Abrégé

A semiconductor device comprising, a substrate comprising a cell region, a first well region in the cell region of the substrate, a second well region disposed in the cell region and spaced apart from the first well region in a first direction, a third well region disposed in the cell region and spaced apart from the first well region in a second direction intersecting the first direction, a first gate portion disposed in overlap with a part of the first well region and a part of the third well region, and a second gate portion disposed in overlap with a part of the second well region, wherein the first gate portion and the second gate portion are spaced apart from each other.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

Abrégé

Proposed are a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the same and, more particularly, a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the same seeking to improve on-resistance (Rsp) characteristics of the device by forming a field plate on a substrate and above a gate region, and prevent deterioration of HE-SOA characteristics by forming a thin film-shaped gate field plate below the gate region to mitigate an electric field concentrated below the field plate and on an edge of the gate region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

Proposed are a Single Photon Avalanche Diode (SPAD) structure and a manufacturing method thereof. More particularly, the SPAD structure is configured such that a guide wall is formed on side portions of a first impurity doped region and a second impurity doped region so as to induce photogenerated charges to be diffused to an avalanche region on a PN junction region between the first impurity doped region and the second impurity doped region, thereby increasing Photon Detection Efficiency (PDE).

Classes IPC  ?

• H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices

Abrégé

Proposed are a semiconductor device including a DTI region and a method of manufacturing the same, which enable easy formation of a DTI region including an upper region and a lower region by having an outer surface of the upper region in the DTI region be inclined as the outer surface of the upper region extends downward. A semiconductor device including a DTI region may comprise: a substrate; and a DTI region disposed within the substrate, wherein the DTI region comprises: an upper region extending downward from a surface of the substrate to a first predetermined depth; and a lower region extending downward from a bottom of the upper region to a second predetermined depth within the substrate, wherein the upper region comprises an inclined surface that becomes steeper as an outer surface of the upper region extends downward.

Classes IPC  ?

• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/762 - Régions diélectriques
• H01L 21/764 - Espaces d'air

Abrégé

Proposed are a power semiconductor device and a method of manufacturing the same seeking to increase a current path area and to capture electrons trapped between a gate electrode and a drain electrode to prevent current collapse effects by forming a plurality of hole injection regions spaced apart from each other at the bottom of the drain electrode.

Classes IPC  ?

• H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT

Abrégé

A digital pixel comprising: a photo diode to generate an optical signal based on incident light; a storage diode to store the optical signal generated by the photo diode; a floating diffusion to output a light detection signal based on the optical signal; a first transfer gate that is electrically connected to the photo diode and the storage diode to transfer the optical signal generated by the photo diode to the storage diode; and a second transfer gate that is disposed on one side of the storage diode to maintain the optical signal stored in the storage diode and improve efficiency of transferring the stored optical signal to the floating diffusion, wherein the second transfer gate includes at least one slot formed in a through structure.

Classes IPC  ?

• H04N 25/771 - Circuits de pixels, p. ex. mémoires, convertisseurs A/N, amplificateurs de pixels, circuits communs ou composants communs comprenant des moyens de stockage autres que la diffusion flottante
• H04N 25/532 - Commande du temps d'intégration en commandant des obturateurs globaux dans un capteur SSIS CMOS

Abrégé

A semiconductor integrated circuit device comprising: a substrate; a buried layer disposed on one side of the substrate; a well including a semiconductor region disposed on one side of the buried layer; and a Schottky diode portion disposed on one side of the well, wherein the Schottky diode portion comprises an anode, a guard ring electrically connected with the anode, and a poly field plate electrically connected with the anode and the guard ring, and the guard ring comprises at least one slit configured to block a flow of current.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 21/762 - Régions diélectriques
• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/872 - Diodes Schottky

Abrégé

A pillar structure of a super junction semiconductor device includes a semiconductor layer having a first conductivity type and pillars having a second conductivity type. The semiconductor layer includes an active region and a peripheral region surrounding the active region. The pillars extend in a vertical direction within the semiconductor layer and extend in a horizontal direction across the active region and the peripheral region. Each of the pillars includes an active pillar disposed within the active region, a lower peripheral pillar disposed within the peripheral region and connected to the active pillar, and a pair of upper peripheral pillars disposed on the lower peripheral pillar and branching from the active pillar.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A method of manufacturing a semiconductor device, comprising the steps of: forming a mask pattern on a substrate, performing a first ion implantation for a body region and a first impurity region in the substrate by using the mask pattern, forming a first gate electrode and a second gate electrode spaced apart from each other on the substrate, performing a first thermal process on the substrate and forming the body region and the first impurity region, and forming a contact extending to the first impurity region between the first gate electrode and the second gate electrode.

Classes IPC  ?

• H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
• H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A high-voltage semiconductor device which has a substrate, a gate field plate, a gate region, and a drift region and a method of manufacturing the high-voltage semiconductor device are described. The drift region has a first impurity region and a second impurity region covering at least one side wall of the first impurity region. The high-voltage semiconductor device is capable of alleviating electric field concentration at an edge of a gate field plate and of preventing deterioration of characteristics of specific on-resistance (Rsp) by having a second impurity region in the drift region covering the first impurity region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
• H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Proposed is a power semiconductor device and, more particularly, to a power semiconductor device that prevents a decrease in total current amount due to an increase in the length of a current movement path by ensuring that a P-TOP region formed in a resistance unit is spaced apart from a field oxide film thereabove, thereby forming a current path between the P-TOP region and the field oxide film.

Classes IPC  ?

• H01L 29/73 - Transistors bipolaires à jonction
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A semiconductor device comprising: a substrate, an active cell region comprising a first active region including a recessed region and a second active region on the substrate, an edge terminal region surrounding the active cell region on the substrate, a first peripheral region comprising a first region within the recessed region and a second region disposed between the first active region and the edge terminal region on the substrate, a second peripheral region disposed between the second active region and the edge terminal region, and a first body diode region extending from the second region of the first peripheral region to a portion of the first active region.

