A module collection and deposition system comprises a container, a module source wafer comprising modules released from the module source wafer, a module collection device operable to remove the modules from the module source wafer and dispose the modules as a disordered and dry collection into the container, and a module deposition device for removing the modules from the container and randomly disposing the modules on a receiving surface. Each module comprises an electronically active unpackaged component.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A micro-transfer-printable component source structure includes a source wafer comprising an anchor portion, a sacrificial portion disposed on only a portion of the source wafer adjacent to the anchor portion, a component disposed directly and exclusively over the sacrificial portion, and a vertical tether physically connecting the component to the source wafer. The vertical tether extends from the component along a side of the sacrificial portion to the anchor portion and includes a vertical portion that extends in a direction at least partially orthogonal to a surface of the source wafer. The vertical portion can be between the component and the source wafer or adjacent to the component. Components with vertical tethers require less area on the source wafer and can be micro-transfer printed to a target substrate in closer alignment.
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
A micro-optical structure includes a structure substrate comprising a cavity and a micro-optical component disposed entirely and directly over or in the cavity. The micro-optical component includes a micro-optical element and a component tether physically attached to an anchor portion of the structure substrate and in contact with the micro-optical element. The structure substrate and the micro-optical component can be monolithic, for example unitary and comprise a same material or are the same material. The micro-optical component can be disposed on a sacrificial portion disposed on a micro-optical component source wafer differentially etchable form the sacrificial portion. The micro-optical component can be disposed on a micro-optical component source wafer patterned with an encapsulation layer where the micro-optical component is differentially etchable from the encapsulation layer and the micro-optical component.
G02B 6/122 - Elements optiques de base, p.ex. voies de guidage de la lumière
G02B 6/12 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES - Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
4.
PATTERNED ADHESIVE IN CAVITIES FOR MICRO-TRANSFER PRINTING
A printed structure includes a target substrate having a target-substrate surface, a structure disposed in or on the target substrate, the structures having a structure side that extends at least partially orthogonal to the target-substrate surface, a patterned adhesive layer disposed on the target-substrate surface not in contact with the structure side, and a component having a component side, the component disposed on the patterned adhesive layer with the component side adjacent to the structure side.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A micro-optical component includes a micro-substrate, a micro-optical element disposed on the micro-substrate, and a stand-off (a mechanical spacer) disposed on the micro-substrate or micro-optical component in a separate plane from the micro-substrate that at least partially encloses the micro-optical element. The micro-optical components can be stacked on a system substrate using micro-transfer printing to form a three-dimensional micro-optical structure. One more light beams can travel or pass through various combinations of multiple micro-optical components and micro-optical elements.
A micro-device structure comprises a source substrate having a sacrificial layer comprising a sacrificial portion adjacent to an anchor portion, a micro-device disposed completely over the sacrificial portion, the micro-device having a top side opposite the sacrificial portion and a bottom side adjacent to the sacrificial portion and comprising an etch hole that extends through the micro-device from the top side to the bottom side, and a tether that physically connects the micro-device to the anchor portion. A micro-device structure comprises a micro-device disposed on a target substrate. Micro-devices can be 10 any one or more of an antenna, a micro-heater, a power device, a MEMs device, and a micro-fluidic reservoir.
A hybrid document includes a flexible document and a component having a component substrate disposed in or on the flexible document. One or more inorganic light-emitting diodes, a controller electrically connected to the one or more inorganic light-emitting diodes for controlling the one or more inorganic light-emitting diodes, and a piezoelectric power source are disposed on the component substrate. The power source can include a plurality of electrically connected individual piezoelectric power-source elements electrically connected to the controller, the inorganic light-emitting diodes, or both. Each of the one or more inorganic light-emitting diodes, the controller, the component substrate, or each of the individual piezoelectric power-source elements can comprise a broken or separated tether. The component substrate can be a flexible substrate that is more flexible than any one of the inorganic light-emitting diodes, the controller, and the individual piezoelectric power-source elements.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
F21S 9/04 - Dispositifs d'éclairage avec une source d'énergie incorporée; Systèmes utilisant des dispositifs d'éclairage avec une source d'énergie incorporée la source de courant étant une génératrice
F21V 23/00 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H10N 39/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comportant au moins un élément piézo-électrique, électrostrictif ou magnétostrictif couvert par les groupes
An exemplary micro-optical component includes a micro-substrate and a micro-optical element disposed on the micro-substrate. The micro-optical element is structured to modify or process light. At least a portion of a component tether is physically attached to the micro-substrate or physically attached to the micro-optical element. The micro-optical component has a thickness less than 250 µm. Light can be processed by reflection, refraction, diffraction, frequency changes, polarization changes, color-temperature or frequency distribution changes, or phase changes. The micro-optical component can be disposed on a system substrate to form a micro-optical system. The system substrate can include a cavity and the micro-optical element can be disposed at least partially in the cavity. Micro-optical components can be passive optical micro-devices. A light-active element can be disposed on the micro-substrate to receive light from or emit light to the micro-optical element.
G02B 6/12 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES - Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
An exemplary micro-optical component includes a micro-substrate and a micro-optical element disposed on the micro-substrate. The micro-optical element is structured to modify or process light. At least a portion of a component tether is physically attached to the micro-substrate or physically attached to the micro-optical element. The micro-optical component has a thickness less than 250 μm. Light can be processed by reflection, refraction, diffraction, frequency changes, polarization changes, color-temperature or frequency distribution changes, or phase changes. The micro-optical component can be disposed on a system substrate to form a micro-optical system. The system substrate can include a cavity and the micro-optical element can be disposed at least partially in the cavity. Micro-optical components can be passive optical micro-devices. A light-active element can be disposed on the micro-substrate to receive light from or emit light to the micro-optical element.
G02B 6/12 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES - Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/138 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication en utilisant la polymérisation
A micro-module includes a module substrate, an antenna having antenna walls and an antenna top surface disposed on or over the module substrate, and a sealant disposed on the module substrate surface and on at least a portion of the antenna walls. The sealant extends to at least the antenna top surface. The antenna walls and sealant form an enclosed area of the module substrate surface surrounded by the antenna walls and sealant. A module circuit is disposed on or in the module substrate in the enclosed area. The module circuit is electrically connected to the antenna and is responsive to electrical signals received from the antenna. A cap is disposed on or over the antenna top surface and the sealant, encapsulating the module circuit.
A stamp for micro-transfer printing includes a support having a support surface and posts disposed on the support surface. Each post has a proximal end in contact with the support and a distal end extending away from the support. The post has a post surface on the distal end. The post surface is a structured surface comprising spatially separated ridges that extend in a ridge direction entirely across the post surface and can be operable to form multiple delamination fronts when a first side of a micro-device is in contact with the post surface, a second side of the micro-device is in contact with a target surface of a target substrate, and the support is moved in a horizontal direction parallel to the target substrate surface. The post surface or ridges can be rectangular or non-rectangular with opposing edges having different lengths.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A monolithic multi-FET transistor comprises an epitaxial layer disposed on a dielectric layer. The epitaxial layer comprises a crystalline semiconductor material and a multi-FET area. An isolation structure surrounds the multi-FET area and divides the multi-FET area into separate FET portions. A gate disposed on a gate dielectric extends over each FET portion. A source and a drain are each disposed on opposite sides of the gate on the epitaxial layer within each FET portion. Each gate, source, and drain comprise a separate electrical conductor and the gate, source, drain, and epitaxial layer within each FET portion form a field-effect transistor. Gate, source, and drain contacts electrically connect the gates, sources, and drains of the separate FET portions, respectively. At least the sources or drains of two neighboring FET portions are disposed in common over at least a portion of the isolation structure dividing the two neighboring FET portions.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 21/84 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
A printed structure includes a target substrate and structures extending from a surface of the target substrate and a component disposed on the surface in alignment with the structures. The structures can be spatially separated independent structures. The component is non-native to the target substrate and can comprises a component substrate separate and independent from the target substrate. The component can be micro-transfer printed to the target substrate and can comprise a broken, fractured, or separated tether.
G02B 6/43 - Dispositions comprenant une série d'éléments opto-électroniques et d'interconnexions optiques associées
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
A method of assembling components includes the steps of providing a stamp, providing a component disposed on an adhesive surface, pressing the stamp against the component to adhere the component to the stamp, pulling the stamp away from the adhesive surface, and removing the component from the adhesive surface with the stamp. The adhesive surface can deform in a direction of the stamp and can enable progressive delamination of the adhesive surface from a bottom of the component from an edge or corner of the component toward a center of the component, thereby reducing the instantaneous adhesive force between the component and at least a portion of the adhesive surface. The method can enable the transfer and assembly of many millions of small and fragile components per hour with excellent precision from a tape to a target substrate.
