A rectifier-based noise trap is presented. The rectifier-based noise trap is arranged between a first node that carries a voltage that includes a noise component and a second node that is a capacitive node. According to one aspect, the rectifier-based noise trap provides a unidirectional flow of current from the first node to the second node to charge the second node to a higher voltage. According to another aspect, the rectifier-based noise trap provides a unidirectional flow of current from the second node to the first node to discharge the second node to a lower voltage. A direction of the flow of the current through the rectifier-based noise trap is based on a difference between voltages of the first and second node. According to one aspect, the rectifier-based noise trap includes a pair of diodes arranged in antiparallel.
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03K 17/74 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de diodes
Beamforming transceiver system architectures and methods that enable linearizing beamforming transmissions. In a first embodiment, a transmit-side signal of a first polarity is sampled and provided through a feedback path utilizing sections of the second polarity receive-side circuitry to a single node for subsequent analysis. Analysis circuitry may set parameter values within a digital pre-distortion circuit and/or control signals for directing the control of various weights and parameter values, including voltages for the power rails of a beamforming transceiver IC, adjustments to individual power amplifier drain current and/or cascode gate bias voltage, adjustment of beam weights, adjustment of various other controls within the IC.
Beamforming transceiver system architectures and methods that enable linearizing beamforming transmissions. In a first embodiment, a transmit-side signal of a first polarity is sampled and provided through a feedback path utilizing sections of the second polarity receive-side circuitry to a single node for subsequent analysis. Analysis circuitry may set parameter values within a digital pre-distortion circuit and/or control signals for directing the control of various weights and parameter values, including voltages for the power rails of a beamforming transceiver IC, adjustments to individual power amplifier drain current and/or cascode gate bias voltage, adjustment of beam weights, adjustment of various other controls within the IC.
H04B 7/06 - Systèmes de diversitéSystèmes à plusieurs antennes, c.-à-d. émission ou réception utilisant plusieurs antennes utilisant plusieurs antennes indépendantes espacées à la station d'émission
Methods and apparatuses for an optimal timer array using a single reference counter are presented. According to one aspect, timers of the timer array use the single reference counter to process different timed trigger requests. A count translation logic block translates counts corresponding to the requested timed triggers to target values of the reference counter. Register arrays that include the target values and active/inactive status flags of the timers are used to implement specific timers. Comparators are used to compare values of the reference counter to the target values to establish expiration of the requested timed triggers. A target translation logic block translates a current value of the reference counter to an offset value from the target values for monitoring by an external circuit.
G06F 1/08 - Générateurs d'horloge ayant une fréquence de base modifiable ou programmable
G05B 19/045 - Commande à programme autre que la commande numérique, c.-à-d. dans des automatismes à séquence ou dans des automates à logique utilisant des machines à états logiques composées uniquement d'une mémoire ou d'un dispositif logique programmable contenant la logique de la machine commandée et dans lesquelles l'état de ses sorties dépend de l'état de ses entrées, ou d'une partie des états de sa propre sortie, p. ex. contrôleurs de décision binaire, automates finis
H03K 19/17704 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des circuits logiques élémentaires comme composants disposés sous forme matricielle les fonctions logiques étant réalisées par l'interconnexion des lignes et des colonnes
An RF signal switch circuit that allows connection of any of N radio frequency (RF) input terminals to a switch output port, either in a low loss mode, in a bypass mode, or, optionally, in a signal function mode. Embodiments of the invention allow for both a single switch in the series input path to a target circuit while still having the ability to isolate the bypass path from the target circuit. In the low loss and bypass mode, the circuit simultaneously exhibits low input insertion loss (and thus a low noise factor) and high bypass mode isolation.
A receiver front end capable of receiving and processing intraband non-contiguous carrier aggregate (CA) signals using multiple low noise amplifiers (LNAs). Cascode circuits, each having a “common source” configured input FET and a “common gate” configured output FET, serve as the LNAs. An amplifier-branch control switch, configured to withstand relatively high voltage differentials by means of a relatively thick gate oxide layer and coupled between a terminal of the output FET and a power supply, controls the ON and OFF state of each LNA while enabling use of a relatively thin gate oxide layer for the output FETs, thus improving LNA performance. Some embodiments may include a split cascode amplifier and/or a power amplifier.
