signal are then compared by the comparison circuit, with the test result signal generated from the comparison being indicative of whether the comparison circuit itself is operating properly.
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception
Produits et services
Apparatus for data and information authentication, namely, computer hardware being security modules embedded in consumer, commercial, industrial, medical, electronic devices used in systems like gaming, mobile phone accessories, computers, computer accessories, consumer good and consumer goods accessories, gateways, printers, pcb parts, smart computer, communication networks smart grids and home automation allowing the protection, availability, confidentiality and integrity of data; electric and electronic components for computers; semiconductors; integrated circuits; microprocessors; microcontrollers; embedded microprocessors; integrated circuit cards; integrated circuit chips; printed electronic circuits for integrated circuit apparatus and cards bearing integrated circuits; computer memory devices Engineering services in the field of semiconductors and integrated circuits; design of semiconductors and integrated circuits for others; design, development and update of secure computer firmware
39.
Process compensated gain boosting voltage regulator
A voltage regulator includes an error amplifier producing an error voltage from a reference voltage and a feedback voltage. A voltage-to-current converter converts the error voltage to an output current, and a feedback resistance generates the feedback voltage from the output current. The error amplifier includes a differential pair of transistors receiving the feedback voltage and the reference voltage, a first pair of transistors operating in saturation and coupled to the differential pair of transistors at an output node and a bias node, a second pair of transistors operating in a linear region and coupled to the first pair of transistors at a pair of intermediate nodes. A compensation capacitor is coupled to one of the pair of intermediate nodes so as to compensate the error amplifier for a parasitic capacitance. An output at the output node is a function of a difference between the reference voltage and feedback voltage.
G05F 1/575 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final caractérisé par le circuit de rétroaction
H03F 3/16 - Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec dispositifs à effet de champ
An oscillator circuit powered by a source voltage generates an oscillating output signal. The oscillating output signal is level shifted and applied to a first input of a multiplexer. A second input of the multiplexer receives the oscillating output signal. The multiplexer selects one of the oscillating output signal and the level shifted oscillating output signal for output as a selected oscillating output signal in response to a select signal. A locked loop circuit generates controls a frequency of the oscillating output signal as a function of the selected oscillating output signal and a reference oscillating signal. The select signal further selects one of a reference voltage and the source voltage of the oscillator circuit as an error amplifier reference voltage for a voltage regulator circuit that generates the first power supply voltage.
H03L 7/099 - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'oscillateur commandé de la boucle
H03L 7/10 - Détails de la boucle verrouillée en phase pour assurer la synchronisation initiale ou pour élargir le domaine d'accrochage
H03L 7/087 - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'agencement de détection de phase ou de fréquence, y compris le filtrage ou l'amplification de son signal de sortie utilisant au moins deux détecteurs de phase ou un détecteur de fréquence et de phase dans la boucle
41.
Clock jitter measurement using signal-to-noise ratio degradation in a continuous time delta-sigma modulator
A continuous time Delta-Sigma (CT-ΔΣ) modulator has an input node configured to receive an input signal and an output node configured to output a digital output signal. The CT-ΔΣ modulator includes a feedback loop with a summation circuit configured to sum the digital output signal with a jitter perturbed test signal to generate a signal supplied to an input of a digital to analog converter circuit. A single tone signal is injected with a jitter error of a clock signal to generate the jitter perturbed test signal. A processing circuit processes the digital output signal to detect a signal to noise ratio of the CT-ΔΣ modulator. The detected signal to noise ratio is indicative of presence of jitter in the clock signal.
An RFID transponder includes a coding and modulation unit that generates a transmission signal by modulating an oscillator signal with an encoded bit signal. During a first and a second time segment, the encoded bit signal assumes a first and a second logic level, respectively. The transmission signal includes a first signal pulse having a first phase within the first time segment and a second signal pulse having a second phase that is shifted with respect to the first phase by a predefined phase difference within the second time segment. The transmission signal is paused for a pause period between the first and the second signal pulse. The pause period is shorter than a mean value of a period of the first time segment and a period of the second time segment.
H04B 5/00 - Systèmes de transmission en champ proche, p. ex. systèmes à transmission capacitive ou inductive
G06K 7/00 - Méthodes ou dispositions pour la lecture de supports d'enregistrement
G06K 19/07 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p. ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré
G06K 19/077 - Détails de structure, p. ex. montage de circuits dans le support
43.
Circuit for detecting damage to a peripheral edge on an integrated circuit die
An integrated circuit die has a peripheral edge and a seal ring extending along the peripheral edge and surrounding a functional integrated circuit area. A test logic circuit located within the functional integrated circuit area generates a serial input data signal for application to a first end of a sensing conductive wire line extending around the seal ring between the seal ring and the peripheral edge of the integrated circuit die. Propagation of the serial input data signal along the sensing conductive wire line produces a serial output data signal at a second end of the sensing conductive wire line. The test logic circuit compares data patterns of the serial input data signal and serial output data signal to detect damage at the peripheral edge of the integrated circuit die.
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 23/525 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées avec des interconnexions modifiables
44.
Use of a raw oscillator and frequency locked loop to quicken lock time of frequency locked loop
A method of quickly locking a locked loop includes generating an intermediate reference signal having an intermediate reference frequency between a desired output frequency and a reference frequency of a reference signal, and setting an output frequency of a controllable oscillator to the desired output frequency using a first locked loop having a first loop divider value. The first loop divider value is set such that the intermediate reference frequency multiplied by the first loop divider value is equal to the desired output frequency. The controllable oscillator is then coupled to a second locked loop when the first locked loop locks, with the second locked loop is being activated. The first locked loop is then deactivated.
H03L 7/07 - Commande automatique de fréquence ou de phaseSynchronisation utilisant un signal de référence qui est appliqué à une boucle verrouillée en fréquence ou en phase utilisant plusieurs boucles, p. ex. pour la génération d'un signal d'horloge redondant
H03L 7/099 - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'oscillateur commandé de la boucle
H03L 7/095 - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'agencement de détection de phase ou de fréquence, y compris le filtrage ou l'amplification de son signal de sortie utilisant un détecteur de verrouillage
45.
Test circuit for electronic device permitting interface control between two supply stacks in a production test of the electronic device
An electronic device includes a power management circuit generating output for a plurality of voltage monitors that each detect whether voltages received from a test apparatus are at least a different minimum threshold. The power management circuit also generates a test enable signal indicative of whether the test apparatus is supplying the minimum required voltages to the electronic device. A control circuit receives the output for the plurality of voltage monitors and the test enable signal and generates at least one control signal as a function of the output for the plurality of voltage monitors and the test enable signal. An output circuit receives the at least one control signal and generates an interface control signal that selectively enables or disables interface with analog intellectual property packages within the electronic device, in response to the at least one control signal.