Classes IPC  ?

• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive

Abrégé

Proposed is a method of fabricating an oxide film with a uniform thickness, in which when forming an oxide film in a trench for a device isolation layer and/or on a silicon substrate at a position adjacent to the trench, the silicon substrate is locally amorphized at positions corresponding to corners, inner sidewalls, and/or a bottom surface of the trench and then oxidized so that the oxide film in the trench and/or adjacent to the trench is formed with a substantially uniform thickness.

Classes IPC  ?

• H01L 21/762 - Régions diélectriques
• H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
• H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
• H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage

Abrégé

Provided is a stacked via structure, a semiconductor device including the stacked via structure and a method of manufacturing the same. More particularly, proposed is a stacked via structure, a semiconductor device including the stacked via structure and a method of manufacturing the same, which ensure an alignment margin between upper and lower vias by forming a conductive sidewall at an upper end of the lower via or a lower end of the upper via to surround the upper or lower end.

Classes IPC  ?

• H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H10B 63/00 - Dispositifs de mémoire par changement de résistance, p. ex. dispositifs RAM résistifs [ReRAM]

Abrégé

An image sensor has a gate that is electrically connected to a wiring layer and is formed at a side that overlaps a photodiode or storage diode in a semiconductor layer, so that an electrical charge can be easily transferred to a floating diode. The image sensor comprises: a semiconductor layer having a front surface and a back surface; a photodiode and a floating diode disposed apart from each other in the semiconductor layer; a first gate disposed on the front surface of the semiconductor layer and in an insulating layer; a second gate disposed on the front surface of the semiconductor layer and in the insulating layer, the second gate being configured to serve as a transfer transistor; the insulating layer disposed on the front surface of the semiconductor layer; and a wiring layer disposed in the insulating layer.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

Proposed is a method of manufacturing a micro-lens of an image sensor. More particularly, in the method of manufacturing a micro-lens of an image sensor, a micro-lens is formed to have a thicker vertical thickness than that formed by a conventional method, so that the concentrating efficiency of light incident on individual pixels is improved.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

Proposed are a backside-illuminated image sensor and a method of manufacturing the same. More particularly, proposed are a backside-illuminated image sensor and a method of manufacturing the same, in which a plurality of align keys are formed in an epitaxial layer to be spaced apart from each other in the vertical direction, so that an align signal can be smoothly detected by an align key formed at a relatively shallow depth from a back surface of the epitaxial layer during a subsequent process.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

A high voltage semiconductor device includes an isolation region, in which multiple voids are formed in the isolation region along the vertical direction of the isolation region, so that the possibility of cracks occurring in the isolation region is minimized, and thus tungsten (W), etc. is prevented from penetrating into a space created by the cracks in a subsequent process and deteriorating the breakdown voltage characteristics.

Classes IPC  ?

• H01L 21/762 - Régions diélectriques
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A semiconductor device is provided. The semiconductor device comprises: a substrate comprising an epitaxial layer; a first gate electrode and a second gate electrode disposed on the substrate; a first type body region disposed within the substrate between the first gate electrode and the second gate electrode, a pillar region extending from the first type body region toward a lower surface of the substrate and disposed within the epitaxial layer; and a first region and a second region of the pillar region, each comprising a portion whose width decreases and then increases along a first direction from an upper surface of the substrate toward the lower surface, wherein the first region is disposed between the first type body region and the second region, the first region comprises a first width that is a minimum width of widths of the pillar region and a second width that is greater than the first width, the second region comprises a third width that is greater than the first width and less than the second width, and the first region and the second region are divided with the second width as a boundary.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

Abrégé

A semiconductor device comprising: a substrate; a high side region on the substrate, a drift region surrounding the high side region; an insulating region between the high side region and the drift region, and a first conductive pattern disposed in the insulating region and surrounding the high side region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

Disclosed is a variable inductor or inductor module with a varying inductance, wherein the variable inductor or inductor module changes inductor ring spacing and the distance between the inductor and a substrate using a MEMS driver, thereby enabling variances in the inductance.

Classes IPC  ?

• H01F 21/12 - Inductances ou transformateurs variables du type pour signaux discontinûment variables, p. ex. à prises
• B81B 3/00 - Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p. ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques

Abrégé

A semiconductor device is provided. The semiconductor device comprises: a substrate including an active region having an active cell region and a termination region surrounding the active region; a gate bus disposed in the active region to be non-overlapped with the active cell region; a gate electrode extending from the gate bus and disposed in the active cell region; a source region disposed on at least one side of the gate electrode in the active cell region; a gate insulating layer disposed between the gate bus and the substrate and between the gate electrode and the substrate; a gate metal disposed on the gate bus to be connected to the gate bus; and a source metal disposed on the gate electrode to be connected to the source region, wherein the gate bus and the gate electrode are disposed on the same layer.

Classes IPC  ?

• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

Proposed are a deep trench capacitor and a method of manufacturing the same that compensate for a thin thickness in bottom corner areas of an oxide film (e.g., SiO2) grown by thermal oxidation in a deep trench to prevent a deterioration in breakdown voltage characteristics due to electric field concentration in the corner areas of the oxide film, or that relatively flatten widthwise inner sidewalls of the deep trench to improve the breakdown voltage characteristics and gap-fill characteristics of a device.

Classes IPC  ?

• H01L 29/94 - Dispositifs à métal-isolant-semi-conducteur, p.ex. MOS
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

An RF switch device and a method of manufacturing the same deplete the lower region of the device to reduce coupling with a substrate and thereby improve RF characteristics by forming a depletion control region surrounding source and drain regions to control a depletion region while protecting a channel region within an active region where well regions such as PW and DNW are not formed.

Classes IPC  ?

• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence
• H01L 21/3205 - Dépôt de couches non isolantes, p. ex. conductrices ou résistives, sur des couches isolantesPost-traitement de ces couches
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

Proposed are a backside illuminated image sensor and a method of manufacturing the same and, more particularly, to a backside illuminated image sensor and a method of manufacturing the same for aligning a color filter part and a lens part formed on a bottom side of a substrate in the correct position by forming one or more align keys extending from a top side of the substrate to be adjacent to the bottom side within a peripheral area.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

Provided is an RF switch device and a manufacturing method thereof and, more particularly, an RF switch device and a manufacturing method thereof that improve breakdown voltage characteristics and prevent an increase in the figure of merit (FoM) value, which has a trade-off relationship with the breakdown voltage characteristics, by decreasing the path along which holes move in a body region to a body contact by including a first (gate) electrode extending along a first direction between opposite ends of a second (gate) electrode extending in a second (orthogonal) direction.

Classes IPC  ?

• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A resonator drive method is provided. The resonator drive method comprises: driving a third electrode that is higher than the first electrode and the second electrode based on an upper surface of the substrate, which are spaced apart from each other at a first interval on a substrate, to descend toward the substrate; and arranging the third electrode between the first electrode and the second electrode to be in contact with the upper surface of the substrate and arranging the first electrode, the second electrode, and the third electrode to be spaced apart from one another at a second interval, wherein the second interval is less than the first interval.

Classes IPC  ?

• H03H 9/02 - Réseaux comprenant des éléments électromécaniques ou électro-acoustiquesRésonateurs électromécaniques Détails
• H03H 9/10 - Montage dans des boîtiers
• H03H 9/24 - Détails de réalisation de résonateurs en matériau qui n'est ni piézo-électrique, ni électrostrictif, ni magnétostrictif

Abrégé

Proposed is a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the same and, more particularly, a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the same for positioning the upper end of an air gap formed in a DTI region at a relatively deep position in the DTI region by forming the bottom of the upper region of the DTI region at a deeper position in a substrate compared to the bottom of a STI region.

Classes IPC  ?

• H01L 21/762 - Régions diélectriques
• H01L 21/764 - Espaces d'air
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

Disclosed is a silicon carbide power semiconductor device and, more particularly, a silicon carbide power semiconductor device capable of improving on-resistance characteristics by contacting at least one lowermost surface of a base or a source with an underlying JFET region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

Proposed is a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the same and, more particularly, a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the same, which allow the upper end of an air gap or void formed in a DTI region to be positioned relatively deep in a substrate by forming a wide region with a relatively wide lateral width on the upper part of the DTI region, thereby preventing external exposure of the air gap in a subsequent process and preventing foreign substances such as tungsten from remaining on the upper side of the DTI region accordingly.

Classes IPC  ?

• H01L 21/762 - Régions diélectriques
• H01L 21/764 - Espaces d'air
• H01L 27/04 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur

Abrégé

A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a substrate including a first region and a second region surrounding the first region, a collector extending in a first direction in the first region of the substrate, an emitter that is spaced apart from the collector in a second direction and extends in the first direction, in the first region of the substrate, a floating region that is disposed between the collector and the emitter and extends in the first direction, in the first region of the substrate, a first device separation region between the floating region and the collector in the first region of the substrate, a second device separation region between the floating region and the emitter in the first region of the substrate and a base disposed in the second region of the substrate, wherein the floating region is not connected to an element including a conductor.

Classes IPC  ?

• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface

Abrégé

A semiconductor device is provided. The semiconductor device includes a substrate including first and second regions and a third region between the first and second regions, a first gate electrode of a first transistor extending along a first direction on the third region, a second gate electrode of a second transistor spaced apart from the first gate electrode in a second direction on the third region and extending along the first direction, a first common region extending from the third region to the first region and disposed between the first gate electrode and the second gate electrode, a first body region extending from the third region to the first region and disposed below the second gate electrode, a first insulating portion between the first common region and the first body region in the first region and a connection region connecting the first common region and the first body region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 27/088 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ les composants étant des transistors à effet de champ à porte isolée

Abrégé

Disclosed are a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the same. More particularly, a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the same include a metal field plate, which may be manufactured substantially simultaneously with a thin film resistor (TFR) (e.g., in the same process step[s] or sequence), between a source metal and a gate electrode to improve peak electric field dispersion and breakdown voltage characteristics.

Classes IPC  ?

• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

Disclosed are a semiconductor device and a method of manufacturing the same. More particularly, a semiconductor device and a method of manufacturing the same are disclosed, including a device isolation structure with a pre-DTI structure and/or a DTI structure having at least one corner region with a cut shape/corner or truncation in a plan view, thereby reducing or preventing the occurrence of defects during formation of the device isolation structure and in a subsequent CMP process.

Classes IPC  ?

• H01L 21/762 - Régions diélectriques
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

Abrégé

Disclosed are an insulated gate bipolar transistor and a method of manufacturing the same. More particularly, an insulated gate bipolar transistor and a method of manufacturing the same include a planar gate on a drift region or a first body region in a floating region of the insulated gate bipolar transistor, and if desired or necessary, a second trench gate in the first body region to increase an input capacitance (Cies) and prevent self-turn-on of the insulated gate bipolar transistor.

Classes IPC  ?

• H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Disclosed are an ESD protection device to mitigate performance degradation due to operational instability by ensuring protection against ESD events and stress. The ESD protection device includes an N-type buried layer including a first dopant type in a semiconductor substrate, a deep well (DNW) including a first dopant type on the N-type buried layer, a first doped region including a first dopant type on the deep well, a second doped region including a first dopant type and a third doped region including a second dopant type, spaced apart from the first doped region, a base in the first doped region, and a multi-finger structure including emitter fingers in the second doped region and collector fingers in the third doped region, and a base moat comprising a base metal connecting individual ones of the emitter fingers to each other.

Classes IPC  ?