A flexible electronic structure includes a flexible substrate comprising an electrically conductive top substrate layer and an opposing electrically conductive bottom substrate layer and a component. The component can include a component substrate non-native to the flexible substrate having a component substrate top side and an opposing component substrate bottom side, a planar component top electrode disposed on the component substrate top side and electrically connected to the electrically conductive top substrate layer thereby defining a planar electrical contact, and a planar component bottom electrode disposed on the component substrate bottom side and electrically connected to the electrically conductive bottom substrate layer thereby defining a planar electrical contact. The component can be disposed between the electrically conductive top substrate layer and the electrically conductive bottom substrate layer.
A printed structure includes a target substrate and structures extending from a surface of the target substrate and a component disposed on the surface in alignment with the structures. The structures can be spatially separated independent structures. The component is non-native to the target substrate and can comprises a component substrate separate and independent from the target substrate. The component can be micro-transfer printed to the target substrate and can comprise a broken, fractured, or separated tether.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/76 - Réalisation de régions isolantes entre les composants
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
According to embodiments of the present disclosure, a micro-system comprises a frame, a component attached to and supported by the frame, and an electrically functional micro-device disposed on or in the frame and electrically connected to the component. The component can be exclusively supported by the frame. The frame can comprise the micro-device and can comprise the same materials and layer structure as the component. The component, frame, and micro-device can comprise a piezoelectric material. The component can be an acoustic resonator and the micro-device can be a capacitor.
H03H 3/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
H03H 9/02 - Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques - Détails
H03H 9/17 - Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques - Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif ayant un résonateur unique
B41F 16/00 - Appareils pour imprimer des images-transfert
A suspended device structure comprises a substrate, a cavity disposed in a surface of the substrate, and a device suspended entirely over a bottom of the cavity. The device is a piezoelectric device and is suspended at least by a tether that physically connects the device to the substrate. The tether has a non-linear centerline. A wafer can comprise a plurality of suspended device structures. A device structure can comprise a device over a sacrificial portion or cavity and a tether with a tether opening extending to the sacrificial portion or cavity. The tether or tether opening can have a T shape. The tether can have a tether length at least one third as large as a device length and the device can have a device length at least twice as large as a device width.
H03H 9/15 - Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques - Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif
H03H 9/02 - Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques - Détails
According to embodiments of the present disclosure a micro-device comprises a frame and a component separated from the frame by a gap except where the component is connected to the frame with cantilever supports extending from the component to the frame. The internal frame contour of the frame can be non-rectangular. The external contour of the frame can be rectangular. The frame can follow the external contour of the component and cantilever supports except where the cantilever supports are connected to the frame. The internal or external contour of the frame can comprise slits extending into the frame. The gap separating the frame from the component can have a uniform width except where the cantilever supports are connected to the frame. In some embodiments, a micro-device is disposed on a target substrate comprising a cavity and the component is suspended over the cavity.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
A micro-device structure includes an insulating layer and a micro-device disposed on the insulating layer. A pocket is formed in the micro-device that extends from a surface of the micro-device opposite the insulating layer through the micro-device to the insulating layer. A micro-component is disposed in the pocket and is non-native to the micro-device and the insulating layer. The micro-component can emit or receive light through the insulating layer and can be connected to and controlled by a micro-circuit disposed in the micro-device.
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
An embedded component stack includes a first metal layer, a first dielectric layer disposed on the first metal layer, a second metal layer disposed on the first dielectric layer, a first component disposed and embedded entirely within the first dielectric layer and entirely between the first metal layer and the second metal layer, a second dielectric layer disposed on the second metal layer, and a second component disposed on or embedded entirely within the second dielectric layer. The first and second components can be bare, unpackaged dies disposed over the metal layers by micro-transfer printing. The metal layers can be patterned and can be electrically connected to the components. The first component can be rotated with respect to the second component. Multiple components can be embedded in one or more of the dielectric layers.
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A stamp includes a rigid support and an array of posts disposed in combination with the rigid support. Each of the posts in the array of posts extends in a direction away from the rigid support. The distal end of each of the posts in the array of posts has a structured three-dimensional surface including a first micro-post that extends a first distance away from the rigid support and a second micro-post that extends a second distance away from the rigid support. The second distance is less than the first distance.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
A multi-component transistor structure includes components each comprising an individual, discrete, and separate component substrate and a component transistor. The component transistor includes a transistor element having a transistor element resistance. A component connection is disposed external to the transistor element and has a connection resistance. The component connection electrically connects the transistor elements in the components in parallel. The connection resistance is less than the transistor element resistance of at least one corresponding transistor element, less than an average of the transistor element resistances of all of the corresponding transistor elements, or less than the sum of all of the transistor element resistances of all of the corresponding transistor elements. The component transistors are functionally similar and at least one of the components is disposed on another different one of the components in a component stack.
H01L 25/07 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
A printed structure includes a substrate comprising a substrate surface, a substrate circuit disposed in or on in a circuit area of the substrate surface, a substrate post protruding from the substrate surface exterior to the circuit area, and a component having a component top side and a component bottom side opposite the component top side. The component bottom side can be disposed on the substrate post and adhered to the substrate surface forming an air gap between the component bottom side and the substrate circuit. The substrate post can comprise a substrate post material that is a cured adhesive. Some embodiments comprise a substrate electrode and the component comprises an electrically conductive connection post extending from the component bottom side toward the substrate in electrical contact with the substrate electrode.
A micro-device structure includes a substrate having a substrate surface and a substrate contact disposed on or in the substrate surface, a cavity extending into the substrate from the substrate surface, a micro-device disposed in the cavity, the micro-device comprising a micro-device contact, a planarization layer disposed over at least a portion of the substrate, and an electrode disposed at least partially over or on the planarization layer and electrically connected to the micro-device contact.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A suspended device structure comprises a substrate, a cavity disposed in a surface of the substrate, and a device suspended entirely over a bottom of the cavity. The device is a piezoelectric device and is suspended at least by a tether that physically connects the device to the substrate. The tether has a non-linear centerline. A wafer can comprise a plurality of suspended device structures.
H03H 9/02 - Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques - Détails
H03H 3/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
27.
TRANSFER PRINTING STAMPS AND METHODS OF STAMP DELAMINATION
A stamp for micro-transfer printing includes a support having a support surface and posts disposed on the support surface. Each post has a distal end extending away from the support. The post has a post surface on the distal end. The post surface is a structured surface comprising spatially separated ridges that extend in a ridge direction entirely across the post surface and can be operable to form multiple delamination fronts when a first side of a micro-device is in contact with the post surface, a second side of the micro-device is in contact with a target surface of a target substrate, and the support is moved in a horizontal direction parallel to the target substrate surface. The post surface or ridges can be rectangular or non-rectangular with opposing edges having different lengths.
B41F 16/00 - Appareils pour imprimer des images-transfert
B41K 3/02 - Appareils à timbrer ayant des moyens incorporés pour supporter les objets à timbrer avec des surfaces de timbrage situées au-dessus de la surface supportant l'objet
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A micro-device structure includes a substrate having a substrate surface and a substrate contact disposed on or in the substrate surface, a cavity extending into the substrate from the substrate surface, a micro-device disposed in the cavity, the micro-device comprising a micro-device contact, a planarization layer disposed over at least a portion of the substrate, and an electrode disposed at least partially over or on the planarization layer and electrically connected to the micro-device contact.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
29.
INTEGRATED-CIRCUIT MODULE COLLECTION AND DEPOSITION
A module collection and deposition system comprises a container, a module source wafer comprising modules released from the module source wafer, a module collection device operable to remove the modules from the module source wafer and dispose the modules as a disordered and dry collection into the container, and a module deposition device for removing the modules from the container and randomly disposing the modules on a receiving surface. Each module comprises an electronically active unpackaged component.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
A stacked electronic component comprises a stack of three or more print layers. Each print layer has an area less than any print layers beneath the print layer in the stack. Each print layer comprises a dielectric layer and a functional layer disposed on the dielectric layer. The functional layer comprises an exposed conductive portion that is not covered with a dielectric layer of any of the print layers and each exposed conductive portion is nonoverlapping with any other exposed conductive portion. A patterned electrode layer is coated on at least a portion of the stack and defines one or more electrodes. Each electrode of the one or more electrodes in electrical contact with an exclusive subset of the exposed conductive portions. The functional layers can be passive conductors forming capacitors, resistors, inductors, or antennas, or active layers forming electronic circuits.
