A power converter comprising a substrate, a control circuit disposed on the substrate; and a first circuit stack disposed on the substrate and coupled to the control circuit. The first circuit stack is in a stacked configuration. The first circuit stack comprises a first switch layer, a first interposer layer electrically coupled to the first switch layer, a second interposer layer electrically coupled to the first interposer layer, a first gate drive layer disposed between and electrically coupled to the first interposer layer and the second interposer layer, and a first inductor layer electrically coupled to the first gate drive layer.
A power converter comprising a substrate, a control circuit disposed on the substrate; and a first circuit stack disposed on the substrate and coupled to the control circuit. The first circuit stack is in a stacked configuration. The first circuit stack comprises a first switch layer, a first interposer layer electrically coupled to the first switch layer, a second interposer layer electrically coupled to the first interposer layer, a first gate drive layer disposed between and electrically coupled to the first interposer layer and the second interposer layer, and a first inductor layer electrically coupled to the first gate drive layer.
H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
3.
METHOD OF RECOVERING HGCDTE DETECTOR PERFORMANCE AFTER HIGH TEMPERATURE BIAS-INDUCED DEFECT GENERATION
A method of baking a detector, the method comprising: placing a mid-wave infrared detector in an environmental chamber, wherein the environmental chamber is opaque. The mid-wave infrared detector comprises an anode, a guard terminal, and a cathode. The method further comprising connecting the anode to the cathode in a short circuit configuration, heating the environmental chamber to a bake temperature selected in the range of 60 to 70 degrees Celsius, and maintaining the detector in the environmental chamber for a period selected in the range of 72 hours to 240 hours.
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/0296 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
4.
RECESSED-GATE HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTORS WITH DOPED BARRIERS AND ROUND GATE FOOT CORNERS
A high electron mobility transistor comprising a substrate. The substrate comprising: a buffer layer, a channel layer disposed on the buffer layer, an interlayer disposed on the channel layer, a spacer layer, and a first barrier layer between the spacer layer and a cap layer, the spacer layer is between the interlayer and the first barrier layer. The high electron mobility transistor comprises a source electrode disposed on the channel, a drain electrode disposed on the channel, and a gate electrode disposed between the source electrode and the drain electrode, the gate electrode defining a longitudinal portion extending through the capping layer, wherein a distal end of the longitudinal portion is in contact with the first barrier layer defines an external fillet between the distal end and the longitudinal portion.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 21/283 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes
H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A coating comprising a first dielectric overlayer, a first dielectric underlayer, a continuous thermochromic layer disposed between the first dielectric overlayer and the first dielectric underlayer, and a metal layer disposed below the first dielectric underlayer.
Laterally-gated transistors and lateral Schottky diodes are disclosed. The FET includes a substrate, source and drain electrodes, channel, a gate electrode structure, and a dielectric layer. The gate electrode structure includes an electrode in contact with the channel and a lateral field plate adjacent to the electrode. The dielectric layer is disposed between the lateral field plate and the channel. The lateral field plate contacts the dielectric layer and to modulate an electric field proximal to the gate electrode proximal to the drain or source electrodes. Also disclosed is a gate electrode structure with lateral field plates symmetrically disposed relative to the gate electrode. Also disclosed in a substrate with dielectric structures buried in the substrate remote from the gate electrode structure. A lateral Schottky diode having an anode structure includes an anode (A), cathodes (C) and lateral field plates located between the anode and the cathodes.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
Techniques for facilitating light signal assessment receiver systems and methods are provided. In one example, a light signal assessment device includes a light signal detection device including a filter array, a detector array, and a measurement device. The filter array is configured to filter a light signal incident on the filter array. The detector array is configured to receive the filtered light signal and generate a light signal detection image based on the filtered light signal. The measurement device is configured to determine a characteristic associated with the light signal based on the light signal detection image. The assessment device further includes a logic device configured to generate an output based on the characteristic. Related methods and systems are also provided.
Techniques for facilitating light signal assessment receiver systems and methods are provided. In one example, a light signal assessment device includes a light signal detection device including a filter array, a detector array, and a measurement device. The filter array is configured to filter a light signal incident on the filter array. The detector array is configured to receive the filtered light signal and generate a light signal detection image based on the filtered light signal. The measurement device is configured to determine a characteristic associated with the light signal based on the light signal detection image. The assessment device further includes a logic device configured to generate an output based on the characteristic. Related methods and systems are also provided.
A FET with buried gate structures which contact an epitaxial channel layer only from the sides. The epitaxial channel layer preferably comprises multiple channel segments, the widths of which vary along the depth direction. By controlling the slope of the channel sidewalls and the distance between buried gate structures, the FET's transfer characteristics can be engineered to improve the FET's linearity.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
Techniques are provided for implementing hybrid anodes for batteries. In one example, a battery anode includes a current collector having a continuous particulate matrix and an open pore structure and an anode material disposed at least within pores of the current collector. In another example, a method of forming the anode includes forming a slurry of current collector particles, a binder, and a solvent, casting the slurry into a film, de-binding the slurry to remove the binder and solvent, sintering the particles to form a current collector, and infiltrating the current collector with an anode material.
A thermo-optical ground plane includes a plate configured to mount a diode laser device defining a first surface area, an evaporation chamber in thermal communication with the plate, and a channel defined in thermal communication with the evaporation chamber. The channel is configured to receive and circulate a coolant fluid at a predetermined flowrate. The evaporation chamber is configured to receive a working fluid. The inner walls of the evaporation chamber define a second surface area that is greater than the first surface area of the diode laser device. The plate comprises beam shaping and folding optics for collimating and focusing the light from the diode laser device on an optical fiber. Light from a plurality of thermo-optical ground planes is combined on a single optical fiber. The structure enables cooling with exceptionally low coolant flowrate while also maintaining small specific volume and small specific weight.
A sensor module including a microelectromechanical systems (“MEMS”) gyroscope resonator and an accelerometer positioned adjacent the MEMS gyroscope resonator is disclosed herein. The MEMS gyroscope resonator and accelerometer can be co-fabricated on a sensor die and a control circuit can be electrically coupled to the sensor die. The control circuit can be configured to receive signals from and control the MEMS gyroscope resonator and the accelerometer. An interposer can be positioned between and mechanically coupled to the sensor module and a substrate, wherein the interposer is configured to relieve stresses imposed by an operating environment on the sensor module and the substrate.
A method of forming an optical bridge waveguide between an optical element and an optical waveguide layer fabricated on a substrate such as a PIC platform. An optical element is heterogeneously integrated on the substrate. A first dielectric layer is deposited on the substrate and etched to a predetermined height. A second dielectric layer having a higher k than the first dielectric layer is deposited on the first dielectric layer, and a third dielectric layer having a lower k than the second dielectric layer is deposited on the second dielectric layer. The dielectric layers are formed such that the second dielectric layer provides an optical bridge waveguide between the optical element and optical waveguide layer, with the first and third dielectric layers providing a lower and upper cladding, respectively, for the optical bridge waveguide.
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02B 6/43 - Dispositions comprenant une série d'éléments opto-électroniques et d'interconnexions optiques associées
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
A method for stabilizing disrupted neural signals received by a brain-computer interface (BCI), where a translation model is trained on a clean and disrupted dataset and is used to translate a disrupted signal to a clean signal. The clean dataset is based on the data that is received the same day the BCI is calibrated and the disrupted dataset is based on data received the same day that the model is trained. Based on the variation in daily signal disruption, the training model is retrained each day and a new translation model is applied to a disrupted dataset.
Cookware and a method of manufacture thereof are provided. The method comprises forming a fluid conduit defining a volume in a base of the cookware, the base comprising a heating zone configured for thermal communication with the fluid conduit. A working fluid is introduced to the fluid conduit via an open end of the fluid conduit. A liquid phase of the working fluid occupies less than the volume of the fluid conduit. The fluid conduit is Sized and configured to form vapor segments and liquid segments interspersed throughout the fluid conduit from the working fluid. The open end of the fluid conduit is sealed to define a closed fluid system.
Disclosed are various methods for creating optical elements through holographic fabrication. One method includes positioning a reflector in an optical path, disposing a first substrate proximal to the reflector along the optical path, disposing a first photosensitive film on the side of the first substrate facing the reflector, transmitting a light beam at a first polarization from a light source along the optical path, reflecting the light beam off the reflector, wherein the reflected light beam has a second polarization, receiving the reflected light beam through the first film and the first substrate, and applying a liquid crystal layer to the first photosensitive film to reproduce the alignment pattern of the first film on the liquid crystal layer.
Laterally-gated transistors and lateral Schottky diodes are disclosed. The FET includes a substrate, source (304) and drain (306) electrodes channel, a gate electrode structure (307), and a dielectric layer (312). The gate electrode structure includes an electrode (308) in contact with the channel and a lateral field plate (332) adjacent to the electrode. The dielectric layer is disposed between the lateral field plate and the channel. The lateral field plate contacts the dielectric layer and to modulate an electric field proximal to the gate electrode proximal to the drain or source electrodes. Also disclosed is a gate electrode structure with lateral field plates symmetrically disposed relative to the gate electrode. Also disclosed in a substrate with dielectric structures buried in the substrate remote from the gate electrode structure. A lateral Schottky diode having an anode structure includes an anode, cathodes and lateral field plates located between the anode and the cathodes.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/41 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
18.
Laterally-gated transistors and lateral Schottky diodes with integrated lateral field plate structures
Laterally-gated transistors and lateral Schottky diodes are disclosed. The FET includes a substrate, source and drain electrodes, channel, a gate electrode structure, and a dielectric layer. The gate electrode structure includes an electrode in contact with the channel and a lateral field plate adjacent to the electrode. The dielectric layer is disposed between the lateral field plate and the channel. The lateral field plate contacts the dielectric layer and to modulate an electric field proximal to the gate electrode proximal to the drain or source electrodes. Also disclosed is a gate electrode structure with lateral field plates symmetrically disposed relative to the gate electrode. Also disclosed in a substrate with dielectric structures buried in the substrate remote from the gate electrode structure. A lateral Schottky diode having an anode structure includes an anode (A), cathodes (C) and lateral field plates located between the anode and the cathodes.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
A multi-spectral lens comprises a circular polarizer and a tunable cholesteric filter having an associated reflection band. Incoming light is circularly polarized to one handedness by the circular polarizer, and the tunable cholesteric filter transmits the circularly polarized light and reflects the opposite handedness of the circularly polarized light if within the reflection band of the filter, with the reflection band of the tunable cholesteric filter varying with a control voltage. In a preferred embodiment, a mirror is arranged to receive light transmitted by the tunable cholesteric filter and reflect it back towards the filter with flipped handedness, with the reflected light with flipped handedness that is within the reflection band of the tunable cholesteric filter reflected by the tunable cholesteric filter back toward the mirror. The architecture described effectively converts the reflection band of a tunable cholesteric filter into a tunable bandpass filter for a multi-spectral imaging lens.