• H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 29/735 - Transistors latéraux

Abrégé

Disclosed are an image sensor and a method of manufacturing the same. More particularly, an image sensor and a method of manufacturing the same including a passivation layer on or at a boundary, but not in a light guide, and a separate liner is in the light guide, to control the light receiving efficiency of the image sensor according to the thickness of the liner.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

Disclosed are a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the same and, more particularly, a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the same seeking to shorten a path of excess carriers to a body contact and improve breakdown voltage (BV) characteristics accordingly, in addition to minimizing a separation distance between adjacent gate electrodes and improving specific on-resistance (Rsp) characteristics accordingly, by including a plurality of spaced apart body contacts in a body region and offset from each other along a horizontal direction in the semiconductor device.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Disclosed is a low-voltage detection floating N-well bias circuit. The circuit includes a power detector configured to detect states of first power (VDD) and second power (DVDD) at different power levels; a switch configured to perform a switching operation according to the states of the first power (VDD) and the second power (DVDD); and a voltage output circuit configured to output the first power (VDD) or the second power (DVDD) as an N-well bias voltage according to the states of the first power (VDD) and the second power (DVDD) and the switching operation of the switch. Accordingly, when the first power (VDD) and the second power (DVDD) are supplied and the second power (DVDD) has a low voltage state, the floating N-well bias circuit can continuously bias an N-well with the second power (DVDD), without dropping the second power (DVDD).

Classes IPC  ?

• H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
• H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
• H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ

Abrégé

Disclosed is a semiconductor device and a method of manufacturing the same and, more particularly, a semiconductor device and a method of manufacturing the same that improve specific on-resistance (Rsp) characteristics by forming or including a plurality of field oxides between an adjacent gate electrode and a drain to decrease the length of a path for flow of electrons between the drain and the source.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Disclosed is a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the same and, more particularly, a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the same enabling more effective integration through improvement of breakdown voltage (BV) characteristics during device turn-on and/or turn-off and consequent improvement of specific on-resistance (Rsp) characteristics by forming or including a floating gate and/or a connection structure on a substrate, between a gate electrode and a drain.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A power semiconductor device and its manufacturing method are proposed. Specifically, the device features a plurality of guard rings formed on the separation space between the gate electrode and drain electrode. These guard rings inject holes into the channel layer, which capture trapped electrons and prevent the occurrence of a current collapse effect. By reducing the concentration of the electric field at the edge of the drain electrode, this power semiconductor device ensures the reliability of the device.

Classes IPC  ?

• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT

Abrégé

A power semiconductor device includes a high voltage unit configured to output a high voltage, a low voltage unit configured to output a low voltage, a capacitor electrically connected to the high voltage unit and supplying power to the high voltage unit while the high voltage is output, a switching unit electrically connected to the high voltage unit and the capacitor and configured to connect the capacitor to a driving power source to charge the capacitor while the low voltage is output and to prevent the high voltage unit from being electrically connected to the driving power source while the high voltage is output, and a resistance unit electrically connected between the switching unit and the high voltage unit and configured to drop the high voltage to a voltage lower than a breakdown voltage of the switching unit while the high voltage is output.

Classes IPC  ?

• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant

Abrégé

Proposed is a power semiconductor device in which an upper surface of a barrier layer between a gate electrode and a drain electrode has a stepped recess portion, thereby being capable of effectively controlling electric field strength at an interface positioned adjacent to the drain electrode and effectively restraining a carrier trap between the gate electrode and the drain electrode.

Classes IPC  ?

• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
• H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Proposed are a semiconductor device and a method of manufacturing the same, in which a first device isolation region includes a Pre-DTI region and a DTI region, wherein the DTI region is configured to be physically distinguishable by having an extension part with a substantially flat outer surface and a connection part with an outer surface including a concave and convex embossed portion so that an air gap in the first device isolation region is prevented from being formed in an asymmetric shape and is prevented from being externally exposed in a subsequent process.

Classes IPC  ?

• H01L 21/764 - Espaces d'air
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A semiconductor device includes a field oxide layer formed on a substrate, a gate insulating layer formed on a surface portion of the substrate adjacent to one side of the field oxide layer, a gate electrode formed on the gate insulating layer and a portion of the field oxide layer, a source region formed in a surface portion of the substrate adjacent to one side of the gate electrode, and a drain region formed in a surface portion of the substrate adjacent to another side of the field oxide layer. A surface portion of the substrate on which the field oxide layer is formed is convex upward.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A semiconductor device includes a channel region formed on a substrate, a source region formed on the channel region, a drain region formed on the channel region, a gate region formed on the channel region between the source region and the drain region, a source contact region formed on a portion of the source region, and a resistance region formed on another portion of the source region. The source contact region and the resistance region are electrically connected in parallel with a source terminal.

Classes IPC  ?

• H01L 29/808 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une jonction PN ou une autre jonction redresseuse à jonction PN
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

Abrégé

Disclosed are a SiC MOSFET power semiconductor device and a method of manufacturing the same. More particularly, a SiC MOSFET power semiconductor device and a method of manufacturing the same are disclosed, including a trench gate having a hexagonal shape in a plan or layout view, to improve on-resistance (Rsp) characteristics and increase channel density.

Classes IPC  ?

• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A backside illuminated image sensor includes a substrate having a frontside surface and a backside surface, pixel regions formed in the substrate, light isolation patterns formed among the pixel regions, first bonding pads electrically connected to the pixel regions, and at least one second bonding pad electrically connected to the light isolation patterns.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

Disclosed are a nitride-based semiconductor device and a method of manufacturing the same. The device has improved frequency characteristics because it has a shorter gate length than existing devices. The shorter gate length can be obtained without using a high-performance patterning device or technology using the patterning device.

Classes IPC  ?

• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Disclosed are a semiconductor device (1) including a MOSPET region and an integrated diode region, and a manufacturing method thereof. More particularly, a semiconductor device (1) including a silicon carbide (SiC) MOSPET region and an integrated Schottky bather diode that reduce forward voltage drop (Vf), device area, and switching oscillation resulting from parasitic inductance are disclosed.

Classes IPC  ?