H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
H05K 1/16 - Circuits imprimés comprenant des composants électriques imprimés incorporés, p.ex. une résistance, un condensateur, une inductance imprimés
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
An example of a method of making a heterogeneous semiconductor structure, includes providing a first substrate including a first material; providing a second substrate including a printable processable coupon, wherein the coupon includes a second material different from the first material; and printing the coupon to the first substrate. The method can includes processing the coupon on the first substrate to form an integrated circuit. An example of a heterogeneous structure includes a substrate including a first material and one or more non-native coupons disposed on the substrate, the coupon including a second material different from the first material. The second material can be or comprise an epitaxial material, such as a compound semiconductor material. The first material can be or comprise an elemental semiconductor, such as silicon.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
B41M 3/00 - Procédés d'impression pour des travaux imprimés d'un genre particulier, p.ex. motifs
32.
PRINTABLE COMPONENT MODULES WITH FLEXIBLE, POLYMER, OR ORGANIC MODULE SUBSTRATES
A micro-component module comprises a module substrate, a component disposed on the module substrate, and at least a portion of a module tether in contact with the module substrate. The module substrate can be flexible or can comprise an organic material, or both. The module tether can be more brittle and less flexible than the module substrate. The component can be less flexible than the module substrate and can comprise at least a portion of a component tether. An encapsulation layer can be disposed over the component and module substrate. The component can be disposed in a mechanically neutral stress plane of the micro-component module. A micro-component module system can comprise a micro-component module disposed on a flexible system substrate, for example by micro-transfer printing. A micro-component module can comprise an internal module cavity in the module substrate with internal module tethers physically connecting the module substrate to internal anchors.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
H01L 25/13 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs sous-groupes différents du même groupe principal des groupes , ou dans une seule sous-classe de ,
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A variable-stiffness module comprises a rigid structure (10) having a first stiffness, an intermediate substrate (20) having a second stiffness less than the first stiffness, and a flexible substrate (30) having a third stiffness less than the second stiffness. The rigid structure (10) is disposed on the intermediate substrate (20) and the intermediate substrate (20) is disposed on the flexible substrate (30). A conductor (40) is disposed partially on the intermediate substrate (21) and partially on the flexible substrate (30) and connected to the rigid structure (10). The conductor (40) extends from the rigid structure (10) to the intermediate substrate (21) to the flexible substrate (30). In some embodiments, a variable-stiffness module comprises any combination of multiple rigid structures, multiple intermediate substrates, and multiple conductors. The conductor (40) can be an optical conductor or an electrical conductor and can be disposed over the rigid structure (10) or between the rigid structure (10) and the intermediate substrate (21).
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
A hybrid document includes a flexible document having visible markings. One or more light-controlling elements and a controller are embedded in or on the flexible document. The controller is electrically connected to the one or more light-controlling elements to control the one or more light-controlling elements. A power input connection is electrically connected to the controller, or one or more light-controlling elements, or both. A power source can be connected to the power input connection, for example a piezoelectric or photovoltaic power source. In response to applied power, the controller causes the one or more light-controlling elements to emit light. In some embodiments, the controller includes a memory and a value can be stored in the memory and displayed by the light-controlling element(s). In some embodiments, the value can be assigned or varied by a hybrid currency teller machine.
H01L 41/113 - Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée mécanique et sortie électrique
H02N 2/18 - Machines électriques en général utilisant l'effet piézo-électrique, l'électrostriction ou la magnétostriction fournissant une sortie électrique à partir d'une entrée mécanique, p.ex. générateurs
A stacked electronic component comprises a stack of three or more print layers. Each print layer has an area less than any print layers beneath the print layer in the stack. Each print layer comprises a dielectric layer and a functional layer disposed on the dielectric layer. The functional layer comprises an exposed conductive portion that is not covered with a dielectric layer of any of the print layers and each exposed conductive portion is nonoverlapping with any other exposed conductive portion. A patterned electrode layer is coated on at least a portion of the stack and defines one or more electrodes. Each electrode of the one or more electrodes in electrical contact with an exclusive subset of the exposed conductive portions. The functional layers can be passive conductors forming capacitors, resistors, inductors, or antennas, or active layers forming electronic circuits.
H05K 1/16 - Circuits imprimés comprenant des composants électriques imprimés incorporés, p.ex. une résistance, un condensateur, une inductance imprimés
H05K 1/11 - Eléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
The Board of Trustees of the University of Illinois (USA)
X-Celeprint Limited (Irlande)
Inventeur(s)
Rogers, John A.
Nuzzo, Ralph
Meitl, Matthew
Menard, Etienne
Baca, Alfred
Motala, Michael
Ahn, Jong-Hyun
Park, Sang-Il
Yu, Chang-Jae
Ko, Heung Cho
Stoykovich, Mark
Yoon, Jongseung
Abrégé
Provided are optical devices and systems fabricated, at least in part, via printing-based assembly and integration of device components. In specific embodiments the present invention provides light emitting systems, light collecting systems, light sensing systems and photovoltaic systems comprising printable semiconductor elements, including large area, high performance macroelectronic devices. Optical systems of the present invention comprise semiconductor elements assembled, organized and/or integrated with other device components via printing techniques that exhibit performance characteristics and functionality comparable to single crystalline semiconductor based devices fabricated using conventional high temperature processing methods. Optical systems of the present invention have device geometries and configurations, such as form factors, component densities, and component positions, accessed by printing that provide a range of useful device functionalities. Optical systems of the present invention include devices and device arrays exhibiting a range of useful physical and mechanical properties including flexibility, shapeability, conformability and stretchablity.
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H01L 31/0288 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique caractérisés par le matériau de dopage
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 31/0525 - Moyens de refroidissement directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. éléments Peltier intégrés pour refroidissement actif ou puits thermiques directement associés aux cellules PV comprenant des moyens d’utilisation de l’énergie thermique directement associés à la cellule PV, p.ex. éléments Seebeck intégrés
H01L 31/054 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière
H01L 31/0693 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type homojonction PN, p.ex. cellules solaires à homojonction PN en silicium massif ou cellules solaires à homojonction PN en couches minces de silicium polycristallin le dispositif incluant, hormis les éléments dopants ou autres impuretés, uniquement des composés semiconducteurs AIIIBV, p.ex. cellules solaires en GaAs ou en InP
H01L 31/0725 - Cellules solaires à jonctions multiples ou dites "tandem"
H01L 31/167 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01S 5/02 - Lasers à semi-conducteurs - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/02251 - Découplage de lumière utilisant des fibres optiques
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p.ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p.ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
H01S 5/30 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région active; Matériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p.ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p.ex. laser AlGaAs
H01S 5/42 - Réseaux de lasers à émission de surface
B82Y 10/00 - Nanotechnologie pour le traitement, le stockage ou la transmission d’informations, p.ex. calcul quantique ou logique à un électron
A micro-device structure comprises a source substrate comprising sacrificial portions laterally spaced apart by anchors. At least a portion of each of the sacrificial portions is exposed through an opening. A micro-device is disposed on (e.g., exclusively in direct contact with) each of the sacrificial portions and laterally attached to one of the anchors by a hybrid tether. The hybrid tether comprises an organic tether layer and an inorganic tether layer.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
38.
Overhanging device structures and related methods of manufacture
A overhanging device cavity structure comprises a substrate and a cavity disposed in or on the substrate. The cavity comprises a first cavity side wall and a second cavity side wall opposing the first cavity side wall on an opposite side of the cavity from the first cavity side wall. A support extends from the first cavity side wall to the second cavity side wall and at least partially divides the cavity. A device is disposed on, for example in direct contact with, the support and extends from the support into the cavity.
A monolithic multi-FET transistor comprises an epitaxial layer disposed on a dielectric layer. The epitaxial layer comprises a crystalline semiconductor material and a multi-FET area. An isolation structure surrounds the multi-FET area and divides the multi-FET area into separate FET portions. A gate disposed on a gate dielectric extends over each FET portion. A source and a drain are each disposed on opposite sides of the gate on the epitaxial layer within each FET portion. Each gate, source, and drain comprise a separate electrical conductor and the gate, source, drain, and epitaxial layer within each FET portion form a field-effect transistor. Gate, source, and drain contacts electrically connect the gates, sources, and drains of the separate FET portions, respectively. At least the sources or drains of two neighboring FET portions are disposed in common over at least a portion of the isolation structure dividing the two neighboring FET portions.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
H01L 21/84 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
A method of making a secure integrated-circuit system comprises providing a first integrated circuit in a first die having a first die size and providing a second integrated circuit in a second die. The second die size is smaller than the first die size. The second die is transfer printed onto the first die and connected to the first integrated circuit, forming a compound die. The compound die is packaged. The second integrated circuit is operable to monitor the operation of the first integrated circuit and provides a monitor signal responsive to the operation of the first integrated circuit. The first integrated circuit can be constructed in an insecure facility and the second integrated circuit can be constructed in a secure facility.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A micro-device structure comprises a source substrate having a sacrificial layer comprising a sacrificial portion adjacent to an anchor portion, a micro-device disposed completely over the sacrificial portion, the micro-device having a top side opposite the sacrificial portion and a bottom side adjacent to the sacrificial portion and comprising an etch hole that extends through the micro-device from the top side to the bottom side, and a tether that physically connects the micro-device to the anchor portion. A micro-device structure comprises a micro-device disposed on a target substrate. Micro-devices can be any one or more of an antenna, a micro-heater, a power device, a MEMs device, and a micro-fluidic reservoir.