G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p. ex. des polariseurs ou des réflecteurs
G02F 1/137 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p. ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides caractérisés par l'effet électro-optique ou magnéto-optique, p. ex. transition de phase induite par un champ, effet d'orientation, interaction entre milieu récepteur et matière additive ou diffusion dynamique
A multi-spectral lens comprises a circular polarizer and a tunable cholesteric filter having an associated reflection band. Incoming light is circularly polarized to one handedness by the circular polarizer, and the tunable cholesteric filter transmits the circularly polarized light and reflects the opposite handedness of the circularly polarized light if within the reflection band of the filter, with the reflection band of the tunable cholesteric filter varying with a control voltage. In a preferred embodiment, a mirror is arranged to receive light transmitted by the tunable cholesteric filter and reflect it back towards the filter with flipped handedness, with the reflected light with flipped handedness that is within the reflection band of the tunable cholesteric filter reflected by the tunable cholesteric filter back toward the mirror. The architecture described effectively converts the reflection band of a tunable cholesteric filter into a tunable bandpass filter for a multi-spectral imaging lens.
A method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact requires providing a transistor comprising a plurality of epitaxial semiconductor layers on a first substrate, and providing a host substrate. A metal collector contact is patterned on the top surface of the host substrate, and the plurality of epitaxial semiconductor layers is transferred from the first substrate onto the metal collector contact on the host substrate. The first substrate is suitably the growth substrate for the plurality of epitaxial semiconductor layers. The host substrate preferably has a higher thermal conductivity than does the first substrate, which improves the heat dissipation characteristics of the transistor and allows it to operate at higher power densities. A plurality of transistors may be transferred onto a common host substrate to form a multi-finger transistor.
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p. ex. dissipateurs de chaleur
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
A method of forming a bipolar transistor with a vertical collector contact requires providing a transistor comprising a plurality of epitaxial semiconductor layers on a first substrate, and providing a host substrate. A metal collector contact is patterned on the top surface of the host substrate, and the plurality of epitaxial semiconductor layers is transferred from the first substrate onto the metal collector contact on the host substrate. The first substrate is suitably the growth substrate for the plurality of epitaxial semiconductor layers. The host substrate preferably has a higher thermal conductivity than does the first substrate, which improves the heat dissipation characteristics of the transistor and allows it to operate at higher power densities. A plurality of transistors may be transferred onto a common host substrate to form a multi-finger transistor.
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 21/8252 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant un semi-conducteur, en utilisant une technologie III-V
An ohmic contact (10, 12) for a multiple channel (20) FET (14) comprises a plurality of slit-shaped recesses (16) in a wafer (18) on which a multiple channel FET resides, with each recess having a depth at least equal to the depth of the lowermost channel layer. Ohmic metals (22) in and on the sidewalls (40, 42) of each recess provide ohmic contact to each of the multiple channel layers. An ohmic metal- filled linear connecting recess contiguous with the outside edge of each recess may be provided, as well as an ohmic metal contact layer on the top surface of the wafer over and in contact with the ohmic metals in each of the recesses. The present ohmic contact typically serves as a source and/or drain contact for the multiple channel FET. Also described is the use of a regrown material to make ohmic contact with multiple channels, with the regrown material preferably having a corrugated structure.
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
24.
VISION-CUED RANDOM-ACCESS LIDAR SYSTEM AND METHOD FOR LOCALIZATION AND NAVIGATION OF A MOVING PLATFORM
A vision-cued random-access LIDAR system and method winch determines the location and/or navigation path of a moving platform. A vision system on a moving platform identifies a region of interest. The system classifies objects within the region of interest, and directs random-access LIDAR to ping one or more of the classified objects. The platform is located in three dimensions using data from die vision system and LIDAR. The steps of classifying, directing, and locating are preferably performed continuously while the platform is moving and/or the vision system's field-of-view (FOV) is changing. Objects are preferably classified using at least one smart-vision algorithm, such as a machine-learning algorithm.
A vision-cued random-access LIDAR system and method which determines the location and/or navigation path of a moving platform. A vision system on a moving platform identifies a region of interest. The system classifies objects within the region of interest, and directs random-access LIDAR to ping one or more of the classified objects. The platform is located in three dimensions using data from the vision system and LIDAR. The steps of classifying, directing, and locating are preferably performed continuously while the platform is moving and/or the vision system's field-of-view (FOV) is changing. Objects are preferably classified using at least one smart-vision algorithm, such as a machine-learning algorithm.
G01S 17/58 - Systèmes de détermination de la vitesse ou de la trajectoireSystèmes de détermination du sens d'un mouvement
B60W 30/095 - Prévision du trajet ou de la probabilité de collision
G01S 17/931 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour prévenir les collisions de véhicules terrestres
G01S 7/481 - Caractéristiques de structure, p. ex. agencements d'éléments optiques
G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie
G01S 19/01 - Systèmes de positionnement par satellite à radiophares émettant des messages horodatés, p. ex. GPS [Système de positionnement global], GLONASS [Système global de navigation par satellite] ou GALILEO
A sleep induction device includes a headband, multiple transcranial stimulation electrodes, and control electronics to drive the electrodes. The sleep induction device may be worn by an awake user prior to attempting sleep. The control electronics are configured to cause the stimulation electrodes to emit a sequence of stimulation waveforms separated by interstimulus periods. The stimulation waveforms may have the characteristics of low-delta waveforms that may characterize non-REM stage 3 sleep. The stimulation period may last from about 4-8 seconds and the interstimulus period may last from about 10 to 30 seconds. A sleep induction session may include multiple alternating stimulation and non-stimulation periods. The sleep induction session may last for about 5 minutes to about 30 minutes.
A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
A61B 5/374 - Détection de la répartition de fréquence dans les signaux, p. ex. détection des ondes delta, thêta, alpha, bêta ou gamma
A61M 21/00 - Autres dispositifs ou méthodes pour amener un changement dans l'état de conscienceDispositifs pour provoquer ou arrêter le sommeil par des moyens mécaniques, optiques ou acoustiques, p. ex. pour mettre en état d'hypnose
A61M 21/02 - Autres dispositifs ou méthodes pour amener un changement dans l'état de conscienceDispositifs pour provoquer ou arrêter le sommeil par des moyens mécaniques, optiques ou acoustiques, p. ex. pour mettre en état d'hypnose pour provoquer le sommeil ou la relaxation, p. ex. par stimulation directe des nerfs, par hypnose ou par analgésie
A61N 1/08 - Aménagements ou circuits de surveillance, de protection, de commande ou d'indication
A61N 1/36 - Application de courants électriques par électrodes de contact courants alternatifs ou intermittents pour stimuler, p. ex. stimulateurs cardiaques
27.
System and method for noninvasive identification of cognitive and behavioral goals
A brain machine interface system for use with an electroencephalogram to identify a behavioral intent of a person is disclosed. The system includes an electroencephalogram configured to sense electromagnetic signals generated by a brain of a person. The electromagnetic signals include a time component and a frequency component. A monitor monitors a response of the person to a stimulus and a characteristic of the stimulus. A synchronization module synchronizes the sensed electromagnetic signals with the response and the characteristic to determine a set of electromagnetic signals corresponding to the monitored response and the characteristic. A processor processes the set of electromagnetic signals and extracts feature vectors. The feature vectors define a class of behavioral intent. The processor determines the behavioral intent of the person based on the feature vectors. A brain machine interface and a method for identifying a behavioral intent of a person is also disclosed.
A61B 5/246 - Détection de champs biomagnétiques, p. ex. de champs magnétiques produits par des courants bioélectriques spécialement adaptée aux signaux magnétoencéphalographiques [MEG] utilisant des réponses provoquées
A61B 3/113 - Appareils pour l'examen optique des yeuxAppareils pour l'examen clinique des yeux du type à mesure objective, c.-à-d. instruments pour l'examen des yeux indépendamment des perceptions ou des réactions du patient pour déterminer ou enregistrer le mouvement de l'œil
A61B 5/11 - Mesure du mouvement du corps entier ou de parties de celui-ci, p. ex. tremblement de la tête ou des mains ou mobilité d'un membre
A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
G06F 3/04842 - Sélection des objets affichés ou des éléments de texte affichés
28.
Fully reticulated detectors for curved focal plane arrays
A curved FPA comprises an array of detectors, with mesas etched between the detectors such that they are electrically and physically isolated from each other. Metallization deposited at the bottom of the mesas reconnects the detectors electrically and thereby provides a common ground between them. Strain induced by bending the FPA into a curved shape is across the metallization and any backfill epoxy, rather than across the detectors. Indium bumps are evaporated onto respective detectors for connection to a readout integrated circuit (ROIC). An ROIC coupled to the detectors is preferably thinned, and the backside of the ROIC may also include mesas such that the ROIC is reticulated.
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
29.
Low loss single crystal multilayer optical component and method of making same
A single crystal multilayer low-loss optical component including first and second layers made from dissimilar materials, with the materials including the first layer lattice-matched to the materials including the second layer. The first and second layers are grown epitaxially in pairs on a growth substrate to which the materials of the first layer are also lattice-matched, such that a single crystal multilayer optical component is formed. The optical component may further include a second substrate to which the layer pairs are wafer bonded after being removed from the growth substrate.
A multi-color light detector includes a first photodiode. The light detector further includes a second photodiode stacked on the first photodiode and defining a via. The light detector further includes a first conductor extending through the via, contacting the first photodiode, and designed to transmit a first signal corresponding to a first light detected by the first photodiode. The light detector further includes a second conductor contacting the second photodiode and designed to transmit a second signal corresponding to a second light detected by the second photodiode.
H01L 31/101 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet
H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 27/144 - Dispositifs commandés par rayonnement
A semiconductor material emitting device is positioned such that its output flux impinges on a substrate at a non-perpendicular angle, so as to grow a first epilayer which is linearly graded in the direction perpendicular to the growth direction. The linear grading can be arranged such that, for example, each row of pixels has a different cutoff wavelength, thereby making it possible to provide a spectroscopic FPA without the use of filters. The non-perpendicular angle and/or the flux intensity can be adjusted to achieve a desired compositional grading. A spectral ellipsometer may be used to monitor the composition of the epilayer during the fabrication process, and to control the intensity of the flux.
