C07C 327/06 - Acides monothiocarboxyliques ayant des atomes de carbone de groupes thiocarboxyle liés à des atomes d'hydrogène ou à des atomes de carbone acycliques à des atomes d'hydrogène ou à des atomes de carbone d'un squelette carboné acyclique saturé
C07C 327/12 - Acides monothiocarboxyliques ayant des atomes de carbone de groupes thiocarboxyle liés à des atomes d'hydrogène ou à des atomes de carbone acycliques à des atomes de carbone d'un squelette carboné non saturé contenant des cycles
C07C 327/14 - Acides monothiocarboxyliques ayant des atomes de carbone de groupes thiocarboxyle liés à des atomes de carbone de cycles autres que des cycles aromatiques à six chaînons
C07C 327/16 - Acides monothiocarboxyliques ayant des atomes de carbone de groupes thiocarboxyle liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons
C07D 335/02 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles
C07D 407/12 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle, non prévus par le groupe contenant deux hétérocycles liés par une chaîne contenant des hétéro-atomes comme chaînons
C07D 407/14 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle, non prévus par le groupe contenant au moins trois hétérocycles
11 -is S-or O-211 -22. Z+ is a monovalent organic cation. Each * is a bond with another atom in the onium salt. Note, however, that the onium salt contains one or more polymerizable groups in a portion other than the partial structure.)
C07C 219/08 - Composés contenant des groupes amino et hydroxy estérifiés liés au même squelette carboné ayant des groupes hydroxy estérifiés et des groupes amino liés à des atomes de carbone acycliques du même squelette carboné le squelette carboné étant acyclique et saturé au moins un des groupes hydroxy étant estérifié par un acide carboxylique ayant le groupe carboxyle estérifiant lié à un atome de carbone acyclique d'un squelette carboné acyclique non saturé
C07C 327/06 - Acides monothiocarboxyliques ayant des atomes de carbone de groupes thiocarboxyle liés à des atomes d'hydrogène ou à des atomes de carbone acycliques à des atomes d'hydrogène ou à des atomes de carbone d'un squelette carboné acyclique saturé
C07C 327/08 - Acides monothiocarboxyliques ayant des atomes de carbone de groupes thiocarboxyle liés à des atomes d'hydrogène ou à des atomes de carbone acycliques à des atomes de carbone d'un squelette carboné saturé contenant des cycles
C07C 327/16 - Acides monothiocarboxyliques ayant des atomes de carbone de groupes thiocarboxyle liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons
C07D 307/00 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle
C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
This liquid crystal alignment agent comprises a solvent and a polymer (P) having a side chain that includes a cinnamate structure and does not have a fluorinated alkyl group at an end of the side chain. The solvent has a first solvent and a second solvent. The first solvent has a boiling point of 185°C or higher and has a cyclic amide structure or a cyclic ester structure. The second solvent has a boiling point of lower than 185°C and a surface tension at 25°C of 25 mN/m or less. The content of the first solvent is 30 mass% to 70 mass% with respect to the total amount of the solvent, and the content of the second solvent is more than 0 mass% and 30 mass% or less with respect to the total amount of the solvent.
Provided are: a composition for forming a resist underlayer film, said composition making it possible to form a resist underlayer film having excellent resist pattern rectangularity; and a method for manufacturing a semiconductor substrate. This composition for forming a resist underlayer film contains a polymer and a solvent. The polymer has a group including at least one hydroxy group selected from the group consisting of formulae (A1) to (A4). (In formulae (A1) to (A4), at least one of Reand Rf is a hydrogen atom. In formula (A4), at least one hydrogen atom is bonded to at least one carbon atom at the β-position of the oxygen atom of OH.)
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
C08F 220/26 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle
C08F 220/58 - Amides contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carbonamide
The purpose of the present invention is to provide: a radiation-sensitive composition that makes it possible to achieve sufficient levels of sensitivity, exposure latitude, depth of focus, pattern rectangularity, storage stability, development defect performance, CDU, and pattern circularity during resist pattern formation; a pattern formation method; and a compound. This radiation-sensitive composition contains a polymer (A), a compound (B) represented by formula (1), an acid diffusion control agent (C), and a solvent (S). (In formula (1), Q is a quinone structure, and M+ is a monovalent organic cation.)
C07C 25/13 - Hydrocarbures halogénés aromatiques monocycliques contenant du fluor
C07C 39/27 - Les atomes d'halogène étant tous liés au cycle
C07C 69/76 - Esters d'acides carboxyliques dont un groupe carboxyle estérifié est lié à un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons
C07C 205/12 - Composés contenant des groupes nitro liés à un squelette carboné le squelette carboné étant substitué de plus par des atomes d'halogène ayant des groupes nitro liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons le cycle aromatique à six chaînons ou un système cyclique condensé contenant ce cycle étant substitué par des atomes d'halogène
C07C 255/50 - Nitriles d'acides carboxyliques ayant des groupes cyano liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons non condensés
C07C 309/25 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles autres que des cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné
C07C 309/26 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles autres que des cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'azote, ne faisant pas partie de groupes nitro ou nitroso, liés au squelette carboné
C07C 309/27 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles autres que des cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
C07C 309/44 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'oxygène, liés par des liaisons doubles, liés au squelette carboné
C07C 309/53 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'azote, ne faisant pas partie de groupes nitro ou nitroso, liés au squelette carboné le squelette carboné étant substitué de plus par des atomes d'oxygène liés par des liaisons doubles le squelette carboné contenant des atomes de carbone de cycles quinoniques
C07C 309/58 - Groupes acide carboxylique ou leurs esters
C07C 317/24 - SulfonesSulfoxydes ayant des groupes sulfone ou sulfoxyde et des atomes d'oxygène, liés par des liaisons doubles, liés au même squelette carboné
C07C 321/24 - Thiols, sulfures, hydropolysulfures ou polysulfures ayant des groupes thio liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons
Provided is a radiation curable composition for forming an optical fiber primary covering layer in which coloring of the cured resin composition comprising an acylphosphine oxide-based photoinitiator is reduced. The radiation curable composition for forming an optical fiber primary covering layer comprises an acylphosphine oxide-based initiator (A) and a urethane acrylate oligomer (B). A content of the initiator (A) is 0.15 to 0.9 mass% with respect to a total mass of the radiation curable composition, the initiator (A) contains one or more selected from the group consisting of compounds having a predetermined structure, the oligomer (B) is obtained by reacting at least a predetermined compound, and a content of the oligomer (B) is 71 mass% or more with respect to the total mass of the radiation curable composition.
A method for manufacturing a semiconductor substrate includes: applying a composition for film formation to a substrate to form a coating film, and subjecting the coating film to at least one process selected from the group consisting of radiation exposure and plasma exposure. The composition for film formation includes: a metal compound comprising a metal atom and an organic acid, and a solvent.
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
Provided are: an underlayer film-forming composition for a metal-containing resist film, with which it is possible to form a resist underlayer film that has excellent resist pattern rectangularity; and a method for producing a semiconductor substrate. This underlayer film-forming composition for a metal-containing resist film contains a polymer and a solvent, wherein the polymer has a partial structure represented by formula (a-1) or formula (a-2), and at least one monovalent group (X) selected from the group consisting of groups represented by formulas (2-1) to (2-8). (In formulas (a-1) and (a-2), R1and R2122 are integers of 0-4.)
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
C08G 10/02 - Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des hydrocarbures aromatiques ou avec leurs dérivés halogénés d'aldéhydes
METHOD FOR PRODUCING POLYPROPYLENE-BASED RESIN FOAM PARTICLES, METHOD FOR DISCRIMINATING POLYPROPYLENE-BASED RESIN, AND METHOD FOR PRODUCING POLYPROPYLENE-BASED RESIN
This method for producing polypropylene-based resin foam particles includes a foaming step for foaming a polypropylene-based resin composition that contains a base resin composed of a polypropylene-based resin and a foaming agent. The base resin is produced using a recycled polypropylene-based resin (R). The blending amount of the polypropylene-based resin (R) in the base resin is 15 mass% or more. The polypropylene-based resin (R) has a melting point of lower than 160°C. The polypropylene-based resin (R) has an oxidation induction temperature (T3) of 220°C or higher as measured in accordance with ISO 11357-6: 2018.
Provided are: a semiconductor cleaning composition that can reduce damage, e.g., corrosion, on the surface of an object to be treated and that can efficiently remove contamination from the surface of the object to be treated; and a cleaning method using this semiconductor cleaning composition. A semiconductor cleaning composition according to the present invention has a pH of 3.0-9.0 and contains: a compound (A) having at least one group selected from the group consisting of an amino group and salts thereof, at least one group selected from the group consisting of a sulfo group and salts thereof, and a group having a C4-12 cyclic structure; a phosphonic acid (B); and a liquid medium.
A spin current magnetization rotating element includes: a first ferromagnetic layer having a magnetization direction which is changeable; and a spin-orbit torque wiring layer adjacent to the first ferromagnetic layer. At least one element in the spin-orbit torque writing layer has a crystal structure in which, when dimensions of a lattice constant of the crystal structure are expressed by a, b, and c: atoms occupy internal coordinates: (0, 0, 0), (0.5, 0.5, 0), (0.25, 0.75, 0.25), (0.75, 0.25, 0.25), (0, 0.5, 0.5), (0.5, 0, 0.5), (0.75, 0.75, 0.75), and (0.25, 0.25, 0.75); ab planes are laminated so as to have a four-time spiral structure along c axis; and an angle between a axis and b axis (γ) is in a range of 60°≤γ≤120°, and a ratio of b to a (b/a) is in a range of 0.2≤b/a≤1.0.
NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION NARA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (Japon)
Inventeur(s)
Asano, Shigehito
Sugawara, Tetsunori
Ohnishi, Yu-Ya
Wakiuchi, Araki
Fujii, Mikiya
Ajiro, Hiroharu
Abrégé
Provide are a method for producing a polymer having a high purity and a highly controlled structural unit composition and molecular weight, and a polymer production device. The method for producing a polymer is a method in which a polymer is obtained by radical polymerization with an azo-based polymerization initiator, two or more monomers, and a solvent. The method includes a first step of performing the radical polymerization in a tubular reactor, and a second step of performing the radical polymerization in a stirred tank reactor after the first step, in which a maximum solid content concentration C1max on a mass basis in the first step is 30 mass % or more, a maximum solid content concentration C2max on a mass basis in the second step is less than 50 mass %, and the maximum solid content concentration C1max and the maximum solid content concentration C2max satisfy C1max≥C2max.
The polypropylene resin foam particles contain 50 mass% or more of a recycled polypropylene resin (R). The oxidation induction time (t) of the polypropylene resin foam particles at a temperature of 200° C, as measured in accordance with ISO 11357-6: 2018, is 5-360 minutes. The content of carbon black in the polypropylene resin (R) may be less than 0.5 mass% (including 0). The content of carbon black in the foam particles may be 0.5-5 mass%.
A radiation-sensitive composition includes: a first onium salt compound represented by formula (1); at least one second onium salt compound selected from the group consisting of a carboxylic acid salt compound represented by formula (2) and a carboxylic acid intramolecular salt compound represented by formula (3); a polymer including a structural unit which includes an acid-dissociable group; and a solvent. In the formula (1), A is a (1+n)-valent organic group having 1 to 40 carbon atoms; and Rf1 and Rf2 are each independently a hydrogen atom, a monovalent organic group, a fluorine atom, or a monovalent fluorinated hydrocarbon group. In the formula (2), R1 is a monovalent organic group having 2 to 40 carbon atoms. In the formula (3), R2 is a single bond or a divalent organic group having 1 to 40 carbon atoms.
A radiation-sensitive composition includes: a first onium salt compound represented by formula (1); at least one second onium salt compound selected from the group consisting of a carboxylic acid salt compound represented by formula (2) and a carboxylic acid intramolecular salt compound represented by formula (3); a polymer including a structural unit which includes an acid-dissociable group; and a solvent. In the formula (1), A is a (1+n)-valent organic group having 1 to 40 carbon atoms; and Rf1 and Rf2 are each independently a hydrogen atom, a monovalent organic group, a fluorine atom, or a monovalent fluorinated hydrocarbon group. In the formula (2), R1 is a monovalent organic group having 2 to 40 carbon atoms. In the formula (3), R2 is a single bond or a divalent organic group having 1 to 40 carbon atoms.
C07C 309/23 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné non saturé contenant des cycles autres que des cycles aromatiques à six chaînons
C07D 333/46 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles substitués sur l'atome de soufre du cycle
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
Provided are a resist underlayer film formation composition that makes it possible to form a film that has excellent flatness and embedding properties and a production method for a semiconductor substrate. A resist underlayer film formation composition according to the present invention contains a carbonyl group–containing compound and a solvent, the carbonyl group–containing compound having at least one partial structure selected from the group that consists of partial structures represented by formula (A1) and partial structures represented by formula (A2). (In the formulas, Ar1and Ar2are a C3–20 aromatic ring, R1is a hydroxyl group, a nitro group, a halogen atom, or a C1–20 monovalent organic group, n is 1 or 2, p is an integer from 0 to 4, inclusive, and * is the site of a bond to another partial structure of the carbonyl group–containing compound, and in formula (A1), one of Y1and Y2 is a carbonyl group, and the other is a single bond, an oxygen atom, a sulfur atom, or a methylene group.)