B81B 1/00 - Dispositifs sans éléments mobiles ou flexibles, p.ex. dispositifs capillaires microscopiques
H10N 30/30 - Dispositifs piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée mécanique et sortie électrique, p.ex. fonctionnant comme générateurs ou comme capteurs
A micro-device structure comprises a source substrate having a sacrificial layer comprising a sacrificial portion adjacent to an anchor portion, a micro-device disposed completely over the sacrificial portion, the micro-device having a top side opposite the sacrificial portion and a bottom side adjacent to the sacrificial portion and comprising an etch hole that extends through the micro-device from the top side to the bottom side, and a tether that physically connects the micro-device to the anchor portion. A micro-device structure comprises a micro-device disposed on a target substrate. Micro-devices can be any one or more of an antenna, a micro-heater, a power device, a MEMs device, and a micro-fluidic reservoir.
A micro-component comprises a component substrate having a first side and an opposing second side. Fenders project from the first and second sides of the component substrate and include first-side fenders extending from the first side and a second-side fender extending from the second side of the component substrate. At least two of the first-side fenders have a non-conductive surface and are disposed closer to a corner of the component substrate than to a center of the component substrate.
A compound acoustic wave filter device comprises a support substrate having an including two or more circuit connection pads. An acoustic wave filter includes a piezoelectric filter element and two or more electrodes. The acoustic wave filter is micro-transfer printed onto the support substrate. An electrical conductor electrically connects one or more of the circuit connection pads to one or more of the electrodes.
H03H 9/64 - Filtres utilisant des ondes acoustiques de surface
H03H 3/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs
H03H 3/007 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques
H03H 3/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
H03H 3/08 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H03H 9/00 - Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques
H03H 9/02 - Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques - Détails
A micro-component (99) comprises a component substrate (10) having a first side (11) and an opposing second side (12). Fender protrusions project (21, 22) from the first (11) and second (22) sides of the component substrate (10) and include first-side fender protrusions (21) extending from the first side (11) and a second- side fender protrusions (22) extending from the second side (12) of the component substrate (10). At least two of the first-side fender protrusions (21) may have a non-conductive surface and are disposed closer to a corner of the component substrate (10) than to a center of the component substrate (10). The fender protrusions (21,22) prevent randomly positioned micro-components in a container (90) to stick together due to van der Waals, electrostatic forces, or hydrogen bonding during storage. The application also discloses a method of dispensing a plurality of micro-components with said fender protrusions from said container (90) onto a target substrate, as well as the use of the fender projections to indicate or encode information.
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 21/98 - Assemblage de dispositifs consistant en composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun; Assemblage de dispositifs à circuit intégré
H01L 23/485 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées formées de structures en couches comprenant des couches conductrices et isolantes, p.ex. contacts planaires
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p.ex. marques de repérage, schémas de test
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
An example of a cavity structure comprises a cavity substrate comprising a substrate surface, a cavity extending into the cavity substrate, the cavity having a cavity bottom and cavity walls, and a cap disposed on a side of the cavity opposite the cavity bottom. The cavity substrate, the cap, and the one or more cavity walls form a cavity enclosing a volume. A component can be disposed in the cavity and can extend above the substrate surface. The component can be a piezoelectric or a MEMS device. The cap can have a tophat configuration. The cavity structure can be micro-transfer printed from a source wafer to a destination substrate.
A hybrid document includes a flexible document having visible markings. One or more light-controlling elements and a controller are embedded in or on the flexible document. The controller is electrically connected to the one or more light-controlling elements to control the one or more light-controlling elements. A power input connection is electrically connected to the controller, or one or more light-controlling elements, or both. A power source can be connected to the power input connection, for example a piezoelectric or photovoltaic power source. In response to applied power, the controller causes the one or more light-controlling elements to emit light. In some embodiments, the controller includes a memory and a value can be stored in the memory and displayed by the light-controlling element(s). In some embodiments, the value can be assigned or varied by a hybrid currency teller machine.
H01L 41/113 - Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée mécanique et sortie électrique
H02N 2/18 - Machines électriques en général utilisant l'effet piézo-électrique, l'électrostriction ou la magnétostriction fournissant une sortie électrique à partir d'une entrée mécanique, p.ex. générateurs
A hybrid document includes a flexible document having visible markings. One or more light-controlling elements and a controller are embedded in or on the flexible document. The controller is electrically connected to the one or more light-controlling elements to control the one or more light-controlling elements. A power input connection is electrically connected to the controller, or one or more light-controlling elements, or both. A power source can be connected to the power input connection, for example a piezoelectric or photovoltaic power source. In response to applied power, the controller causes the one or more light-controlling elements to emit light. In some embodiments, the controller includes a memory and a value can be stored in the memory and displayed by the light-controlling element(s). In some embodiments, the value can be assigned or varied by a hybrid currency teller machine.
G06K 19/02 - Supports d'enregistrement pour utilisation avec des machines et avec au moins une partie prévue pour supporter des marques numériques caractérisés par l'utilisation de matériaux spécifiés, p.ex. pour éviter l'usure pendant le transport à travers la machine
G06K 19/07 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré
G06K 19/077 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré - Détails de structure, p.ex. montage de circuits dans le support
A hybrid document includes a flexible document having visible markings. One or more light-controlling elements and a controller are embedded in or on the flexible document. The controller is electrically connected to the one or more light-controlling elements to control the one or more light-controlling elements. A power input connection is electrically connected to the controller, or one or more light-controlling elements, or both. A power source can be connected to the power input connection, for example a piezoelectric or photovoltaic power source. In response to applied power, the controller causes the one or more light-controlling elements to emit light. In some embodiments, the controller includes a memory and a value can be stored in the memory and displayed by the light-controlling element(s). In some embodiments, the value can be assigned or varied by a hybrid currency teller machine.
G06K 19/07 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré
G06K 19/077 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré - Détails de structure, p.ex. montage de circuits dans le support
A monolithic multi-FET transistor comprises an epitaxial layer disposed on a dielectric layer. The epitaxial layer comprises a crystalline semiconductor material and a multi-FET area. An isolation structure surrounds the multi-FET area and divides the multi-FET area into separate FET portions. A gate disposed on a gate dielectric extends over each FET portion. A source and a drain are each disposed on opposite sides of the gate on the epitaxial layer within each FET portion. Each gate, source, and drain comprise a separate electrical conductor and the gate, source, drain, and epitaxial layer within each FET portion form a field-effect transistor. Gate, source, and drain contacts electrically connect the gates, sources, and drains of the separate FET portions, respectively. At least the sources or drains of two neighboring FET portions are disposed in common over at least a portion of the isolation structure dividing the two neighboring FET portions.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 21/84 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
A multi-element sensor for measuring a magnetic field. The multi-element sensor comprises a magnetic sensing element, and an electronic circuit. The magnetic sensing element comprises a sensor substrate and a magnetic sensor. The magnetic sensing element is mounted on the electronic circuit and contact pads are provided on the magnetic sensor. The contact pads of the magnetic sensing element are electrically connected with the electronic circuit. The electronic circuit is produced in a first technology and/or first material and the magnetic sensing element is produced in a second technology and/or second material different from the first technology/material, and the contact pads are disposed next to an edge or at a corner of the sensor substrate.
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
An example of a printable electronic component includes a component substrate having a connection post side and an opposing contact pad side. The component can include one or more non-planar, electrically conductive connection posts protruding from the connection post side of the component substrate. Each of the one or more connection posts can have a peak area smaller than a base area. The component can include one or more non-planar, electrically conductive exposed component contact pads disposed on (e.g., directly on, indirectly on, or in) the contact pad side of the component substrate. Multiple components can be stacked such that connection post(s) of one are in contact with non-planar contact(s) of one or more others.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01G 4/33 - Condensateurs à film mince ou à film épais
H01G 4/232 - Bornes pour la connexion électrique d'au moins deux couches d'un condensateur à empilement ou à enroulement
H01G 4/38 - Condensateurs multiples, c. à d. combinaisons structurales de condensateurs fixes
An example of a cavity structure comprises a cavity substrate comprising a substrate surface, a cavity extending into the cavity substrate, the cavity having a cavity bottom and cavity walls, and a cap disposed on a side of the cavity opposite the cavity bottom. The cavity substrate, the cap, and the one or more cavity walls form a cavity enclosing a volume. A component can be disposed in the cavity and can extend above the substrate surface. The component can be a piezoelectric or a MEMS device. The cap can have a tophat configuration. The cavity structure can be micro-transfer printed from a source wafer to a destination substrate.