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
Systems, methods, and apparatus for an improved protection from charge injection into layers of a device using resistive structures are described. Such resistive structures, named s-contacts, can be made using simpler fabrication methods and less fabrication steps. In a case of metal-oxide-semiconductor (MOS) field effect transistors (FETs), s-contacts can be made with direct connection, or resistive connection, to all regions of the transistors, including the source region, the drain region and the gate.
H01L 21/84 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels pour produire des dispositifs, p.ex. des circuits intégrés, consistant chacun en une pluralité de composants le substrat étant autre chose qu'un corps semi-conducteur, p.ex. étant un corps isolant
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
Electronic circuits and methods encompassing an RF switch comprising a plurality of series-coupled (stacked) integrated circuit (IC) SOI MOSFETs having a distributed back-bias network structure comprising groups of substrate contacts coupled to a bias voltage source through a resistive ladder. The distributed back-bias network structure sets the common IC substrate voltage at a fixed DC bias but resistively decouples groups of MOSFETs with respect to RF voltages so that the voltage division characteristics of the MOSFET stack are maintained. The distributed back-bias network structure increases the voltage handling capability of each MOSFET and improves the maximum RF voltage at which a particular MOSFET is effective as a switch device, while mitigating loss, leakage, crosstalk, and distortion. RF switches in accordance with the present invention are particularly useful as antenna switches.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
Ground impedance may have adverse effects on the performance of RF circuits that employ shunt switches. The disclosed methods and devices address this issue. One device involves: a circuital arrangement (200A) comprising an integrated circuit, IC, the IC comprising: a shunt switch (T1); a decoupling capacitance (Cd) connecting a source terminal of the switch to a first pin (P1) of the IC; wherein the circuital arrangement further comprises: a storage capacitance (Cs) disposed outside the IC and coupled to the first pin of the IC; a resonance-canceling inductance (L2) disposed outside the IC and in series with the storage capacitance; wherein: the storage capacitance acts as an alternating current, AC, -short circuit across an operational frequency band of the IC; the resonance-canceling inductance is configured to cancel or attenuate a parasitic resonance, by a combination of i) a series arrangement of a parasitic ground inductance (L_IC) inside the IC and a parasitic ground inductance (L_PCB) outside the IC with ii) a parallel arrangement of the decoupling capacitance (Cd) and a parasitic capacitance (Cp), the parasitic resonance to be canceled or reduced occurring at a frequency within an operational frequency band of the circuital arrangement.
A biasing circuit with high current drive capability for fast settling of a biasing voltage to a stacked cascode amplifier is presented. According to a first aspect, the biasing circuit uses transistors matched with transistors of the cascode amplifier to generate a boost current during a transition phase that changes the biasing voltage by charging or discharging a capacitor. The boost current is activated during the transition phase and deactivated when a steady-state condition is reached. According to a second aspect, the biasing circuit uses an operational amplifier in a feedback loop that forces a source node of a cascode transistor of a reference circuit, that is a scaled down replica version of the cascode amplifier, to be at a reference voltage. The high gain and high current capability of the operational amplifier, provided by isolating a high frequency signal processed by the cascode amplifier from the reference circuit, allow for a quick settling of the biasing voltage.
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
11.
ANTENNA PORT TERMINATION IN ABSENCE OF POWER SUPPLY
Methods and devices to address antenna termination in absence of power supplies within an electronic circuit including a termination circuit and a switching circuit. The devices include regular NMOS devices that decouple the antenna from the switching circuit in absence of power supplies while the antenna is coupled to a terminating impedance having a desired impedance value through a native NMOS device. The antenna is coupled with the switching circuit via the regular NMOS device during powered conditions while the antenna is decoupled from the terminating impedance.
H01P 1/24 - Charges branchées à l'extrémité de lignes de transmission
H01Q 1/50 - Association structurale d'antennes avec commutateurs de terre, dispositions de descente d'antennes ou parafoudres
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
12.