H01L 27/00 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun
G01J 5/20 - Pyrométrie des radiations, p. ex. thermométrie infrarouge ou optique en utilisant des détecteurs électriques de radiations en utilisant des éléments résistants, thermorésistants ou semi-conducteurs sensibles aux radiations, p. ex. des dispositifs photoconducteurs
H04N 5/33 - Transformation des rayonnements infrarouges
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C23C 14/54 - Commande ou régulation du processus de revêtement
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
Systems and methods for a machine learning system to learn a new skill without catastrophically forgetting an existing skill and to continually learn in a self-supervised manner during operation, without human intervention.
G06K 9/62 - Méthodes ou dispositions pour la reconnaissance utilisant des moyens électroniques
G06N 20/10 - Apprentissage automatique utilisant des méthodes à noyaux, p. ex. séparateurs à vaste marge [SVM]
G06N 3/04 - Architecture, p. ex. topologie d'interconnexion
G06F 18/22 - Critères d'appariement, p. ex. mesures de proximité
G06F 18/2413 - Techniques de classification relatives au modèle de classification, p. ex. approches paramétriques ou non paramétriques basées sur les distances des motifs d'entraînement ou de référence
G06V 10/778 - Apprentissage de profils actif, p. ex. apprentissage en ligne des caractéristiques d’images ou de vidéos
G10L 15/30 - Reconnaissance distribuée, p. ex. dans les systèmes client-serveur, pour les applications en téléphonie mobile ou réseaux
G06V 10/70 - Dispositions pour la reconnaissance ou la compréhension d’images ou de vidéos utilisant la reconnaissance de formes ou l’apprentissage automatique
G10L 17/08 - Utilisation d’une mesure de distorsion ou d’une distance particulière entre un motif d’analyse et les modèles de référence
G06V 10/74 - Appariement de motifs d’image ou de vidéoMesures de proximité dans les espaces de caractéristiques
G06F 18/243 - Techniques de classification relatives au nombre de classes
G10L 15/10 - Classement ou recherche de la parole utilisant des mesures de distance ou de distorsion entre la parole inconnue et les gabarits de référence
Cookware and a method of manufacture thereof are provided. The method comprises forming a fluid conduit defining a volume in a base of the cookware, the base comprising a heating zone configured for thermal communication with the fluid conduit. A working fluid is introduced to the fluid conduit via an open end of the fluid conduit. A liquid phase of the working fluid occupies less than the volume of the fluid conduit. The fluid conduit is Sized and configured to form vapor segments and liquid segments interspersed throughout the fluid conduit from the working fluid. The open end of the fluid conduit is sealed to define a closed fluid system.
A filtration membrane coating comprising a hydrophilic polymer, a surfactant, and one or more charged compounds, each containing one or more sulfonate functionalities and one or more linkable functionalities selected from the group consisting of amine, monochlorotriazine, and dichlorotriazine. The hydrophilic polymer and surfactant form a thin primer layer which is also superhydrophilic. The primer layer improves flux, and enables improved adhesion of the one or more charged compounds, which form a charged dye layer on top of the primer layer when enhances rejection of charged divalent ions. The coating can be applied while the membrane is packaged in its final form, such as in a spiral wound or other configuration.
B01D 69/02 - Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leur forme, leur structure ou leurs propriétésProcédés spécialement adaptés à leur fabrication caractérisées par leurs propriétés
B01D 71/82 - Matériaux macromoléculaires non prévus spécifiquement dans un seul des groupes caractérisés par la présence de groupes déterminés, p. ex. introduits par un post-traitement chimique
B01D 67/00 - Procédés spécialement adaptés à la fabrication de membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
10 - Appareils et instruments médicaux
28 - Jeux, jouets, articles de sport
Produits et services
Downloadable computer application software for mobile phones, namely, software for enhancing sleep Electrical stimulation apparatus for the head for enhancing sleep Non-medical electrical stimulation body-training apparatus for sleep enhancement
A light sensor includes an N-type semiconductor. The light sensor further includes a P-type semiconductor stacked on at least a portion of the N-type semiconductor, partially defining a trench extending into the P-type semiconductor, and having a trench portion aligned with the trench and extending farther into the N-type semiconductor than other portions of the P-type semiconductor. The light sensor also includes a passivation layer stacked on and contacting the P-type semiconductor and partially defining the trench that extends through the passivation layer and into the P-type semiconductor. The light sensor further includes an electrical contact stacked on the passivation layer, positioned within the trench, and extending through the passivation layer into the P-type semiconductor such that photons received by the N-type semiconductor generate photocurrent resulting in a voltage at the electrical contact.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/0296 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
H01L 31/0336 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes dans des régions semi-conductrices différentes, p.ex. des hétéro-jonctions Cu2X/CdX, X étant un élément du groupe VI de la classification périodique
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/103 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à homojonction
G01J 1/42 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
A micro-machined optical shutter includes an entry layer with a through-passage having an input side adapted to receive incoming light and an output side, and an exit layer with a through-passage having an input side comprising a pinhole and an output side. The entry and exit layers are vertically aligned, thereby providing an optical path such that light exiting the entry layer enters the exit layer via the pinhole unless the optical path is interrupted. An actuation plane positioned between the entry and exit layers comprises a shutter blade and an actuator arranged to move the shutter blade laterally with respect to the pinhole when actuated. The shutter blade preferably has a reflective angled surface such that, when the blade covers the pinhole, the angled surface redirects light on the optical path away from the pinhole, preferably into a micromachined beam dump.
G02B 26/02 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander l'intensité de la lumière
G02B 7/04 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques pour lentilles avec mécanisme de mise au point ou pour faire varier le grossissement
38.
Through-substrate vias formed by bottom-up electroplating
A method of forming void-free, high aspect ratio through-substrate vias by “bottom-up” electroplating. In one embodiment, the method requires providing a substrate, forming a dielectric layer on the substrate's bottom side, providing at least one perforation through the dielectric layer, forming a via hole through the substrate from its top side to the dielectric layer and over the perforations, forming an isolation layer on the sidewalls of the via hole, forming a metal seed layer on the bottom side of the dielectric layer, electroplating the seed layer such that all of the perforations are plugged, and electroplating up the via hole from the plugs to fill the via hole.
H01L 21/4763 - Dépôt de couches non isolantes, p. ex. conductrices, résistives sur des couches isolantesPost-traitement de ces couches
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/52 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
39.
Global-shutter vertically integrated pixel with high dynamic range
ph, a transfer gate connected in series between the PPD and a first node, a low-gain select transistor connected between the first node and a second node, a reset transistor connected between the second node and a reset voltage, a capacitance connected between the second node and a first constant potential, and a source-follower transistor whose source, gate and drain are connected to an output node, the first node and a second constant potential, respectively. When properly arranged, a vertically integrated (3D) global-shutter pinned PPD pixel is provided, which uses an overflow integration capacitor and subthreshold conduction of the reset transistor for increased dynamic range. Global shutter operation is achieved by storing the pixel output on sampling capacitors in another semiconductor layer at the end of integration.
H04N 5/363 - Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit appliqué au bruit de réinitialisation, p.ex. bruit de type KTC
H04N 5/378 - Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé [CDS], amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
A differential data transmitter with pre-emphasis comprises a main driver coupled to receive an input data stream and to produce a main differential output stream which varies with the input stream, circuitry which provides a delayed and inverted version of the input stream, and a first pre-emphasis driver coupled to the output of the circuitry and arranged to produce a pre-emphasis differential output stream which varies with the delayed and inverted input stream. The pre-emphasis differential output stream is coupled to the main differential output stream to produce differential data transmitter output signals. The main and pre-emphasis drivers operate in parallel, with the pre-emphasis driver boosting the output signals when consecutive bits in the input stream change state, and attenuating the output signals when consecutive bits in the input stream do not change state.
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
A method of fabricating a voltage-tunable liquid crystal-based notch filter requires filling at least two LC cells with cholesteric LC material to create LH and RH LC cells while applying heat to the cell substrates such that their temperatures are raised to near, but below, the clearing point, such that the LC material remains in the cholesteric state. An AC voltage is applied and turned off repeatedly while the LC cells cool down to room temperature, to cause the LC molecules to temporarily deviate from their intrinsic helical alignment. The cells are passed under a UV light sufficient to create cross-linked polymer networks, and self-compensation is used to compensate for in-band retardation. The resulting LH and RH LC cells are stacked such that the electrodes on adjacent substrates are connected to form a common electrode.
G02F 1/133 - Dispositions relatives à la structureExcitation de cellules à cristaux liquidesDispositions relatives aux circuits
G02F 1/137 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p. ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides caractérisés par l'effet électro-optique ou magnéto-optique, p. ex. transition de phase induite par un champ, effet d'orientation, interaction entre milieu récepteur et matière additive ou diffusion dynamique
G02F 1/1334 - Dispositions relatives à la structure basées sur des cristaux liquides dispersés dans un polymère, p. ex. cristaux liquides micro-encapsulés
G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
G02F 1/1341 - Remplissage ou fermeture des cellules
G02F 1/1347 - Disposition de couches ou de cellules à cristaux liquides dans lesquelles un faisceau lumineux est modifié par l'addition des effets de plusieurs couches ou cellules
A light sensor includes an N-type semiconductor. The light sensor further includes a P-type semiconductor stacked on at least a portion of the N-type semiconductor, partially defining a trench extending into the P-type semiconductor, and having a trench portion aligned with the trench and extending farther into the N-type semiconductor than other portions of the P-type semiconductor. The light sensor also includes a passivation layer stacked on and contacting the P-type semiconductor and partially defining the trench that extends through the passivation layer and into the P-type semiconductor. The light sensor further includes an electrical contact stacked on the passivation layer, positioned within the trench, and extending through the passivation layer into the P-type semiconductor such that photons received by the N-type semiconductor generate photocurrent resulting in a voltage at the electrical contact.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/0296 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
H01L 31/0336 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes dans des régions semi-conductrices différentes, p.ex. des hétéro-jonctions Cu2X/CdX, X étant un élément du groupe VI de la classification périodique
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/103 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à homojonction
G01J 1/42 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations
43.