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
16.
POLYPROPYLENE RESIN EXPANDED BEADS AND POLYPROPYLENE RESIN EXPANDED BEADS MOLDED BODY
A polypropylene resin expanded beads containing a biomass-derived polypropylene resin and capable of providing an excellent polypropylene resin expanded beads molded body, and a polypropylene resin expanded beads molded body produced using the polypropylene resin expanded beads. In the polypropylene resin expanded beads, a base material resin of the expanded beads contains biomass-derived polypropylene resin A containing a biomass-derived monomer component in a molecular chain and fossil fuel-derived polypropylene resin B, and the base material resin contains 3% by weight or more and 60% by weight or less of the biomass-derived polypropylene resin A and 40% by weight or more and 97% by weight or less of the fossil fuel-derived polypropylene resin B (a total of both is 100% by weight); and the expanded beads molded body is obtained by in-mold molding of the polypropylene resin expanded beads.
A radiation-sensitive composition contains: a polymer, solubility of which in a developer solution is capable of being altered by an action of an acid; and a compound having an anion and a radiation-sensitive onium cation. The polymer has a structural unit including a group that generates a sulfonic acid by an action of radiation. The polymer includes an iodo group. At least one of the anion and the radiation-sensitive onium cation includes an acid-labile group.
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
C08F 220/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
C08F 220/30 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle contenant des cycles aromatiques dans la partie alcool
Provided are: a method for producing polyolefin-based resin foamed particles, wherein by using talc, a high expansion ratio can be achieved, and excessive bubble formation can be prevented; and polyolefin-based resin foamed particles which contain talc and exhibit a high expansion ratio, and in which excessive bubble formation is prevented. According to the production method, in a sealed container, polyolefin-based resin particles containing carbon dioxide, dispersed in an aqueous medium, are released from the sealed container under a pressure lower than the pressure inside the sealed container to cause foaming. The polyolefin-based resin particles contain talc and at least one compound A selected from the group consisting of magnesium nitrate, tripotassium phosphate, trisodium phosphate, potassium carbonate, and calcium nitrate. The amount of the talc and the compound A to be added is adjusted to a predetermined range. The polyolefin-based resin foamed particles have an average cell diameter of 20-200 μm, and contain: a polyolefin-based resin; at least one compound A selected from magnesium nitrate, tripotassium phosphate, trisodium phosphate, potassium carbonate, and calcium nitrate; and talc. The content of the talc and the compound A is adjusted to a predetermined range.
C08J 9/18 - Fabrication de particules expansibles par imprégnation des particules du polymère avec l'agent de gonflage
C08K 3/18 - Composés contenant de l'oxygène, p. ex. métaux-carbonyles
C08L 23/02 - Compositions contenant des homopolymères ou des copolymères d'hydrocarbures aliphatiques non saturés ne possédant qu'une seule liaison double carbone-carboneCompositions contenant des dérivés de tels polymères non modifiées par un post-traitement chimique
The purpose of the present invention is to provide an orientation agent for NMR measurement that has excellent resistance to salts and the like. The present invention relates to an orientation agent for NMR measurement, the orientation agent being provided with a nanosheet and a coating agent that coats at least a portion of the nanosheet, wherein the coating agent contains a reaction product of polyoxyethylene monomethyl ether or a derivative thereof and a polyamine having a total of 3 to 30 amino groups and/or imino groups.
G01N 24/00 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de la résonance magnétique nucléaire, de la résonance paramagnétique électronique ou d'autres effets de spin
Provided are a radiation-sensitive resin composition capable of forming a resist film capable of exhibiting sensitivity and CDU performance at sufficient levels when a next-generation technology is applied, and a pattern formation method. A radiation-sensitive resin composition containing a radiation-sensitive acid generating resin containing a structural unit (I) having an acid-dissociable group and a structural unit (II) having an organic acid anion moiety and an onium cation moiety and a solvent, wherein the acid-dissociable group and the organic acid anion moiety each contain an iodine-substituted aromatic ring structure.
G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
C08F 220/30 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle contenant des cycles aromatiques dans la partie alcool
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
A radiation-sensitive composition contains: (A) a polymer having a structural unit represented by formula (1) and; and (B) an onium salt compound which is formed of an organic anion and a cation, in which the organic anion or the cation or both have an iodo group, and which generates an acid through exposure to radiation. In the formula, B1 represents a single bond or a C≥1 divalent organic group bound to E+ at a carbon atom thereof. E+ represents a divalent group having an ammonium cation structure or a phosphonium cation structure. B2 represents a C≥1 divalent organic group bound to E+ and D− at the same carbon atom of different carbon atoms thereof. D− represents a monovalent group having an anion structure.
A radiation-sensitive composition contains: (A) a polymer having a structural unit represented by formula (1) and; and (B) an onium salt compound which is formed of an organic anion and a cation, in which the organic anion or the cation or both have an iodo group, and which generates an acid through exposure to radiation. In the formula, B1 represents a single bond or a C≥1 divalent organic group bound to E+ at a carbon atom thereof. E+ represents a divalent group having an ammonium cation structure or a phosphonium cation structure. B2 represents a C≥1 divalent organic group bound to E+ and D− at the same carbon atom of different carbon atoms thereof. D− represents a monovalent group having an anion structure.
A radiation-sensitive composition includes: an onium salt compound represented by formula (1); a polymer including a structural unit (I) represented by formula (2); and a solvent. A is a (1+n)-valent organic group having 3 to 40 carbon atoms including a cyclic structure, when the group represented by A includes a linear alkanediyl group, a carbon number of the linear alkanediyl group is 1 or 2, the group represented by A does not contain a cyclohexylcarbonyloxy structure, Rf1 and Rf2 are each independently a hydrogen atom, a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a fluorine atom, or a monovalent fluorinated hydrocarbon group, at least one of Rf1 and Rf2 is a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group. W is a monocyclic lactone structure, a monocyclic carbonate structure, a monocyclic sultone structure, a monocyclic sulfone structure, or a monocyclic ether structure.
A radiation-sensitive composition includes: an onium salt compound represented by formula (1); a polymer including a structural unit (I) represented by formula (2); and a solvent. A is a (1+n)-valent organic group having 3 to 40 carbon atoms including a cyclic structure, when the group represented by A includes a linear alkanediyl group, a carbon number of the linear alkanediyl group is 1 or 2, the group represented by A does not contain a cyclohexylcarbonyloxy structure, Rf1 and Rf2 are each independently a hydrogen atom, a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a fluorine atom, or a monovalent fluorinated hydrocarbon group, at least one of Rf1 and Rf2 is a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group. W is a monocyclic lactone structure, a monocyclic carbonate structure, a monocyclic sultone structure, a monocyclic sulfone structure, or a monocyclic ether structure.
C07C 309/17 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
The present invention provides: a composition for semiconductor processing which has excellent storage stability and which can effectively reduce the occurrence of corrosion and defects in a wiring material on the surface of an object to be processed; and a processing method using the same. A composition for semiconductor processing according to the present invention contains a heterocyclic compound (A), a cationic water-soluble polymer (B), and a liquid medium (C), wherein, provided that the (A) component content is defined as MA [parts by mass] and the component (B) component content is defined as MB [parts by mass], MA/MB = 0.1–1000 and the pH is 2–9.
22-. n represents an integer of 4-8. The plurality of Ar's are identical or different from each other and the plurality of X's are identical or different from each other.)
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
A radiation-sensitive composition includes: a first onium salt compound represented by formula (1); a second onium salt compound represented by formula (2); a polymer including an acid-dissociable group. A is a (1+n)-valent organic group having 1 to 40 carbon atoms; Rf1 and Rf2 are each independently a hydrogen atom, a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a fluorine atom, or a monovalent fluorinated hydrocarbon group; provided that at least one of Rf1 and Rf2 is a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group; and R1 and R2 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R4 is a monovalent organic group having 1 to 40 carbon atoms in which neither a fluorine atom nor a fluorinated hydrocarbon group is bonded to an atom adjacent to a sulfur atom in SO3−.
A radiation-sensitive composition includes: a first onium salt compound represented by formula (1); a second onium salt compound represented by formula (2); a polymer including an acid-dissociable group. A is a (1+n)-valent organic group having 1 to 40 carbon atoms; Rf1 and Rf2 are each independently a hydrogen atom, a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a fluorine atom, or a monovalent fluorinated hydrocarbon group; provided that at least one of Rf1 and Rf2 is a fluorine atom or a monovalent fluorinated hydrocarbon group; and R1 and R2 are each independently a hydrogen atom, a fluorine atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R4 is a monovalent organic group having 1 to 40 carbon atoms in which neither a fluorine atom nor a fluorinated hydrocarbon group is bonded to an atom adjacent to a sulfur atom in SO3−.
Provided are: a semiconductor treatment composition having excellent storage stability and capable of effectively reducing the occurrence of corrosion and defects in a wiring material on the surface of an object to be treated; and a treatment method using said composition. A semiconductor treatment composition according to the present invention contains: (A) a heterocyclic compound; (B) at least one compound selected from the group consisting of a quaternary ammonium salt, a quaternary phosphonium salt, and a tertiary sulfonium salt; and (C) a liquid medium. When the content of the component (A) is indicated by MA (parts by mass) and the content of the component (B) is indicated by MB (parts by mass), MA/MB is 0.1-1000. The semiconductor treatment composition has a pH of 2-9.
A photosensitive resin composition contains an alkali-soluble polymer (A), a photosensitizer (B), a crosslinking compound (C) having a crosslinkable group that reacts with a component (D) below by heat, a compound (D) represented by formula (1), and a solvent (E). X11 represents, for example, a nitrogen atom, R11 represents a hydrogen atom or a group represented by formula (2). L21 represents, for example, a single bond, R21 represents, for example, a hydrogen atom, R22 represents a monovalent organic group, and n21 to n23 represent an integer of 0 or more. At least one of three R11's is represented by formula (2), and in at least one group represented by formula (2), n21 is an integer of 1 or more, and at least one R21 is a hydrogen atom.
A photosensitive resin composition contains an alkali-soluble polymer (A), a photosensitizer (B), a crosslinking compound (C) having a crosslinkable group that reacts with a component (D) below by heat, a compound (D) represented by formula (1), and a solvent (E). X11 represents, for example, a nitrogen atom, R11 represents a hydrogen atom or a group represented by formula (2). L21 represents, for example, a single bond, R21 represents, for example, a hydrogen atom, R22 represents a monovalent organic group, and n21 to n23 represent an integer of 0 or more. At least one of three R11's is represented by formula (2), and in at least one group represented by formula (2), n21 is an integer of 1 or more, and at least one R21 is a hydrogen atom.
C07D 307/90 - Benzo [c] furannesBenzo [c] furannes hydrogénés avec un atome d'oxygène en position 1 et un atome d'azote en position 3, ou vice versa
C08G 73/06 - Polycondensats possédant des hétérocycles contenant de l'azote dans la chaîne principale de la macromoléculePolyhydrazidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
G03F 7/32 - Compositions liquides à cet effet, p. ex. développateurs
A method for producing a polyethylene-based resin foam sheet and a polyethylene-based resin foam sheet are provided without depending on an inorganic substance and a chemical blowing agent, and the method enables production of a good polyethylene-based resin foam sheet.
A method for producing a polyethylene-based resin foam sheet and a polyethylene-based resin foam sheet are provided without depending on an inorganic substance and a chemical blowing agent, and the method enables production of a good polyethylene-based resin foam sheet.
In a first way of the method including extrusion-foaming a foamable resin melt containing a polyethylene-based resin and a physical blowing agent to produce a polyethylene-based resin foam sheet, one or more organic physical blowing agents selected from hydrocarbons having 3 to 5 carbon atoms and dialkyl ethers having an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms and nitrogen are used as a physical blowing agent, and adjustment is performed so that the total (A+B) of the amount A of the organic physical blowing agents added and the amount B of the nitrogen added is 0.5 mol or more and 5 mol or less per kg of a resin component, the amount B of the nitrogen added is 0.1 mol or more and 0.4 mol or less per kg of the resin component, and the ratio (A/B) of the amount A of the organic physical blowing agents added to the amount B of the nitrogen added is 2 or more and 18 or less. The polyethylene-based resin foam sheet of the present invention has a density of 20 kg/m3 or more and 100 kg/m3 or less and an average of the number of cells of 0.5 cells/mm or more and 5 cells/mm or less in the thickness direction, the foam sheet has an ash content of less than 0.1 mass % (including 0), and the ash content includes sodium at a proportion of 10 mass % or less (including 0).
C08J 9/12 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolairesLeur post-traitement utilisant des gaz de gonflage produits par un agent de gonflage introduit au préalable par un agent physique de gonflage
C08J 9/00 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolairesLeur post-traitement
C08J 9/14 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolairesLeur post-traitement utilisant des gaz de gonflage produits par un agent de gonflage introduit au préalable par un agent physique de gonflage organique
Provided are: a radiation-sensitive composition which has excellent sensitivity, LWR, CDU, DOF, MEEF, pattern rectangularity, and development defect suppressing properties during the formation of a pattern; a pattern forming method; and a compound. The radiation-sensitive composition contains a compound represented by formula (1), a polymer which comprises a structural unit (I) having an acid dissociable group, and a solvent. (In the formula: Rd222 and R1and R2each independently represent a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms, or R1and R2are combined together and form, together with a carbon atom bonded thereto, a ring structure having 3-20 carbon atoms, wherein in cases where Rdis -CN, the total number of carbon atoms in R1and R2is 4 or more, and in cases where Rdis -F, R1and R2are each independently a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms and the total number of carbon atoms in R1and R2is 6 or more; and Z+ is a monovalent organic cation.)