An example of a cavity structure comprises a cavity substrate comprising a substrate surface, a cavity extending into the cavity substrate, the cavity having a cavity bottom and cavity walls, and a cap disposed on a side of the cavity opposite the cavity bottom. The cavity substrate, the cap, and the one or more cavity walls form a cavity enclosing a volume. A component can be disposed in the cavity and can extend above the substrate surface. The component can be a piezoelectric or a MEMS device. The cap can have a tophat configuration. The cavity structure can be micro-transfer printed from a source wafer to a destination substrate.
A component structure comprises a substrate and a sacrificial layer comprising a sacrificial material disposed on or in the substrate. The sacrificial layer defines sacrificial portions laterally spaced apart by anchors. A component is disposed entirely over each sacrificial portion and connected to at least one anchor by a tether. A spacer comprising a spacer material is disposed in or on the sacrificial portion at least partially between the tether and the substrate. For at least one etchant, the spacer material etches faster than the sacrificial material when exposed to the etchant.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
A micro-component comprises a component substrate having a first side and an opposing second side. Fenders project from the first and second sides of the component substrate and include first-side fenders extending from the first side and a second-side fender extending from the second side of the component substrate. At least two of the first-side fenders have a non-conductive surface and are disposed closer to a corner of the component substrate than to a center of the component substrate.
An example of a cavity structure comprises a cavity substrate comprising a substrate surface, a cavity extending into the cavity substrate, the cavity having a cavity bottom and cavity walls, and a cap disposed on a side of the cavity opposite the cavity bottom. The cavity substrate, the cap, and the one or more cavity walls form a cavity enclosing a volume. A component can be disposed in the cavity and can extend above the substrate surface. The component can be a piezoelectric or a MEMS device. The cap can have a tophat configuration. The cavity structure can be micro-transfer printed from a source wafer to a destination substrate.
A suspended device structure comprises a substrate, a cavity disposed in a surface of the substrate, and a device suspended entirely over a bottom of the cavity. The device is a piezoelectric device and is suspended at least by a tether that physically connects the device to the substrate. The tether has a non-linear centerline. A wafer can comprise a plurality of suspended device structures.
H03H 9/02 - Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques - Détails
H03H 3/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
A suspended device structure comprises a substrate, a cavity disposed in a surface of the substrate, and a device suspended entirely over a bottom of the cavity. The device is a piezoelectric device and is suspended at least by a tether that physically connects the device to the substrate. The tether has a non-linear centerline. A wafer can comprise a plurality of suspended device structures. A device structure can comprise a device over a sacrificial portion or cavity and a tether with a tether opening extending to the sacrificial portion or cavity. The tether or tether opening can have a T shape. The tether can have a tether length at least one third as large as a device length and the device can have a device length at least twice as large as a device width.
H03H 9/02 - Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques - Détails
H01L 41/09 - Eléments piézo-électriques ou électrostrictifs à entrée électrique et sortie mécanique
H03H 9/15 - Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques - Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif
An example of a cavity structure comprises a cavity substrate comprising a substrate surface, a cavity extending into the cavity substrate, the cavity having a cavity bottom and cavity walls, and a cap disposed on a side of the cavity opposite the cavity bottom. The cavity substrate, the cap, and the one or more cavity walls form a cavity enclosing a volume. A component can be disposed in the cavity and can extend above the substrate surface. The component can be a piezoelectric or a MEMS device. The cap can have a tophat configuration. The cavity structure can be micro-transfer printed from a source wafer to a destination substrate.
A variable-stiffness module comprises a rigid structure (10) having a first stiffness, an intermediate substrate (20) having a second stiffness less than the first stiffness, and a flexible substrate (30) having a third stiffness less than the second stiffness. The rigid structure (10) is disposed on the intermediate substrate (20) and the intermediate substrate (20) is disposed on the flexible substrate (30). A conductor (40) is disposed partially on the intermediate substrate (21) and partially on the flexible substrate (30) and connected to the rigid structure (10). The conductor (40) extends from the rigid structure (10) to the intermediate substrate (21) to the flexible substrate (30). In some embodiments, a variable-stiffness module comprises any combination of multiple rigid structures, multiple intermediate substrates, and multiple conductors. The conductor (40) can be an optical conductor or an electrical conductor and can be disposed over the rigid structure (10) or between the rigid structure (10) and the intermediate substrate (21).
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/13 - Supports, p.ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
G02B 6/10 - OPTIQUE ÉLÉMENTS, SYSTÈMES OU APPAREILS OPTIQUES - Détails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p.ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques
G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
An example of a cavity structure comprises a cavity substrate comprising a substrate surface, a cavity extending into the cavity substrate, the cavity having a cavity bottom and cavity walls, and a cap disposed on a side of the cavity opposite the cavity bottom. The cavity substrate, the cap, and the one or more cavity walls form a cavity enclosing a volume. A component can be disposed in the cavity and can extend above the substrate surface. The component can be a piezoelectric or a MEMS device. The cap can have a tophat configuration. The cavity structure can be micro-transfer printed from a source wafer to a destination substrate.
An example of a cavity structure comprises a cavity substrate comprising a substrate surface, a cavity extending into the cavity substrate, the cavity having a cavity bottom and cavity walls, and a cap disposed on a side of the cavity opposite the cavity bottom. The cavity substrate, the cap, and the one or more cavity walls form a cavity enclosing a volume. A component can be disposed in the cavity and can extend above the substrate surface. The component can be a piezoelectric or a MEMS device. The cap can have a tophat configuration. The cavity structure can be micro-transfer printed from a source wafer to a destination substrate.
A method of making a secure integrated-circuit system comprises providing a first integrated circuit in a first die having a first die size and providing a second integrated circuit in a second die. The second die size is smaller than the first die size. The second die is transfer printed onto the first die and connected to the first integrated circuit, forming a compound die. The compound die is packaged. The second integrated circuit is operable to monitor the operation of the first integrated circuit and provides a monitor signal responsive to the operation of the first integrated circuit. The first integrated circuit can be constructed in an insecure facility and the second integrated circuit can be constructed in a secure facility.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
65.
Overhanging device structures and related methods of manufacture
A overhanging device cavity structure comprises a substrate and a cavity disposed in or on the substrate. The cavity comprises a first cavity side wall and a second cavity side wall opposing the first cavity side wall on an opposite side of the cavity from the first cavity side wall. A support extends from the first cavity side wall to the second cavity side wall and at least partially divides the cavity. A device is disposed on, for example in direct contact with, the support and extends from the support into the cavity.
A method of making a secure integrated-circuit system comprises providing a first integrated circuit in a first die having a first die size and providing a second integrated circuit in a second die. The second die size is smaller than the first die size. The second die is transfer printed onto the first die and connected to the first integrated circuit, forming a compound die. The compound die is packaged. The second integrated circuit is operable to monitor the operation of the first integrated circuit and provides a monitor signal responsive to the operation of the first integrated circuit. The first integrated circuit can be constructed in an insecure facility and the second integrated circuit can be constructed in a secure facility.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
67.
Device structures with acoustic wave transducers and connection posts
A device structure comprises an acoustic wave transducer comprising a component. The component comprises a piezo-electric material. Component electrodes are disposed on the component and connection posts extend away from the component. Each of the connection posts is electrically connected to one of the component electrodes. The component has a center and a length greater than a width and, for at least one pair of the connection posts, a distance between the connection posts and the center is less than one quarter of the length.
A compound acoustic wave filter device comprises a support substrate having an including two or more circuit connection pads. An acoustic wave filter includes a piezoelectric filter element and two or more electrodes. The acoustic wave filter is micro-transfer printed onto the support substrate. An electrical conductor electrically connects one or more of the circuit connection pads to one or more of the electrodes.
H03H 3/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
H03H 3/08 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
A hybrid currency banknote includes a banknote having visible markings. One or more light-controlling elements and a controller are embedded in or on the banknote. The controller is electrically connected to the one or more light-controlling elements to control the one or more light-controlling elements. A power input connection is electrically connected to the controller, or one or more light-controlling elements, or both. A power source can be connected to the power input connection, for example a piezoelectric or photovoltaic power source. In response to applied power, the controller causes the one or more light-controlling elements to emit light. A value can be stored in a memory in the controller and displayed by the light-controlling elements. The value can be assigned or varied by a hybrid currency teller machine.