Dual-Thickness Active Area Architecture for SOI FETS
Structures and methods for better optimizing the performance of all the circuitry of an SOI IC. Embodiments include SOI IC having dual-thickness active areas, such that digital and non-RF analog circuitry may be fabricated on a relatively thin active layer while RF circuitry may be fabricated on a relatively thick active layer. Fabrication of RF circuitry on the relatively thick active layer allows for improvements to the RON*COFF figure of merit for the FET devices, and for optimizations not feasible for RF circuitry fabricated on a relatively thin active layer. Two methods of forming shallow-trench isolation (STI) structures in both active layers are described. A first method forms STIs in the thin active layer first, then in the thick active layer. A second method forms STIs in the thin active layer first and partial STIs in the thick active layer, then completes the partial STIs in the thick active layer.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
13.
GATE RESISTIVE LADDER BYPASS FOR RF FET SWITCH STACK
A FET switch stack has a stacked arrangement of FET switches, a gate resistor network with ladder resistors and common gate resistors, and a gate resistor bypass arrangement. The bypass arrangement has a first set of bypass switches connected across the gate resistors and a second set of bypass switches connected across the ladder resistors. Bypass occurs during at least a portion of the transition state of the stacked arrangement of FET switches.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
14.
METHOD AND APPARATUS FOR USE IN IMPROVING LINEARITY OF MOSFETS USING AN ACCUMULATED CHARGE SINK-HARMONIC WRINKLE REDUCTION
A method and apparatus for use in improving linearity sensitivity of MOSFET devices having an accumulated charge sink (ACS) are disclosed. The method and apparatus are adapted to address degradation in second- and third-order intermodulation harmonic distortion at a desired range of operating voltage in devices employing an accumulated charge sink.
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
A controllable temperature coefficient bias (CTCB) circuit is disclosed. The CTCB circuit can provide a bias to an amplifier. The CTCB circuit includes a variable with temperature (VWT) circuit having a reference circuit and a control circuit. The control circuit has a control output, a first current control element and a second current control element. Each current control element has a “controllable” resistance. One of the two current control elements may have a relatively high temperature coefficient and another a relatively low temperature coefficient. A controllable resistance of one of the current control elements increases when the controllable resistance of the other current control element decreases. However, the “total resistance” of the current control circuit remains constant with a constant temperature. The VWT circuit has an output with a temperature coefficient that is determined by the relative amount of current that flows through each current control element of the control circuit. A Current Digital to Analog Converter (IDAC) scales the output of the VWT and provides the scaled output to an amplifier bias input.
G05F 3/24 - Régulation de la tension ou du courant là où la tension ou le courant sont continus utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires consistant en des dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des combinaisons diode-transistor dans lesquelles les transistors sont uniquement du type à effet de champ
A FET switch stack and a method to operate a FET switch stack. The FET switch stack includes a stacked arrangement of body bypass FET switches connected across respective common body resistors. The body bypass FET switches bypass the respective common body resistors during the OFF steady state of the FET switch stack and do not bypass the respective common body resistors during the ON steady state.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
17.
Standby Voltage Condition for Fast RF Amplifier Bias Recovery
Various methods and circuital arrangements for biasing one or more gates of stacked transistors of an amplifier are possible where the amplifier is configured to operate in at least an active mode and a standby mode. Circuital arrangements can reduce bias circuit standby current during operation in the standby mode while allowing a quick recovery to normal operating conditions of the amplifier. Biasing an input transistor of the stacked transistors can be obtained by using a replica stack circuit.
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/189 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
Electronic oscillator designs and methods that do not require an accurate voltage and current reference to be provided, and which output an accurate frequency waveform over a range of voltage supply and temperature variations. Embodiments of the present invention are particularly well-suited for IC designs with very limited layout area and a tight oscillator frequency spread requirement. An embodiment uses a current subtraction technique that provides an essentially constant through a bias generation circuit when the voltage of the voltage source exceeds a selected value. An embodiment includes a temperature-compensation circuit, coupled to the bias generation circuit, that includes at least one NFET and at least one negative temperature coefficient resistor and is configured to pass a temperature-compensated current through the at least one NFET. An embodiment includes a ring oscillator that uses paired negative temperature coefficient resistors to provide temperature compensation for at least one ring oscillator stage.