Interface-free thermal management system for high power devices co-fabricated with electronic circuit
A thermal-interface-material (TIM)-free thermal management apparatus includes a thermally-conductive unitary structure having an integrated circuit (IC) side and cooling system side, the thermally-conductive unitary structure including a plurality of high aspect ratio micro-pillars or porous structures extending from the IC side and a cooling system extending from the cooling system side. The cooling system may be selected from the group consisting of: a vapor chamber, micro-channel cooler, jet-impingement chamber, and air-cooled heat sink. The cooling system and the plurality of high aspect ratio micro-pillars form part of the same homogenous and thermally-conductive unitary structure.
F28F 3/04 - Éléments ou leurs ensembles avec moyens pour augmenter la surface de transfert de chaleur, p. ex. avec des ailettes, avec des évidements, avec des ondulations les moyens faisant partie intégrante de l'élément
F28D 15/02 - Appareils échangeurs de chaleur dans lesquels l'agent intermédiaire de transfert de chaleur en tubes fermés passe dans ou à travers les parois des canalisations dans lesquels l'agent se condense et s'évapore, p. ex. tubes caloporteurs
F28D 15/04 - Appareils échangeurs de chaleur dans lesquels l'agent intermédiaire de transfert de chaleur en tubes fermés passe dans ou à travers les parois des canalisations dans lesquels l'agent se condense et s'évapore, p. ex. tubes caloporteurs avec des tubes ayant une structure capillaire
H01L 23/427 - Refroidissement par changement d'état, p. ex. caloducs
F28D 21/00 - Appareils échangeurs de chaleur non couverts par l'un des groupes
44.
Spectroscopic focal plane array and method of making same
A semiconductor material emitting device is positioned such that its output flux impinges on a substrate at a non-perpendicular angle, so as to grow a first epilayer which is linearly graded in the direction perpendicular to the growth direction. The linear grading can be arranged such that, for example, each row of pixels has a different cutoff wavelength, thereby making it possible to provide a spectroscopic FPA without the use of filters. The non-perpendicular angle and/or the flux intensity can be adjusted to achieve a desired compositional grading. A spectral ellipsometer may be used to monitor the composition of the epilayer during the fabrication process, and to control the intensity of the flux.
H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale
G01J 5/20 - Pyrométrie des radiations, p. ex. thermométrie infrarouge ou optique en utilisant des détecteurs électriques de radiations en utilisant des éléments résistants, thermorésistants ou semi-conducteurs sensibles aux radiations, p. ex. des dispositifs photoconducteurs
H04N 5/33 - Transformation des rayonnements infrarouges
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
A HDR CTIA pixel which provides automatic gain selection, and spatial and temporal coherence. The pixel comprises an input node for connection to a photocurrent, and an output node. The pixel includes a CTIA which comprises a “high gain” integration capacitor and a first reset switch connected between the input and output nodes, a “low gain” integration capacitor connected between the input node and a first node, a second reset switch connected between the first node and the output node, and a first FET connected across the second reset switch. In operation, the first FET is off during the reset phase, and is conditionally turned on during or after the integration phase. The CTIA also includes an amplifier having an inverting input connected to the input node and an output connected to the output node. The pixel can be operated in “static low-gain control” and “dynamic low-gain control” modes.
A FET with a buried gate structure. The FET's gate electrode comprises a plurality of buried gate structures, the tops of which extend above the substrate's top surface and the bottoms of which are buried to a depth at least equal to that of the bottom of the channel layer, or the 2DEG plane within a channel layer for a HEMT, such that the buried gate structures contact the channel layer only from its sides. A head portion above and not in contact with the substrate's top surface contacts the tops of and interconnects all of the buried gate structures. Drain current is controlled by channel width modulation by lateral gating of the channel layer by the buried gates structures. The FET may include at least one field plate which comprises a slit structure in which the field plate is divided into segments.
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/24 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des matériaux semi-conducteurs inorganiques non couverts par les groupes , , ou
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/812 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à grille Schottky
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
A FET with a buried gate structure. The FET' s gate electrode comprises a plurality of buried gate structures, the tops of which extend above the substrate's top surface and the bottoms of which are buried to a depth at least equal to that of the bottom of the channel layer, or the 2DEG plane within a channel layer for a HEMT, such that the buried gate structures contact the channel layer only from its sides. A head portion above and not in contact with the substrate's top surface contacts the tops of and interconnects all of the buried gate structures. Drain current is controlled by channel width modulation by lateral gating of the channel layer by the buried gates structures. The FET may include at least one field plate which comprises a slit structure in which the field plate is divided into segments.
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
A FET employing a micro-scale device array structure comprises a substrate on which an epitaxial active channel area has been grown, with a plurality of micro-cells uniformly distributed over the active channel area. Each micro-cell comprises a source electrode, a drain electrode, and at least one gate electrode, with a first metal layer interconnecting either the drain or the source electrodes, a second metal layer interconnecting the gate electrodes, and a third metal layer interconnecting the other of the drain or source electrodes. Each micro-cell preferably comprises a source or drain electrode at the center of the micro-cell, with the corresponding drain or source electrode surrounding the center electrode. The number and width of the gate electrodes in each micro-cell may be selected to achieve a desired power density and/or heat distribution, and/or to minimize the FET's junction temperature. The FET structure may be used to form, for example, HEMTs or MESFETs.
H01L 29/15 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p.ex. puits quantiques multiples, superréseaux
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 21/337 - Transistors à effet de champ à jonction PN
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
50.
High flux, chlorine resistant coating for sulfate removal membranes
A filtration membrane coating comprising a hydrophilic polymer, a surfactant, and one or more charged compounds, each containing one or more sulfonate functionalities and one or more linkable functionalities selected from the group consisting of amine, monochlorotriazine, and dichlorotriazine. The hydrophilic polymer and surfactant form a thin primer layer which is also superhydrophilic. The primer layer improves flux, and enables improved adhesion of the one or more charged compounds, which form a charged dye layer on top of the primer layer when enhances rejection of charged divalent ions. The coating can be applied while the membrane is packaged in its final form, such as in a spiral wound or other configuration.
B01D 69/02 - Membranes semi-perméables destinées aux procédés ou aux appareils de séparation, caractérisées par leur forme, leur structure ou leurs propriétésProcédés spécialement adaptés à leur fabrication caractérisées par leurs propriétés
B01D 71/82 - Matériaux macromoléculaires non prévus spécifiquement dans un seul des groupes caractérisés par la présence de groupes déterminés, p. ex. introduits par un post-traitement chimique
C02F 1/44 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par dialyse, osmose ou osmose inverse
C02F 103/08 - Eau de mer, p. ex. pour le dessalement
A magnetic field coil assembly includes a plurality of stacked dielectric layers, each of the plurality of stacked dielectric layers having a partial-loop conductive trace on a first side of the layer, a via interconnect in communication with the partial-loop conductive trace and extending from the first side of the layer to a side of the layer opposite from the first side, and a vapor cell reception aperture; and a vapor cell axially extending through the plurality of vapor cell reception apertures so that the plurality of partial-loop conductive traces is electrically connected serially to form a continuous coil disposed around the vapor cell that would create a magnetic field upon application of a current.
H01S 3/00 - Lasers, c.-à-d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet
H03L 7/26 - Commande automatique de fréquence ou de phaseSynchronisation utilisant comme référence de fréquence les niveaux d'énergie de molécules, d'atomes ou de particules subatomiques
G01R 33/032 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs magnéto-optiques, p. ex. par effet Faraday
A physics package apparatus for a compact atomic device includes a container having a plurality of slots and an open end, a first vapor cell carrier slidably seated in one of the plurality of slots, a vapor cell coupled to the first vapor cell carrier; and a lid sealably enclosing the open end so that the vapor cell is sealably enclosed in the container.
G01C 19/60 - Gyromètres à résonance magnétique nucléaire ou électronique
G01R 33/26 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques faisant intervenir la résonance magnétique pour la mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques utilisant le pompage optique
G04F 5/14 - Appareils pour la production d'intervalles de temps prédéterminés, utilisés comme étalons utilisant des horloges atomiques
H03B 17/00 - Production d'oscillations au moyen d'une source de rayonnement et d'un détecteur
H03L 7/26 - Commande automatique de fréquence ou de phaseSynchronisation utilisant comme référence de fréquence les niveaux d'énergie de molécules, d'atomes ou de particules subatomiques
G01R 33/28 - Détails des appareils prévus dans les groupes
G01R 33/24 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques faisant intervenir la résonance magnétique pour la mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
H01F 17/00 - Inductances fixes du type pour signaux
A61N 2/02 - Magnétothérapie utilisant des champs magnétiques produits par des bobines, y compris par des boucles à spire unique ou par des électro-aimants
A61N 5/06 - Thérapie par radiations utilisant un rayonnement lumineux
Systems, devices, and methods including a bullet; a retroreflector array adhered to a base of the bullet, the retroreflector array having prism facets with a periodicity between 0.2 mm-2.0 mm; and a cover disposed over the retroreflector array and hermetically sealed at the base of the bullet; where the cover is disposed over the retroreflector array in a first position prior to firing, and where the cover is released from the base of the bullet in a second position after firing.
F42B 12/38 - Projectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour libérer des matériaux, des corps ou des particulesProjectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour produire une réaction chimique ou physiqueProjectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour la signalisation du type traçant
F41G 3/08 - Dispositifs de pointage avec correcteurs de vitesse, direction, température, pression ou humidité de l'atmosphère
Provided is an apparatus, system, and method for targeted memory enhancement. A computer processing circuit receives a plurality of electroencephalography (EEG) signals from a plurality of spatially separated EEG sensors located on the head of a subject that is asleep. A first process of the computer processing system determines a sleep state of the subject and upon determining that the subject is in sleep stage 2 or 3 based on a specific EEG signal, the processing system triggers a second process of the computer processing system that determines a transition event in the specific EEG signal, and upon detecting the transition event delivers an intervention to the subject designed to evoke a specific neurophysiological change to the subject.
A61N 1/36 - Application de courants électriques par électrodes de contact courants alternatifs ou intermittents pour stimuler, p. ex. stimulateurs cardiaques
A61B 5/0482 - Electro-encéphalographie utilisant une rétroaction biologique
A61M 21/02 - Autres dispositifs ou méthodes pour amener un changement dans l'état de conscienceDispositifs pour provoquer ou arrêter le sommeil par des moyens mécaniques, optiques ou acoustiques, p. ex. pour mettre en état d'hypnose pour provoquer le sommeil ou la relaxation, p. ex. par stimulation directe des nerfs, par hypnose ou par analgésie
55.