• H01L 27/07 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive les composants ayant une région active en commun
• H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
• H01L 29/47 - Electrodes à barrière de Schottky
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/872 - Diodes Schottky

Abrégé

Disclosed is a power semiconductor device and a manufacturing method thereof and, more particularly, a power semiconductor device and a manufacturing method thereof seeking to capture electrons trapped on one side of a transistor during transistor operation, prevent current collapse effects, and improve reliability consequently by forming or including one or more hole injection regions in a separation space between a gate electrode and a drain electrode.

Classes IPC  ?

• H10D 30/47 - Transistors FET ayant des canaux à gaz de porteurs de charge de dimension nulle [0D], à une dimension [1D] ou à deux dimensions [2D] ayant des canaux à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p. ex. transistors FET à nanoruban ou transistors à haute mobilité électronique [HEMT]
• H10D 30/01 - Fabrication ou traitement
• H10D 62/85 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe III-V, p. ex. GaAs

Abrégé

A blocker signal removal device suitable for a receiver input unit, and a method of using the same are proposed. The blocker signal removal device effectively removes blocker signals in reception signals for the receiver. The blocker signal removal device includes a balun low-noise amplifier having a single input and differential output and a filter circuit coupled to the balun low-noise amplifier and configured to remove only an in-band signal of the reception signals. According to such a configuration, signals of the balun low-noise amplifier and signals of the filter circuit cancel out each other, so that unwanted out-of-band signals are removed from the reception signals, and only the in-band signal remains.

Classes IPC  ?

• H04B 1/10 - Dispositifs associés au récepteur pour limiter ou supprimer le bruit et les interférences

Abrégé

Disclosed are a frontside illuminated image sensor and a method of manufacturing the same. More particularly, a frontside illuminated image sensor and a method of manufacturing the frontside illuminated image sensor include a light scattering portion in a substrate, configured to increase a path of incident light, thereby preventing cross-talk between adjacent pixels and increasing light sensitivity.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

Disclosed are a backside illuminated image sensor and a method of manufacturing the same. More particularly, a backside illuminated image sensor and a method of manufacturing the backside illuminated image sensor include a light scattering portion in a substrate configured to converge a path of incident light to a photoelectric conversion structure, thereby preventing cross-talk between adjacent pixels and increasing light sensitivity.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

Disclosed is an LDMOS semiconductor device and a method of manufacturing the same and, more particularly, to an LDMOS semiconductor device and a method of manufacturing the same seeking to maintain a high breakdown voltage while reducing the chip size through non-formation or size minimization of an extension region, and thus improving the degree of integration, by forming or including a deep trench isolation (DTI) region along the width or similar lateral direction of the LDMOS semiconductor device, on a longitudinal boundary of a core region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 21/761 - Jonctions PN
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Disclosed are a backside illuminated image sensor and a method of manufacturing the same. More particularly, a backside illuminated image sensor and a method of manufacturing the backside illuminated image sensor include a plurality of sequential layers have different refractive indexes to extend a path of incident light passing through a lens, thereby increasing sensitivity.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

A super junction semiconductor device includes a substrate of a first conductive type, an epitaxial layer disposed on the substrate, a plurality of pillars extending in a vertical direction and each being alternately arranged within the epitaxial layer, gate structures disposed on the epitaxial layer in the active region, a reverse recovery layer of a second conductive type, the reverse recovery layer disposed on both the pillars and the epitaxial layer and in the transition region to distribute a reverse recovery current, and at least one high concentration region surrounding an upper portion of at least one of the pillars in the peripheral region, the high concentration region having a horizontal width greater than that of one of the pillars provided in the transition region. Thus, a breakdown voltage may be inhibited from decreasing in the peripheral region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
• H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus

Abrégé

A power semiconductor device and a method of manufacturing the power semiconductor device are disclosed. The power semiconductor device includes an isolation region at or in a bather layer in contact with or adjacent to a drain electrode to reduce or prevent current collapse between a gate electrode and the drain electrode.

Classes IPC  ?

• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT

Abrégé

A MEMS microphone includes a substrate having a cavity, a diaphragm disposed above the cavity and having a ventilation path, and a back plate disposed above the diaphragm and having a plurality of air holes. The ventilation path includes a plurality of slits extending in a circumferential direction.

Classes IPC  ?

• B81B 3/00 - Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p. ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
• B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat

Abrégé

Disclosed are bidirectional ESD protection devices capable of solving a breakdown voltage mismatch (BV mismatch) phenomenon while securing operation stability by providing a high breakdown voltage. The bidirectional ESD protection device includes an isolation region between an anode region and a cathode region, and the anode region and the cathode region may face each other with the isolation region in between. Accordingly, the bidirectional ESD protection device realizes high-voltage bidirectional characteristics without adding a mask, is minimized or reduced in size, and solves problems such as a breakdown voltage mismatch and instability.

Classes IPC  ?

• H10D 89/60 - Dispositifs intégrés comprenant des dispositions pour la protection électrique ou thermique, p. ex. circuits de protection contre les décharges électrostatiques [ESD].
• H10D 10/60 - Transistors BJT latéraux

Abrégé

Provided is a MEMS microphone structure (1) and, more particularly, to a MEMS microphone structure (1) that ensures excellent sensitivity by including and/or forming a lower electrode (410) and an upper electrode (430) with a diaphragm (110) in a bending area (A1) so that the maximum bending displacement of the diaphragm (110) is controlled by a dielectrophoretic (DFP) force together with sound pressure.

Classes IPC  ?

• H04R 19/04 - Microphones
• B81B 3/00 - Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p. ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
• B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
• H04R 31/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des transducteurs ou de leurs diaphragmes
• H04R 7/04 - Membranes planes
• H04R 7/18 - Dispositions pour monter ou pour tendre des membranes ou des cônes à la périphérie
• H04R 19/00 - Transducteurs électrostatiques

Abrégé

Disclosed is a high voltage semiconductor device. More particularly, a high voltage semiconductor device is disclosed, including a slope compensating structure on at least a portion of an outermost surface of a gate spacer defining a sidewall of a gate structure, thereby reducing or preventing electric field concentration in a corner of a gate field plate, and thus improving reliability of the device.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

The present disclosure relates to an insulated gate bipolar transistor and a method of manufacturing the same. More particularly, the present disclosure relates to an insulated gate bipolar transistor and a manufacturing method that improves breakdown voltage characteristics and includes a second ring region having a first conductivity type in contact with a first ring region having the first conductivity type in the termination region.