Circuits and methods that enable a “break-before-make” process for an electronic switch that avoids the relatively large time delays of fixed time delay circuitry. Logic gates, rather than a time delay, are used to lock out an input switch through-path from turning ON before another input switch through-path is fully turned OFF. An embodiment includes a first and second monitor logic blocks, configured such that (1) a first through-path is turned OFF before a first shunt-path is allowed to turn ON and before a second shunt-path is allowed to turn OFF, and the second shunt-path is turned OFF before a second through-path is allowed to turn ON; and (2) the second through-path is turned OFF before the second shunt-path is allowed to turn ON and before the first shunt-path is allowed to turn OFF, and the first shunt-path is turned OFF before the first through-path is allowed to turn ON.
H03K 17/30 - Modifications pour fournir un seuil prédéterminé avant commutation
H03K 19/0185 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface utilisant uniquement des transistors à effet de champ
H03K 19/0948 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des dispositifs à semi-conducteurs utilisant des transistors à effet de champ utilisant des transistors MOSFET utilisant des dispositifs CMOS
20.
Adaptive Charge Pump Voltage Supply Frequency Switch
Circuits and methods that enable a charge pump to provide sufficient charge to the gate of a switch NFET to turn the NFET ON within a specified switching time requirement but with minimal generation of electronic noise. An embodiment includes a dual-oscillator circuit configured to output from a first oscillator a first frequency signal from a first oscillator during normal operation, and to output from a second oscillator a second frequency signal higher in frequency than the first frequency signal for a selected time determined by a counter. An embodiment includes a charge pump coupled to the dual-oscillator circuit and configured to output an electrical charge as a function of an applied frequency signal from the dual-oscillator circuit, wherein application of the second frequency signal output during counting increases the amount of electrical charge output by the charge pump.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
An apparatus for providing electric power to a load includes a power converter that accepts electric power in a first form and provides electric power in a second form. The power converter comprises a control system, a first stage, and a second stage in series. The first stage accepts electric power in the first form. The control system controls operation of the first and second stage. The first stage is either a switching network or a regulating network. The second stage is a regulating circuit when the first stage is a switching network, and a switching network otherwise.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
Methods and circuital arrangements for turning OFF branches of a multi-branch cascode amplifier are presented. First and second switching arrangements coupled to a branch allow turning OFF the branch while protecting transistors of the branch from a supply voltage that may be greater than a tolerable voltage of the transistors. The first switching arrangement includes a transistor-based switch that is in series connection with the transistors of the branch. The first switching arrangement drops the supply voltage during the OFF state of the branch and provides a conduction path for a current through the branch during the ON state of the branch. A resistor and a shunting switch are coupled to a gate of the transistor-based switch to reduce parasitic coupling effects of the transistor-based switch upon an RF signal coupled to the branch during the ON state and OFF state of the branch.
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
Methods and devices to address body leakage current generation and bias voltage distribution associated with body leakage current in an OFF state of a FET switch stack are disclosed. The devices include charge redistribution arrangements and bridge networks to perform coupling/decoupling to/from the FET switch stack. Detailed structures of such bridge networks are also described.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H04B 1/48 - Commutation transmission-réception dans des circuits pour connecter l'émetteur et le récepteur à une voie de transmission commune, p. ex. par l'énergie de l'émetteur
24.
IMPEDANCE CONTROL IN MERGED STACKED FET AMPLIFIERS
Methods and apparatuses for controlling impedance in intermediate nodes of a stacked FET amplifier are presented. According to one aspect, a series-connected resistive and capacitive network coupled to a gate of a cascode FET transistor of the amplifier provide control of a real part and an imaginary part of an impedance looking into a source of the transistor. According to another aspect, a second parallel-connected resistive and inductive network coupled to the first network provide further control of the real and imaginary parts of the impedance. According to another aspect, a combination of the first and/or the second networks provide control of the impedance to cancel a reactance component of the impedance. According to another aspect, such combination provides control of the real part for distribution of an RF voltage output by the amplifier across stacked FET transistors of the amplifier.