C07C 205/51 - Composés contenant des groupes nitro liés à un squelette carboné le squelette carboné étant substitué de plus par des groupes carboxyle ayant des groupes nitro et des groupes carboxyle liés à des atomes de carbone acycliques du squelette carboné le squelette carboné étant saturé
C07C 255/19 - Nitriles d'acides carboxyliques ayant des groupes cyano liés à des atomes de carbone acycliques contenant des groupes cyano et des groupes carboxyle, autres que des groupes cyano, liés au même squelette carboné acyclique saturé
C07C 255/22 - Nitriles d'acides carboxyliques ayant des groupes cyano liés à des atomes de carbone acycliques contenant des groupes cyano et des groupes carboxyle, autres que des groupes cyano, liés au même squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes cyano et au moins deux groupes carboxyle liés au squelette carboné
C07D 307/00 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle
C07D 307/33 - Atomes d'oxygène en position 2, l'atome d'oxygène étant sous la forme céto ou énol non substituée
C07D 317/30 - Radicaux substitués par des atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes, avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile
C07D 317/72 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en spiro avec des carbocycles
C07D 319/06 - Dioxanes-1, 3Dioxanes-1, 3 hydrogénés non condensés avec d'autres cycles
C07D 321/10 - Cycles à sept chaînons condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
C07D 327/08 - Cycles à six chaînons condensés en [b, e] avec deux carbocycles à six chaînons
C07D 333/46 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles substitués sur l'atome de soufre du cycle
C07D 335/02 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles
Provided are: a radiation-sensitive composition that exhibits excellent sensitivity, LWR, CDU, EL, pattern rectangularity, pattern circularity, and development defect suppressing capability when forming a pattern; a pattern formation method; and an onium salt compound. This radiation-sensitive composition comprises: a compound represented by formula (1); a polymer including a structural unit (I) having an acid-dissociable group; and a solvent. (In the formula, R1represents a monovalent organic group having 2-40 carbon atoms. RLarepresents a substituted or unsubstituted monovalent group having a 3-6 membered monocyclic lactone structure, or a substituted or unsubstituted monovalent group having 2-12 carbon atoms and having a monocyclic or polycyclic lactam structure. L1represents a divalent linkage group. R2and R3each represent a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms, or are combined to form a ring structure having 4-12 carbon atoms. R4 represents a hydroxy group, a nitro group, a cyano group, a carboxy group, an amino group, a halogen atom, or a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms.)
C07C 69/63 - Esters contenant des atomes d'halogène d'acides saturés
C07D 205/085 - Composés hétérocycliques comportant des cycles à quatre chaînons ne contenant qu'un atome d'azote comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles comportant une liaison double entre chaînons cycliques ou entre chaînon cyclique et chaînon non cyclique avec un atome d'oxygène lié directement en position 2, p. ex. bêta-lactames avec un atome d'azote lié directement en position 3
C07D 207/273 - Pyrrolidones-2 avec des hétéro-atomes ou des atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile, liés directement aux autres atomes de carbone du cycle
C07D 211/76 - Atomes d'oxygène liés en position 2 ou 6
C07D 307/33 - Atomes d'oxygène en position 2, l'atome d'oxygène étant sous la forme céto ou énol non substituée
C07D 309/30 - Atomes d'oxygène, p. ex. delta-lactones
C07D 317/72 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en spiro avec des carbocycles
C07D 321/10 - Cycles à sept chaînons condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
C07D 409/12 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant deux hétérocycles liés par une chaîne contenant des hétéro-atomes comme chaînons
C07D 411/12 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes d'oxygène et de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant deux hétérocycles liés par une chaîne contenant des hétéro-atomes comme chaînons
A substrate includes: a substrate having a thin film on a surface thereof. The thin film includes a group derived from a compound represented by formula (1). In the formula (1), R1 is an n-valent organic group having 1 to 40 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 4.
A substrate includes: a substrate having a thin film on a surface thereof. The thin film includes a group derived from a compound represented by formula (1). In the formula (1), R1 is an n-valent organic group having 1 to 40 carbon atoms, and n is an integer of 1 to 4.
A method for producing a metabolically activated liver organoid, the method including culturing primary hepatocytes or hepatocyte-like cells in a differentiation medium to obtain a metabolically activated liver organoid, in which the differentiation medium is a medium including one or two selected from the group consisting of a growth hormone receptor agonist and a prolactin receptor agonist, and a glucocorticoid receptor agonist.
Provided are: a radiation-sensitive composition capable of exhibiting sensitivity, critical dimension uniformity (CDU), a process window, and a development defect-suppressing property at levels equal to or higher than those of existing compositions when forming a pattern; and a pattern formation method. The radiation-sensitive composition comprises a polymer and a solvent, and the polymer includes: a structural unit (I) containing an ester bond-containing monocyclic structure; a structural unit (II) derived from a compound represented by formula (1); and a structural unit (III) having a phenolic hydroxyl group. (In formula (1), Ar1is a substituted or unsubstituted 3C-20C monovalent aromatic group. R1is a hydrogen atom or a 1C-20C monovalent organic group, R2is a 1C-20C monovalent organic group, or if R1is a hydrogen atom, R2is bonded to Ar1and forms a ring structure together with the carbon atom to which R2is bonded and the Ar1. R3is a hydrogen atom, a halogen group, or a 1C-20C monovalent organic group. L1 is a single bond or a divalent linking group.)
Provided are: a radiation-sensitive composition capable of exhibiting sensitivity, CDU, and development defect suppressing properties at sufficient levels when forming a pattern; a pattern formation method; and a radiation-sensitive acid generator. This radiation-sensitive composition comprises: a radiation-sensitive acid generator having an organic acid anion and an organic cation; a polymer which contains a structural unit having an acid-dissociable group; and a solvent, wherein at least one selected from the group consisting of the organic acid anion and the organic cation includes a partial structure (i) represented by formula (i). (In formula (i), R1 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted C1-C10 monovalent hydrocarbon group. * is a bond with a portion other than the partial structure (i) in the radiation-sensitive acid generator.)
C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
C07F 9/6561 - Composés hétérocycliques, p. ex. contenant du phosphore comme hétéro-atome du cycle contenant des systèmes de plusieurs hétérocycles déterminants condensés entre eux ou condensés avec un carbocycle ou un système carbocyclique commun, avec ou sans autres hétérocycles non condensés
This radiation-sensitive composition contains a polymer the solubility of which in a developing solution changes by the action of acid, wherein the polymer and/or a component other than the polymer has a partial structure represented by formula (1).
C07C 53/21 - Acides contenant au moins trois atomes de carbone contenant du fluor
C07C 53/138 - Composés saturés ne comportant qu'un groupe carboxyle lié à un atome de carbone acyclique ou à un atome d'hydrogène contenant des cycles contenant des systèmes cycliques condensés contenant le système cyclique de l'adamantane
C07C 55/32 - Composés saturés comportant plusieurs groupes carboxyle liés à des atomes de carbone acycliques contenant des atomes d'halogène
C07C 59/125 - Composés saturés ne comportant qu'un groupe carboxyle et contenant des groupes éther, des groupes , des groupes ou des groupes
C07C 65/21 - Composés comportant des groupes carboxyle liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons et contenant l'un des groupes OH, O-métal, —CHO, cétone, éther, des groupes , des groupes ou des groupes contenant des groupes éther, des groupes , des groupes ou des groupes
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
36.
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING BORON-CONTAINING FILM, BORON-CONTAINING FILM FORMING MATERIAL, AND BORON-CONTAINING COMPOUND
Provided are: a method for manufacturing a semiconductor substrate, with which it is possible to form a boron-containing film that has a low dielectric constant; a method for manufacturing a boron-containing film; a boron-containing film forming material; and a boron-containing compound. This method for manufacturing a semiconductor substrate includes a step for bringing a substrate into contact with a boron-containing compound. The boron-containing compound includes at least one compound that is selected from the group consisting of a compound represented by formula (1) and a compound represented by formula (2). (In formulae (1) and (2), X is a monovalent group having a nitrogen-containing heterocyclic ring having 1 to 20 carbon atoms, or a monovalent group represented by formula (a); R1to R3are each a monovalent organic group having 1 to 40 carbon atoms, or a hydrogen atom; and n is an integer of 1 to 4.) (In formula (a), R4to R5are each a monovalent organic group having 1 to 40 carbon atoms, or R4to R5are combined with each other to constitute a nitrogen-containing heterocyclic ring having 3 to 10 ring atoms together with a nitrogen atom to which these moieties are bonded; and R6 is a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms.)
C07F 5/05 - Composés cycliques ayant au moins un cycle comportant le bore mais sans carbone dans le cycle
C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
The purpose of the present invention is to provide: a radiation-sensitive composition which is capable of exhibiting sensitivity, LWR, MEEF, development defect suppressing properties, and CDU at sufficient levels when a pattern is formed; a pattern forming method; a compound; and a polymer. This radiation-sensitive composition contains: a polymer (A) which comprises a structural unit (M) derived from a compound represented by formula (1); and a solvent (D). (In formula (1), R1is a hydrogen atom, a fluorine atom, a methyl group, or a trifluoromethyl group. L1is a divalent linking group having 1-5 carbon atoms. R2is a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms. R3 is a monovalent organic group containing an ester bond between carbons and having 3-20 carbon atoms.)
C07D 307/33 - Atomes d'oxygène en position 2, l'atome d'oxygène étant sous la forme céto ou énol non substituée
C07D 307/93 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec un cycle autre qu'un cycle à six chaînons
C07D 309/30 - Atomes d'oxygène, p. ex. delta-lactones
A method for manufacturing a semiconductor substrate includes applying a resist underlayer film forming composition. The composition includes a compound which includes a plurality of groups each represented by —ORA. Each RA is independently a hydrogen atom (amount: x), a monovalent heteroatom-containing group having 1 to 10 carbon atoms (amount: y), or a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms other than the monovalent heteroatom-containing group (amount: z). The compound satisfies relationships of x+y+z=100, 20≤x≤95, and 5≤y≤80. The compound is a polymer including a repeating unit represented by formula (1), an aromatic ring-containing compound that has a molecular weight of 750 or more and 3000 or less and includes —ORA, or a combination thereof. At least one selected from the group consisting of Ar1, R0 and R1 comprises —ORA.
A method for manufacturing a semiconductor substrate includes applying a resist underlayer film forming composition. The composition includes a compound which includes a plurality of groups each represented by —ORA. Each RA is independently a hydrogen atom (amount: x), a monovalent heteroatom-containing group having 1 to 10 carbon atoms (amount: y), or a monovalent organic group having 1 to 10 carbon atoms other than the monovalent heteroatom-containing group (amount: z). The compound satisfies relationships of x+y+z=100, 20≤x≤95, and 5≤y≤80. The compound is a polymer including a repeating unit represented by formula (1), an aromatic ring-containing compound that has a molecular weight of 750 or more and 3000 or less and includes —ORA, or a combination thereof. At least one selected from the group consisting of Ar1, R0 and R1 comprises —ORA.
G03F 7/09 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
39.
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND FILM FORMING COMPOSITION
A method for manufacturing a semiconductor substrate includes applying a composition for film formation to a substrate. The composition for film formation includes: a metal compound including a metal atom and an organic acid, and a solvent. The organic acid is represented by formula (1). R1 is a hydroxy group, a nitro group, a halogen atom, or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; Ar1 is an r+s+t-valent aromatic ring structure having 3 to 30 carbon atoms; X is a crosslinkable group; L1 is a single bond or a divalent linking group; t is an integer of 0 to 2; r is an integer of 1 to 4; and s is an integer of 1 to 4.
A method for manufacturing a semiconductor substrate includes applying a composition for film formation to a substrate. The composition for film formation includes: a metal compound including a metal atom and an organic acid, and a solvent. The organic acid is represented by formula (1). R1 is a hydroxy group, a nitro group, a halogen atom, or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms; Ar1 is an r+s+t-valent aromatic ring structure having 3 to 30 carbon atoms; X is a crosslinkable group; L1 is a single bond or a divalent linking group; t is an integer of 0 to 2; r is an integer of 1 to 4; and s is an integer of 1 to 4.
Provided are a composition for forming a protective film having favorable storage stability and removability of a coating film, and excellent in etching solution resistance of the protective film, and a semiconductor substrate manufacturing method. The present invention is a composition for forming a protective film on a semiconductor substrate peripheral edge portion, wherein the composition contains polysiloxane and a solvent, and the polysiloxane has a first structural unit represented by formula (1) below. (In formula (1) above, X is a monovalent group represented by any one of formulae (1-1) to (1-9) below. a represents an integer of 1 to 3. If a is 2 or greater, the plurality of X's are identical or different from each other. R1represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a hydroxy group, or a halogen atom. b represents an integer of 0 to 2. If b is 2, the two R1s are identical or different from each other. Where, a + b is 3 or less.)