A sense amplifier enable signal and a tracking signal are generated in response to an indication that a sufficient voltage difference has developed across bit lines of a memory. The sense amplifier enable signal has a pulse width between a leading edge and a trailing edge. The sense amplifier enable signal is propagated along a first U-turn signal line that extends parallel to rows of the memory array and is coupled to sense amplifiers arranged in a row to generate a sense amplifier enable return signal. The tracking signal is propagated along a second U-turn signal line extending parallel to columns of the memory array to generate a tracking return signal. The sense amplifier enable return signal and the tracking return signal are logically combined to generate a reset signal. Timing of the trailing edge of the pulse width is controlled by the reset signal.
G11C 11/417 - Circuits auxiliaires, p. ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Semi-conductors, integrated circuits, sensor devices, namely, motion sensors and electronic sensors for environmental use, touch panels, proximity sensors, optical and infrared sensors, anti-intruder systems in the nature of burglar alarms, accelerometers, gyroscopes, magnetometers, wireless transceivers radio, integrated circuits with built-in microcontrollers, printed circuit boards, wireless microcontrollers and transceivers, downloadable computer software for printed circuit boards and integrated systems for environmental, user, machine, apparatus status and events detection
48.
Multi-fingered diode with reduced capacitance and method of making the same
A diode and method of design the layout of the same having reduced parasitic capacitance is disclosed. In particular, the diode for providing fast response protection of an RF circuit from a high power noise event, such as an ESD, voltage spike, power surge or other noise is disclose. The parasitic capacitance in disclosed circuit is a greatly reduced compared to the prior art, thus significantly increasing the speed of the response to dissipate all high power noise events.
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
49.
Locked loop circuit with reference signal provided by un-trimmed oscillator
A circuit includes a frequency detector generating a comparison signal as a function of a comparison between a reference signal and a feedback signal. An oscillator generates an output signal as a function of the comparison signal. A frequency divider, in operation, divides the output signal by a division value to produce the feedback signal as having a frequency that is a multiple of a frequency of the reference signal. A frequency counter circuit measures the frequency of the reference signal and generates a count signal based thereupon. A control circuit adjusts the division value used by the frequency divider, in operation, based upon the count signal.
H03L 1/00 - Stabilisation du signal de sortie du générateur contre les variations de valeurs physiques, p. ex. de l'alimentation en énergie
H03L 7/183 - Synthèse de fréquence indirecte, c.-à-d. production d'une fréquence désirée parmi un certain nombre de fréquences prédéterminées en utilisant une boucle verrouillée en fréquence ou en phase en utilisant un diviseur de fréquence ou un compteur dans la boucle une différence de temps étant utilisée pour verrouiller la boucle, le compteur entre des nombres fixes ou le diviseur de fréquence divisant par un nombre fixe
H03L 7/087 - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'agencement de détection de phase ou de fréquence, y compris le filtrage ou l'amplification de son signal de sortie utilisant au moins deux détecteurs de phase ou un détecteur de fréquence et de phase dans la boucle
H03L 7/085 - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'agencement de détection de phase ou de fréquence, y compris le filtrage ou l'amplification de son signal de sortie
50.
Sub-bandgap compensated reference voltage generation circuit
A sub-bandgap reference voltage generator includes a reference current generator generating a reference current (proportional to absolute temperature), a voltage generator generating an input voltage (proportional to absolute temperature) from the reference current, and a differential amplifier. The differential amplifier is biased by the reference current and has an input receiving the input voltage and a resistor generating a voltage proportional to absolute temperature summed with the input voltage to produce a temperature insensitive output reference voltage. The reference current generator may generate the reference current as a function of a difference between bias voltages of first and second transistors. The voltage generator may generate the input voltage by applying the current proportional to absolute temperature through a plurality of transistors coupled in series between the bias voltage of the second transistor and ground, and tapping a node between given adjacent ones of the plurality of transistors.
A circuit includes a test data input (TDI) pin receiving a test data input signal, a test data out (TDO) pin outputting a test data output signal, and debugging test access port (TAP) having a test data input coupled to the TDI pin and a bypass register having an input coupled to the test data input of the debugging TAP. A multiplexer has inputs coupled to the TDI pin and the debugging TAP. A testing TAP has a test data input coupled to the output of the multiplexer, and a data register having an input coupled to the test data input of the testing TAP. The multiplexer switches so the test data input signal is selectively coupled to the input of the data register of the testing TAP so the output of the debugging TAP is selectively coupled to the input of the data register of the testing TAP.
An RC oscillator generates a periodic trigger signal, and a clock generator generates clock edges in response. A stuck-at-fault detection circuit detects a stuck-at-logic state of the periodic trigger signal and causes the RC oscillator to reset and causes a change in logic state of the periodic trigger signal. The RC oscillator includes first and second comparison circuits, a logic circuit receiving output from the first and second comparison circuits and generating the periodic trigger signal, and a clock generation circuit generating a clock signal therefrom. The stuck-at-fault detection circuit includes a capacitive node, charge circuitry charging the capacitive node based upon the periodic trigger signal, discharge circuitry discharging the capacitive node based upon the periodic trigger signal, and triggering circuitry asserting a reset signal to cause the RC oscillator to reset when the charge on the capacitive node indicates a stuck-at-logic state of the periodic trigger signal.
H03K 4/502 - Génération d'impulsions ayant comme caractéristique essentielle une pente définie ou des parties en gradins à forme triangulaire en dents de scie utilisant comme éléments actifs des dispositifs à semi-conducteurs dans laquelle la tension en dents de scie est produite à travers un condensateur le début de la période de retour étant déterminé par l'amplitude de la tension à travers le condensateur, p. ex. avec un comparateur le condensateur étant chargé à partir d'une source à courant constant
H03K 5/19 - Contrôle de la configuration de trains d'impulsions
H03K 3/011 - Modifications du générateur pour compenser les variations de valeurs physiques, p. ex. tension, température
A low-voltage-differential-signaling (LVDS) fault detector includes first and second LVDS lines, and a window comparator provides a first output indicating whether a difference between voltages at the first and second LVDS lines is greater than a threshold voltage, and a second output indicating whether a difference between the voltages at the second and first LVDS lines is greater than the threshold voltage. A charge circuit charges a capacitive node when either the first or second output is at a logic low, and discharges the capacitive node when neither the first nor second output is at a logic low. A Schmitt trigger generates a fault flag if charge on the capacitive node falls to a threshold.
In an integrated circuit supporting complementary metal oxide semiconductor (CMOS) integrated circuits, latch-up immunity is supported by surrounding a hot n-well with an n-well strap spaced from the hot n-well by a specified distance in accordance with design rules. The n-well strap is positioned between the hot n-well and other n-well or n-type diffusion structures.
H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
A latch is provided. The latch includes a plurality of storage nodes including a plurality of data storage nodes configured to store a data bit having one of two states and a plurality of complementary data storage nodes configured to store a complement of the data bit. The latch includes a plurality of supply voltage multi-dependency stages respectively corresponding to the plurality of storage nodes. Each supply voltage multi-dependency stage has an output coupled to a storage node and at least two control inputs respectively coupled to at least two other storage nodes of the plurality of storage nodes. The supply voltage multi-dependency stage is configured to cause a state of the data bit stored in the storage node to change from a first state to a second state in response a change in both states of two data bits respectively stored in the at least two other storage nodes.