A semiconductor structure suitable for micro-transfer printing comprises a semiconductor substrate and a patterned insulation layer disposed on or over the semiconductor substrate. The insulation layer pattern forms one or more etch vias in contact with the semiconductor substrate. In some embodiments, each etch via is exposed. A semiconductor device is disposed on the patterned insulation layer and is surrounded by an isolation material in one or more isolation vias that are adjacent to the etch via. The etch via can be at least partially filled with a semiconductor material that is etchable with a common etchant as the semiconductor substrate. In some embodiments, the etch via is empty and the semiconductor substrate is patterned to forma gap that separates at least a part of the semiconductor device from the semiconductor substrate and forms a tether physically connecting the semiconductor device to an anchor (e.g., a portion of the semiconductor substrate or the patterned insulation layer).
H01L 21/84 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
71.
MICRO-TRANSFER-PRINTABLE FLIP-CHIP STRUCTURES AND METHODS
In certain embodiments, a method of making a semiconductor structure suitable for transfer printing (e.g., micro-transfer printing) includes providing a support substrate (10) and disposing and processing one or more semiconductor layers on the support substrate to make a completed semiconductor device (22). A patterned release layer (30) and, optionally, a capping layer (60) are disposed on or over the completed semiconductor device and the patterned release layer or capping layer, if present, are bonded to a handle substrate (50) with a bonding layer (40). The support substrate is removed to expose the completed semiconductor device and, in some embodiments, a portion of the patterned release layer. In some embodiments, an entry path is formed to expose a portion of the patterned release layer. In some embodiments, the release layer is etched and the completed semiconductor devices transfer printed (e.g., micro-transfer printed) from the handle substrate to a destination substrate.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A multi-element sensor for measuring a magnetic field. The multi-element sensor comprises a magnetic sensing element, and an electronic circuit. The magnetic sensing element is mounted on the electronic circuit and comprises a fractured tether. The magnetic sensing element is electrically connected with the electronic circuit. The electronic circuit is produced in a first technology and/or first material and the magnetic sensing element is produced in a second technology and/or second material different from the first technology/material.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 43/04 - Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - Détails de dispositifs à effet Hall
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p.ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p.ex. des dispositifs à effet Hall
73.
Hybrid banknote with electronic indicia using near-field-communications
A hybrid high-security document includes a document and one or more independent light-emitting modules disposed on or embedded in the document. Each module comprises an antenna with multiple turns, an electronic circuit, and a light emitter mounted and electrically connected on a substrate separate from the document. The electronic circuit is responsive to electrical power provided from the antenna to control the light emitter to emit light. The electronic circuit can include a memory storing information relevant to the hybrid high-security document or its use. The information can be accessed by external readers providing electromagnetic energy to the hybrid high-security document. The hybrid high-security document can be a hybrid banknote.
G08B 25/10 - Systèmes d'alarme dans lesquels l'emplacement du lieu où existe la condition déclenchant l'alarme est signalé à une station centrale, p.ex. systèmes télégraphiques d'incendie ou de police caractérisés par le moyen de transmission utilisant des systèmes de transmission sans fil
B42D 25/485 - Commande du procédé de fabrication par des moyens de traitement électroniques
G07D 7/12 - Lumière visible, rayonnement infrarouge ou ultraviolet
H04B 5/00 - Systèmes de transmission à induction directe, p.ex. du type à boucle inductive
G08B 5/36 - Systèmes de signalisation optique, p.ex. systèmes d'appel de personnes, indication à distance de l'occupation de sièges utilisant une transmission électromécanique utilisant des sources de lumière visible
G06K 19/077 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré - Détails de structure, p.ex. montage de circuits dans le support
G06K 19/07 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré
74.
Antenna with micro-transfer-printed circuit element
An electromagnetic communication device includes a device substrate, an antenna formed on or in the device substrate, and a circuit element having an electrical circuit and one or more electrically conductive connection posts protruding from the circuit element. Each of the connection posts is electrically connected to the electrical circuit and at least one connection post is electrically connected to the antenna.
H01Q 1/22 - Supports; Moyens de montage par association structurale avec d'autres équipements ou objets
G06K 7/10 - Méthodes ou dispositions pour la lecture de supports d'enregistrement par radiation corpusculaire
G06K 19/077 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré - Détails de structure, p.ex. montage de circuits dans le support
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
Embodiments of the present invention provide a compound power transistor device including a first semiconductor substrate including a first semiconductor material, a second semiconductor substrate including a second semiconductor material different from the first semiconductor material, and a power transistor formed in or on the second semiconductor substrate. In certain embodiments, the second semiconductor substrate is micro-transfer printed on and secured to the first semiconductor substrate.
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée
H01L 23/31 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/367 - Refroidissement facilité par la forme du dispositif
H01L 21/56 - Capsulations, p.ex. couches de capsulation, revêtements
H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A semiconductor chip for measuring a magnetic field. The semiconductor chip comprises a magnetic sensing element, and an electronic circuit. The magnetic sensing element is mounted on the electronic circuit. The magnetic sensing element is electrically connected with the electronic circuit. The electronic circuit is produced in a first technology and/or first material and the magnetic sensing element is produced in a second technology and/or second material different from the first technology/material.
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
H01L 43/04 - Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - Détails de dispositifs à effet Hall
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
A hybrid document includes a document having visible markings, one or more light-controlling elements embedded in or on the document, and a controller including a circuit having a non-volatile memory. The controller is embedded in or on the document and electrically connected to the one or more light-controlling elements for controlling the one or more light-controlling elements. A power input connection is electrically connected to any one or all of the controller, the circuit, the memory, or the one or more light-emitting elements. The memory stores a state and the circuit causes the one or more light-controlling elements to indicate the state. A hybrid document validation machine is adapted to accept one or more of the hybrid documents, change the state of the hybrid documents, and optionally display the state on a display.
G07D 7/00 - Vérification spécialement adaptée à la détermination de l’identité ou de l’authenticité de papiers de valeur ou pour discriminer ceux qui sont inacceptables, p.ex. qui ne correspondent pas à une monnaie
G06K 19/18 - Supports d'enregistrement pour utilisation avec des machines et avec au moins une partie prévue pour supporter des marques numériques caractérisés par le genre de marque numérique, p.ex. forme, nature, code utilisant des marquages de différentes sortes sur le même support d'enregistrement, p.ex. un marquage étant lu optiquement et l'autre par des moyens magnétiques au moins une sorte de marquage étant utilisée pour l'authentification, p.ex. de cartes de crédit ou de cartes d'identité - Détails de structure
B42D 25/30 - Caractéristiques d’identification ou de sécurité, p.ex. pour empêcher la falsification
B42D 25/485 - Commande du procédé de fabrication par des moyens de traitement électroniques
A micro-transfer printable transverse bulk acoustic wave filter comprises a piezoelectric filter element having a top side, a bottom side, a left side, and a right side disposed over a sacrificial portion on a source substrate. A top electrode is in contact with the top side and a bottom electrode is in contact with the bottom side. A left acoustic mirror is in contact with the left side and a right acoustic mirror is in contact with the right side. The thickness of the transverse bulk acoustic wave filter is substantially less than its length or width and its length can be greater than its width. The transverse bulk acoustic wave filter can be disposed on, and electrically connected to, a semiconductor substrate comprising an electronic circuit to control the transverse bulk acoustic wave filter and form a composite heterogeneous device that can be micro-transfer printed.
H03H 9/17 - Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques - Détails de réalisation de résonateurs se composant de matériau piézo-électrique ou électrostrictif ayant un résonateur unique
H03H 9/02 - Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiques; Résonateurs électromécaniques - Détails
H03H 9/13 - Moyens d'excitation, p.ex. électrodes, bobines pour réseaux se composant de matériaux piézo-électriques ou électrostrictifs
H03H 9/145 - Moyens d'excitation, p.ex. électrodes, bobines pour réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H03H 3/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
H03H 3/08 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
H03H 9/64 - Filtres utilisant des ondes acoustiques de surface
79.
WIRELESSLY POWERED HIGH SECURITY DOCUMENT WITH VISUAL INDICATOR AND SYSTEMS
A wirelessly powered display comprises a substrate,an antenna with multiple turns disposed on the substrate, an electronic circuit disposed on the substrate, and one or more pixels each having one or more inorganic light-emitting diodes disposed on the substrate. The electronic circuit is electrically connected to the one or more inorganic LEDs and the antenna, the antenna is responsive to electromagnetic energy to provide electrical power, and the electronic circuit includes a power converter that converts a signal with a relatively high current and low voltage to a signal with a relatively high voltage and low current. A wirelessly coupled display system includes a device including a wireless power transmitter that provides wireless power within a specified range and one or more wirelessly powered displays located within the range and responsive to the wireless power provided by the device to display an image.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des groupes principaux , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. circuit hybrides
G06K 19/07 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré
G06K 19/077 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré - Détails de structure, p.ex. montage de circuits dans le support
G07D 7/01 - Test des circuits électroniques intégrés
H04B 5/00 - Systèmes de transmission à induction directe, p.ex. du type à boucle inductive
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
80.