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
G03F 7/095 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires ayant plus d'une couche photosensible
H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
41.
Radiation-Sensitive Composition, Resist Pattern Formation Method, Acid-Generator, and Compound
A radiation-sensitive composition contains: a polymer having an acid-releasable group and at least one compound (b) selected from the group consisting of a compound represented by formula (1) and a compound represented by formula (2). In formula (1), R1 represents a C1 to C20 monovalent organic group. R2 represents a single bond or a C1 to C20 divalent group which bonds to N− in formula (1) via —CR4R5— or an aromatic ring. Ma+ represents an a-valent cation. In formula (2), R7 represents a group having a partial structure in which an iodine atom is bonded to an aromatic ring. Mb+ represents a b-valent cation.
The purpose of the present invention is to provide: a radiation-sensitive composition which has excellent storage stability and is capable of exhibiting sensitivity, CDU, and bridge margin at levels that are comparable or superior those of conventional compositions during pattern formation; and a pattern formation method. This radiation-sensitive composition contains a polymer, one or more onium salts including an organic acid anion and a radiation-sensitive onium cation, a compound represented by formula (2), and a solvent, at least a portion of the organic acid anion in the onium salt being an organic acid anion (1) represented by formula (1).
Provided are an immunoglobulin-binding protein containing a mutant immunoglobulin-binding domain and an affinity carrier containing the immunoglobulin-binding protein. The mutant immunoglobulin-binding domain comprises an amino acid sequence having at least 80% identity with any of the amino acid sequences represented by SEQ ID NOS: 1-3, and has the following mutations (a) and (b): (a) substitution of an amino acid residue at a position corresponding to position 3 in any of the amino acid sequences represented by SEQ ID NOS: 1-3 with Ala or Asp; and (b) insertion of at least one amino acid residue selected from the group consisting of Ala, Arg, Asp, Gln, Glu, His, Met, Thr, Val, Phe, Leu, Ile, Pro, Trp, and Tyr between the position corresponding to position 3 and the position corresponding to position 4 in any of the amino acid sequences represented by SEQ ID NOS: 1-3.
C07K 17/00 - Peptides fixés sur un support ou immobilisésLeur préparation
C07K 1/22 - Chromatographie d'affinité ou techniques analogues basées sur des procédés d'absorption sélective
C07K 14/315 - Peptides ayant plus de 20 amino-acidesGastrinesSomatostatinesMélanotropinesLeurs dérivés provenant de bactéries provenant de Streptococcus (G), p. ex. Enterocoques
C12N 1/15 - ChampignonsLeurs milieux de culture modifiés par l'introduction de matériel génétique étranger
C12N 1/19 - LevuresLeurs milieux de culture modifiés par l'introduction de matériel génétique étranger
C12N 1/21 - BactériesLeurs milieux de culture modifiés par l'introduction de matériel génétique étranger
C12N 5/10 - Cellules modifiées par l'introduction de matériel génétique étranger, p. ex. cellules transformées par des virus
C12N 15/31 - Gènes codant pour des protéines microbiennes, p. ex. entérotoxines
G01N 30/88 - Systèmes intégrés d'analyse, spécialement adaptés à cet effet, non couverts par un seul des groupes
44.
COMPOSITION FOR SURFACE TREATMENT, METHOD FOR PRODUCING SURFACE-TREATED BASE MATERIAL, AND SELECTIVE MODIFICATION METHOD
This composition for surface treatment is used for selective modification of a base material surface that includes a first region and a second region which is formed of a material different from that of the first region. This composition for surface treatment contains a compound (A) that has at least one specific functional group selected from the group consisting of protected polar functional groups and acid anhydride groups, a compound (B) that generates an acid or a base by heat, and a solvent.
A method of operating at least one apparatus for processing expandable or expanded polymer particles to form a particle foam component, including:
receiving a parameter data set specifying at least one of: at least one parameter of at least one primary process for processing expandable or expanded polymer particles, at least one parameter of at least one secondary process for processing a particle foam component, or at least one parameter of a particle foam component;
evaluating the parameter data set with respect to at least one evaluation criterion and generating an evaluation data set indicative of at least one current or future deviation of at least one parameter specified by the parameter data set with respect to the at least one evaluation criterion; and
operating at least one apparatus for processing expandable or expanded polymer particles based on the evaluation data set.
A method for manufacturing a semiconductor substrate includes: applying an underlayer film-forming composition directly or indirectly to a substrate to form an underlayer film; forming a metal-containing resist film on the underlayer film; exposing the metal-containing resist film to extreme ultraviolet rays; and developing the exposed metal-containing resist film. The underlayer film-forming composition includes: a compound including a structural unit (α) represented by formula (1-1); and a solvent. In the formula (1-1), a is an integer of 1 to 3; R1 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a hydroxy group, or a halogen atom; b is an integer of 0 to 2; when b is 2, two R1s are the same or different from each other; provided that a+b is 3 or less.
A method for manufacturing a semiconductor substrate includes: applying an underlayer film-forming composition directly or indirectly to a substrate to form an underlayer film; forming a metal-containing resist film on the underlayer film; exposing the metal-containing resist film to extreme ultraviolet rays; and developing the exposed metal-containing resist film. The underlayer film-forming composition includes: a compound including a structural unit (α) represented by formula (1-1); and a solvent. In the formula (1-1), a is an integer of 1 to 3; R1 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a hydroxy group, or a halogen atom; b is an integer of 0 to 2; when b is 2, two R1s are the same or different from each other; provided that a+b is 3 or less.
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
The present disclosure provides a peptide, a protein complex containing said peptide, a T cell receptor, etc. that can be used in antigen-specific immunosuppressive therapy for suppressing autoimmunity. The present invention includes peptides of 25 or fewer amino acids in length that include any one amino acid sequence selected from the group consisting of core sequences represented by SEQ ID NO: 1 through 10 and SEQ ID NO: 301 through 303.
C07K 14/47 - Peptides ayant plus de 20 amino-acidesGastrinesSomatostatinesMélanotropinesLeurs dérivés provenant d'animauxPeptides ayant plus de 20 amino-acidesGastrinesSomatostatinesMélanotropinesLeurs dérivés provenant d'humains provenant de vertébrés provenant de mammifères
A61K 31/7088 - Composés ayant au moins trois nucléosides ou nucléotides
A61K 35/12 - Substances provenant de mammifèresCompositions comprenant des tissus ou des cellules non spécifiésCompositions comprenant des cellules souches non embryonnairesCellules génétiquement modifiées
A61K 38/10 - Peptides ayant de 12 à 20 amino-acides
A61K 38/16 - Peptides ayant plus de 20 amino-acidesGastrinesSomatostatinesMélanotropinesLeurs dérivés
A61K 39/395 - AnticorpsImmunoglobulinesImmunsérum, p. ex. sérum antilymphocitaire
A61K 45/00 - Préparations médicinales contenant des ingrédients actifs non prévus dans les groupes
A61K 47/68 - Préparations médicinales caractérisées par les ingrédients non actifs utilisés, p. ex. les supports ou les additifs inertesAgents de ciblage ou de modification chimiquement liés à l’ingrédient actif l’ingrédient non actif étant chimiquement lié à l’ingrédient actif, p. ex. conjugués polymère-médicament l’ingrédient non actif étant un agent de modification l’agent de modification étant un anticorps, une immunoglobuline ou son fragment, p. ex. un fragment Fc
A61K 48/00 - Préparations médicinales contenant du matériel génétique qui est introduit dans des cellules du corps vivant pour traiter des maladies génétiquesThérapie génique
A61P 37/06 - Immunosuppresseurs, p. ex. médicaments pour le traitement du rejet de greffe
C07K 16/18 - Immunoglobulines, p. ex. anticorps monoclonaux ou polyclonaux contre du matériel provenant d'animaux ou d'humains
C07K 16/28 - Immunoglobulines, p. ex. anticorps monoclonaux ou polyclonaux contre du matériel provenant d'animaux ou d'humains contre des récepteurs, des antigènes de surface cellulaire ou des déterminants de surface cellulaire
C12N 1/15 - ChampignonsLeurs milieux de culture modifiés par l'introduction de matériel génétique étranger
C12N 1/19 - LevuresLeurs milieux de culture modifiés par l'introduction de matériel génétique étranger
C12N 1/21 - BactériesLeurs milieux de culture modifiés par l'introduction de matériel génétique étranger
C12N 5/10 - Cellules modifiées par l'introduction de matériel génétique étranger, p. ex. cellules transformées par des virus
C12N 15/12 - Gènes codant pour des protéines animales
C12N 15/63 - Introduction de matériel génétique étranger utilisant des vecteursVecteurs Utilisation d'hôtes pour ceux-ciRégulation de l'expression
G01N 33/53 - Tests immunologiquesTests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiquesMatériaux à cet effet
G01N 33/564 - Tests immunologiquesTests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiquesMatériaux à cet effet pour complexes immunologiques préexistants ou maladies auto-immunes
G01N 33/566 - Tests immunologiquesTests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiquesMatériaux à cet effet utilisant un support spécifique ou des protéines réceptrices comme réactifs pour la formation de liaisons par ligand
48.
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND COMPOSITION
A method for manufacturing a semiconductor substrate includes: forming a resist underlayer film directly or indirectly on a substrate by applying a composition for forming a resist underlayer film; forming a resist pattern directly or indirectly on the resist underlayer film; and performing etching using the resist pattern as a mask. The composition includes: a compound including a nitro group; and a solvent. The compound is a polymer including a repeating unit which includes a nitro group and an aromatic ring, an aromatic ring-containing compound including a nitro group and an aromatic ring, and having a molecular weight of 600 or more and 3,000 or less, or a combination thereof. A content of the compound in the composition relative to total components other than the solvent in the composition is 10% by mass or more.
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
A method for producing a polypropylene-based resin expanded bead, including expanding polypropylene-based resin particles, wherein the resin particles are composed of a mixed resin of a virgin material and a polypropylene-based resin recycled material; the recycled material contains a propylene copolymer as a base material resin; the virgin material has a melting point MP1 of 130° C. or more and less than 150° C.; a melting point MP2 (° C.) of the recycled material and the melting point MP1 (° C.) of the virgin material satisfy a specific relationship; a melt flow rate MFR2 (g/10 minutes) of the recycled material and a melt flow rate MFR1 (g/10 minutes) of the virgin material satisfy a specific relationship; and a crystallization temperature CP2 (° C.) of the recycled material and a crystallization temperature CP1 (° C.) of the virgin material satisfy a specific relationship.
C08J 9/18 - Fabrication de particules expansibles par imprégnation des particules du polymère avec l'agent de gonflage
B29C 44/34 - Éléments constitutifs, détails ou accessoiresOpérations auxiliaires
B29C 44/44 - Alimentation en matière à mouler dans une cavité de moulage fermée, c.-à-d. pour la fabrication d'objets de longueur définie sous forme de particules ou de grains expansibles
B29K 23/00 - Utilisation de polyalcènes comme matière de moulage
C08J 11/06 - Récupération ou traitement des résidus des polymères sans réaction chimique
Provided is a radiation-sensitive composition which comprises a polymer (P) including a structural unit having an acid-dissociable group, and which satisfies at least one of a first requirement and a second requirement. First requirement: The radiation-sensitive composition further contains a compound represented by formula (1). Second requirement: The polymer (P) further includes a structural unit derived from an onium salt compound represented by formula (1). In formula (1), RA22, -OH, -SH, -COOH, or a group represented by formula (i). RB22, -OH, -SH, -COOH, or a group represented by formula (i). Z+ represents a radiation-sensitive onium cation.
C07C 25/00 - Composés contenant au moins un halogène lié à un cycle aromatique à six chaînons
C07C 255/46 - Nitriles d'acides carboxyliques ayant des groupes cyano liés à des atomes de carbone de cycles autres que des cycles aromatiques à six chaînons à des atomes de carbone de cycles non condensés
Provided is an optical filter, which can be attached to an intended part of a human body and with which light taken into a detection device can be freely selected. This optical filter comprises a light-transmitting film having a light-transmitting band and a light-shielding band in a wavelength range of 400 nm to 1000 nm, a pigment being contained therein.
A61B 5/02 - Détection, mesure ou enregistrement en vue de l'évaluation du système cardio-vasculaire, p. ex. mesure du pouls, du rythme cardiaque, de la pression sanguine ou du débit sanguin
52.
LIGHT DETECTION DEVICE AND BIOLOGICAL INFORMATION ACQUISITION METHOD
Provided are a more versatile light detection device that can acquire more biological information without the need for a complicated configuration and can also be worn at an arbitrary location on the human body and a biological information acquisition method that uses the light detection device. According to the present invention, a light detection device that detects ambient light comprises: an optical filter that is a light-transmitting film into which a pigment has been incorporated and has a light-transmitting band and a light-blocking band within a wavelength range of 400–1000 nm; and a thin-film light sensor that is formed on the surface of the optical filter and detects at least a portion of ambient light in the light-transmitting band of the optical filter.