A voltage doubler circuit supports operation in both a positive voltage boosting mode to positively boost voltage from a first node to a second node and a negative voltage boosting mode to negatively boost voltage from the second node to the first node. The voltage doubler circuit is formed by transistors of a same conductivity type that share a common bulk that is not tied to a source of any of the voltage doubler circuit transistors. A bias generator circuit is coupled to receive a first voltage from the first node and second voltage from the second node. The bias generator circuit operates to apply a lower one of the first and second voltages to the common bulk.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
G05F 1/10 - Régulation de la tension ou de l'intensité
A recursive digital sinusoid generator generates recursive values used in the production of a digital sinusoid output. The recursive values are generated at a first frequency. A sinusoid value generator generates replacement values at a second frequency, wherein the second frequency is less than the first frequency. The generated recursive values are periodically replaced with the generated replacement values without interrupting production of the digital sinusoid output at the first frequency. This periodic replacement effectively corrects for a finite precision error which accumulates in the recursive values over time.
H03K 4/02 - Génération d'impulsions ayant comme caractéristique essentielle une pente définie ou des parties en gradins avec parties en gradins, p. ex. en forme d'escalier
H03K 3/80 - Circuits pour produire des impulsions électriquesCircuits monostables, bistables ou multistables engendrant des trains d'oscillations sinusoïdales
58.
Control circuitry for increasing power output in quasi-resonant converters
Disclosed herein is a circuit including a transistor, with a resonant tank coupled between a DC supply node and a first conduction terminal of the transistor. A gate driver generates a gate drive signal for biasing a control terminal of the transistor to cause it to conduct current through the resonant tank. Control circuitry monitors a voltage across the transistor to determine that the transistor is an overvoltage condition if that voltage exceeds a threshold, and monitors a current through the transistor to determine that the transistor is an overcurrent condition if that current exceeds a threshold. If overvoltage is determined, the control circuitry causes the gate driver to pull up the gate drive signal. If overcurrent is determined, the control circuitry causes the gate driver to pull down the gate drive signal. If either overvoltage or overcurrent is present, a pulse width of the gate drive signal is reduced.
H02H 3/20 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension
H02H 7/10 - Circuits de protection de sécurité spécialement adaptés aux machines ou aux appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou de ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un changement indésirable des conditions normales de travail pour convertisseursCircuits de protection de sécurité spécialement adaptés aux machines ou aux appareils électriques de types particuliers ou pour la protection sectionnelle de systèmes de câble ou de ligne, et effectuant une commutation automatique dans le cas d'un changement indésirable des conditions normales de travail pour redresseurs
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H05B 6/10 - Appareils de chauffage par induction, autres que des fours, pour des applications spécifiques
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 7/04 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant alternatif en une puissance de sortie en courant continu sans possibilité de réversibilité par convertisseurs statiques
59.
Tool to create a reconfigurable interconnect framework
Embodiments are directed towards a method to create a reconfigurable interconnect framework in an integrated circuit. The method includes accessing a configuration template directed toward the reconfigurable interconnect framework, editing parameters of the configuration template, functionally combining the configuration template with a plurality of modules from an IP library to produce a register transfer level (RTL) circuit model, generating at least one automated test-bench function, and generating at least one logic synthesis script. Editing parameters of the configuration template includes confirming a first number of output ports of a reconfigurable stream switch and confirming a second number of input ports of the reconfigurable stream switch. Each output port and each input port has a respective architectural composition. The output port architectural composition is defined by a plurality of N data paths including A data outputs and B control outputs. The input port architectural composition is defined by a plurality of M data paths including A data inputs and B control inputs.
G06F 30/327 - Synthèse logiqueSynthèse de comportement, p. ex. logique de correspondance, langage de description de matériel [HDL] à liste d’interconnections [Netlist], langage de haut niveau à langage de transfert entre registres [RTL] ou liste d’interconnections [Netlist]
G06N 3/04 - Architecture, p. ex. topologie d'interconnexion
G06F 30/34 - Conception de circuits pour circuits reconfigurables, p. ex. réseaux de portes programmables [FPGA] ou circuits logiques programmables [PLD]
G06N 3/063 - Réalisation physique, c.-à-d. mise en œuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurone utilisant des moyens électroniques
A method for a phase calibration in a frontend circuit of a near field communication (NFC) tag device is disclosed. An active load modulation signal is generated with a preconfigured value of a phase difference with respect to a reference signal of an NFC signal generator device. An amplitude of a test signal present at an antenna of the NFC tag device is measured. The test signal results from overlaying of the reference signal with the active load modulation signal. The following steps are repeated: modifying the value of the phase difference, providing the active load modulation signal with the modified value of the phase difference, measuring an amplitude of the test signal and comparing the measured amplitude with the previously measured amplitude until the measured amplitude fulfills a predefined condition. The value of the phase difference corresponding to the previously measured amplitude is stored.
H04B 17/21 - SurveillanceTests de récepteurs pour l’étalonnageSurveillanceTests de récepteurs pour la correction des mesures
G06K 7/00 - Méthodes ou dispositions pour la lecture de supports d'enregistrement
G06K 7/10 - Méthodes ou dispositions pour la lecture de supports d'enregistrement par radiation électromagnétique, p. ex. lecture optiqueMéthodes ou dispositions pour la lecture de supports d'enregistrement par radiation corpusculaire
H04B 5/00 - Systèmes de transmission en champ proche, p. ex. systèmes à transmission capacitive ou inductive
61.
Driving circuit using buck converter capable of generating sufficient voltage to power a LED circuit and associated auxiliary circuitry in a normal mode of operation, and insufficient to power the LED circuit but sufficient to power the associated auxiliary circuitry in an off mode of operation
A circuit includes a voltage converter converting a source voltage to a supply voltage at a first node as a function of a feedback voltage at a feedback node. A first output path is coupled between the first node and a second node. Feedback circuitry compares the voltage at the second node to first and second overvoltages, and selectively couples the second node to the feedback node based thereupon. Impedance circuitry is coupled between the first node and a third node. A light emitting diode (LED) chain is coupled to the third node, and is selectively turned on and off as a function of the selective coupling of the second node to the feedback node by the feedback circuitry.
H02M 3/15 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des tubes à décharge
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 3/156 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation
H05B 45/10 - Commande de l'intensité de la lumière
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
A system on a chip (SoC) includes a plurality of processing cores and a stream switch coupled to two or more of the plurality of processing cores. The stream switch includes a plurality of N multibit input ports, wherein N is a first integer. a plurality of M multibit output ports, wherein M is a second integer, and a plurality of M multibit stream links dedicated to respective output ports of the plurality of M multibit output ports. The M multibit stream links are reconfigurably coupleable at run time to a selectable number of the N multibit input ports, wherein the selectable number is an integer between zero and N.