Hybrid banknote with electronic indicia using near-field-communications
A hybrid high-security document includes a document and one or more independent light-emitting modules disposed on or embedded in the document. Each module comprises an antenna with multiple turns, an electronic circuit, and a light emitter mounted and electrically connected on a substrate separate from the document. The electronic circuit is responsive to electrical power provided from the antenna to control the light emitter to emit light. The electronic circuit can include a memory storing information relevant to the hybrid high-security document or its use. The information can be accessed by external readers providing electromagnetic energy to the hybrid high-security document. The hybrid high-security document can be a hybrid banknote.
G08B 25/10 - Systèmes d'alarme dans lesquels l'emplacement du lieu où existe la condition déclenchant l'alarme est signalé à une station centrale, p.ex. systèmes télégraphiques d'incendie ou de police caractérisés par le moyen de transmission utilisant des systèmes de transmission sans fil
B42D 25/485 - Commande du procédé de fabrication par des moyens de traitement électroniques
G07D 7/12 - Lumière visible, rayonnement infrarouge ou ultraviolet
H04B 5/00 - Systèmes de transmission à induction directe, p.ex. du type à boucle inductive
G08B 5/36 - Systèmes de signalisation optique, p.ex. systèmes d'appel de personnes, indication à distance de l'occupation de sièges utilisant une transmission électromécanique utilisant des sources de lumière visible
G06K 19/077 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré - Détails de structure, p.ex. montage de circuits dans le support
G06K 19/07 - Supports d'enregistrement avec des marques conductrices, des circuits imprimés ou des éléments de circuit à semi-conducteurs, p.ex. cartes d'identité ou cartes de crédit avec des puces à circuit intégré
81.
MICRO-TRANSFER PRINTED LED AND COLOR FILTER STRUCTURE
A micro-transfer printed intermediate structure comprises an intermediate substrate and one or more pixel structures disposed on the intermediate substrate. Each pixel structure includes an LED, a color filter, and a fractured pixel tether physically attached to the pixel structure. A fractured intermediate tether is physically attached to the intermediate substrate. A method of making an intermediate structure source wafer comprises providing a source wafer having a patterned sacrificial layer including sacrificial portions separated by anchors, disposing an intermediate substrate over the patterned sacrificial layer, and disposing one or more pixel structures on the intermediate substrate entirely on or over each sacrificial portion. Each pixel structure includes an LED, a color filter, and a fractured pixel tether physically attached to the pixel structure to form an intermediate structure.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
82.
PRESSURE-ACTIVATED ELECTRICAL INTERCONNECTION BY MICRO-TRANSFER PRINTING
A printed electrical connection structure includes a substrate having one or more electrical connection pads and a micro-transfer printed component having one or more connection posts. Each connection post is in electrical contact with a connection pad. A resin is disposed between and in contact with the substrate and the component. The resin has a reflow temperature less than a cure temperature. The resin repeatedly flows at the reflow temperature when temperature-cycled between an operating temperature and the reflow temperature but does not flow after the resin is exposed to a cure temperature. A solder can be disposed on the connection post or the connection pad. After printing and reflow, the component can be tested and, if the component fails, another component is micro-transfer printed to the substrate, the resin is reflowed again, the other component is tested and, if it passes the test, the resin is finally cured.
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 21/98 - Assemblage de dispositifs consistant en composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun; Assemblage de dispositifs à circuit intégré
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
A display having fused light-emitting diodes (LEDs) includes a display substrate and an array of pixel components disposed on the display substrate. Each pixel component comprises a light-emitting diode and an electrical fuse electrically connected in series with the light-emitting diode. The micro-transfer printable pixel components include an LED having first and second LED electrical contacts for providing power to the LED to cause the LED to emit light, a fuse having first and second fuse electrical contacts, the first fuse electrical contact electrically connected in series with the first LED electrical contact, a first electrode connected to the second fuse electrical contact, and a second electrode connected to the second LED electrical contact.
G09G 3/3216 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice passive
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
A hybrid currency banknote includes a banknote having visible markings. One or more light-controlling elements and a controller are embedded in or on the banknote. The controller is electrically connected to the one or more light-controlling elements to control the one or more light-controlling elements. A power input connection is electrically connected to the controller, or one or more light-controlling elements, or both. A power source can be connected to the power input connection, for example a piezoelectric or photovoltaic power source. In response to applied power, the controller causes the one or more light-controlling elements to emit light. A value can be stored in a memory in the controller and displayed by the light-controlling elements. The value can be assigned or varied by a hybrid currency teller machine.
A micro-transfer printable electronic component includes one or more electronic components, such as integrated circuits or LEDs. Each electronic component has device electrical contacts for providing electrical power to the electronic component and a post side. A plurality of electrical conductors includes at least one electrical conductor electrically connected to each of the device electrical contacts. One or more electrically conductive connection posts protrude beyond the post side. Each connection post is electrically connected to at least one of the electrical conductors. Additional connection posts can form electrical jumpers that electrically connect electrical conductors on a destination substrate to which the printable electronic component is micro-transfer printed. The printable electronic component can be a full-color pixel in a display.
H01L 25/03 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans le même sous-groupe des groupes , ou dans une seule sous-classe de , , p.ex. ensembles de diodes redresseuses
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
A method of making a micro-transfer printed system includes providing a source wafer (10) having a plurality of micro-transfer printable source devices (12 arranged at a source spatial density; providing an intermediate wafer (20) having a plurality of micro-transfer printable intermediate supports (24) arranged at an intermediate spatial density less than or equal to the source spatial density; providing a destination substrate (30); micro-transfer printing the source devices from the source wafer to the intermediate supports of the intermediate wafer with a source stamp having a plurality of posts at a source transfer density to make an intermediate device (22) on each intermediate support; and micro-transfer printing the intermediate devices from the intermediate wafer to the destination substrate at a destination spatial density less than the source spatial density with an intermediate stamp having a plurality of posts at an intermediate transfer density less than the source transfer density.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
A hybrid currency banknote includes a banknote having visible markings. One or more light-controlling elements and a controller are embedded in or on the banknote. The controller is electrically connected to the one or more light-controlling elements to control the one or more light-controlling elements. A power input connection is electrically connected to the controller, or one or more light-controlling elements, or both. A power source can be connected to the power input connection, for example a piezoelectric or photovoltaic power source. In response to applied power, the controller causes the one or more light-controlling elements to emit light. A value can be stored in a memory in the controller and displayed by the light-controlling elements. The value can be assigned or varied by a hybrid currency teller machine.
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
Embodiments of the present invention provide a compound optical filter device comprising a semiconductor substrate having an optical transducer formed on the semiconductor substrate, the optical transducer responsive to light to produce a signal or responsive to a signal to emit light. An optical filter comprises a filter substrate separate and independent from the semiconductor substrate and one or more optical filter layers disposed on the filter substrate. The filter substrate is micro-transfer printed on or over the semiconductor substrate or on layers formed over the semiconductor substrate and over the optical transducer to optically filter the light to which the optical transducer is responsive or to optically filter the light emitted by the optical transducer. In further embodiments, the optical filter is an interference filter and the semiconductor substrate includes active components that can control or operate the optical transducer.
H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
A compound acoustic wave filter device comprises a support substrate having an including two or more circuit connection pads. An acoustic wave filter includes a piezoelectric filter element and two or more electrodes. The acoustic wave filter is micro-transfer printed onto the support substrate. An electrical conductor electrically connects one or more of the circuit connection pads to one or more of the electrodes.
H03H 9/64 - Filtres utilisant des ondes acoustiques de surface
H03H 9/54 - Filtres comprenant des résonateurs en matériau piézo-électrique ou électrostrictif
H03H 3/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux piézo-électriques ou électrostrictifs
H03H 3/08 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de réseaux d'impédance, de circuits résonnants, de résonateurs pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux électromécaniques pour la fabrication de résonateurs ou de réseaux utilisant des ondes acoustiques de surface
A compound sensor device includes a semiconductor substrate having an active electronic circuit formed in or on the semiconductor substrate. A sensor including a sensor substrate including a sensor circuit having an environmental sensor or actuator formed in or on the sensor substrate is micro-transfer printed onto the semiconductor substrate. One or more electrical conductors electrically connect the active electronic circuit to the sensor circuit. The semiconductor substrate includes a first material and the sensor substrate includes a second material different from the first material.