A61B 5/02 - Détection, mesure ou enregistrement en vue de l'évaluation du système cardio-vasculaire, p. ex. mesure du pouls, du rythme cardiaque, de la pression sanguine ou du débit sanguin
Provided are a radiation-sensitive composition capable of exhibiting LWR and suppression of development defects at sufficient levels at the time of pattern formation, a pattern forming method, and a compound. A radiation-sensitive composition comprising: a compound represented by formula (1); a polymer including a structural unit having an acid-dissociable group; and a solvent. In the formula, W is a condensed ring structure having a substituted or unsubstituted bridged alicyclic ring and two or more substituted or unsubstituted aromatic rings, each of which is condensed with the bridged alicyclic ring. L is a single bond or a divalent linking group. R1222Ra, or -CORb. R22222Ra, -CORb, or -Rc. When R1is -F, R2does not contain fluorine atom. In R1and R2, Ra, Rband Rc233. Z+ is a monovalent organic cation.
C07C 309/17 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
C07C 317/46 - SulfonesSulfoxydes ayant des groupes sulfone ou sulfoxyde et des groupes carboxyle liés au même squelette carboné le squelette carboné étant substitué de plus par des atomes d'oxygène liés par des liaisons simples
C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
C08F 220/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
Provided are: a radiation-sensitive composition capable of exhibiting sensitivity and a process window at sufficient levels when forming a pattern; a pattern formation method; and a compound. This radiation-sensitive composition comprises: a compound; a polymer which contains a structural unit having an acid-dissociable group; and a solvent, wherein the compound includes at least a condensed ring structure which has a substituted or unsubstituted bridged alicyclic ring and at least two substituted or unsubstituted aromatic rings each condensed with the bridged alicyclic ring, and a partial structure represented by formula (1a) or formula (1b). (In the formulae, W1and W2are each the condensed ring structure or a ring structure other than the condensed ring structure. L1122 is 0 or 1. Z+ is an organic cation.)
C07C 309/25 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles autres que des cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné
C07C 309/26 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles autres que des cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'azote, ne faisant pas partie de groupes nitro ou nitroso, liés au squelette carboné
C07C 309/27 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles autres que des cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
C07C 309/42 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'oxygène, liés par des liaisons simples, liés au squelette carboné ayant les groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons non condensés
C07C 309/46 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'azote, ne faisant pas partie de groupes nitro ou nitroso, liés au squelette carboné ayant les groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons non condensés
C07C 309/48 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'azote, ne faisant pas partie de groupes nitro ou nitroso, liés au squelette carboné le squelette carboné étant substitué de plus par des atomes d'halogène
C07C 309/59 - Analogues azotés de groupes carboxyle
C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
C08F 220/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
Provided is a radiation-sensitive composition or the like capable of exhibiting sensitivity, LWR, CDU, EL, DOF, number of development defects, pattern rectangularity, pattern circularity, and MEEF at sufficient levels during pattern formation. The radiation-sensitive composition contains a compound represented by formula (1), a polymer including a structural unit (I) having an acid-dissociable group, and a solvent. (In the formula, Rz22Ra2533. Rais a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms. R155 or a monovalent organic group having 1-10 carbon atoms. Y is -O- or -NRb-. L is a single bond or a divalent organic group. However, when Rzis -F, the divalent organic group has at most four carbon atoms. W is a monovalent condensed cyclic group or a monovalent condensed cyclic group having a substituent. The condensed cyclic group or the substituent has a hetero atom. Z+ is a monovalent organic cation.)
C07C 309/17 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
C07C 309/19 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné saturé contenant des cycles
C07C 311/51 - Y étant un atome d'hydrogène ou de carbone
C07D 307/00 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle
C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
C08F 220/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
56.
ANTITHROMBOTIC COATING MATERIAL, MEDICAL DEVICE, RESEARCH INSTRUMENT, METHODS FOR PRODUCING MEDICAL DEVICE AND RESEARCH INSTRUMENT, AND ADSORPTION SUPPRESSION METHOD
KYUSHU UNIVERSITY, NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
Yasuike, Nobuo
Nishimura, Tatsuya
Kurita, Shin-Ya
Nakazato, Takumi
Okada, Takashi
Miyaji, Masaaki
Tanaka, Masaru
Anada, Takahisa
Abrégé
Provided is an antithrombotic coating material containing a polyorganosiloxane having at least one of an oxiranyl group and an oxetanyl group, thereby forming a coating film having excellent adhesion to a substrate while exhibiting good antithrombotic properties.
A61L 15/26 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions autres que celles faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carboneLeurs dérivés
A61L 17/14 - Post-traitement afin d'améliorer les propriétés physiques
A61L 27/44 - Matériaux composites, c.-à-d. en couches ou contenant un matériau dispersé dans une matrice constituée d'un matériau analogue ou différent comportant une matrice macromoléculaire
A61L 29/12 - Matériaux composites, c.-à-d. en couches ou contenant un matériau dispersé dans une matrice constituée d'un matériau analogue ou différent
A61L 31/12 - Matériaux composites, c.-à-d. en couches ou contenant un matériau dispersé dans une matrice constituée d'un matériau analogue ou différent
A61L 33/06 - Utilisation de matériaux macromoléculaires
C09D 7/63 - Adjuvants non macromoléculaires organiques
C09D 163/00 - Compositions de revêtement à base de résines époxyCompositions de revêtement à base de dérivés des résines époxy
C09D 179/08 - PolyimidesPolyesterimidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
A radiation-sensitive resin composition includes: a radiation-sensitive onium salt (A) represented by formula (1); a radiation-sensitive onium salt (B) different from the radiation-sensitive onium salt (A) and represented by formula (2); a resin including a structural unit which includes an acid-dissociable group; and a solvent. Rp1 is a substituted or unsubstituted (np+1)-valent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or a group including a divalent heteroatom-containing structure between adjacent two carbon atoms of a substituted or unsubstituted (np+1)-valent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, np is an integer of 1 to 5, and X1+ is a monovalent radiation-sensitive onium cation. Rp2 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, and X2+ is a monovalent radiation-sensitive onium cation. At least one of X1+ and X2+ is a cation including a fluorine atom.
A radiation-sensitive resin composition includes: a radiation-sensitive onium salt (A) represented by formula (1); a radiation-sensitive onium salt (B) different from the radiation-sensitive onium salt (A) and represented by formula (2); a resin including a structural unit which includes an acid-dissociable group; and a solvent. Rp1 is a substituted or unsubstituted (np+1)-valent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or a group including a divalent heteroatom-containing structure between adjacent two carbon atoms of a substituted or unsubstituted (np+1)-valent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, np is an integer of 1 to 5, and X1+ is a monovalent radiation-sensitive onium cation. Rp2 is a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, and X2+ is a monovalent radiation-sensitive onium cation. At least one of X1+ and X2+ is a cation including a fluorine atom.
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
58.
ANTITHROMBOTIC COATING MATERIAL, MEDICAL DEVICE, RESEARCH INSTRUMENT, METHOD FOR PRODUCING MEDICAL DEVICE AND RESEARCH INSTRUMENT, AND ADSORPTION SUPPRESSION METHOD
KYUSHU UNIVERSITY, NATIONAL UNIVERSITY CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
Yasuike, Nobuo
Nishimura, Tatsuya
Kurita, Shin-Ya
Nakazato, Takumi
Okada, Takashi
Miyaji, Masaaki
Tanaka, Masaru
Anada, Takahisa
Abrégé
This antithrombotic coating material contains an addition polymer having a partial structure represented by formula (1), and at least one of an oxiranyl group and an oxetanyl group. In formula (1), R1is an alkanediyl group. n1 is 0 or 1. n2 is an integer of 0 to 3. R2is an alkyl group when n2 is 0, and is a hydrogen atom or an alkyl group when n2 is 1 to 3. In formula (1), the sum of the number of carbon atoms in (n2) units of R1and the number of carbon atoms in R2 is 1 to 12.
A61L 15/26 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions autres que celles faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carboneLeurs dérivés
A61L 17/14 - Post-traitement afin d'améliorer les propriétés physiques
A61L 27/44 - Matériaux composites, c.-à-d. en couches ou contenant un matériau dispersé dans une matrice constituée d'un matériau analogue ou différent comportant une matrice macromoléculaire
A61L 29/12 - Matériaux composites, c.-à-d. en couches ou contenant un matériau dispersé dans une matrice constituée d'un matériau analogue ou différent
A61L 31/12 - Matériaux composites, c.-à-d. en couches ou contenant un matériau dispersé dans une matrice constituée d'un matériau analogue ou différent
A61L 33/06 - Utilisation de matériaux macromoléculaires
C09D 7/63 - Adjuvants non macromoléculaires organiques
C09D 133/14 - Homopolymères ou copolymères d'esters d'esters contenant des atomes d'halogène, d'azote, de soufre ou d'oxygène en plus de l'oxygène du radical carboxyle
C09D 163/00 - Compositions de revêtement à base de résines époxyCompositions de revêtement à base de dérivés des résines époxy
C09D 201/06 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires non spécifiés caractérisés par la présence de groupes déterminés contenant des atomes d'oxygène
59.
RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMATION METHOD, AND COMPOUND
The purpose of the present invention is to provide: a radiation-sensitive composition capable of exhibiting sufficient levels of sensitivity, exposure margin, depth of focus, pattern rectangularity, development defect performance, CDU, and pattern circularity during resist pattern formation; a pattern formation method; and a compound. This radiation-sensitive composition contains a compound (A) represented by formula (A1) indicated below, at least one polymer (B) selected from the group consisting of a polymer (B2) including a structural unit (I) with an acid-dissociable group and a polymer (B1) including a structural unit (II) with a phenolic hydroxyl group, and a solvent (E).
C07C 309/39 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'halogène liés au squelette carboné
C07C 309/58 - Groupes acide carboxylique ou leurs esters
C07C 309/59 - Analogues azotés de groupes carboxyle
C07D 401/14 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles comportant des atomes d'azote comme uniques hétéro-atomes du cycle, au moins un cycle étant un cycle à six chaînons avec un unique atome d'azote contenant au moins trois hétérocycles
The purpose of the present invention is to provide a radiation-sensitive composition that makes it possible to achieve a sufficient level of storage stability and sufficient levels of sensitivity, exposure margin, depth of focus, pattern rectangularity, development defect performance, CDU, and pattern circularity during resist pattern formation, a pattern formation method, and a compound. A radiation-sensitive composition according to the present invention contains a polymer (A), a first radiation-sensitive acid generator (B) that is represented by formula (1), a second radiation-sensitive acid generator (C) that generates sulfonic acid (excluding anything that corresponds to the first radiation-sensitive acid generator (B)), and a solvent (E).
C07C 309/39 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'halogène liés au squelette carboné
C07C 309/58 - Groupes acide carboxylique ou leurs esters
C07C 309/59 - Analogues azotés de groupes carboxyle
C07C 317/14 - SulfonesSulfoxydes ayant des groupes sulfone ou sulfoxyde liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons
11 -is S-or O-2311 -233. Z+ is an organic cation. Each * is a bond to another atom in the onium salt. However, the onium salt contains one or more polymerizable groups in a portion other than the partial structure.)
C07D 317/08 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3
Provided are: a radiation-sensitive composition that can exhibit sensitivity, LWR, and a process window at sufficient levels, during formation of a resist pattern; a pattern forming method; an onium salt compound; and a polymer. The radiation-sensitive composition comprises: a polymer containing a structural unit (I) derived from an onium salt compound represented by formula (1); and a solvent. (In the formula, W is a cyclic structure configured together with two carbon atoms. The bond between carbon atoms, represented by the formula below, represents a single bond or a double bond. A is a group represented by any of formula (A-1) to formula (A-7). (In the formulae, RA1and RA2are each a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms). R1is a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, a carboxy group, a hydroxy group, an amino group, a halogen atom, or a thiol group. Z+is a monovalent radiation-sensitive onium cation. However, RA1, RA2, R1or Z+ contains a polymerizable group).
C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
C08F 220/12 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques
C07D 307/00 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle
C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
C07D 317/72 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en spiro avec des carbocycles
C08F 220/18 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone avec l'acide acrylique ou l'acide méthacrylique
A radiation-sensitive composition includes: an onium salt represented by formula (1); a polymer including a structural unit (I) which includes an acid-dissociable group; and a solvent. Ar1 is an (a1+b1+1)-valent aromatic ring, Ar2 is an (a2+b2+1)-valent aromatic ring, X1 and X2 are each independently a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, or a halogen atom, Y1 is a monovalent organic group having 4 to 20 carbon atoms bonded to Ar1 through —O—, —S—, or —SO2—, or a monovalent perfluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and Y2 is a monovalent organic group having 4 to 20 carbon atoms bonded to Ar2 through —O—, —S—, or —SO2—, or a monovalent perfluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
A radiation-sensitive composition includes: an onium salt represented by formula (1); a polymer including a structural unit (I) which includes an acid-dissociable group; and a solvent. Ar1 is an (a1+b1+1)-valent aromatic ring, Ar2 is an (a2+b2+1)-valent aromatic ring, X1 and X2 are each independently a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, or a halogen atom, Y1 is a monovalent organic group having 4 to 20 carbon atoms bonded to Ar1 through —O—, —S—, or —SO2—, or a monovalent perfluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms, and Y2 is a monovalent organic group having 4 to 20 carbon atoms bonded to Ar2 through —O—, —S—, or —SO2—, or a monovalent perfluoroalkyl group having 1 to 20 carbon atoms.