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
A method and apparatus for use in improving the linearity characteristics of MOSFET devices using an accumulated charge sink (ACS) are disclosed. The method and apparatus are adapted to remove, reduce, or otherwise control accumulated charge in SOI MOSFETs, thereby yielding improvements in FET performance characteristics. In one exemplary embodiment, a circuit having at least one SOI MOSFET is configured to operate in an accumulated charge regime. An accumulated charge sink, operatively coupled to the body of the SOI MOSFET, eliminates, removes or otherwise controls accumulated charge when the FET is operated in the accumulated charge regime, thereby reducing the nonlinearity of the parasitic off-state source-to-drain capacitance of the SOI MOSFET. In RF switch circuits implemented with the improved SOI MOSFET devices, harmonic and intermodulation distortion is reduced by removing or otherwise controlling the accumulated charge when the SOI MOSFET operates in an accumulated charge regime.
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
Fail-safe methods and devices to protect the receiver of a transceiver in the event of an antenna failure are disclosed. The described devices implement inductive and capacitive elements to replace switches and can be used in any communication system or electronic circuit where the protection of a portion of the device from higher power signals is required. The inductive elements can be implemented using already existing inductors that are constituents of the receiver matching network. Configurations with off-chip capacitive or inductive components are also possible.
Methods and devices to support multiple gain states in amplifiers are described. The methods and devices are based on implementing a feedback element in the amplifier and adjusting the impedance of the feedback element to provide a desired gain while maintaining the overall performance of the amplifier and reducing degradation of the S12 parameter. The feedback element includes an adjustable attenuator and a tunable resistive element. The adjustable attenuator is provided in a path that is common to the feedback path and the bypass path of the amplifier. Exemplary implementations of adjustable attenuators are also presented.
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
28.
Charge adjustment techniques for switched capacitor power converter
An apparatus for converting a first voltage into a second voltage includes a reconfigurable switched capacitor power converter having a selectable conversion gain. The power converter has switch elements configured to electrically interconnect capacitors to one another and/or to the first or second voltage in successive states. The switch elements are configured to interconnect at least some capacitors to one another through the switch elements. A controller causes the reconfigurable switched capacitor power converter to transition between first and second operation modes. The controller minimizes electrical transients arising from transition between modes. In the first operating mode, the power converter operates with a first conversion gain. In the second operating mode, it operates with a second conversion gain.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
A receiver front end amplifier capable of receiving and processing intraband non-contiguous carrier aggregate (CA) signals using multiple low noise amplifiers (LNAs) is disclosed herein. A cascode having a “common source” configured input FET and a “common gate” configured output FET can be turned on or off using the gate of the output FET. A first switch is provided that allows a connection to be either established or broken between the source terminal of the input FET of each LNA. Further switches used for switching degeneration inductors, gate capacitors, and gate to ground capacitors for each leg can be used to further improve the matching performance of the invention.
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/08 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03F 3/72 - Amplificateurs commandés, c.-à-d. amplificateurs mis en service ou hors service au moyen d'un signal de commande
30.
RF SWITCH WITH IMPROVED ISOLATION AT TARGET FREQUENCIES
A compact RF switch with improved isolation is presented. According to one aspect, the RF switch includes a basic single-pole single-throw (SPST) switch element that includes an inductor in parallel with a series FET transistor. An inductance of the inductor is selected to provide in combination with an off capacitance of the series FET transistor a resonance at a specific frequency of interest. The frequency of interest can be in-band or out-of-band, including the band's fundamental frequency or a harmonic thereof. According to another aspect, the inductor is conditionally coupled to the series FET transistor via a reduced size FET transistor. Complex RF switches can include a plurality of the SPST switch elements, each tuned to a same or different frequency of interest. According to yet another aspect, SPST switch elements in their OFF states can provide matching to an SPST element in the ON state.
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
31.
MULTILAYER POWER, CONVERTER WITH DEVICES HAVING REDUCED LATERAL CURRENT
This disclosure relates to embodiments that include an apparatus that may comprise a first layer including a first plurality of active devices, a second layer including a second plurality of active devices, and/or a third layer including a plurality of passive devices and disposed between the first and the second layers. An active device of the first plurality of active devices and an active device of the second plurality of active devices may influence a state of charge of a passive device of the plurality of passive devices.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 27/01 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant uniquement des éléments à film mince ou à film épais formés sur un substrat isolant commun
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H05K 1/11 - Éléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
H10N 19/00 - Dispositifs intégrés ou ensembles de plusieurs dispositifs comprenant au moins un élément thermoélectrique ou thermomagnétique couvert par les groupes
32.