H01L 27/14 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit ra
B81C 3/00 - Assemblage de dispositifs ou de systèmes à partir de composants qui ont reçu un traitement individuel
B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
91.
WAFER-INTEGRATED, ULTRA-LOW PROFILE CONCENTRATED PHOTOVOLTAICS (CPV) FOR SPACE APPLICATIONS
A concentrator-type photovoltaic module includes a plurality of photovoltaic cells having respective surface areas of less than about 4 square millimeters (mm) electrically interconnected in series and/or parallel on a backplane surface, and an array of concentrating optical elements having respective aperture dimensions of less than about 30 mm and respective focal lengths of less than about 50 mm. The array of concentrating optical elements is positioned over the photovoltaic cells based on the respective focal lengths to concentrate incident light on the photovoltaic cells, and is integrated on the backplane surface by at least one spacer structure on the backplane surface. Related devices, operations, and fabrication methods are also discussed.
H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
H01L 31/054 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] Éléments optiques directement associés ou intégrés à la cellule PV, p.ex. moyens réflecteurs ou concentrateurs de lumière
92.
STRUCTURES AND METHODS FOR CONTROLLING RELEASE OF TRANSFERABLE SEMICONDUCTOR STRUCTURES
The disclosed technology relates generally to methods and systems for controlling the release of micro devices. Prior to transferring micro devices to a destination substrate, a native substrate is formed with micro devices thereon. The micro devices can be distributed over the native substrate and spatially separated from each other by an anchor structure. The anchors are physically connected/secured to the native substrate. Tethers physically secure each micro device to one or more anchors, thereby suspending the micro device above the native substrate. In certain embodiments, single tether designs are used to control the relaxation of built-in stress in releasable structures on a substrate, such as Si (1 0 0). Single tether designs offer, among other things, the added benefit of easier break upon retrieval from native substrate in micro assembly processes. In certain embodiments, narrow tether designs are used to avoid pinning of the undercut etch front.
An inorganic light-emitting diode display with integrated electrodes includes a display surface having a display area and a plurality of spatially separated light-emitting diodes (such as inorganic light-emitting diodes) disposed in rows on the display surface in the display area. The inorganic light-emitting diodes in each row of inorganic light-emitting diodes are electrically connected by one or more electrical conductors. One or more row touch electrodes are disposed in rows over the display surface in the display area between the rows of inorganic light-emitting diodes and are disposed on the display surface and have a width that is larger than a length and width of the light-emitting diodes. A display with an integrated touch screen includes one or more sensing elements disposed in a common plane with the light emitters or on a side of the light emitters opposite the display surface.
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
G06F 3/041 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
G06F 3/044 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction par des moyens capacitifs
94.
MULTI-JUNCTION PHOTOVOLTAIC MICRO-CELL ARCHITECTURES FOR ENERGY HARVESTING AND/OR LASER POWER CONVERSION
An optical power converter device includes a light source configured to emit monochromatic light, and a multi-junction photovoltaic cell including respective photovoltaic cell layers having different bandgaps and/or thicknesses. The respective photovoltaic cell layers are electrically connected to collectively provide an output voltage and are vertically stacked relative to a surface of the multi-junction photovoltaic cell that is arranged for illumination by the monochromatic light from the light source. Responsive to the illumination of the surface by the monochromatic light from the light source, the respective photovoltaic cell layers are configured to generate respective output photocurrents that are substantially equal. Related devices and methods of operation are also discussed.
H01L 31/12 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour
H01L 31/042 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
95.
LAYERS OF SAFETY & FAILSAFE CAPABILITY FOR OPERATION OF CLASS IV LASER IN CONSUMER ELECTRONICS DEVICES
An optical power transfer device includes a transmitter circuit, including a laser light source that is configured to emit coherent light responsive to operation above a lasing threshold, and is configured to emit incoherent light responsive operation below the lasing threshold. A proximity sensor circuit is coupled to the transmitter circuit and is configured to output a detection signal therefrom responsive to authentication of an optical receiver including at least one photovoltaic cell having surface area of about 4 square millimeters or less within a proximity thereof. The transmitter circuit is configured to operate the laser light source below the lasing threshold to emit the incoherent light responsive to an absence of the detection signal from the proximity sensor circuit. Related devices and methods of operation are also discussed.
An optical data communication and power converter device includes a receiver circuit comprising an optical receiver. The optical receiver includes a photovoltaic device and a photoconductive device arranged within an area that is configured for illumination by a modulated optical signal emitted from a monochromatic light source of a transmitter circuit. The photovoltaic device is configured to generate electric current responsive to the illumination of the area by the modulated optical signal. The photoconductive device is configured to generate a data signal, distinct from the electric current, responsive to the illumination of the area by the modulated optical signal. A reverse bias voltage may be applied to the photoconductive device by the photovoltaic device, independent of an external voltage source. Related devices and methods of operation are also discussed.
H04B 10/50 - Systèmes de transmission utilisant des ondes électromagnétiques autres que les ondes hertziennes, p.ex. les infrarouges, la lumière visible ou ultraviolette, ou utilisant des radiations corpusculaires, p.ex. les communications quantiques Émetteurs
A reflective display includes an array of reflective pixels in or beneath a display viewing area for viewing electronically displayed information. A layer is located on or over the display viewing area through which the display viewing area is viewed and a plurality of micro-LEDs is located on the layer in the display viewing area and arranged to emit light toward the display viewing area. A plurality of conductors is located on the layer and the conductors are electrically connected to the micro-LEDs. A controller is connected to the conductors to control the micro- LEDs to emit light illuminating the display viewing area.
G02F 1/1333 - Dispositions relatives à la structure
G02F 1/1335 - Association structurelle de cellules avec des dispositifs optiques, p.ex. des polariseurs ou des réflecteurs
G06F 3/041 - Numériseurs, p.ex. pour des écrans ou des pavés tactiles, caractérisés par les moyens de transduction
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p.ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p.ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H01L 27/32 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux avec des composants spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. panneaux d'affichage plats utilisant des diodes émettrices de lumière organiques
The present invention provides structures and methods that enable the construction of micro-LED chiplets formed on a sapphire substrate that can be micro- transfer printed. Such printed structures enable low-cost, high-performance arrays of electrically connected micro-LEDs useful, for example, in display systems. Furthermore, in an embodiment, the electrical contacts for printed LEDs are electrically interconnected in a single set of process steps. In certain embodiments, formation of the printable micro devices begins while the semiconductor structure remains on a substrate. After partially forming the printable micro devices, a handle substrate is attached to the system opposite the substrate such that the system is secured to the handle substrate. The substrate may then be removed and formation of the semiconductor structures is completed. Upon completion, the printable micro devices may be micro transfer printed to a destination substrate.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
40 - Traitement de matériaux; recyclage, purification de l'air et traitement de l'eau
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception
Produits et services
Machines for integrating microscale devices or integrated circuits onto non-native substrates; machines for printing microscale devices onto non-native substrates; micro transfer printers. Light emitting diode (LED) displays; LED modules, namely, an assembly of LEDs, for use in lighting and displays; digital display panels; computer memory devices; optical communications systems comprised of optical and electronic hardware and computer software for the transmission of data between two points. Printing; micro transfer printing services; printing services, namely, printing microscale devices or integrated circuits onto non-native substrates; treatment of materials, namely, affixing and embedding product authentication security devices and materials in a wide variety of products and documents to protect against counterfeiting, tampering, and diversion, and to ensure the integrity of genuine products and documents. Design of machines for integrating microscale devices or integrative circuits onto non-native substrates; design of machines for printing microscale devices onto non-native substrates; design of micro transfer printers for others; Encoding identification information on valuable documents and products.
100.
METHOD FOR PRODUCING A SEMICONDUCTOR COMPONENT AND SEMICONDUCTOR COMPONENT
A method for producing a plurality of semiconductor components is provided, wherein a semiconductor layer sequence having a first semiconductor layer, a second semiconductor layer and an active region is applied on a substrate. A contact structure is formed for electrically contacting the first and the second semiconductor layers. An auxiliary substrate is applied on the semiconductor layer sequence, so that the semiconductor layer sequence is arranged between the auxiliary substrate and the substrate. In a subsequent step, the substrate is removed from the semiconductor layer sequence. The semiconductor layer sequence is structured into a plurality of semiconductor bodies by forming at least one trench separating the semiconductor bodies. An anchoring layer is formed to cover the trench and vertical surfaces of the semiconductor bodies. A plurality of tethers is formed by structuring the anchoring layer in regions covering the trench. The auxiliary substrate is locally detached from the semiconductor bodies, wherein the tethers remain attached to the auxiliary substrate. At least one semiconductor body is selectively picked up by separating the tethers from the auxiliary substrate. Moreover, a semiconductor component produced by said method is provided.