An antibody or a fragment thereof, in which complementarity determining regions (CDR-H1 to CDR-H3) of a heavy chain variable region (VH region) include each of amino acid sequences set forth in SEQ ID NOs: 1 to 3, and complementarity determining regions (CDR-L1 to CDR-L3) of a light chain variable region (VL region) include each of amino acid sequences set forth in SEQ ID NOs: 4 to 6.
A radiation-sensitive composition includes a polymer represented by formula (1). Each of A1 and A2 independently represents a group represented by formula (a-1), (a-2), (a-3), or (a-4). Each of R3, R4, and R5 independently represents a monovalent hydrocarbon group; *1 represents a chemical bond to P1 or P2; and * represents a chemical bond; B1 represents a divalent group comprising a partial structure that can cleave the bond between A1 and A2 via B1 by an action of acid; and each of P1 and P2 independently represents a molecular chain.
A radiation-sensitive composition includes a polymer represented by formula (1). Each of A1 and A2 independently represents a group represented by formula (a-1), (a-2), (a-3), or (a-4). Each of R3, R4, and R5 independently represents a monovalent hydrocarbon group; *1 represents a chemical bond to P1 or P2; and * represents a chemical bond; B1 represents a divalent group comprising a partial structure that can cleave the bond between A1 and A2 via B1 by an action of acid; and each of P1 and P2 independently represents a molecular chain.
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
C08F 293/00 - Composés macromoléculaires obtenus par polymérisation sur une macromolécule contenant des groupes capables d'amorcer la formation de nouvelles chaînes polymères rattachées exclusivement à une ou aux deux extrémités de la macromolécule de départ
68.
METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION
A method for manufacturing a semiconductor substrate includes: applying an underlayer film-forming composition directly or indirectly to a substrate to form an underlayer film; forming a metal-containing resist film from a metal-containing resist forming material on the underlayer film; exposing the metal-containing resist film to extreme ultraviolet rays; and developing the exposed metal-containing resist film. The underlayer film-forming composition includes: a metal compound including at least a metal atom and an organic acid; and a solvent.
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
G03F 7/16 - Procédés de couchageAppareillages à cet effet
Provided are a radiation-sensitive composition that can exhibit, at sufficient levels when forming a pattern, sensitivity, CDU, LWR, MEEF, EL, development defect suppression properties, pattern circularity, pattern rectangularity, and DOF; a pattern formation method; and a compound. This radiation-sensitive composition comprises a compound represented by formula (1), a polymer including a structural unit (I) having an acid-dissociable group, and a solvent. (In the formula, W represents a substituted or unsubstituted ring structure including an acetal structure. L represents a substituted or unsubstituted divalent hydrocarbon group having 1-5 carbon atoms, or a group including a divalent heteroatom-containing group between carbon-carbon in said hydrocarbon group. R1222Ra22Rb, -CORc, or a monovalent organic group (a). Z+gg +each represent a monovalent organic cation. Lgrepresents a single bond, a divalent heteroatom-containing group, or a divalent organic group having 1-20 carbon atoms. A-represents -COO-33 -.)
C07D 307/00 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle
C07D 317/24 - Radicaux substitués par des atomes d'oxygène ou de soufre liés par des liaisons simples estérifiés
C07D 317/30 - Radicaux substitués par des atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes, avec au plus une liaison à un halogène, p. ex. radicaux ester ou nitrile
C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
C07D 317/72 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en spiro avec des carbocycles
C07D 321/10 - Cycles à sept chaînons condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
C07D 327/08 - Cycles à six chaînons condensés en [b, e] avec deux carbocycles à six chaînons
C07D 333/46 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles substitués sur l'atome de soufre du cycle
C07D 333/54 - Benzo [b] thiophènesBenzo [b] thiophènes hydrogénés avec uniquement des atomes d'hydrogène, des radicaux hydrocarbonés ou des radicaux hydrocarbonés substitués, liés directement aux atomes de carbone de l'hétérocycle
C07D 335/02 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles
C07D 407/04 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle, non prévus par le groupe contenant deux hétérocycles liés par une liaison directe de chaînon cyclique à chaînon cyclique
The purpose of the present invention is to provide a radiation-sensitive composition, pattern formation method, onium salt compound, and polymer that, during pattern formation, can exhibit a sensitivity, CDU, underexposure CDU, and number of development defects at levels equal to or better than conventional levels. The radiation-sensitive composition comprises a solvent (E) and a polymer (A) that contains a structural unit (I) having an acid-dissociable group. The radiation-sensitive composition contains an onium salt compound (P) having an onium cation represented by formula (1) and a prescribed monovalent anion, or the polymer (A) contains a structural unit (II) containing an acid-generating structure that generates an acid upon exposure and has an onium cation represented by formula (1) and an organic acid anion.
C07C 43/225 - Éthers une liaison sur l'oxygène de la fonction éther étant sur un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons contenant des atomes d'halogène
C07C 69/76 - Esters d'acides carboxyliques dont un groupe carboxyle estérifié est lié à un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons
C07C 317/14 - SulfonesSulfoxydes ayant des groupes sulfone ou sulfoxyde liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons
C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
Various examples are provided related to active direct driving of pixels. In one example, an active direct driving matrix device includes VOLET pixels arranged to form an emissive display; bus lines including at least one VDD line routed along edges of the VOLET pixels and VDATA lines routed under the VOLET pixels, each VOLET pixel connected to a corresponding VDATA line of the VDATA lines. In another example, a method of fabricating an active direct driving matrix device includes forming a first layer of VDATA lines over a substrate; depositing a first insulating layer over the first layer of VDATA lines; forming a second layer of VDATA lines over the first insulating layer; depositing a second insulating layer over the second layer of VDATA lines; and forming VOLET pixels over the second insulating layer, each VOLET pixel electrically connected to a corresponding VDATA line.
G09G 3/3291 - Détails des circuits de commande pour les électrodes de données dans lequel le circuit de commande de données fournit une tension de données variable pour le réglage du courant à travers les éléments électroluminescents, ou de la tension aux bornes de ces éléments
H10K 50/30 - Transistors organiques émetteurs de lumière
H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]
H05B 44/00 - Circuits pour faire fonctionner des sources lumineuses électroluminescentes
Provided is a radiation-sensitive composition comprising a polymer (P) which contains a structural unit having an acid-dissociable group, wherein the composition satisfies at least one of a first requirement and a second requirement. First requirement: The polymer (P) further comprises a structural unit derived from an onium salt compound represented by formula (1). Second requirement: The composition further comprises an onium salt compound represented by formula (1). In formula (1), A1is -OH, -COOH, -NHCOR7, -CONHR722R722NHR733H. J＋ is a radiation-sensitive cation.
C07C 309/24 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné contenant des cycles aromatiques à six chaînons
C07C 309/43 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'oxygène, liés par des liaisons simples, liés au squelette carboné ayant au moins un des groupes sulfo lié à un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons faisant partie d'un système cyclique condensé
C07C 309/44 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'oxygène, liés par des liaisons doubles, liés au squelette carboné
C07C 309/47 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'azote, ne faisant pas partie de groupes nitro ou nitroso, liés au squelette carboné ayant au moins un des groupes sulfo lié à un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons faisant partie d'un système cyclique condensé
C07C 309/58 - Groupes acide carboxylique ou leurs esters
C07C 309/59 - Analogues azotés de groupes carboxyle
C07C 311/21 - Sulfonamides ayant des atomes de soufre de groupes sulfonamide liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons ayant l'atome d'azote d'au moins un des groupes sulfonamide lié à un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons
C07D 333/46 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles substitués sur l'atome de soufre du cycle
C07D 335/02 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant un atome de soufre comme unique hétéro-atome du cycle non condensés avec d'autres cycles
The present invention provides: a composition for forming a resist underlayer film, with which it is possible to form a resist underlayer film that has excellent resist pattern rectangularity; and a method for manufacturing a semiconductor substrate. This composition for forming a resist underlayer film contains a polymer that has a repeating unit represented by formula (1), and a solvent. (In formula (1), Y represents a (2 + k)-valent organic group having 1 to 20 carbon atoms. X0represents a monovalent organic group having 1 to 40 carbon atoms. k represents an integer of 1 to 5. In cases where k is 2 or more, a plurality of X0moieties may be the same as or different from each other. At least two partial structures represented by formula (a) are included in the k X0. In formula (a), R1represents a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, and * represents a bond with the other part of X0.)
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
C08F 220/12 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques
G03F 7/095 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires ayant plus d'une couche photosensible
74.
COMPOSITION FOR SEMICONDUCTOR PROCESSING AND PROCESSING METHOD
ABABB is 1.0 × 103to 1.0 × 106. (1): R1OR2OH (2): HCOOH (In the formula (1), R1represents a monovalent organic group, and R2 represents a divalent organic group.)
Provided are a radiation-sensitive composition and the like that make it possible to achieve excellent sensitivity, excellent CDU, and an excellent minimum CD during pattern formation. A radiation-sensitive composition according to the present invention contains: a polymer that includes a structural unit (I) that has an acid-dissociable group; and a solvent. At least: the radiation-sensitive composition contains an onium salt compound (1) that includes a partial structure (a) represented by formula (a) and produces an acid when exposed to light; or the polymer includes a partial structure (a) represented by formula (a). (In the formula, R1is an acid dissociable group, L1is a divalent linear organic group, Ar is a C3–20 aromatic ring, L2is a single bond or a (y+2)-valent organic group, W-33 -or -COO-, Z+is a monovalent onium cation, n1+n2≥1, x and y are 0 or 1, and when L2 is a single bond, y is 0, and, in the partial structure (a) of the polymer, x+y is 1 or 2.)
C07C 69/92 - Esters d'acides carboxyliques dont un groupe carboxyle estérifié est lié à un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons d'acides hydroxycarboxyliques monocycliques dont les groupes hydroxyle et les groupes carboxyle sont liés à des atomes de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons avec des groupes hydroxyle éthérifiés
C07C 69/712 - Éthers le groupe hydroxyle de l'ester étant éthérifié par un composé hydroxylé dont le groupe hydroxyle est lié à un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons
C07C 233/54 - Amides d'acides carboxyliques ayant des atomes de carbone de groupes carboxamide liés à des atomes d'hydrogène ou à des atomes de carbone acycliques ayant l'atome d'azote d'au moins un des groupes carboxamide lié à un atome de carbone d'un radical hydrocarboné substitué par des groupes carboxyle avec le radical hydrocarboné substitué lié à l'atome d'azote du groupe carboxamide par un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons ayant l'atome de carbone du groupe carboxamide lié à un atome d'hydrogène ou à un atome de carbone d'un squelette carboné saturé
C07C 233/56 - Amides d'acides carboxyliques ayant des atomes de carbone de groupes carboxamide liés à des atomes d'hydrogène ou à des atomes de carbone acycliques ayant des atomes de carbone de groupes carboxamide liés à des atomes de carbone de groupes carboxyle, p. ex. oxamides
C07C 309/12 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des atomes d'oxygène liés au squelette carboné contenant des groupes hydroxy estérifiés liés au squelette carboné
C07C 309/17 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
C07D 317/22 - Radicaux substitués par des atomes d'oxygène ou de soufre liés par des liaisons simples éthérifiés
C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
C07D 407/04 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle, non prévus par le groupe contenant deux hétérocycles liés par une liaison directe de chaînon cyclique à chaînon cyclique
C07D 409/04 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant deux hétérocycles liés par une liaison directe de chaînon cyclique à chaînon cyclique
C08F 246/00 - Copolymères dans lesquels la nature des monomères n'est définie que pour les monomères en minorité
Provided are: a radiation-sensitive composition which can exhibit sensitivity, CDU, development defect suppression properties, EL, LWR, MEEF, and pattern squareness to a sufficient level at the time of pattern formation; a pattern formation method; and a compound. The radiation-sensitive composition contains: a polymer that includes a structural unit (I) derived from a compound represented by formula (1) and a structural unit (II) having an acid-dissociable group; and a solvent. In the formula, A is a polymerizable group-containing monovalent organic group having 2-40 carbon atoms. R1and R2222Ra22Rb, -CORc22Ra22Rb, -CORc33. However, when R1is -F, R2bonded to a carbon atom to which R1is bonded is a group other than -F. At least one selected from the group consisting of R1and R2is a group other than a hydrogen atom. Z+ is a monovalent organic cation.
C07C 309/17 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
C07D 333/54 - Benzo [b] thiophènesBenzo [b] thiophènes hydrogénés avec uniquement des atomes d'hydrogène, des radicaux hydrocarbonés ou des radicaux hydrocarbonés substitués, liés directement aux atomes de carbone de l'hétérocycle
C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
The present invention provides: a radiation-sensitive composition capable of exhibiting sensitivity, CDU, development defect suppressibility, EL, LWR, MEEF, and pattern circularity at sufficient levels during pattern formation while reducing the amount of fluorine in a polymer; a pattern forming method; and a compound. This radiation-sensitive composition contains: a polymer including a structural unit (I) derived from a compound represented by formula (1); a structural unit (II) having an acid-dissociable group; and a solvent. (In the formula, A is a 1-40C monovalent organic group. R1and R2222Ra22Rb, -CORc, or a 1-20C monovalent organic group (a) other than these groups. When R1is -F, R2bonded to the carbon atom to which R1is bonded is a group other than -F. At least one selected from the group consisting of R1and R2is a group other than hydrogen atoms. Z+ is a monovalent organic cation containing a polymerizable group).