System and method for noninvasive identification of cognitive and behavioral goals
A brain machine interface system for use with an electroencephalogram to identify a behavioral intent of a person is disclosed. The system includes an electroencephalogram configured to sense electromagnetic signals generated by a brain of a person. The electromagnetic signals include a time component and a frequency component. A monitor monitors a response of the person to a stimulus and a characteristic of the stimulus. A synchronization module synchronizes the sensed electromagnetic signals with the response and the characteristic to determine a set of electromagnetic signals corresponding to the monitored response and the characteristic. A processor processes the set of electromagnetic signals and extracts feature vectors. The feature vectors define a class of behavioral intent. The processor determines the behavioral intent of the person based on the feature vectors. A brain machine interface and a method for identifying a behavioral intent of a person is also disclosed.
A61F 2/72 - Commandes bioélectriques, p. ex. myoélectriques
G06F 3/01 - Dispositions d'entrée ou dispositions d'entrée et de sortie combinées pour l'interaction entre l'utilisateur et le calculateur
A61B 5/16 - Dispositifs pour la psychotechnieTest des temps de réaction
A61B 3/113 - Appareils pour l'examen optique des yeuxAppareils pour l'examen clinique des yeux du type à mesure objective, c.-à-d. instruments pour l'examen des yeux indépendamment des perceptions ou des réactions du patient pour déterminer ou enregistrer le mouvement de l'œil
A61B 5/04 - Mesure de signaux bioélectriques du corps ou de parties de celui-ci
A61B 5/048 - Détection de la répartition de fréquence dans les signaux
A61B 5/0484 - Electro-encéphalographie utilisant des réponses provoquées
A61B 5/11 - Mesure du mouvement du corps entier ou de parties de celui-ci, p. ex. tremblement de la tête ou des mains ou mobilité d'un membre
A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
G06F 3/0484 - Techniques d’interaction fondées sur les interfaces utilisateur graphiques [GUI] pour la commande de fonctions ou d’opérations spécifiques, p. ex. sélection ou transformation d’un objet, d’une image ou d’un élément de texte affiché, détermination d’une valeur de paramètre ou sélection d’une plage de valeurs
56.
SYSTEM AND METHOD FOR NONINVASIVE IDENTIFICATION OF COGNITIVE AND BEHAVIORAL GOALS
A brain machine interface system for use with an electroencephalogram to identify a behavioral intent of a person is disclosed. The system includes an electroencephalogram configured to sense electromagnetic signals generated by a brain of a person. The electromagnetic signals include a time component and a frequency component. A monitor monitors a response of the person to a stimulus and a characteristic of the stimulus. A synchronization module synchronizes the sensed electromagnetic signals with the response and the characteristic to determine a set of electromagnetic signals corresponding to the monitored response and the characteristic. A processor processes the set of electromagnetic signals and extracts feature vectors. The feature vectors define a class of behavioral intent. The processor determines the behavioral intent of the person based on the feature vectors. A brain machine interface and a method for identifying a behavioral intent of a person is also disclosed.
A bidirectional amplifier includes first and second ports, with a first summing node connected to the first port and a second summing node connected to the second port. First and second gain stages are connected between the first and second summing nodes, respectively, and a first node. First and second feedback stages are also connected between the first and second summing nodes, respectively, and the first node. The amplifier operates in a first mode in which an amplified version of a signal applied to the first port is provided at the second port, or a second mode in which an amplified version of a signal applied to the second port is provided at the first port. The first and second gain stages are preferably first and second common emitter cascode arrangements, and the first and second feedback stages are preferably first and second emitter followers.
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
A dual-threaded bushing and spacer assembly capable of accepting standard adhesive staking and thereby enabling compliance with NASA space flight fastener staking requirements. The assembly comprises a bushing having a head with top and bottom surfaces, inner threads, and outer threads, and a spacer having top and bottom surfaces and arranged to accept the bushing. This is achieved by providing a counterbored countersink in the spacer which provides a countersunk surface within the spacer. The countersunk surface provides a contact surface for the bushing head's bottom surface when the bushing is installed in the spacer. The spacer is further arranged such that the countersunk surface is such that, when the bushing is installed, the bushing's top surface is below the spacer's top surface. When so arranged, adhesive staking can be placed between the bushing's top surface and the spacer's vertical counterbored surface.
The sintered electrical contact material described in this specification includes at least one salt dispersed within a silver matrix, and no more than 100 ppm of cadmium and cadmium compounds. The sintered electrical contact material exhibit contact resistances much lower than commercially available silver composites. The salts dispersed within the silver matrix represent a new class of additives for silver composites for high and low current applications.
H01H 1/023 - Matériau composite avec un métal noble comme matériau de base
H01H 11/04 - Appareillages ou procédés spécialement adaptés à la fabrication d'interrupteurs électriques de contacts d'interrupteurs
C22C 32/00 - Alliages non ferreux contenant entre 5 et 50% en poids d'oxydes, de carbures, de borures, de nitrures, de siliciures ou d'autres composés métalliques, p. ex. oxynitrures, sulfures, qu'ils soient soient ajoutés comme tels ou formés in situ
B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
B22F 3/16 - Compactage et frittage par des opérations successives ou répétées
B22F 3/24 - Traitement ultérieur des pièces ou objets
B22F 5/12 - Fabrication de pièces ou d'objets à partir de poudres métalliques caractérisée par la forme particulière du produit à réaliser de tubes ou de fils
B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p. ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule
60.
Interface-free thermal management system for high power devices co-fabricated with electronic circuit
A thermal-interface-material (TIM)-free thermal management apparatus includes a thermally-conductive unitary structure having an integrated circuit (IC) side and cooling system side, the thermally-conductive unitary structure including a plurality of high aspect ratio micro-pillars or porous structures extending from the IC side and a cooling system extending from the cooling system side. The cooling system may be selected from the group consisting of: a vapor chamber, micro-channel cooler, jet-impingement chamber, and air-cooled heat sink. The cooling system and the plurality of high aspect ratio micro-pillars form part of the same homogenous and thermally-conductive unitary structure.
F28F 3/04 - Éléments ou leurs ensembles avec moyens pour augmenter la surface de transfert de chaleur, p. ex. avec des ailettes, avec des évidements, avec des ondulations les moyens faisant partie intégrante de l'élément
F28D 15/02 - Appareils échangeurs de chaleur dans lesquels l'agent intermédiaire de transfert de chaleur en tubes fermés passe dans ou à travers les parois des canalisations dans lesquels l'agent se condense et s'évapore, p. ex. tubes caloporteurs
F28D 15/04 - Appareils échangeurs de chaleur dans lesquels l'agent intermédiaire de transfert de chaleur en tubes fermés passe dans ou à travers les parois des canalisations dans lesquels l'agent se condense et s'évapore, p. ex. tubes caloporteurs avec des tubes ayant une structure capillaire
H01L 23/427 - Refroidissement par changement d'état, p. ex. caloducs
F28D 21/00 - Appareils échangeurs de chaleur non couverts par l'un des groupes
Systems, devices, and methods for determining a time of flight (TOF) of a first bullet fired from a gun to pass a target plane of a target; determining a location of an aimpoint on the target in an imager field of view (FOV) relative to a disturbed reticle at a time the first bullet is fired by the gun; determining a location of the first bullet relative to the location of the aimpoint on the target at the TOF in the imager FOV; and determining an updated location of the disturbed reticle based on a difference between the location of the first bullet and the location of the aimpoint on the target at the time the first bullet crosses the target plane and a difference between the location of the disturbed reticle and the location of the aimpoint on the target at the time the first bullet was fired.
F41J 5/00 - Systèmes indicateurs pour le tir à la cibleSystèmes détecteurs de coups au but ou indicateurs de score
F41G 1/473 - Appareils de visée pour utilisations particulières pour l'indication de correction de vitesse ou de distance, p. ex. sur les fusils ou les fusils de chasse
F42B 12/38 - Projectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour libérer des matériaux, des corps ou des particulesProjectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour produire une réaction chimique ou physiqueProjectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour la signalisation du type traçant
G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
G01S 17/66 - Systèmes de poursuite utilisant d'autres ondes électromagnétiques que les ondes radio
G01S 17/89 - Systèmes lidar, spécialement adaptés pour des applications spécifiques pour la cartographie ou l'imagerie
F41G 3/16 - Dispositifs de visée adaptés pour le pointage indirect
G01S 17/02 - Systèmes utilisant la réflexion d'ondes électromagnétiques autres que les ondes radio
62.
Retroreflector array and cover for optical bullet tracking
Systems, devices, and methods including a bullet; a retroreflector array adhered to a base of the bullet, the retroreflector array having prism facets with a periodicity between 0.2 mm-2.0 mm; and a cover disposed over the retroreflector array and hermetically sealed at the base of the bullet; where the cover is disposed over the retroreflector array in a first position prior to firing, and where the cover is released from the base of the bullet in a second position after firing.
F42B 10/00 - Moyens pour influencer, p. ex. pour améliorer, les propriétés aérodynamiques de projectilesDispositions sur les projectiles pour la stabilisation, le pilotage, le freinage de la chute, la réduction ou l'augmentation de la portée
F42B 8/00 - Munitions pour l'entraînement ou pour l'instruction
F42B 30/00 - Projectiles non prévus ailleurs, caractérisés par la catégorie ou le type de munitions, p. ex. par le lanceur ou l'arme utilisés
F42B 12/38 - Projectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour libérer des matériaux, des corps ou des particulesProjectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour produire une réaction chimique ou physiqueProjectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour la signalisation du type traçant
F42B 33/00 - Fabrication de munitionsDémontage de munitionsAppareils à cet effet
F41G 3/32 - Dispositifs pour tests ou pour vérifications
F41G 3/08 - Dispositifs de pointage avec correcteurs de vitesse, direction, température, pression ou humidité de l'atmosphère
F41G 3/16 - Dispositifs de visée adaptés pour le pointage indirect
Systems, devices, and methods including a bullet (114,1102); a retroreflector array (1104) adhered to a base of the bullet (410, 610), the retroreflector array (1104) having prism facets with a periodicity between 0.2 mm - 2.0 mm; and a cover (1112) disposed over the retroreflector array and hermetically sealed at the base (1106) of the bullet (1102); where the cover (1112) is disposed over the retroreflector array (1104) in a first position prior to firing, and where the cover is released from the base of the bullet in a second position after firing.