G06F 9/455 - ÉmulationInterprétationSimulation de logiciel, p. ex. virtualisation ou émulation des moteurs d’exécution d’applications ou de systèmes d’exploitation
G06F 13/42 - Protocole de transfert pour bus, p. ex. liaisonSynchronisation
G06F 30/327 - Synthèse logiqueSynthèse de comportement, p. ex. logique de correspondance, langage de description de matériel [HDL] à liste d’interconnections [Netlist], langage de haut niveau à langage de transfert entre registres [RTL] ou liste d’interconnections [Netlist]
G06N 3/04 - Architecture, p. ex. topologie d'interconnexion
G06F 30/34 - Conception de circuits pour circuits reconfigurables, p. ex. réseaux de portes programmables [FPGA] ou circuits logiques programmables [PLD]
G06N 3/063 - Réalisation physique, c.-à-d. mise en œuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurone utilisant des moyens électroniques
A JTAG interface in an IC includes a test mode select (TMS) pin receiving a TMS signal, a testing test access port (TAP) having a TMS signal input, a debugging test access port (TAP) having a TMS signal and glue logic coupled to receive a first output from the testing TAP and a second output from the debugging TAP. A flip-flop receives input from the testing TAP and the debugging TAP through the glue logic. A first AND gate has output coupled to the TMS signal input of the debugging TAP, and receives input from an output of the flip-flop and the TMS signal. An inverter has an input coupled to receive input from the flip-flop. A second AND gate has output coupled to the TMS signal input of the testing TAP, and receives input from the TMS signal and output of the inverter.
A PLL includes a phase frequency detector (PFD) receiving an input signal and feedback signal, and producing a control signal. A charge pump receives the control signal and produces an initial VCO control. A loop filter generates a fine VCO control and intermediate output based upon the initial VCO control. A coarse control circuit includes an integrator having a first input receiving the intermediate output, a second input, and generating a coarse VCO control, a first switch coupling a reference voltage to the second input, a buffer buffering output of the integrator, and a second switch coupling output of the integrator to the second input of the integrator. A VCO receives the fine VCO control and the coarse VCO control, and generates an output signal having a frequency based thereupon. A feedback path receives the output signal and produces the feedback signal.
H03L 7/085 - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'agencement de détection de phase ou de fréquence, y compris le filtrage ou l'amplification de son signal de sortie
H03L 7/099 - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'oscillateur commandé de la boucle
65.
Method for managing the operation of an object that is able to contactlessly communicate with a reader
A device for managing operation of an object capable of contactless communication with a reader magnetically coupled to the object includes a modulator configured to modulate an impedance of a load connected across terminals of an antenna of the object during a transmission phase during which information is transmitted from the object to the reader. The device further includes a monitor configured to carry out a monitoring phase, prior to the transmission phase. The monitoring phase includes a test modulation of the impedance of the load, a monitoring of a level of amplitude modulation of a modulated test signal present at the antenna of the object and resulting from the test modulation, and a capacitive modification of the impedance of the load if this level is lower than a threshold.
G06K 19/07 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p. ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré
G06K 7/00 - Méthodes ou dispositions pour la lecture de supports d'enregistrement
H04B 5/00 - Systèmes de transmission en champ proche, p. ex. systèmes à transmission capacitive ou inductive
G06K 19/073 - Dispositions particulières pour les circuits, p. ex. pour protéger le code d'identification dans la mémoire
H03C 1/08 - Modulation d'amplitude au moyen d'un élément à impédance variable
66.
Level shifting circuit with conditional body biasing of transistors
A level shifting circuit receives a first input signal and complement of the first input signal as inputs and generates a level shifted first output signal and complement of the first output signal as outputs. The level shifting circuit includes a number of transistors that support body biasing. One set of body bias signals applied to certain ones of those transistors is generated as a function of the logical combination of the first input signal and the first output signal. Another set of body bias signals applied to certain other ones of those transistors is generated as a function of the logical combination of the complement of the first input signal and the complement of the first output signal. The conditional body bias applied to the transistors of the level shifting circuit makes the circuit operational for level shift at very low supply voltage levels.
H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
H03K 19/20 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion caractérisés par la fonction logique, p. ex. circuits ET, OU, NI, NON
67.
Memory architecture including response manager for error correction circuit
A memory includes error correction circuitry that receives a data packet, outputs a correctable error flag indicating presence or absence of a correctable error in the data packet, and outputs an uncorrectable error flag indicating presence or absence of an uncorrectable error in the data packet. A response manager, operating in availability mode, generates output indicating that a correctable error was present if the correctable error flag indicates presence thereof, and generates an output indicating that an uncorrectable error was present if the uncorrectable error flag indicates presence thereof. In a coverage mode, the response manager generates an output indicating that a correctable error was potentially present but should be treated as an uncorrectable error if the correctable error flag indicates presence of the correctable error, and generates an output indicating that an uncorrectable error was present if the uncorrectable error flag indicates presence thereof.
G06F 11/00 - Détection d'erreursCorrection d'erreursContrôle de fonctionnement
H04L 1/00 - Dispositions pour détecter ou empêcher les erreurs dans l'information reçue
G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p. ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p. ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
G06F 3/06 - Entrée numérique à partir de, ou sortie numérique vers des supports d'enregistrement
68.
Biasing cascode transistors of an output buffer circuit for operation over a wide range of supply voltages
An output stage of an output buffer circuit includes a first drive transistor and a first cascode transistor (coupled in series between a first supply node and an output node) and a second drive transistor and a second cascode transistor (coupled in series between the output node and a second supply node). Gates of the first and second cascode transistors are biased with first and second bias voltages, respectively. The first bias voltage equals the first supply voltage at the first supply node when the first supply voltage is less than a threshold, and is fixed at a fixed voltage for any first supply voltage exceeding the threshold voltage. The second bias voltage equals a fixed voltage when the first supply voltage is less than a threshold voltage, and is offset from the first supply voltage by a fixed difference for any first supply voltage exceeding the threshold.
H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
G05F 3/16 - Régulation de la tension ou du courant là où la tension ou le courant sont continus utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires consistant en des dispositifs à semi-conducteurs
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
Produits et services
Electric or electronic components, namely, semiconductors, semiconductor devices, electronic circuits, micro-circuits in the nature of electronic circuits, integrated circuits, microprocessors, microcontrollers and embedded microprocessors, electronic memory circuit cards
70.
Radio-frequency identification transponder and method for data transmission by means of radio-frequency identification technology
An RFID transponder includes a coding and modulation unit that generates a transmission signal by modulating an oscillator signal with an encoded bit signal. During a first and a second time segment, the encoded bit signal assumes a first and a second logic level, respectively. The transmission signal includes a first signal pulse having a first phase within the first time segment and a second signal pulse having a second phase that is shifted with respect to the first phase by a predefined phase difference within the second time segment. The transmission signal is paused for a pause period between the first and the second signal pulse. The pause period is shorter than a mean value of a period of the first time segment and a period of the second time segment.