C07C 309/07 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des atomes d'oxygène liés au squelette carboné
C07C 309/17 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
Provided are a composition for forming a nitrogen-containing film with which a nitrogen-containing film having excellent heat resistance and embeddability can be formed, and a method for manufacturing a semiconductor substrate. This composition for forming a nitrogen-containing film contains a nitrogen-containing compound and a solvent. The nitrogen-containing compound is a compound represented by formula (A0) or formula (A1), or a polymer having a repeating unit represented by formula (A2) or formula (A3). (In the formulas, each X is independently -O-, -S-, or -NR'-. R' is a hydrogen atom or a monovalent hydrocarbon group having 1-20 carbon atoms. Raand Rbare each independently a monovalent organic group having 1-40 carbon atoms. Each Ar1 is independently a substituted or unsubstituted aromatic ring having 3-40 carbon atoms.)
H01L 21/312 - Couches organiques, p. ex. couche photosensible
C08G 8/04 - Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des phénols d'aldéhydes
C08G 69/26 - Polyamides dérivés, soit des acides amino-carboxyliques, soit de polyamines et d'acides polycarboxyliques dérivés de polyamines et d'acides polycarboxyliques
Provided are a radiation-sensitive composition, a pattern forming method, a polymer, and a compound which are excellent in terms of sensitivity, CDU, LWR, MEEF, development defect suppression, and pattern rectangularity during pattern formation. The radiation-sensitive composition contains a polymer including a structural unit (I) derived from a compound represented by formula (1), and a solvent. (In formula (1), R1is a C1-C40 monovalent organic group. Here, when A-33 -, R1is a C3-C40 monovalent organic group including a cyclic structure. A-33 -, -COO-, or –N-22-RX. RXis a C1-C20 monovalent organic group. R2is a hydrogen atom or a C1-C20 monovalent organic group. R3is hydroxy or a C1-C20 monovalent organic group. Here, any one of R1-R6 has one polymerizable group.)
C07C 309/12 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des atomes d'oxygène liés au squelette carboné contenant des groupes hydroxy estérifiés liés au squelette carboné
C07C 309/17 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
C07D 307/33 - Atomes d'oxygène en position 2, l'atome d'oxygène étant sous la forme céto ou énol non substituée
C07D 307/93 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant un atome d'oxygène comme unique hétéro-atome du cycle condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec un cycle autre qu'un cycle à six chaînons
C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
A radiation-sensitive composition includes: a polymer (A) including a structural unit (I) which includes an acid-dissociable group; and a solvent (C). The radiation-sensitive composition satisfies (i) and/or (ii). (i) The radiation-sensitive composition includes a radiation-sensitive acid generator (B) including a first organic acid anion and a first onium cation. The first onium cation is an onium cation including a halogen-free electron withdrawing group containing no halogen atom, and the first organic acid anion is a sulfonic acid anion including an iodine atom. (ii) The polymer (A) is a radiation-sensitive acid-generating polymer (A1) further including a structural unit (IV) which includes a second organic acid anion and a second onium cation. The second onium cation is an onium cation including a halogen-free electron withdrawing group containing no halogen atom, and the second organic acid anion is a sulfonic acid anion including an iodine atom.
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
A radiation-sensitive composition includes: a polymer including a structural unit which includes an acid-dissociable group; a radiation-sensitive acid generator including a first organic acid anion and a first onium cation; an acid diffusion controlling agent which includes a second organic acid anion and a second onium cation and capable of generating an acid having a pKa higher than a pKa of an acid to be generated from the radiation-sensitive acid generator by irradiation with radiation; and a solvent. The first organic acid anion includes an acid anion moiety and an aromatic ring including a first substituent and a second substituent. The first substituent and the second substituent are each independently a hydroxy group, a sulfo group, or a sulfanyl group. At least one selected from the group consisting of the polymer, the radiation-sensitive acid generator, and the acid diffusion controlling agent includes an iodo group.
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
82.
RADIATION-SENSITIVE COMPOSITION, RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND COMPOUND
This radiation-sensitive composition contains a polymer having an acid-dissociable group, and satisfies at least one of a first requirement and a second requirement. First requirement: a compound represented by formula (1) is additionally incorporated. Second requirement: the polymer contains a structural unit derived from a compound represented by formula (1). In formula (1), Ar1is a group yielded by removing (r + s + t +1) hydrogen atoms from an aromatic ring. Ar2is a group yielded by removing (k + 1) hydrogen atoms from an aromatic ring. X12222-O-. R1is a monovalent organic group or a hydrogen atom. Y1is a monovalent group different from the iodo group and -X1-R1.
C07C 309/12 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des atomes d'oxygène liés au squelette carboné contenant des groupes hydroxy estérifiés liés au squelette carboné
C07C 309/17 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
C07D 307/33 - Atomes d'oxygène en position 2, l'atome d'oxygène étant sous la forme céto ou énol non substituée
C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
C07D 321/10 - Cycles à sept chaînons condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
C07D 409/12 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant deux hétérocycles liés par une chaîne contenant des hétéro-atomes comme chaînons
Provided is, inter alia, a radiation-sensitive composition that, during pattern formation, is capable of exhibiting sensitivity, LWR, and development defect suppression performance at levels equal to or higher than those of conventional compositions. A radiation-sensitive composition according to the present invention contains: a polymer including a structural unit (I) represented by formula (1); and a solvent. (R1, L2, and Ar in the formula satisfy (A1) or (A2): (A1) R1is a hydrogen atom, a halogen atom, or a C1-20 monovalent organic group, L2is a single bond or a divalent linking group, and Ar is a substituted or unsubstituted monovalent aromatic group having an iodo group; or (A2) R1and Ar combine together to form a divalent alicyclic group, the alicyclic group forming a condensed ring with a divalent aromatic group that has an iodo group and is represented by Ar. R4is a cyano group, a nitro group, *-CO-R41, or a cyclic group containing -CO- as part of the ring structure. R41is a monovalent organic group. However, if R4is a cyano group, a nitro group, or *-CO-R41, n is 1 or more.)
Provided are: a composition for chemical mechanical polishing, the composition making it possible to polish a silicon oxide film at high speed and to suppress occurrences of polishing defects during the polishing of the silicon oxide film, and having excellent polishing properties after storage; and a polishing method using the composition. Also provided is a production method for abrasive grains that can be used in the composition for chemical mechanical polishing. This production method for abrasive grains includes: step (a) for heating a mixture containing particles having hydroxyl groups (-OH) immobilized to the surface thereof via covalent bonds and an alkoxysilane (A) having an epoxy group; step (b) for adding a basic compound to the mixture and heating the same after step (a); and step (c) for adding, to the mixture, a hydroxysilane (C) having an organic group having two or more hydroxyl groups (-OH) and heating the same after step (b).
An expanded bead has a foamed layer made of a polypropylene-based resin and a specific shape including one or more defective portions. The polypropylene-based resin constituting the foamed layer contains a polypropylene-based resin (A) having a melting point of 135° C. to 150° C. and a flexural modulus of less than 1000 MPa, and a polypropylene-based resin (B) having a melting point of 145° C. to 160° C. and a flexural modulus of 1000 MPa or more. The mass ratio between the resin (A) and the resin (B) in the polypropylene-based resin is represented by resin (A):resin (B)=65:35 to 35:65.
B29C 44/34 - Éléments constitutifs, détails ou accessoiresOpérations auxiliaires
B29C 44/44 - Alimentation en matière à mouler dans une cavité de moulage fermée, c.-à-d. pour la fabrication d'objets de longueur définie sous forme de particules ou de grains expansibles
B29K 23/00 - Utilisation de polyalcènes comme matière de moulage
B29K 105/00 - Présentation, forme ou état de la matière moulée
B29K 105/04 - Présentation, forme ou état de la matière moulée cellulaire ou poreuse
B29L 31/30 - Véhicules, p. ex. bateaux ou avions, ou éléments de leur carrosserie
C08J 9/00 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolairesLeur post-traitement
C08J 9/12 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolairesLeur post-traitement utilisant des gaz de gonflage produits par un agent de gonflage introduit au préalable par un agent physique de gonflage
Provided is a method for producing a polypropylene-based resin foam particle, with which it is possible to form a molded body having excellent in-mold moldability and excellent compression properties. In this method for producing a polypropylene-based resin foam particle, in which a foam particle is obtained by foaming a polypropylene-based resin particle, the polypropylene-based resin particle is constituted from a mixed resin obtained by kneading an impact polypropylene having a melt flow rate, as measured at a temperature of 230°C under a load of 2.16 kg, of more than 10 g/10 min and not more than 80 g/10 min and a polypropylene-based resin A having a melt flow rate, as measured at a temperature of 230°C under a load of 2.16 kg, of less than 3 g/10 min. In the polypropylene-based resin particle, the mass ratio of the impact polypropylene and the polypropylene-based resin A is such that impact polypropylene : polypropylene-based resin A =97:3 to 40:60.
A method for manufacturing a semiconductor substrate includes applying a composition for film formation to a substrate. The composition includes: a metal compound; an aromatic compound including an aromatic hydrocarbon ring structure and a partial structure represented by formula (1); and a solvent. The aromatic hydrocarbon ring structure has 6 or more carbon atoms. X is a group represented by formula (i) (ii), (iii) or (iv). R1 is a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, and R2 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R3 is a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, and R4 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R5 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R6 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
A method for manufacturing a semiconductor substrate includes applying a composition for film formation to a substrate. The composition includes: a metal compound; an aromatic compound including an aromatic hydrocarbon ring structure and a partial structure represented by formula (1); and a solvent. The aromatic hydrocarbon ring structure has 6 or more carbon atoms. X is a group represented by formula (i) (ii), (iii) or (iv). R1 is a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, and R2 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R3 is a hydrogen atom or a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms, and R4 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R5 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms. R6 is a monovalent organic group having 1 to 20 carbon atoms.
Provided is a radiation-sensitive composition or the like having excellent sensitivity, excellent CDU, and an excellent process window. This radiation-sensitive composition comprises: an onium salt compound represented by formula (1); a polymer that includes a structural unit having an acid-dissociable group; and a solvent. (In the formula, X represents a halogeno group. When X includes an iodo group, the iodo group is bound to the p-position of the COO-group in the formula. R1represents a hydrocarbon group, a group (α) having, between carbon-carbon in said group, a divalent heteroatom-containing group, or a group (β) obtained by substituting a hydrogen atom of said group (α) or said hydrocarbon group with a chloro group, a bromo group, an iodo group, a hydroxy group, a nitro group, an amino group, a carboxy group, or a cyano group. When h is 2 or more, the two R1s may be combined to form a ring structure having 5-20 member rings. R2represents a monovalent hydrocarbon group having 1-5 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, or a hydroxy group. Z+ represents an organic cation including an aromatic ring substituted with an electron-withdrawing group.)
C07C 65/03 - Composés monocycliques ayant tous leurs groupes hydroxyle ou O-métal liés au cycle
C07C 65/21 - Composés comportant des groupes carboxyle liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons et contenant l'un des groupes OH, O-métal, —CHO, cétone, éther, des groupes , des groupes ou des groupes contenant des groupes éther, des groupes , des groupes ou des groupes
C07C 255/16 - Nitriles d'acides carboxyliques ayant des groupes cyano liés à des atomes de carbone acycliques contenant des groupes cyano et des atomes d'oxygène, liés par des liaisons simples, liés au même atome de carbone d'un squelette carboné acyclique
C07D 303/23 - Éthers oxiranylméthyliques de composés comportant un groupe hydroxy lié à un cycle aromatique à six chaînons, le radical oxiranylméthylique ne comportant pas d'autre substituant, c.-à-d.
C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
A polymer (A) includes a repeating structural unit represented by formula (1). R11 represents a divalent substituted or unsubstituted nitrogen-containing heteroaromatic ring; R12's independently represent a divalent substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group; R13 represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms to which at least one group represented by formula (a1) is bonded in addition to two R12's; X1's independently represent —O—, —S—, or —N(R14)—; and R14 is a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or a group in which the hydrocarbon group or the halogenated hydrocarbon group is partially substituted with an oxygen atom, a sulfur atom, or both. In formula (a1), * represents a linkage to the R13; ** represents a bond to another structural unit in the polymer (A).
A polymer (A) includes a repeating structural unit represented by formula (1). R11 represents a divalent substituted or unsubstituted nitrogen-containing heteroaromatic ring; R12's independently represent a divalent substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon group; R13 represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms to which at least one group represented by formula (a1) is bonded in addition to two R12's; X1's independently represent —O—, —S—, or —N(R14)—; and R14 is a hydrogen atom, a monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, a monovalent halogenated hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms, or a group in which the hydrocarbon group or the halogenated hydrocarbon group is partially substituted with an oxygen atom, a sulfur atom, or both. In formula (a1), * represents a linkage to the R13; ** represents a bond to another structural unit in the polymer (A).