Classes IPC  ?

• H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ
• H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/40 - Electrodes

Abrégé

Provided is an RF switch device and a method of manufacturing the same and, more particularly, to an RF switch device that improves the on-resistance (Ron) of the RF switch by including an integral or integrally formed P diode. The RF switch device includes a first active region on a first substrate as a first base, a second active region on the first substrate spaced apart from the first active region as a second base, and a gate electrode on the first active region and on the second active region.

Classes IPC  ?

• H10D 64/27 - Électrodes ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. grilles
• H10D 8/00 - Diodes
• H10D 84/80 - Dispositifs intégrés formés dans ou sur des substrats semi-conducteurs qui comprennent uniquement des couches semi-conductrices, p. ex. sur des plaquettes de Si ou sur des plaquettes de GaAs-sur-Si caractérisés par l'intégration d'au moins un composant couvert par les groupes ou , p. ex. l'intégration de transistors IGFET

Abrégé

An image sensor includes a charge accumulation region having a first conductivity type and disposed in a substrate, a charge storage region having the first conductivity type and disposed in the substrate to be laterally spaced apart from the charge accumulation region, a transfer gate electrode disposed on a channel region between the charge accumulation region and the charge storage region to transfer a charge from the charge accumulation region to the charge storage region, a first well region having a second conductivity type and disposed below the charge storage region to inhibit a charge generated below the charge storage region from being moved to the charge storage region, and a second well region having the second conductivity type and disposed below a portion of one side of the first well region adjacent to a neighboring image cell.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images
• H01L 27/148 - Capteurs d'images à couplage de charge
• H04N 25/713 - Registres de transfert ou de lectureRegistres de lecture fractionnés ou registres de lecture multiples

Abrégé

Disclosed are a MEMS microphone structure and a manufacturing method thereof. More particularly, a MEMS microphone structure and a manufacturing method thereof are disclosed, including a plurality of diaphragms and a plurality of back plates configured alternately in a vertical direction so that the areas of the diaphragms and the back plates are maximized within a limited area, thereby improving overall sensitivity.

Classes IPC  ?

• H04R 19/04 - Microphones
• H04R 31/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des transducteurs ou de leurs diaphragmes

Abrégé

A backside-illuminated image sensor and a method of manufacturing the same are disclosed. The backside-illuminated image sensor is capable of improving sensitivity by including a scattering layer in a substrate that may result in incident light having a path greater than the thickness of the substrate and, simultaneously, of additionally enhancing light sensitivity with respect to a specific wavelength or wavelength band of light passing through one of a plurality of different color filters by a varying depth or thickness of the scattering layer for each unit pixel in the image sensor.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

A circular LDMOS device includes a lower drift layer disposed on a substrate, a drain region disposed on the lower drift layer, a source region having a circular ring shape surrounding the drain region and spaced apart from the drain region, a field insulating layer disposed between the drain region and the source region, and an upper drift layer disposed between the lower drift layer and the field insulating layer and having a conductivity type different from that of the lower drift layer.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

Abrégé

Disclosed are a superjunction semiconductor device and a method of manufacturing the same. More particularly, a superjunction semiconductor device and a method of manufacturing the same include an additional structure that enables smooth current flow in a transition region and/or a ring region of the device, where the current concentrates locally during turn-on/turn-off operations of the device due to insufficient current paths compared to the cell region of the device, thereby improving reverse recovery characteristics and preventing device destruction.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

A pillar structure includes an epitaxial layer of a first conductivity type including an active region and a peripheral region surrounding the active region and a plurality of pillars of a second conductivity type, the pillars extending in a vertical direction within the epitaxial layer, being spaced apart from each other in a horizontal direction, respectively, and including active pillars provided in the active region and peripheral pillars provided in the peripheral region, wherein the active pillars are spaced apart from another adjacent each other at a first pitch, and a pair of the peripheral pillars are branched from one of the active pillars and are spaced apart from each other at a second pitch smaller than the first pitch.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

Disclosed are a superjunction semiconductor device and a method of manufacturing the same. More particularly, the superjunction semiconductor device includes at least one body region in a second corner region extending along the length direction in the same manner as a pillar, thereby promoting smooth current flow in a transition corner region and thus improving reverse recovery characteristics; and a method of manufacturing the superjunction semiconductor device.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée

Abrégé

Disclosed is an organic light emitting display device, and more particularly, an organic light emitting display device having a fence structure between a pixel region and which covers edge or peripheral portions of adjacent first electrodes that include an anode. The organic light emitting display device increases isolation characteristics by preventing crosstalk between adjacent pixel regions, and prevents certain defects that may occur during subsequent processing (e.g., following formation of a reflective electrode).

Classes IPC  ?

• H10K 59/131 - Interconnexions, p. ex. lignes de câblage ou bornes
• H10K 50/818 - Anodes réfléchissantes, p. ex. ITO combiné à des couches métalliques épaisses
• H10K 71/00 - Fabrication ou traitement spécialement adaptés aux dispositifs organiques couverts par la présente sous-classe

Abrégé

Provided is a semiconductor device and a method of manufacturing the same and, more particularly, to a semiconductor device and a method of manufacturing the same, seeking to reduce or prevent transmission of noise between adjacent devices and improve isolation characteristics by forming a second isolation region into an upper region (e.g., a pre-DTI region) and a lower region (e.g., a DTI region) relatively deep in the substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 21/764 - Espaces d'air
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

Abrégé

Provided is a semiconductor device and a method of manufacturing the same and, more particularly, to a semiconductor device and a method of manufacturing the same seeking to simplify the manufacturing process and consequently improve efficiency and reliability by forming an isolation region (191) including a pre-DTI region (1911) and a DTI region (1913) in and/or on a substrate before depositing an interlayer dielectric, thereby avoiding a need for a separate etch stop layer.