F42B 12/38 - Projectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour libérer des matériaux, des corps ou des particulesProjectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour produire une réaction chimique ou physiqueProjectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour la signalisation du type traçant
F42B 33/00 - Fabrication de munitionsDémontage de munitionsAppareils à cet effet
F41G 3/32 - Dispositifs pour tests ou pour vérifications
F41G 3/08 - Dispositifs de pointage avec correcteurs de vitesse, direction, température, pression ou humidité de l'atmosphère
F41G 3/16 - Dispositifs de visée adaptés pour le pointage indirect
Systems, devices, and methods for determining a time of flight (TOF) of a first bullet fired from a gun to pass a target plane (116) of a target (102,214,414,614); determining a location of an aimpoint on the target (214,414,614) in an imager field of view (FOV) (216) relative to a disturbed reticle (210) at a time the first bullet (114) is fired by the gun; determining a location of the first bullet (114) relative to the location of the aimpoint on the target at the TOF in the imager FOV (216); and determining an updated location of the disturbed reticle (222) based on a difference between the location of the first bullet (114) and the location of the aimpoint on the target (214,414,614) at the time the first bullet crosses the target plane and a difference between the location of the disturbed reticle and the location of the aimpoint on the target at the time the first bullet was fired.
F41G 3/08 - Dispositifs de pointage avec correcteurs de vitesse, direction, température, pression ou humidité de l'atmosphère
F41G 3/06 - Dispositifs de pointage avec télémètre
G01S 17/10 - Systèmes déterminant les données relatives à la position d'une cible pour mesurer la distance uniquement utilisant la transmission d'ondes à modulation d'impulsion interrompues
F42B 12/38 - Projectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour libérer des matériaux, des corps ou des particulesProjectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour produire une réaction chimique ou physiqueProjectiles ou mines caractérisés par la charge militaire, l'effet recherché ou le matériau caractérisés par la nature de la charge militaire ou par l'effet recherché pour la signalisation du type traçant
A penetrator device has an outer housing of non-conductive, insulating material having a through bore, at least one conductive pin formed in one or two parts extending through the housing and having a first end portion and a second end portion extending out of the respective first and second ends of the housing, a first cladding layer bonded over the first end portion of the pin to form a first bonded assembly, a second cladding layer bonded over the second end portion of the pin to form a second bonded assembly, and the material of the first and second cladding layer comprising a corrosion resistant conductive material different from the pin material.
An osmotic transport apparatus includes a heat conducting chamber having an inner wall, a heat absorption end and a heat dissipation end, an osmotic membrane extending substantially longitudinally along an inner wall of the heat conducting chamber from the heat absorption end to the heat dissipation end, a liquid salt solution disposed in the osmotic membrane, and an inner vapor cavity so that when heat is applied to the heat absorption end, vapor is expelled from the osmotic membrane at the heat absorption end, is condensed on the osmotic membrane at the heat dissipation end, and is drawn into the osmotic membrane at the heat dissipation end for passive pumping transport back to the heat absorption end as more condensate is drawn through the osmotic membrane.
F28D 15/04 - Appareils échangeurs de chaleur dans lesquels l'agent intermédiaire de transfert de chaleur en tubes fermés passe dans ou à travers les parois des canalisations dans lesquels l'agent se condense et s'évapore, p. ex. tubes caloporteurs avec des tubes ayant une structure capillaire
F28D 15/02 - Appareils échangeurs de chaleur dans lesquels l'agent intermédiaire de transfert de chaleur en tubes fermés passe dans ou à travers les parois des canalisations dans lesquels l'agent se condense et s'évapore, p. ex. tubes caloporteurs
B01D 53/34 - Épuration chimique ou biologique des gaz résiduaires
Cookware such as griddles and pots are formed with an oscillation mini-channel that winds back-and-forth between direct and indirect heating regions. An operating fluid that occupies 30-90 percent of the volume of the oscillation mini-channel is placed under vacuum. The mini-channel is dimensioned to produce capillary forces that create vapor bubbles and liquid slugs interspersed throughout the oscillation mini-channel. Heating of the direct heating region creates oscillatory movements of the vapor bubbles and liquid slugs that transfers heat from the direct heating region to the indirect heating region to maintain a more uniform temperature across the food-heating zone. The cookware may exhibit an effective thermal conductivity of at least 1,000 W/m.K.
An arrangement for making electrical contact to a vertical capacitor having top and bottom metal layers separated by a dielectric, and at least one trench. Recesses are formed in an oxide layer over the capacitor to provide access to the top and bottom metal layers. The recesses include contacting portions preferably positioned such that there is no overlap between them and any of the trenches. Metal in the recesses, preferably copper, forms electrical contacts to the vertical capacitor's metal layers and enables reliable bonding to copper metallization on other layers such as an ROIC layer. ‘Dummy’ capacitors may be tiled on portions of the IC where there are no vertical capacitors, preferably with the top surfaces of their top metal at a height approximately equal to that of the top surface of the vertical capacitor's top metal, thereby enabling the IC to be planarized with a uniform planarization thickness.
H01L 27/14 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit ra
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/94 - Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS
H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique
H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p. ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantesPost-traitement de ces couches
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
This invention pertains to a source follower circuit suitable for receiving and buffering an input voltage and providing the buffered input voltage to a sampling capacitor via a sampling switch. The source follower circuit employs a slew enhancement circuit which enables the source follower to have fast settling for both high-to-low and low-to-high transitions.
H03K 3/00 - Circuits pour produire des impulsions électriquesCircuits monostables, bistables ou multistables
H03K 5/04 - Mise en forme d'impulsions par augmentation de duréeMise en forme d'impulsions par diminution de durée
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
70.
MULTI-FUNCTIONAL HIGH TEMPERATURE STRUCTURE FOR THERMAL MANAGEMENT AND PREVENTION OF EXPLOSION PROPAGATION
A system for thermal management and structural containment includes an enclosure (120), a heat source (100) disposed within the enclosure (120); and a wick (105) encompassing at least a portion of an outer surface of the heat source (100).
A multicolor imaging device capable of imaging two or more wavelengths with a single pixel comprises an avalanche photodiode having a material composition such that only one carrier causes substantially all of the impact ionization that occurs within the photodiode. The photodiode is arranged such that, when reverse-biased, the photodiode's gain varies with the photon energy of incident light. The photodiode, preferably a PIN avalanche photodiode or a separate absorber-multiplier photodiode, produces an output signal which can include at least two components produced in response to two different wavelengths of incident light. Circuitry receiving the output signal would typically include a means of extracting each of the components from the output signal.
H01L 31/105 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PIN
H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
H01L 31/0296 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIBVI, p.ex. CdS, ZnS, HgCdTe
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
72.
Detector systems having stray light suppression using a retro-reflector shield and negative luminescence
An infrared detector system is provided for detecting infrared radiation from an infrared radiation source or a scene. The system includes a first area that is semiconductor-based and biased to produce negative luminescence, the first area including at least one semiconductor-based detector. The detector system further includes at least one additional area being semiconductor-based and biased to produce negative luminescence. A low-emissivity specular retro-reflector shield is configured to reflect infrared radiation and covers the first area and the at least one additional area. The shield defines an aperture to allow the at least one semiconductor-based detector to receive incident rays of the infrared radiation from the infrared radiation source or the scene via a low-scatter, low-emission optical system such that the radiation incident from the infrared radiation source or scene substantially fills the solid angle defined by the aperture at any point in the first area.
A biohybrid dual chamber fuel cell and method for producing sustainable electrical power from unprocessed biomass include a microbial fuel cell (MFC) for processing the biomass into a clean fuel, a direct alcohol fuel cell (DAFC) operatively connected to the microbial fuel cell for oxidizing the clean fuel to generate electrical power and a separation barrier in the form of a reverse osmosis membrane disposed intermediate the MFC and the DAFC which prevents the diffusion of impurities from the MFC into the DAFC and the return flow of oxidation by-products from the DAFC into the MFC.
H01M 8/16 - Éléments à combustible biochimique, c.-à-d. éléments dans lesquels des micro-organismes agissent comme catalyseurs
H01M 8/0612 - Combinaison d’éléments à combustible avec des moyens de production de réactifs ou pour le traitement de résidus avec des moyens de production des réactifs gazeux à partir de matériaux contenant du carbone
H01M 8/1011 - Éléments à combustible à alcool direct, p. ex. éléments à combustible à méthanol direct
74.
Electromagnetic device having layered magnetic material components and methods for making same
A micro fabricated electromagnetic device and method for fabricating its component structures, the device having a layered magnetic core of a potentially unlimited number of alternating insulating and magnetic layers depending upon application, physical property and performance characteristic requirements for the device. Methods for fabricating the high performing device permit cost effective, high production rates of the device and its component structures without any degradation in device performance resulting from component layering.
H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants
H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
H01F 41/24 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer des pellicules magnétiques sur des substrats à partir de liquides
C22C 19/07 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de cobalt
C22C 19/03 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de nickel
75.
Multi-functional structure for thermal management and prevention of failure propagation
A system for thermal management and structural containment includes a first battery cell having first and second terminal ends, and a first capillary void matrix formed in an outer casing of the first battery cell.
H01M 2/20 - Connexions conductrices du courant pour les éléments
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
H01M 2/10 - Montures; Dispositifs de suspension; Amortisseurs; Dispositifs de manutention ou de transport; Supports
H01M 2/12 - Events ou autres aménagements mécaniques pour faciliter l'échappement des gaz
H01M 10/613 - Refroidissement ou maintien du froid
H01M 10/655 - Structures solides pour l'échange ou la conduction de la chaleur
F28D 15/04 - Appareils échangeurs de chaleur dans lesquels l'agent intermédiaire de transfert de chaleur en tubes fermés passe dans ou à travers les parois des canalisations dans lesquels l'agent se condense et s'évapore, p. ex. tubes caloporteurs avec des tubes ayant une structure capillaire
H01M 50/20 - MonturesBoîtiers secondaires ou cadresBâtis, modules ou blocsDispositifs de suspensionAmortisseursDispositifs de transport ou de manutentionSupports
H01M 50/30 - Aménagements pour faciliter l’échappement des gaz
H01M 50/213 - Bâtis, modules ou blocs de multiples batteries ou de multiples cellules caractérisés par leur forme adaptés aux cellules ayant une section transversale courbée, p. ex. ronde ou elliptique
H01M 50/502 - Interconnecteurs pour connecter les bornes des batteries adjacentesInterconnecteurs pour connecter les cellules en dehors d'un boîtier de batterie
76.