H04B 5/00 - Systèmes de transmission en champ proche, p. ex. systèmes à transmission capacitive ou inductive
G06K 19/077 - Détails de structure, p. ex. montage de circuits dans le support
G06K 19/07 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p. ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré
G06K 7/00 - Méthodes ou dispositions pour la lecture de supports d'enregistrement
71.
Use of a raw oscillator and frequency locked loop to quicken lock time of frequency locked loop
Disclosed is a method of locking a locked loop quickly, including receiving an input signal having an input frequency, and generating an intermediate signal having an intermediate frequency intended to be equal to a geometric mean of the input frequency and a desired frequency, but not equal. Results of division of the desired output frequency by the intermediate frequency are estimated, producing a first divider value. A first locked loop utilizing a controllable oscillator is activated. A divider value of the first locked loop is set to the first divider value, and the intermediate signal is provided to the first locked loop, so that when the first locked loop reaches lock, the controllable oscillator produces the desired frequency. When the first locked loop reaches lock, a second locked loop that utilizes the controllable oscillator is activated, the first locked loop is deactivated, and generation of the intermediate signal is ceased.
H03L 7/07 - Commande automatique de fréquence ou de phaseSynchronisation utilisant un signal de référence qui est appliqué à une boucle verrouillée en fréquence ou en phase utilisant plusieurs boucles, p. ex. pour la génération d'un signal d'horloge redondant
H03L 7/099 - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'oscillateur commandé de la boucle
H03L 7/095 - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'agencement de détection de phase ou de fréquence, y compris le filtrage ou l'amplification de son signal de sortie utilisant un détecteur de verrouillage
72.
Method and circuit for adaptive read-write operation in self-timed memory
A memory device includes first and second dummy word line portions. A dummy word line driver drives the first dummy word line portion. A voltage dropping circuit causes a voltage on the second dummy word line to be less than a voltage on the first dummy word line. At least one dummy memory cell is coupled to the second dummy word line portion, remains in standby until assertion of the second dummy word line, and performs a dummy cycle in response to assertion of the second dummy word line. A reset signal generation circuit generates a reset signal in response to completion of a dummy cycle by the at least one dummy memory cell. An internal clock signal is generated from an external clock signal and the reset signal and is used in performing a read and/or write cycle to a memory array.
G11C 7/00 - Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c.-à-d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p. ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ
G11C 7/14 - Gestion de cellules facticesGénérateurs de tension de référence de lecture
G11C 8/08 - Circuits de commande de lignes de mots, p. ex. circuits d'attaque, de puissance, de tirage vers le haut, d'abaissement, circuits de précharge, pour lignes de mots
G11C 11/413 - Circuits auxiliaires, p. ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation
The present disclosure is directed to a lead frame design that includes a copper alloy base material coated with an electroplated copper layer, a precious metal, and an adhesion promotion compound. The layers compensate for scratches or surface irregularities in the base material while promoting adhesion from the lead frame to the conductive connectors, and to the encapsulant by coupling them to different layers of a multilayer coating on the lead frame. The first layer of the multilayer coating is a soft electroplated copper to smooth the surface of the base material. The second layer of the multilayer coating is a thin precious metal to facilitate a mechanical coupling between leads of the lead frame and conductive connectors. The third layer of the multilayer coating is the adhesion promotion compound for facilitating a mechanical coupling to an encapsulant around the lead frame.
C25D 5/48 - Post-traitement des surfaces revêtues de métaux par voie électrolytique
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
C25D 3/38 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions de cuivre
The present disclosure is directed to a master-slave flip-flop memory circuit having a partial pass gate transistor at the input of the master latch. The partial pass gate transistor includes a pull-up clock enabled transistor for selectively coupling a high output of a test switch to the input of the master latch. The input of the master latch is also directly coupled to a low output of the test switch around the partial pass gate. In addition, a revised circuit layout is provided in which the master latch has three inverters. A first inverter is coupled to the input of the master latch. Second and third inverters are coupled to an output of the first inverter, with the second inverter having an output coupled to the input of the first inverter, and the third inverter having an output coupled to an output of the master latch. The first and second inverters are clock enabled, and the third inverter is reset enabled.
H03K 3/3562 - Circuits bistables du type primaire-secondaire
G11C 29/00 - Vérification du fonctionnement correct des mémoiresTest de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c.-à-d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p. ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ
Embodiments of a device include an integrated circuit, a reconfigurable stream switch formed in the integrated circuit, and an arithmetic unit coupled to the reconfigurable stream switch. The arithmetic unit has a plurality of inputs and at least one output, and the arithmetic unit is solely dedicated to performance of a plurality of parallel operations. Each one of the plurality of parallel operations carries out a portion of the formula: output=AX+BY+C.
G06F 17/11 - Opérations mathématiques complexes pour la résolution d'équations
G06N 3/04 - Architecture, p. ex. topologie d'interconnexion
G06N 3/063 - Réalisation physique, c.-à-d. mise en œuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurone utilisant des moyens électroniques
G06F 9/30 - Dispositions pour exécuter des instructions machines, p. ex. décodage d'instructions
76.
Data volume sculptor for deep learning acceleration
Embodiments of a device include on-board memory, an applications processor, a digital signal processor (DSP) cluster, a configurable accelerator framework (CAF), and at least one communication bus architecture. The communication bus communicatively couples the applications processor, the DSP cluster, and the CAF to the on-board memory. The CAF includes a reconfigurable stream switch and a data volume sculpting unit, which has an input and an output coupled to the reconfigurable stream switch. The data volume sculpting unit has a counter, a comparator, and a controller. The data volume sculpting unit is arranged to receive a stream of feature map data that forms a three-dimensional (3D) feature map. The 3D feature map is formed as a plurality of two-dimensional (2D) data planes. The data volume sculpting unit is also arranged to identify a 3D volume within the 3D feature map that is dimensionally smaller than the 3D feature map and isolate data from the 3D feature map that is within the 3D volume for processing in a deep learning algorithm.
G06K 9/00 - Méthodes ou dispositions pour la lecture ou la reconnaissance de caractères imprimés ou écrits ou pour la reconnaissance de formes, p.ex. d'empreintes digitales
G06N 3/04 - Architecture, p. ex. topologie d'interconnexion
G06N 3/063 - Réalisation physique, c.-à-d. mise en œuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurone utilisant des moyens électroniques
77.
Method for converting a floating gate non-volatile memory cell to a read-only memory cell and circuit structure thereof
According to principles as discussed herein, an EEPROM cell is provided and then, after testing the code, using the exact same architecture, transistors, memory cells, and layout, the EEPROM cell is converted to a read-only memory (“ROM”) cell. This conversion is done on the very same integrated circuit die using the same layout, design, and timing with only a single change in an upper level mask in the memory array. In one embodiment, the mask change is the via mask connecting metal 1 to poly. This allows the flexibility to store the programming code as non-volatile memory code, and then after it has been tested, at time selected by the customer, some or all of that code from a code that can be written to a read-only code that is stored in a ROM cell that is composed the same transistors and having the same layout.