Classes IPC  ?

• H01L 21/764 - Espaces d'air
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Provided is a semiconductor device and, more particularly, to a semiconductor device including a dummy gate and a dummy structure passing through the dummy gate, adjacent to an isolation region including a DTI region, so that the pattern density (e.g., of the gates and/or DTI regions across the device) is more uniform, thereby improving the uniformity of structures made in subsequent processes such as planarization (e.g., chemical mechanical polishing) and/or etching, and compensating for potential weaknesses or sources of defects in such processes.

Classes IPC  ?

• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

Abrégé

A MEMS microphone includes a substrate having a cavity, a diaphragm comprising a first electrode layer disposed above the cavity, and a back plate comprising a second electrode layer disposed above the first electrode layer and a support layer disposed on the second electrode layer. The second electrode layer includes a conductive layer pattern, and a reinforcing pattern configured to surround the conductive layer pattern and to increase structural rigidity of the support layer.

Classes IPC  ?

• H04R 19/04 - Microphones
• B81B 3/00 - Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p. ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
• B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
• H04R 31/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des transducteurs ou de leurs diaphragmes

Abrégé

Disclosed are a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the high voltage semiconductor device. More specifically, a high voltage semiconductor device and a method of manufacturing the high voltage semiconductor device omit a conventional deep NDT region in a body region of the device, and include a HV-NLDD region to minimize the width of the body region, thereby improving integration and on-resistance of the semiconductor device.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/45 - Electrodes à contact ohmique
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
• H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A backside illuminated image sensor includes a substrate having a frontside surface and a backside surface, a charge accumulation region disposed in the substrate, and a light isolation pattern surrounding at least a portion of the charge accumulation region and comprising a metal material. The substrate has a trench extending from the backside surface toward the frontside surface, and the light isolation pattern is disposed in the trench.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

Disclosed are a slew boost amplifier and a display driver having the same, which include a first current generation circuit configured to apply a first current to an upper current mirror circuit, a second current generation circuit configured to apply a second current to a lower current mirror circuit, and a comparison circuit configured to detect a difference between an input voltage and an output voltage and to apply the first current when the difference is greater than or equal to a first predetermined threshold and the second current generation circuit to apply the second current when the difference is less than a second predetermined threshold.

Classes IPC  ?

• H03F 3/45 - Amplificateurs différentiels
• G09G 3/20 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice

Abrégé

Disclosed is a superjunction semiconductor device and a method for manufacturing the same and, more particularly, to a superjunction semiconductor device and a method for manufacturing the same seeking to improve a switching speed and thus to improve switching characteristics by reducing a gate-to-drain parasitic capacitance (Cgd) and/or configuring a gate electrode as a floating dummy gate.

Classes IPC  ?

• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante

Abrégé

A MEMS microphone includes a substrate having a cavity, a diaphragm disposed above the substrate to correspond to the cavity, and a back plate disposed above the diaphragm. The diaphragm has a plurality of ventilation holes, each of the ventilation holes includes a plurality of slits, and the slits extend in a radial direction from a center of the each of the ventilation holes.

Classes IPC  ?

• H04R 19/04 - Microphones
• H04R 7/02 - Membranes pour transducteurs électromécaniquesCônes caractérisés par la structure

Abrégé

An input/output circuit for a memory and a method of controlling the same are disclosed. The input/output circuit and the method of controlling the same are configured to prevent a memory element from being falsely or incorrectly programmed due to an ESD pulse. More particularly, the input/output circuit and the method of controlling the same include an ESD detection unit configured to detect a programming voltage or an ESD pulse on a pad terminal, a control logic unit configured to transmit a first voltage or a second voltage according to the programming voltage and the ESD pulse, and a switch unit configured to perform a turn-on or turn-off operation according to the first voltage or the second voltage.

Classes IPC  ?

• G11C 16/22 - Circuits de sécurité ou de protection pour empêcher l'accès non autorisé ou accidentel aux cellules de mémoire

Abrégé

A reverse-conducting insulated gate bipolar transistor and a method of manufacturing the same are disclosed. More particularly, the insulated gate bipolar transistor and the method of manufacturing the same are configured to form a cover layer so as to prevent external exposure of an uppermost surface of a first contact in a first cell region, thereby maximally reducing occurrences of contamination during subsequent processing.

Classes IPC  ?

• H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 29/739 - Dispositifs du type transistor, c.à d. susceptibles de répondre en continu aux signaux de commande appliqués commandés par effet de champ

Abrégé

Provided is a single-photon avalanche diode (SPAD) structure. More particularly, provided is a SPAD structure having an isolation structure for electrical and/or physical separation between a pixel area and a logic area.

Classes IPC  ?

• H10F 30/225 - Dispositifs individuels à semi-conducteurs sensibles au rayonnement dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers les dispositifs, p. ex. photodétecteurs les dispositifs ayant des barrières de potentiel, p. ex. phototransistors les dispositifs étant sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet les dispositifs ayant une seule barrière de potentiel, p. ex. photodiodes la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p. ex. photodiodes à avalanche
• H10F 39/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément couvert par le groupe , p. ex. détecteurs de rayonnement comportant une matrice de photodiodes

Abrégé

Disclosed are a superjunction semiconductor device and a method of manufacturing the same. More particularly, the present disclosure relates to a superjunction semiconductor device and a method of manufacturing the same including one or more first conductivity type pillars in a ring region at least partially extending along a first direction, whereby it is possible to reduce electric field concentrations at a surface of the device, and thereby improve breakdown voltage characteristics and achieve an even or more even electric field distribution.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter

Abrégé

An RF switch device and a method of manufacturing the same are proposed. A trap area is formed in or on a surface of a highly resistive substrate to trap carriers accumulating on the surface of the substrate, thus improving RF characteristics.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 27/085 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type comprenant uniquement des composants à effet de champ
• H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
• H01L 21/266 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions en utilisant des masques