Multi-functional structure for thermal management and prevention of failure propagation
A system for thermal management and structural containment includes a first battery cell having first and second terminal ends, and a first capillary void matrix disposed about an outer casing of the first battery cell.
H01M 2/12 - Events ou autres aménagements mécaniques pour faciliter l'échappement des gaz
H01M 2/10 - Montures; Dispositifs de suspension; Amortisseurs; Dispositifs de manutention ou de transport; Supports
H01M 2/20 - Connexions conductrices du courant pour les éléments
H01M 10/613 - Refroidissement ou maintien du froid
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
F28D 15/04 - Appareils échangeurs de chaleur dans lesquels l'agent intermédiaire de transfert de chaleur en tubes fermés passe dans ou à travers les parois des canalisations dans lesquels l'agent se condense et s'évapore, p. ex. tubes caloporteurs avec des tubes ayant une structure capillaire
H01M 50/20 - MonturesBoîtiers secondaires ou cadresBâtis, modules ou blocsDispositifs de suspensionAmortisseursDispositifs de transport ou de manutentionSupports
H01M 50/30 - Aménagements pour faciliter l’échappement des gaz
H01M 50/213 - Bâtis, modules ou blocs de multiples batteries ou de multiples cellules caractérisés par leur forme adaptés aux cellules ayant une section transversale courbée, p. ex. ronde ou elliptique
H01M 50/502 - Interconnecteurs pour connecter les bornes des batteries adjacentesInterconnecteurs pour connecter les cellules en dehors d'un boîtier de batterie
A method of isolating bad pixels on a wafer comprising the steps of determining physical locations of the bad pixels on the wafer, creating a mask based on the physical locations of the bad pixels, imprinting the mask onto the wafer, and hybridizing the wafer onto a readout integrated circuit (ROIC).
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H03K 4/08 - Génération d'impulsions ayant comme caractéristique essentielle une pente définie ou des parties en gradins à forme triangulaire en dents de scie
H03M 1/56 - Comparaison du signal d'entrée avec une rampe linéaire
H03M 1/08 - Compensation ou prévention continue de l'influence indésirable de paramètres physiques du bruit
A coated granular filtration medium (10) is formed by the deposition of an electrolyte layer (16) onto core particles (12). The electrolyte layer (16) comprises a cationic polyelectrolyte. The coated granular filtration medium (10) provides a synergistic combination of filtration and in situ coagulation that enables efficient, effective, and economical decontamination of industrial and other wastewaters.
A coated granular filtration medium is formed by the deposition of an electrolyte layer onto core particles. The electrolyte layer comprises a cationic polyelectrolyte. The coated granular filtration medium provides a synergistic combination of filtration and in situ coagulation that enables efficient, effective, and economical decontamination of industrial and other wastewaters.
A flat optogenetic cuff interface (FOCI) is configured for functional optical stimulation of axons in a single fascicle of a peripheral nerve bundle in which the axons have been genetically modified to express light sensitive proteins for excitation or inhibition of the nerves. The FOCI is configured to gradually reshape the single fascicle to a final height between 0.2 mm and 0.5 mm by reorganizing the individual axons within the fascicle without reshaping (and damaging) the individual axons. The FOCI facilitates stimulation of axons over the entire cross-section of the reshaped fascicle within the power limitations for pulsed laser energy. An electrical interface may be included to sense nerve activity of either the stimulated axons to provide closed-loop feedback to control the optical sources or stimulated axons of a different modality to record the response. The FOCI may be used as an interface for prosthetic devices to restore lost sensory or motor function, to augment human sensor or motor performance or to modulate autonomic functions.
A capacitive trans-impedance amplifier circuit with charge injection compensation is provided. A feedback capacitor is connected between an inverting input port and an output port of an amplifier. A MOS reset switch has source and drain terminals connected between the inverting input and output ports of the amplifier, and a gate terminal controlled by a reset signal. The reset switch is open or inactive during an integration phase, and closed or active to electrically connect the inverting input port and output port of the amplifier during a reset phase. One or more compensation capacitors are provided that are not implemented as gate oxide or MOS capacitors. Each compensation capacitor has a first port connected to a compensation signal that is a static signal or a toggling compensation signal that toggles between two compensation voltage values, and a second port connected to the inverting input port of the amplifier.
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 3/08 - Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs commandés par la lumière
H04N 5/3745 - Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
H04N 5/378 - Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé [CDS], amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
83.
Multi-scale correspondence point matching using constellation of image chips
A method of matching images A and B of the same scene taken at different locations in the scene is provided by matching correspondence points in the image by evaluating pixel characteristics from nearby regions using a constellation of image chips and utilizing joint information across multiple resolution levels in a probability framework. Since each image chip is small, each chip in one image potentially can be matched with a number of chips in the other image. The accumulation of evidence (probability) over all image chips within the constellation over multiple resolution levels reduces the ambiguity. The use of a constellation of image chips removes the requirement present in most visual point matching techniques to special feature points (e.g. corner points) as the correspondence points.
G06K 9/62 - Méthodes ou dispositions pour la reconnaissance utilisant des moyens électroniques
G06T 7/33 - Détermination des paramètres de transformation pour l'alignement des images, c.-à-d. recalage des images utilisant des procédés basés sur les caractéristiques
A moving platform roll sensor system comprises an ellipsometric detector capable of detecting a polarized beam within the detector's line-of-sight, and measuring the beam's polarization state, such that the polarization state indicates the rotational orientation of the moving platform with respect to a predefined coordinate system. The ellipsometric detector comprises a venetian blind component through which the polarized beam passes, arranged such that the intensity of the exiting beam varies with its incident angle with respect to the moving platform, a polarizing beamsplitter which splits the exiting beam into components having orthogonal circular polarizations, the relative intensities of which vary with the relative polarization vector of the beam, and first and second detectors which receive the first and second orthogonal circular components and generate respective outputs that vary with the intensities of their received components. The beamsplitter preferably comprises a quarter wave plate and a polarization grating.
G01D 5/34 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens optiques, c.-à-d. utilisant de la lumière infrarouge, visible ou ultraviolette avec atténuation ou obturation complète ou partielle des rayons lumineux les rayons lumineux étant détectés par des cellules photo-électriques
G01D 5/347 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens optiques, c.-à-d. utilisant de la lumière infrarouge, visible ou ultraviolette avec atténuation ou obturation complète ou partielle des rayons lumineux les rayons lumineux étant détectés par des cellules photo-électriques en utilisant le déplacement d'échelles de codage
A moving object command link system includes a transmitter which outputs a EM beam and a steering mechanism which directs the beam toward one or more objects, at least one of which is moving. The system may include a variable attenuator which modulates the average output power of the beam, and/or a divergence controller to maintain a desired beam size. The beam may be polarized, and the system may include a polarization modulator which changes the beam's polarization in accordance with a predetermined sequence and schedule. The system may include a 1×2 switch to selectively provide the beam to one of first and second outputs. A tiltable dichroic beam splitter may be used to couple beams received from first and second objects to track cameras having respective boresights that are offset with respect to each other.
A system and method is disclosed for fabricating a heat spreader system, including providing a plurality of bottom microporous wicks recessed in a bottom substrate, bonding a center substrate to the bottom substrate, and bonding a top substrate having a top chamber portion to the center substrate to establish a first vapor chamber with said plurality of bottom microporous wicks.
F28D 15/02 - Appareils échangeurs de chaleur dans lesquels l'agent intermédiaire de transfert de chaleur en tubes fermés passe dans ou à travers les parois des canalisations dans lesquels l'agent se condense et s'évapore, p. ex. tubes caloporteurs
H01L 23/427 - Refroidissement par changement d'état, p. ex. caloducs
B23P 15/26 - Fabrication d'objets déterminés par des opérations non couvertes par une seule autre sous-classe ou un groupe de la présente sous-classe d'échangeurs de chaleur
F28D 15/04 - Appareils échangeurs de chaleur dans lesquels l'agent intermédiaire de transfert de chaleur en tubes fermés passe dans ou à travers les parois des canalisations dans lesquels l'agent se condense et s'évapore, p. ex. tubes caloporteurs avec des tubes ayant une structure capillaire
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H05K 3/22 - Traitement secondaire des circuits imprimés
F28F 21/04 - Structure des appareils échangeurs de chaleur caractérisée par l'emploi de matériaux spécifiés de céramiqueStructure des appareils échangeurs de chaleur caractérisée par l'emploi de matériaux spécifiés de bétonStructure des appareils échangeurs de chaleur caractérisée par l'emploi de matériaux spécifiés de pierre naturelle
A thermal interface material system includes a thermally conductive porous matrix, the thermally conductive porous matrix having a plurality of interstitial voids, and a thermally conductive colloidal suspension disposed on each side of the thermally conductive porous matrix to inhibit thermal pump-out of the thermally conductive colloidal suspension so that the thermally conductive porous matrix and thermally conductive colloidal suspension collectively form a thermally conductive porous pad.
H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
F28F 21/08 - Structure des appareils échangeurs de chaleur caractérisée par l'emploi de matériaux spécifiés de métal
F28F 13/00 - Dispositions pour modifier le transfert de chaleur, p. ex. accroissement, diminution
H01L 23/42 - Choix ou disposition de matériaux de remplissage ou de pièces auxiliaires dans le conteneur pour faciliter le chauffage ou le refroidissement
F28F 21/02 - Structure des appareils échangeurs de chaleur caractérisée par l'emploi de matériaux spécifiés de carbone, p. ex. de graphite
88.
Shared counter circuit with low-voltage signal output for a column-parallel single slope ADC
A shared counter circuit for a column-parallel single-slope ADC includes an n-bit counter; n low-voltage (LV) drivers connected to receive respective counter output bits and to provide a logic high or logic low output signal which tracks the received bit, the voltage difference between the logic high and logic low output signals being less than Vdd; and a plurality of sets of regenerative latches powered by a supply voltage Vdd, each of which receives an output from a respective LV driver and latches and regenerates the received output as a rail-to-rail CMOS signal upon the occurrence of a trigger event. One typical trigger event occurs when a periodic ramp voltage exceeds an input voltage provided to the ADC which may originate, for example, from the columns of a photodetector array.