H01L 27/105 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration répétitive comprenant des composants à effet de champ
H01L 27/11521 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire
G11C 29/00 - Vérification du fonctionnement correct des mémoiresTest de mémoires lors d'opération en mode de veille ou hors-ligne
H01L 27/11519 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la configuration vue du dessus
H01L 27/11558 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes la grille de commande étant une région dopée, p.ex. cellules de mémoire en couche unique de polysilicium
G11C 16/04 - Mémoires mortes programmables effaçables programmables électriquement utilisant des transistors à seuil variable, p. ex. FAMOS
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
Embodiments of a device include an integrated circuit, a reconfigurable stream switch formed in the integrated circuit along with a plurality of convolution accelerators and an arithmetic unit coupled to the reconfigurable stream switch. The arithmetic unit has at least one input and at least one output. The at least one input is arranged to receive streaming data passed through the reconfigurable stream switch, and the at least one output is arranged to stream resultant data through the reconfigurable stream switch. The arithmetic unit also has a plurality of data paths. At least one of the plurality of data paths is solely dedicated to performance of operations that accelerate an activation function represented in the form of a piece-wise second order polynomial approximation.
G06N 3/063 - Réalisation physique, c.-à-d. mise en œuvre matérielle de réseaux neuronaux, de neurones ou de parties de neurone utilisant des moyens électroniques
G06F 17/17 - Évaluation de fonctions par des procédés d'approximation, p. ex. par interpolation ou extrapolation, par lissage ou par le procédé des moindres carrés
A distributed computing system for artificial intelligence in autonomously appreciating a circumstance context of a smart device. Raw context data is detected by sensors associated with the smart device. The raw context data is pre-processed by the smart device and then provided to a cloud based server for further processing. At the cloud based server, various sets of feature data are obtained from the pre-processed context data. The various sets of feature data are compared with corresponding classification parameters to determine a classification of a continuous event and/or a classification of transient event, if any, which occur in the context. The determined classification of the continuous event and the transient event will be used to autonomously configure the smart device or another related smart device to fit the context.
G01P 15/18 - Mesure de l'accélérationMesure de la décélérationMesure des chocs, c.-à-d. d'une variation brusque de l'accélération dans plusieurs dimensions
H04W 4/029 - Services de gestion ou de suivi basés sur la localisation
G06N 20/10 - Apprentissage automatique utilisant des méthodes à noyaux, p. ex. séparateurs à vaste marge [SVM]
G10L 21/10 - Transformation en information visible
G06K 9/62 - Méthodes ou dispositions pour la reconnaissance utilisant des moyens électroniques
H04W 4/50 - Fourniture de services ou reconfiguration de services
G06F 3/0346 - Dispositifs de pointage déplacés ou positionnés par l'utilisateurLeurs accessoires avec détection de l’orientation ou du mouvement libre du dispositif dans un espace en trois dimensions [3D], p. ex. souris 3D, dispositifs de pointage à six degrés de liberté [6-DOF] utilisant des capteurs gyroscopiques, accéléromètres ou d’inclinaison
G10L 25/51 - Techniques d'analyse de la parole ou de la voix qui ne se limitent pas à un seul des groupes spécialement adaptées pour un usage particulier pour comparaison ou différentiation
G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
A level shifting circuit receives a first input signal and complement of the first input signal as inputs and generates a level shifted first output signal and complement of the first output signal as outputs. The level shifting circuit includes a number of transistors that support body biasing. One set of body bias signals applied to certain ones of those transistors is generated as a function of the logical combination of the first input signal and the first output signal. Another set of body bias signals applied to certain other ones of those transistors is generated as a function of the logical combination of the complement of the first input signal and the complement of the first output signal. The conditional body bias applied to the transistors of the level shifting circuit makes the circuit operational for level shift at very low supply voltage levels.
H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
H03K 19/20 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion caractérisés par la fonction logique, p. ex. circuits ET, OU, NI, NON
81.
Carrier frequency offset compensation circuit and process for a communications receiver
A frequency demodulated signal includes a frequency modulation in time that is shifted by a DC level corresponding to a carrier frequency offset. A number of different frequency offsets are applied to the frequency demodulated signal to generate a corresponding number of offset frequency demodulated signals. Each offset frequency demodulated signal is correlated against a reference signal and a determination is made as to which correlation produces a highest correlation value. One offset frequency demodulated signal of the number of offset frequency demodulated signals is then selected for output as an offset corrected frequency demodulated signal. The selected signal is the one having the highest correlation value.
H04L 27/14 - Circuits de démodulationCircuits récepteurs
H04L 27/156 - Circuits de démodulationCircuits récepteurs avec démodulation utilisant les propriétés temporelles du signal reçu, p. ex. détectant la largeur de l'impulsion
82.
High operation frequency, area efficient and cost effective content addressable memory architecture
Various embodiments provide a content addressable memory (CAM) architecture that utilizes non-bit addressable memory, such as a single or dual port random access memory. The CAM includes a first non-bit addressable memory, a second non-bit addressable memory, a multiplexer, a write operation encoder, a read operation encoder, and a match signal generator. In contrast to bit addressable memories, non-bit addressable memories are widely available, have high performance frequency, and are area efficient as compared to bit addressable memories. Accordingly, the CAM architecture described herein has low costs and time to market, increased processing time, and improved area efficiency.
The present disclosure is directed to a circuit layout of a dual port static random-access-memory (SRAM) cell. The memory cell includes active regions in a substrate, with polysilicon gate electrodes on the active regions to define transistors of the memory cell. The eight transistor (8T) memory cell layout includes a reduced aspect ratio and non-polysilicon bit line discharge path routing by positioning an active region for the first port opposite an active region for the second port and consolidating power line nodes at a central portion of the memory cell.
G11C 5/06 - Dispositions pour interconnecter électriquement des éléments d'emmagasinage
H01L 27/11 - Structures de mémoires statiques à accès aléatoire
G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c.-à-d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p. ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
G11C 8/16 - Réseau de mémoire à accès multiple, p. ex. adressage à un élément d'emmagasinage par au moins deux groupes de lignes d'adressage indépendantes
G11C 11/417 - Circuits auxiliaires, p. ex. pour l'adressage, le décodage, la commande, l'écriture, la lecture, la synchronisation ou la réduction de la consommation pour des cellules de mémoire du type à effet de champ
84.
Full swing positive to negative MOSFET supply clamp for electrostatic discharge (ESD) protection
Electrostatic discharge (ESD) protection is provided in using a supply clamp circuit including a trigger actuated MOSFET device. Triggering of the MOSFET device is made in response to detection of either a positive ESD event or a negative ESD event.