C08G 65/40 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison éther dans la chaîne principale de la macromolécule à partir de composés hydroxylés ou de leurs dérivés métalliques dérivés des phénols à partir des phénols et d'autres composés
B32B 15/20 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal comportant de l'aluminium ou du cuivre
COMPOSITION FOR RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND METHOD FOR PRODUCING AROMATIC-RING-CONTAINING COMPOUND
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
C07D 307/88 - Benzo [c] furannesBenzo [c] furannes hydrogénés avec un atome d'oxygène lié directement en position 1 ou 3
Provided is a radiation-sensitive composition or the like, which has satisfactory storage stability and can exhibit sensitivity, LWR, and Min CD at levels equal to or higher than conventional levels, at the time of pattern formation. The radiation-sensitive composition comprises a polymer containing a structural unit (I) having an acid-dissociable group, and a solvent, wherein the polymer has a partial structure (w) represented by formula (w1) or (w2), or the radiation-sensitive composition contains an onium salt compound having a partial structure (w) represented by formula (w1) or (w2). Formula 1 (At least one selected from the group consisting of R1, R2, and R3 is an iodine atom or a bromine atom. X is an iodine atom or a bromine atom.)
C07C 57/18 - Composés non saturés comportant des groupes carboxyle liés à des atomes de carbone acycliques ne contenant que des liaisons triples carbone-carbone comme insaturation
C07C 59/64 - Composés non saturés contenant des groupes éther, des groupes , des groupes ou des groupes contenant des cycles aromatiques à six chaînons
C07C 65/28 - Composés comportant des groupes carboxyle liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons et contenant l'un des groupes OH, O-métal, —CHO, cétone, éther, des groupes , des groupes ou des groupes contenant des groupes éther, des groupes , des groupes ou des groupes avec des insaturations autres que celles des cycles aromatiques
C07C 233/55 - Amides d'acides carboxyliques ayant des atomes de carbone de groupes carboxamide liés à des atomes d'hydrogène ou à des atomes de carbone acycliques ayant l'atome d'azote d'au moins un des groupes carboxamide lié à un atome de carbone d'un radical hydrocarboné substitué par des groupes carboxyle avec le radical hydrocarboné substitué lié à l'atome d'azote du groupe carboxamide par un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons ayant l'atome de carbone du groupe carboxamide lié à un atome de carbone d'un squelette carboné non saturé
C07C 235/06 - Amides d'acides carboxyliques, le squelette carboné de la partie acide étant substitué de plus par des atomes d'oxygène ayant des atomes de carbone de groupes carboxamide liés à des atomes de carbone acycliques et des atomes d'oxygène, liés par des liaisons simples, liés au même squelette carboné le squelette carboné étant acyclique et saturé ayant les atomes d'azote des groupes carboxamide liés à des atomes d'hydrogène ou à des atomes de carbone acycliques
C07C 309/12 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des atomes d'oxygène liés au squelette carboné contenant des groupes hydroxy estérifiés liés au squelette carboné
C07C 309/17 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant des groupes carboxyle liés au squelette carboné
C07C 309/42 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons d'un squelette carboné contenant des atomes d'oxygène, liés par des liaisons simples, liés au squelette carboné ayant les groupes sulfo liés à des atomes de carbone de cycles aromatiques à six chaînons non condensés
C07D 307/68 - Atomes de carbone comportant trois liaisons à des hétéro-atomes avec au plus une liaison à un halogène
C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
C07D 407/04 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle, non prévus par le groupe contenant deux hétérocycles liés par une liaison directe de chaînon cyclique à chaînon cyclique
C07D 409/04 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant deux hétérocycles liés par une liaison directe de chaînon cyclique à chaînon cyclique
C08F 212/02 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé
Provided are methods for efficiently producing porous particles and a carrier for purification or adsorption which have excellent antifouling properties or excellent carbon dioxide adsorption properties. A method for producing porous particles includes steps (i) to (iii) mentioned below, wherein the water-based medium in step (iii) is a water-based medium such that the amount of a salt dissolved per unit mass is 10 parts by mass or more when the mass of the salt per unit mass in a saturated solution reached by dissolving the salt in the water-based medium under conditions of 23°C and 1 atm is 100. (i) A step for preparing a hydrocolloid in a salt-containing water-based medium; (ii) a step for dispersing a liquid composition in a hydrocolloid-containing water-based medium prepared in step (i), the liquid composition containing a hydrophobe having a solubility in water at 25°C of 1.0×10-4g/L or less and one or more monomers that are different from the hydrophobe; and (iii) a step for subjecting the monomers dispersed in step (ii) to suspension polymerization in a water-based medium containing a hydrocolloid and a salt.
A composition includes: a polymer including a repeating unit represented by formula (1); and a solvent. R1 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms; L1 is a single bond or a divalent linking group; and Ar1 is a monovalent group comprising an aromatic ring having 6 to 20 ring members, a hydrogen atom of the aromatic ring is substituted with at least one halogen atom, and the monovalent group represented by Ar1 further comprises et least one group selected from the group consisting of a group represented by formulae (2-1) to (2-8).
A composition includes: a polymer including a repeating unit represented by formula (1); and a solvent. R1 is a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted monovalent hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms; L1 is a single bond or a divalent linking group; and Ar1 is a monovalent group comprising an aromatic ring having 6 to 20 ring members, a hydrogen atom of the aromatic ring is substituted with at least one halogen atom, and the monovalent group represented by Ar1 further comprises et least one group selected from the group consisting of a group represented by formulae (2-1) to (2-8).
G03F 7/095 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires ayant plus d'une couche photosensible
C09D 141/00 - Compositions de revêtement à base d'homopolymères ou de copolymères de composés possédant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chacun ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et l'un au moins étant terminé par une liaison à un soufre ou par un hétérocycle contenant du soufreCompositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
A method for producing expanded beads using a mixture of a polypropylene-based resin A that is a non-recovered material and polypropylene-based resin B that is a recovered product of a post-consumer material. The method enables production of expanded beads wherein variation in the expansion ratio and reduction in the closed cell ratio are inhibited, and is capable of improving the appearance of a molded article. A base material resin, a mixture of resin A having a melting point 130-155° C. and resin B is used, the blending rate of A is 40 −97 wt %, and B is 3 −60 wt %, the melting point difference between the resins is 10-30° C., resin B has an ash content of 5 wt % or less, and in a melting peak observed in a DSC curve in heat-flux differential scanning calorimetry, the difference between an extrapolated melting start and end temperature is 30° C. or more.
C08J 9/18 - Fabrication de particules expansibles par imprégnation des particules du polymère avec l'agent de gonflage
C08J 9/00 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolairesLeur post-traitement
C08J 9/12 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolairesLeur post-traitement utilisant des gaz de gonflage produits par un agent de gonflage introduit au préalable par un agent physique de gonflage
A radiation-sensitive composition includes: an onium salt compound represented by formula (1); a polymer including a structural unit which includes an acid-dissociable group; and a solvent. A is a monovalent organic group having 1 to 40 carbon atoms; R1 and R2 are each independently a hydrogen atom, a monovalent fluorine-free organic group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, a hydroxy group, or an amino group, when there are a plurality of R1s and R2s, the plurality of R1s and R2s are the same or different from each other; m1 is an integer of 1 to 8; and Z+ is a monovalent radiation-sensitive onium cation.
A radiation-sensitive composition includes: an onium salt compound represented by formula (1); a polymer including a structural unit which includes an acid-dissociable group; and a solvent. A is a monovalent organic group having 1 to 40 carbon atoms; R1 and R2 are each independently a hydrogen atom, a monovalent fluorine-free organic group having 1 to 20 carbon atoms, a cyano group, a nitro group, a hydroxy group, or an amino group, when there are a plurality of R1s and R2s, the plurality of R1s and R2s are the same or different from each other; m1 is an integer of 1 to 8; and Z+ is a monovalent radiation-sensitive onium cation.
C07C 309/05 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé contenant au moins deux groupes sulfo liés au squelette carboné
C07C 309/24 - Acides sulfoniques ayant des groupes sulfo liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné contenant des cycles aromatiques à six chaînons
C07C 317/24 - SulfonesSulfoxydes ayant des groupes sulfone ou sulfoxyde et des atomes d'oxygène, liés par des liaisons doubles, liés au même squelette carboné
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
G03F 7/038 - Composés macromoléculaires rendus insolubles ou sélectivement mouillables
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
An expanded bead comprising a polypropylene-based resin as a base resin and a hindered amine-based compound, in which the polypropylene-based resin has a degree of crystallinity of 45% or less, the hindered amine-based compound has a structure represented by the following formula (I), and a content of the hindered amine-based compound in the expanded bead is 0.01% by mass or more and 4% by mass or less, in which X represents an alkylene group, and Y1 and Y2 each independently represent a hydrocarbon group or a hydrocarbon group bonded via an oxygen atom.
An expanded bead comprising a polypropylene-based resin as a base resin and a hindered amine-based compound, in which the polypropylene-based resin has a degree of crystallinity of 45% or less, the hindered amine-based compound has a structure represented by the following formula (I), and a content of the hindered amine-based compound in the expanded bead is 0.01% by mass or more and 4% by mass or less, in which X represents an alkylene group, and Y1 and Y2 each independently represent a hydrocarbon group or a hydrocarbon group bonded via an oxygen atom.
This radiation-sensitive composition comprises a polymer having an acid dissociable group and a compound represented by formula (1). In formula (1), X1is *122-NH- or *122-. *1denotes an atomic bond with R1. With respect to R1and A1, R1is a monovalent organic group and A1is a divalent organic group, or alternatively, R1and A122-NH- in the ring skeleton. M+is a substituted or unsubstituted iodonium cation or a sulfonium cation that has at least one group selected from the group consisting of a fluoro group, a bromo group, an iodo group, a haloalkyl group, a cyano group, a carbonyl group and a sulfonyl group. However, in cases where M+is an unsubstituted iodonium cation, A1 has an aromatic ring.
C07C 311/08 - Sulfonamides ayant des atomes de soufre de groupes sulfonamide liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique saturé ayant l'atome d'azote d'au moins un des groupes sulfonamide lié à un atome de carbone d'un cycle aromatique à six chaînons
C07C 311/11 - Sulfonamides ayant des atomes de soufre de groupes sulfonamide liés à des atomes de carbone acycliques d'un squelette carboné acyclique non saturé
C07C 311/48 - Amides d'acides sulfoniques, c.-à-d. composés comportant des atomes d'oxygène, liés par des liaisons simples, de groupes sulfoniques remplacés par des atomes d'azote, ne faisant pas partie de groupes nitro ou nitroso ayant des atomes d'azote de groupes sulfonamide liés de plus à un autre hétéro-atome
C07C 311/51 - Y étant un atome d'hydrogène ou de carbone
C07D 275/06 - Composés hétérocycliques contenant des cycles thiazole-1, 2 ou thiazole-1, 2 hydrogéné condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques avec des hétéro-atomes liés directement à l'atome de soufre du cycle
C07D 317/24 - Radicaux substitués par des atomes d'oxygène ou de soufre liés par des liaisons simples estérifiés
C07D 317/70 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons comportant deux atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle comportant les hétéro-atomes en positions 1, 3 condensés en ortho ou en péri avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques condensés avec des systèmes cycliques contenant au moins deux cycles déterminants
The present invention provides: a radiation-sensitive composition which is capable of exhibiting sensitivity, CDU, overexposure CDU, and underexposure CDU at levels equal to or higher than conventional levels when forming a pattern; and a pattern forming method. This radiation-sensitive composition contains a first polymer and a solvent, wherein the first polymer comprises a structural unit (I) that has an acid dissociable group, a structural unit (II) that has an organic acid anion and an onium cation and comprises an acid-generating structure which generates an acid upon exposure to light, and a partial structure (a) that is represented by formula (a). (In formula (a), Z represents a hydrogen atom, a halogen atom, a nitro group, or a monovalent organic group having 1-20 carbon atoms, and * is an atomic bond with another structure of the polymer.)
G03F 7/039 - Composés macromoléculaires photodégradables, p. ex. réserves positives sensibles aux électrons
C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
C08F 220/16 - Esters des alcools ou des phénols monohydriques des phénols ou des alcools contenant plusieurs atomes de carbone
A method for producing polyolefin-based resin expanded beads includes dispersing polyolefin-based resin particles in an aqueous medium, adding a physical blowing agent into a sealed container, and expanding the resin particles by impregnating the resin particles with the physical blowing agent in the sealed container, then releasing the resin particles from the sealed container together with the aqueous medium to produce expanded beads having an apparent density of 10 to 80 kg/m3. The physical blowing agent includes a hydrofluoroolefin. An addition amount of the hydrofluoroolefin is 10 to 30 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the resin particles.
C08J 9/18 - Fabrication de particules expansibles par imprégnation des particules du polymère avec l'agent de gonflage
C08J 9/14 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolairesLeur post-traitement utilisant des gaz de gonflage produits par un agent de gonflage introduit au préalable par un agent physique de gonflage organique