H03M 1/56 - Comparaison du signal d'entrée avec une rampe linéaire
H04N 5/378 - Circuits de lecture, p.ex. circuits d’échantillonnage double corrélé [CDS], amplificateurs de sortie ou convertisseurs A/N
H04N 5/369 - Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS] circuits associés à cette dernière
H04N 5/3745 - Capteurs adressés, p.ex. capteurs MOS ou CMOS ayant des composants supplémentaires incorporés au sein d'un pixel ou connectés à un groupe de pixels au sein d'une matrice de capteurs, p.ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs
H04N 5/363 - Traitement du bruit, p.ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit appliqué au bruit de réinitialisation, p.ex. bruit de type KTC
H04N 3/14 - Détails des dispositifs de balayage des systèmes de télévisionLeur combinaison avec la production des tensions d'alimentation par des moyens non exclusivement optiques-mécaniques au moyen de dispositifs à l'état solide à balayage électronique
89.
Moving platform roll angle determination system using RF communications link
An orientation tracking system for a moving platform includes a transmitter which generates an beam having a known polarization with respect to a predefined coordinate system. The moving platform includes an ellipsometric detector capable of detecting the polarized beam when within the line-of-sight of the transmitter, and measuring its polarization state. The polarization state indicates the rotational orientation of the moving platform with respect to the predefined coordinate system. The beam could also be used to convey guidance commands to the platform.
H04B 14/00 - Systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
G01S 5/02 - Localisation par coordination de plusieurs déterminations de direction ou de ligne de positionLocalisation par coordination de plusieurs déterminations de distance utilisant les ondes radioélectriques
90.
Comparator circuits with local ramp buffering for a column-parallel single slope ADC
A comparator circuit suitable for use in a column-parallel single-slope analog-to-digital converter comprises a comparator, an input voltage sampling switch, a sampling capacitor arranged to store a voltage which varies with an input voltage when the sampling switch is closed, and a local ramp buffer arranged to buffer a global voltage ramp applied at an input. The comparator circuit is arranged such that its output toggles when the buffered global voltage ramp exceeds the stored voltage. Both DC- and AC-coupled comparator embodiments are disclosed.
An amplifier cell apparatus has an RF input node, a first power transistor in communication with the input node through a first input impedance matching network, a second power transistor in communication with the input node through a second input impedance matching network, and an RF output node in communication with the first and second power transistors through a single output impedance matching network so that the first and second input impedance matching networks are disposed on an RF input side of the amplifier cell.
H03F 3/68 - Combinaisons d'amplificateurs, p. ex. amplificateurs à plusieurs voies pour stéréophonie
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03F 3/60 - Amplificateurs dans lesquels les réseaux de couplage ont des constantes réparties, p. ex. comportant des résonateurs de guides d'ondes
A two-terminal detector has a back-to-back p/n/p SWIR/MWIR stack structure, which includes P-SWIR absorber, N-SWIR, wide bandgap bather, N-MWIR absorber, and P-MWIR layers, with contacts on the P-MWIR and P-SWIR layers. The junction between the SWIR layers and the junction between the MWIR layers are preferably passivated. The detector stack is preferably arranged such that a negative bias applied to the top of the stack reverse-biases the MWIR junction and forward-biases the SWIR junction, such that the detector collects photocurrent from MWIR radiation. A positive bias forward-biases the MWIR junction and reverse-biases the SWIR junction, such that photocurrent from SWIR radiation is collected. A larger positive bias induces electron avalanche at the SWIR junction, thereby providing detector sensitivity sufficient to provide low light level passive amplified imaging. Detector sensitivity in this mode is preferably sufficient to provide high resolution 3-D eye-safe LADAR imaging.
H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
H01L 31/103 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à homojonction
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
93.
Micro-fabricated integrated coil and magnetic circuit and method of manufacturing thereof
A micro-fabricated electromagnetic device is provided for on-circuit integration. The electromagnetic device includes a core. The core has a plurality of electrically insulating layers positioned alternatingly between a plurality of magnetic layers to collectively form a continuous laminate having alternating magnetic and electrically insulating layers. The electromagnetic device includes a coil embedded in openings of the semiconductor substrate. An insulating material is positioned in the cavity and between the coil and an inner surface of the core. A method of manufacturing the electromagnetic device includes providing a semiconductor substrate having openings formed therein. Windings of a coil are electroplated and embedded in the openings. The insulating material is coated on or around an exposed surface of the coil. Alternating magnetic layers and electrically insulating layers may be micro-fabricated and electroplated as a single and substantially continuous segment on or around the insulating material.
A laser target board apparatus is provided for detecting spatial and temporal intensity distribution of high energy laser beams. The laser target board apparatus may include a panel having a plurality of openings and a plurality of optical rods placed therein. The laser target board apparatus may further have an optic fiber array positioned substantially parallel to and behind the panel and separated from the panel by a predetermined distance. At least one lens is configured to receive photons emitted from a second end of each optic fiber unit of the optic fiber array, and at least one camera is configured to detect the photons. A processor is configured to analyze temporal and spatial distribution of intensity of the received high energy laser beam based on data generated by the at least one camera.
A substrate-removed, surface passivated, and anti-reflective (AR) coated detector assembly is provided. The assembly has an AR coating or passivation layer which includes a wide bandgap thin-film dielectric/passivation layer integrated therein. The wide bandgap thin-film dielectric/passivation layer is positioned proximal to a back interface of a substrate-removed detector assembly. A method of manufacturing the detector assembly includes etching a backside of a partially-removed-substrate detector assembly to obtain an etched detector assembly removed from a substrate. A wide bandgap layer is deposited, in a vacuum chamber, on the etched detector assembly without utilizing an adhesive layer. Additional anti-reflective coating layers are deposited, in the same vacuum chamber, on the wide bandgap layer to form an anti-reflective coating layer with the wide bandgap layer integrated therein. The wide bandgap layer is positioned proximal to an interface portion between the anti-reflective coating layer and the detector assembly.
An SEU protection circuit comprises first and second storage means for receiving primary and redundant versions, respectively, of an n-bit wide data value that is to be corrected in case of an SEU occurrence; the correction circuit requires that the data value be a 1-hot encoded value. A parity engine performs a parity operation on the n bits of the primary data value. A multiplexer receives the primary and redundant data values and the parity engine output at respective inputs, and is arranged to pass the primary data value to an output when the parity engine output indicates ‘odd’ parity, and to pass the redundant data value to the output when the parity engine output indicates ‘even’ parity. The primary and redundant data values are suitably state variables, and the parity engine is preferably an n-bit wide XOR or XNOR gate.
G06F 11/00 - Détection d'erreursCorrection d'erreursContrôle de fonctionnement
H03M 13/00 - Codage, décodage ou conversion de code pour détecter ou corriger des erreursHypothèses de base sur la théorie du codageLimites de codageMéthodes d'évaluation de la probabilité d'erreurModèles de canauxSimulation ou test des codes
G06F 11/10 - Détection ou correction d'erreur par introduction de redondance dans la représentation des données, p. ex. en utilisant des codes de contrôle en ajoutant des chiffres binaires ou des symboles particuliers aux données exprimées suivant un code, p. ex. contrôle de parité, exclusion des 9 ou des 11
97.
Morphing ceramic composite components for hypersonic wind tunnel
In one embodiment, a morphable composite three-dimensional structure is disclosed. The morphable composite three-dimensional structure comprises a flexible fiber-reinforced ceramic composite comprising a fiber preform and a ceramic matrix material infused therein. The flexible fiber-reinforced ceramic composite defines a flowpath having a three-dimensional cross-section. The cross-section of the flowpath is variable along the length of the flowpath. A plurality of anchors are integrally formed in the fiber preform. The plurality of anchors extend through a thickness of the ceramic matrix. The plurality of anchors are configured to couple to at least one actuator. The at least one actuator is actuatable to vary the three-dimensional cross-section of the flowpath.
B32B 3/04 - Caractérisés par des caractéristiques de forme en des endroits déterminés, p. ex. au voisinage des bords caractérisés par une couche pliée au bord, p. ex. par-dessus une autre couche
B32B 18/00 - Produits stratifiés composés essentiellement de céramiques, p. ex. de produits réfractaires
B32B 19/02 - Produits stratifiés composés essentiellement de fibres ou particules minérales naturelles, p. ex. d'amiante, de mica collées avec ou enrobées dans une substance plastique
B28B 1/00 - Fabrication d'objets façonnés à partir du matériau
98.
Optical sensor and filter assembly with epoxy mounting structure and method of assembly
A mounting structure between the spectral filter and optical sensor includes one or more beads of epoxy that are bonded to the face of the sensor at locations adjacent and bonded to the edge of the spectral filter around its perimeter. Placement of the epoxy so that it bonds to the edge of the spectral filter improves the robustness of the package to sheer stresses. Placement of the epoxy at the edge, suitably in discrete spot bonds, also avoids putting epoxy in the optical path, contaminating the optically active area or using epoxy to control the gap height. Alignment of the spectral filter in the plane (x,y) may be achieved using fiducial marks on the sensor and filter. Alignment of the spectral filter out of the plane (z) may be achieved using incompressible spacer balls that set the gap height precisely to the diameter of the ball. Alternately, the spectral filter may be placed in direct contact with the optically active area of the sensor.
A system for thermal management and structural containment includes an enclosure, a heat source disposed within the enclosure; and a wick encompassing at least a portion of an outer surface of the heat source.
H01M 10/6569 - Fluides qui subissent un changement ou une transition de phase liquide-gaz, p. ex. évaporation ou condensation
F28D 15/04 - Appareils échangeurs de chaleur dans lesquels l'agent intermédiaire de transfert de chaleur en tubes fermés passe dans ou à travers les parois des canalisations dans lesquels l'agent se condense et s'évapore, p. ex. tubes caloporteurs avec des tubes ayant une structure capillaire
H01M 50/213 - Bâtis, modules ou blocs de multiples batteries ou de multiples cellules caractérisés par leur forme adaptés aux cellules ayant une section transversale courbée, p. ex. ronde ou elliptique
H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
100.
Integral textile structure for 3-D CMC turbine airfoils
An integral textile structure for 3-D CMC turbine airfoils includes top and bottom walls made from an angle-interlock weave, each of the walls comprising warp and weft fiber tows. The top and bottom walls are merged on a first side parallel to the warp fiber tows into a single wall along a portion of their widths, with the weft fiber tows making up the single wall interlocked through the wall's thickness such that delamination of the wall is inhibited. The single wall suitably forms the trailing edge of an airfoil; the top and bottom walls are preferably joined along a second side opposite the first side and parallel to the radial fiber tows by a continuously curved section in which the weave structure remains continuous with the weave structure in the top and bottom walls, the continuously curved section being the leading edge of the airfoil.