H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
H02H 1/00 - Détails de circuits de protection de sécurité
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
Data words are received in parallel in response to an edge of a master clock signal and selected for serial output in response to a select signal. For a detected temporal offset of the serially output data words, the generation of the select signal and the master clock signal are controlled to correct for the temporal offset by shifting timing of the edge of the master clock signal and adjusting a sequence of values for the select signal that are generated within one cycle of the master clock signal. For a backward temporal offset, at least one count value in the sequence of values is skipped and the edge of the master clock signal occurs earlier in time. For a forward temporal offset, at least one count value in the sequence of values is held and the edge of the master clock signal occurs later in time.
A LED driving circuit includes a power factor correction circuit receiving a rectified mains voltage and providing output to a DC voltage bus, a string of LEDs connected in series, a voltage converter receiving input from the DC voltage bus and providing output to the string of LEDs, and a microcontroller. The microcontroller receives a plurality of digital feedback signals from the voltage converter, controls the voltage converter based upon a user desired brightness level and the plurality of digital feedback signals, and receive a plurality of feedback signals from the power factor correction circuit. Based on the plurality of feedback signals, the microcontroller operates the power factor correction circuit in transition mode where the user desired brightness level is above a threshold brightness, and operates the power factor correction circuit in discontinuous mode where the user desired brightness level is below the threshold brightness.
H05B 45/355 - Correction du facteur de puissance [PFC]Compensation réactive de la puissance
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H05B 45/44 - Détails des circuits de charge à LED avec un contrôle actif à l'intérieur d'une matrice de LED
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
87.
Power supply clamp for electrostatic discharge (ESD) protection having a circuit for controlling clamp time out behavior
Electrostatic discharge (ESD) protection is provided in using a supply clamp circuit formed by an ESD event actuated transistor device. A bias current is generated in response to operation of a voltage independent current generator circuit. The bias current is sourced to ensure that the transistor device is deactuated after the ESD event is dissipated.
H02H 9/04 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
H02H 9/00 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion
H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur
H02H 3/22 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à un excès de tension de courte durée, p. ex. foudre
88.
Glitch immune cascaded integrator comb architecture for higher order signal interpolation
A digital filtering method includes receiving a digital signal, and passing the digital signal through a Pth order comb cascade. The method includes beginning pre-computing of intermediate integrator states of a Pth order integrator cascade as a function of the digital signal, prior to receiving output from a last comb of the Pth order comb cascade. The outputs from each comb of the Pth order comb cascade are then applied to the pre-computed intermediate integrator states to thereby produce a filtered version of the digital signal. The Pth order comb cascade may operate at a sampling frequency, and the pre-computing of the intermediate integrator states is performed at the sampling frequency, while the application of the outputs from each comb of the Pth order comb cascade to the pre-computed intermediate integrator states is performed at a multiple of the sampling frequency.
One or more embodiments are directed to inter-integrated circuit (I2C) transmitters, receivers, and devices that utilize a stable reference voltage for driving a pre-driver of the transmitter and for driving a first input stage of the receiver. One embodiment is directed to a device A device that includes an inter-integrated circuit (I2C) transmitter and an I2C receiver. The I2C transmitter includes a driver coupled to an I2C data line, and a pre-driver coupled to a variable first supply voltage, a second supply voltage, and a reference voltage. The pre-driver is configured to output a control signal to a control terminal of the driver. The I2C receiver includes a first stage coupled to the I2C data line, the variable first supply voltage, the second supply voltage, and the reference voltage.
H03B 1/00 - PRODUCTION D'OSCILLATIONS, DIRECTEMENT OU PAR CHANGEMENT DE FRÉQUENCE, À L'AIDE DE CIRCUITS UTILISANT DES ÉLÉMENTS ACTIFS QUI FONCTIONNENT D'UNE MANIÈRE NON COMMUTATIVEPRODUCTION DE BRUIT PAR DE TELS CIRCUITS Détails
H03K 3/00 - Circuits pour produire des impulsions électriquesCircuits monostables, bistables ou multistables
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
G05F 3/24 - Régulation de la tension ou du courant là où la tension ou le courant sont continus utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires consistant en des dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des combinaisons diode-transistor dans lesquelles les transistors sont uniquement du type à effet de champ
G06F 13/42 - Protocole de transfert pour bus, p. ex. liaisonSynchronisation
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface
H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
Video encoders and decoders and video encoding and decoding methods are provided. A video encoder includes an input buffer configured to receive a video data stream and to supply current frame data, a frame buffer configured to store reconstructed frame data, and an encoder circuit configured to read reference frame data from the frame buffer, to encode the current frame data received from the input buffer using the reference frame data and to write the reconstructed frame data to the frame buffer. The encoder circuit may be configured to write the reconstructed frame data by overwriting the reference frame data in the frame buffer.
A circuit has a first window comparator determining whether a signal at a first input has a voltage higher than a first threshold but lower than a second threshold, and a second window comparator determining whether a signal at a second input has a voltage higher than the first threshold but lower than the second threshold. A logic circuit generates pulses in response to either the first window comparator determining that the signal at the first differential input has a voltage higher than the first threshold but lower than the second threshold or the second window comparator determining that the signal at the second input has a voltage higher than the first threshold but lower than the second threshold. A filter circuit receives the pulses from the logic circuit and generates a flag indicating that the signal is invalid, based upon pulses received from the logic circuit.
H04B 1/10 - Dispositifs associés au récepteur pour limiter ou supprimer le bruit et les interférences
H03K 5/24 - Circuits présentant plusieurs entrées et une sortie pour comparer des impulsions ou des trains d'impulsions entre eux en ce qui concerne certaines caractéristiques du signal d'entrée, p. ex. la pente, l'intégrale la caractéristique étant l'amplitude
H03K 19/20 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion caractérisés par la fonction logique, p. ex. circuits ET, OU, NI, NON
H03K 3/027 - Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions par l'utilisation de circuits logiques, avec réaction positive interne ou externe
H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
H03H 11/04 - Réseaux sélectifs en fréquence à deux accès
Application data and error correction code (ECC) checkbits associated with that application data are stored in a first memory. The ECC checkbits, but not the application data, are stored in a second memory. In response to a request to read the application data from the first memory, the ECC checkbits from the first memory are also read and used to detect, and possibly correct, errors in the read application data. The ECC checkbits are further output from both the first and second memories for bit-by-bit comparison. In response to a failure of the bit-by-bit comparison, a signal indicating possible malfunction of one or the other or both of the first and second memories is generated.
G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p. ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p. ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
G11C 29/52 - Protection du contenu des mémoiresDétection d'erreurs dans le contenu des mémoires
93.
Two-point modulator with matching gain calibration
A modulation circuit includes a locked loop circuit with two-point modulation control and a phase-frequency detector configured to compare a reference frequency signal with a feedback frequency signal. A two-point modulation control circuit includes a first modulation path having a controllable gain and coupled to one of the first and second modulation control points and a second modulation path coupled to another of the first and second modulation control points. Gain matching of the first and second modulation paths is accomplished through the operation of a calibration circuit. The calibration circuit includes a phase detector circuit configured to compare the reference frequency signal with the feedback frequency signal to generate a phase detect signal, and a gain control circuit configured to adjust the controllable gain of the first modulation path as a function a correlation of the phase detect signal with signs of the modulation data.