Abrégé

Provided is an RF switch device and a method of manufacturing the same and, more particularly, to an RF switch device and a method of manufacturing the same seeking to improve RF characteristics by forming a trap layer on a part of the surface of a substrate, thereby trapping carriers that may accumulate on the surface of the substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
• H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

Abrégé

Disclosed is a SPAD pixel for a backside illuminated image sensor. More particularly, the SPAD pixel may improve sensitivity to long wavelengths by maximizing the depth of a PN junction in an epitaxial layer in the SPAD substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

Disclosed is an RF switch device and a method of manufacturing the same and, more particularly, an RF switch device and a method of manufacturing the same seeking to improve RF characteristics by forming a trap layer on a part of the surface of a substrate, thereby trapping carriers that may be on the surface of the substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 23/552 - Protection contre les radiations, p. ex. la lumière
• H01L 23/66 - Adaptations pour la haute fréquence
• H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
• H01L 21/84 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
• H01L 21/762 - Régions diélectriques

Abrégé

An image sensor includes at least one image cell having a photodiode disposed in a substrate, a charge storage region disposed in the substrate to be spaced apart from the photodiode, a transfer gate electrode disposed on a channel region between the photodiode and the charge storage region to transfer a charge from the photodiode to the charge storage region, and a dummy pattern disposed on the substrate and configured to inhibit light from being introduced into the charge storage region from an adjacent image cell.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

A MEMS microphone includes a substrate having a cavity, a diaphragm disposed above the substrate to correspond to the cavity, and a back plate disposed above the diaphragm. The diaphragm has a plurality of grooves for adjusting an elastic strength of the diaphragm.

Classes IPC  ?

• H04R 19/04 - Microphones
• B81B 3/00 - Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p. ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
• B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
• H04R 31/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des transducteurs ou de leurs diaphragmes

Abrégé

A MEMS microphone includes a diaphragm disposed in a first direction, and an electrode structure disposed in the first direction and configured to surround the diaphragm and to be spaced apart from the diaphragm. The electrode structure includes electrodes spaced apart from each other in a second direction perpendicular to the first direction.

Classes IPC  ?

• H04R 19/04 - Microphones
• H04R 1/08 - EmbouchuresLeurs fixations
• H04R 7/04 - Membranes planes

Abrégé

A backside illuminated image sensor includes a substrate having a frontside surface and a backside surface, a pixel region disposed in the substrate, a reinforcing pattern disposed on the frontside surface of the substrate, an insulating layer disposed on the frontside surface of the substrate and the reinforcing pattern, a bonding pad disposed on the insulating layer, and a second bonding pad electrically connected to the bonding pad through the substrate, the reinforcing pattern, and the insulating layer.

Classes IPC  ?

• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

An image sensor includes a charge accumulation region disposed in a substrate and having a first conductivity type, a charge storage region disposed in the substrate to be spaced apart from the charge accumulation region and having the first conductivity type, a transfer gate electrode disposed on a channel region between the charge accumulation region and the charge storage region to transfer a charge from the charge accumulation region to the charge storage region, and a well region having a second conductivity type and disposed below the charge storage region to inhibit a charge generated below the charge storage region from being moved to the charge storage region.

Classes IPC  ?

• H10F 39/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément couvert par le groupe , p. ex. détecteurs de rayonnement comportant une matrice de photodiodes

Abrégé

A MEMS microphone includes a substrate having a cavity, a diaphragm disposed above the substrate to correspond to the cavity, and a back plate disposed above the diaphragm. The diaphragm includes a concave-convex structure, and the back plate includes a second concave-convex structure corresponding to the concave-convex structure.

Classes IPC  ?

• H04R 1/08 - EmbouchuresLeurs fixations
• H04R 31/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des transducteurs ou de leurs diaphragmes
• B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
• H04R 7/12 - Membranes non planes ou cônes

Abrégé

Provided are a single-photon avalanche diode (SPAD) pixel structure and a method of manufacturing the same. More particularly, provided are a SPAD pixel structure and a method of manufacturing the same, including an additional PN junction in a vertical or horizontal direction to increase photon detection efficiency and thus improve the sensitivity in an imaging device.

Classes IPC  ?

• H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
• H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
• H01L 27/146 - Structures de capteurs d'images

Abrégé

An RF switch device in a stacked configuration and a method of manufacturing the same seek to reduce or eliminate a voltage imbalance, a condition in which different voltages are applied to different stages of the RF switch device, by forming air gaps on or over corresponding gate electrodes, in which each of the air gaps in a single stage has a different width.

Classes IPC  ?

• H10D 64/27 - Électrodes ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier, à faire osciller ou à commuter, p. ex. grilles
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
• H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux

Abrégé

Disclosed is a superjunction semiconductor device and a method for manufacturing the same and, more particularly, to a superjunction semiconductor device and a method for manufacturing the same seeking to improve on-resistance characteristics of the device without degrading breakdown voltage characteristics by forming a second conductivity type impurity region on and/or in a surface of a substrate in a cell region C to increase a second conductivity type impurity concentration in the device.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
• H01L 29/40 - Electrodes
• H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
• H01L 21/225 - Diffusion des impuretés, p. ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductricesRedistribution des impuretés, p. ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire en utilisant la diffusion dans ou hors d'un solide, à partir d'une ou en phase solide, p. ex. une couche d'oxyde dopée
• H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
• H01L 21/761 - Jonctions PN
• H01L 21/765 - Réalisation de régions isolantes entre les composants par effet de champ
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Disclosed is an RF switch device and, more particularly, an RF switch device that reduces or eliminates a voltage imbalance by implementing at least one stage in a stacked switch device with a different width, and thus the voltage applied to each stage in the OFF state may be more equally distributed among the individual stages.

Classes IPC  ?

• H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
• H03K 17/693 - Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p. ex. multiplexeurs, distributeurs