H03L 7/087 - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'agencement de détection de phase ou de fréquence, y compris le filtrage ou l'amplification de son signal de sortie utilisant au moins deux détecteurs de phase ou un détecteur de fréquence et de phase dans la boucle
H04L 7/033 - Commande de vitesse ou de phase au moyen des signaux de code reçus, les signaux ne contenant aucune information de synchronisation particulière en utilisant les transitions du signal reçu pour commander la phase de moyens générateurs du signal de synchronisation, p. ex. en utilisant une boucle verrouillée en phase
H04L 7/00 - Dispositions pour synchroniser le récepteur avec l'émetteur
H03L 7/099 - Détails de la boucle verrouillée en phase concernant principalement l'oscillateur commandé de la boucle
Disclosed herein is a memory circuit including a dummy word line driver driving a dummy word line, dummy memory cells coupled to a dummy bit line and a dummy complementary bit line, and a transmission gate coupled to the dummy word line to pass a word line signal from the dummy word line driver to an input of the dummy memory cells. A transistor is coupled to the dummy word line between the transmission gate and a pair of pass gates of a given one of the dummy memory cells closest to the transmission gate along the dummy word line. A reset signal output is coupled to the dummy complementary bit line. The transistor serves to lower a voltage on the dummy word line, and a reset signal indicating an end of a measured dummy cycle is generated at the reset signal output.
G11C 7/00 - Dispositions pour écrire une information ou pour lire une information dans une mémoire numérique
G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c.-à-d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p. ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ
G11C 7/14 - Gestion de cellules facticesGénérateurs de tension de référence de lecture
A voltage level shifter is provided. The voltage level shifter includes an input stage and at least one level shifting stage. The input stage receives an input voltage and a complementary input voltage and receives a first supply voltage and a ground voltage. The input stage outputs one of the first supply voltage and the ground voltage over a first output voltage node and a first complementary output voltage node based on the input voltage and the complementary input voltage. A level shifting stage is coupled to the input stage. The level shifting stage receives the first supply voltage and a second supply voltage and outputs one of the ground voltage, the first supply voltage and the second supply voltage over second and third output voltage nodes and second and third complementary output voltage nodes based on voltages of the first output voltage node and the first complementary output voltage node.
Various embodiments provide a parallel checker to determine whether a device under test (DUT) is functioning properly or outputting erroneous bits. A test pattern or test data is injected into the DUT, and the parallel checker compares output data of the DUT to expected data stored in the parallel checker. The parallel checker determines an error in the event that a bit in the output data does not match in the expected data. The parallel checker is independent of test pattern length and data width at the parallel input of the parallel checker. Accordingly, the parallel checker may be used for multiple different test patterns, such as a PRBS 7, a CJTPAT, CRPAT, etc. Further, the parallel checker provides high-speed synchronization between data received from the DUT and expected test data stored in the parallel checker. In addition, the parallel checker consumes relatively low power and chip area in, for example, a SoC environment.
A memory includes error correction circuitry that receives a data packet, outputs a correctable error flag indicating presence or absence of a correctable error in the data packet, and outputs an uncorrectable error flag indicating presence or absence of an uncorrectable error in the data packet. A response manager, operating in availability mode, generates output indicating that a correctable error was present if the correctable error flag indicates presence thereof, and generates an output indicating that an uncorrectable error was present if the uncorrectable error flag indicates presence thereof. In a coverage mode, the response manager generates an output indicating that a correctable error was potentially present but should be treated as an uncorrectable error if the correctable error flag indicates presence of the correctable error, and generates an output indicating that an uncorrectable error was present if the uncorrectable error flag indicates presence thereof.
G06F 11/00 - Détection d'erreursCorrection d'erreursContrôle de fonctionnement
G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p. ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p. ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
G06F 3/06 - Entrée numérique à partir de, ou sortie numérique vers des supports d'enregistrement
The present disclosure is directed to a master-slave flip-flop memory circuit having a partial pass gate transistor at the input of the master latch. The partial pass gate transistor includes a pull-up clock enabled transistor for selectively coupling a high output of a test switch to the input of the master latch. The input of the master latch is also directly coupled to a low output of the test switch around the partial pass gate. In addition, a revised circuit layout is provided in which the master latch has three inverters. A first inverter is coupled to the input of the master latch. Second and third inverters are coupled to an output of the first inverter, with the second inverter having an output coupled to the input of the first inverter, and the third inverter having an output coupled to an output of the master latch. The first and second inverters are clock enabled, and the third inverter is reset enabled.
H03K 3/00 - Circuits pour produire des impulsions électriquesCircuits monostables, bistables ou multistables
H03K 3/3562 - Circuits bistables du type primaire-secondaire
G11C 11/412 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors formant des cellules avec réaction positive, c.-à-d. des cellules ne nécessitant pas de rafraîchissement ou de régénération de la charge, p. ex. multivibrateur bistable, déclencheur de Schmitt utilisant uniquement des transistors à effet de champ
99.
Circuit and method for generating reference signals for hybrid analog-to-digital convertors
An embodiment circuit includes a first reference source configured to provide a first reference signal to an analog-to-digital convertor (ADC). The circuit also includes a filter coupled to an output of the first reference source and configured to filter the first reference signal to produce a filtered first reference signal. The circuit further includes a second reference source coupled to an output of the filter. The second reference source is configured to provide a second reference signal to the ADC, and the second reference signal is generated based on the filtered first reference signal.
H03M 1/46 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence uniquement séquentiellement, p. ex. du type à approximations successives avec convertisseur numérique/analogique pour fournir des valeurs de référence au convertisseur
H03M 1/38 - Valeur analogique comparée à des valeurs de référence uniquement séquentiellement, p. ex. du type à approximations successives
H03M 1/08 - Compensation ou prévention continue de l'influence indésirable de paramètres physiques du bruit
H03M 1/16 - Conversion par étapes, avec pour chaque étape la mise en jeu de moyens de conversion identiques ou différents et délivrant plus d'un bit avec modification de l'échelle, c.-à-d. en changeant l'amplification entre les étapes
H03M 1/44 - Comparaisons séquentielles dans des étages disposés en série avec changement de la valeur du signal analogique
100.
Voltage multiplier circuit with a common bulk and configured for positive and negative voltage generation
A voltage doubler circuit supports operation in both a positive voltage boosting mode to positively boost voltage from a first node to a second node and a negative voltage boosting mode to negatively boost voltage from the second node to the first node. The voltage doubler circuit is formed by transistors of a same conductivity type that share a common bulk that is not tied to a source of any of the voltage doubler circuit transistors. A bias generator circuit is coupled to receive a first voltage from the first node and second voltage from the second node. The bias generator circuit operates to apply a lower one of the first and second voltages to the common bulk.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
G05F 1/10 - Régulation de la tension ou de l'intensité