Fast Detection and Discharge for Charge Pump Controller
Circuits and methods that can rapidly detect voltage degradation in a positive charge pump output and discharge control node accumulated charge (CNAC), thereby forcing the positive charge pump into a high-power mode. Embodiments include circuitry configured to provide a load current to a positive charge pump, including a low-dropout regulator (LDO) having a pass device that includes a control input, and a rapid charge transfer circuit coupled to the control input of the pass device and configured to be coupled to a source of a trigger voltage, the rapid charge transfer circuit configured to transfer a charge to or from the control input of the pass device when the trigger voltage falls sufficiently below a specified level so as to rapidly place the pass device in a higher conduction state, and to automatically cease to provide the transfer the charge after a settable amount of time.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
Integrated circuits (ICs) that avoid or mitigate creation of changes in accumulated charge in a silicon-on-insulator (SOI) substrate, particularly an SOI substrate having a trap rich layer. In one embodiment, a FET is configured such that, in a standby mode, the FET is turned OFF while maintaining essentially the same VDS as during an active mode. In another embodiment, a FET is configured such that, in a standby mode, current flow through the FET is interrupted while maintaining essentially the same VGS as during the active mode. In another embodiment, a FET is configured such that, in a standby mode, the FET is switched into a very low current state (a “trickle current” state) that keeps both VGS and VDS close to their respective active mode operational voltages. Optionally, S-contacts may be formed in an IC substrate to create protected areas that encompass FETs that are sensitive to accumulated charge effects.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H03K 17/0412 - Modifications pour accélérer la commutation sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
H03K 17/0416 - Modifications pour accélérer la commutation sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de sortie
H03K 17/042 - Modifications pour accélérer la commutation par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/14 - Modifications pour compenser les variations de valeurs physiques, p. ex. de la température
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
Bias circuits and methods for silicon-based amplifier architectures that are tolerant of supply and bias voltage variations, bias current variations, and transistor stack height, and compensate for poor output resistance characteristics. Embodiments include power amplifiers and low-noise amplifiers that utilize a cascode reference circuit to bias the final stages of a cascode amplifier under the control of a closed loop bias control circuit. The closed loop bias control circuit ensures that the current in the cascode reference circuit is approximately equal to a selected multiple of a known current value by adjusting the gate bias voltage to the final stage of the cascode amplifier. The final current through the cascode amplifier is a multiple of the current in the cascode reference circuit, based on a device scaling factor representing the relative sizes of the transistor devices in the cascode amplifier and in the cascode reference circuit.
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03F 3/213 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03F 3/24 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C d'étages transmetteurs de sortie
Transient or fault conditions for a switched capacitor power converter are detected by measuring one or more of internal voltages and/or currents associated with switching elements (e.g., transistors) or phase nodes, or voltages or currents at terminals of the converter, and based on these measurements detect that a condition has occurred when the measurements deviate from a predetermined range. Upon detection of the condition fault control circuitry alters operation of the converter, for example, by using a high voltage switch to electrically disconnect at least some of the switching elements from one or more terminals of the converter, or by altering timing characteristics of the phase signals.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 1/32 - Moyens pour protéger les convertisseurs autrement que par mise hors circuit automatique
36.
Switched-capacitor circuit control in power converters
An apparatus for power conversion comprises a voltage transformation element, a regulating element, and a controller; wherein, a period of the voltage transformation element is equal to a product of a coefficient and a period of the regulating circuit, and wherein the coefficient is selected from a group consisting of a positive integer and a reciprocal of said integer.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
Methods and devices to address the undesired DC voltage distribution across switch stacks in OFF state are disclosed. The disclosed devices include charge control elements that sample the RF signal to generate superimposed voltages at specific points of the switch stack biasing circuit. The provided voltages help reducing the drooping voltages on drain/source/body terminals of the transistors within the stack by supplying the current drawn by drain/source terminals of the stacked transistors and/or by sinking the body leakage current exiting the body terminals of such transistors. Methods and techniques teaching how to provide proper tapping points in the biasing circuit to sample the RF signal are also disclosed.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H03K 17/693 - Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p. ex. multiplexeurs, distributeurs
38.
A THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT WITH A CHIPPING AND DELAMINATION BARRIER AND ITS FABRICATION METHOD
A three-dimensional integrated circuit (3D IC) including a first die, a second die, a bonding layer between the first and second dies. The bonding layer bonds the first and second dies. The 3D IC also includes a chipping and delamination barrier (CDB) extending across the first die, the bonding layer, and the second die.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
39.
OVERVOLTAGE PROTECTION FOR POWER AMPLIFIER WITH SOFT SHUTDOWN
Various methods and circuital arrangements for protection of a power amplifier from over voltage are presented. According to one aspect, a protection circuit coupled to a varying supply voltage of the power amplifier controls a biasing current to the power amplifier to limit a power dissipation through the power amplifier. An overvoltage protection circuit detects a level of the varying supply voltage and decreases the biasing current as a linear function of an increasing supply voltage once the supply voltage reaches a programmable voltage level. A slope of the linear function can be made programmable. Programmability of the voltage level and the slope can be used to control biasing currents to a plurality of power amplifiers operating at different times and having different requirements in terms of voltage limits and thermal breakdown. According to another aspect a voltage to current converter for use in the overvoltage protection circuit is presented.
H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
40.
Constant VDS1 Bias Control for Stacked Transistor Configuration
Various methods and circuital arrangements for biasing one or more gates of stacked transistors of an amplifier are presented, where the amplifier can have a varying supply voltage. According to one aspect, the gate of the input transistor of the amplifier is biased with a fixed voltage whereas the gates of the other transistors of the amplifier are biased with variable voltages that are linear functions of the varying supply voltage. According to another aspect, the linear functions are such that the variable voltages coincide with the fixed voltage at a value of the varying supply voltage for which the input transistor is at the edge of triode. According to another aspect, biasing of the stacked transistors is such that, while the supply voltage varies, the drain-to-source voltage of the input transistor is maintained to a fixed value whereas the drain-to-source voltages of all other transistors are equal to one another.
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
H03F 1/32 - Modifications des amplificateurs pour réduire la distorsion non linéaire
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/16 - Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec dispositifs à effet de champ
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03F 3/213 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
41.
SWITCHED-CAPACITOR CIRCUIT CONTROL IN POWER CONVERTERS
An apparatus for power conversion comprises a voltage transformation element, a regulating element, and a controller, wherein, a period of the voltage transformation element is equal to a product of a coefficient and a period of the regulating circuit, and wherein the coefficient is selected from a group consisting of a positive integer and a reciprocal of said integer.
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
42.
Tuning capacitance to enhance fet stack voltage withstand
An RF switch to controllably withstand an applied RF voltage Vsw, or a method of fabricating such a switch, which includes a string of series-connected constituent FETs with a node of the string between each pair of adjacent FETs. The method includes controlling capacitances between different nodes of the string to effectively tune the string capacitively, which will reduce the variance in the RF switch voltage distributed across each constituent FET, thereby enhancing switch breakdown voltage. Capacitances are controlled, for example, by disposing capacitive features between nodes of the string, and/or by varying design parameters of different constituent FETs. For each node, a sum of products of each significant capacitor by a proportion of Vsw appearing across it may be controlled to approximately zero.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H01H 11/00 - Appareillages ou procédés spécialement adaptés à la fabrication d'interrupteurs électriques
H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03K 17/693 - Dispositifs de commutation comportant plusieurs bornes d'entrée et de sortie, p. ex. multiplexeurs, distributeurs
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
A power detector with wide dynamic range. The power detector includes a linear detector, followed by a voltage-to-current-to-voltage converter, which is then followed by an amplification stage. The current-to-voltage conversion in the converter is performed logarithmically. The power detector generates a desired linear-in-dB response at the output. In this power detector, the distribution of gain along the signal path is optimized in order to preserve linearity, and to minimize the impact of offset voltage inherently present in electronic blocks, which would corrupt the output voltage. Further, the topologies in the sub-blocks are designed to provide wide dynamic range, and to mitigate error sources. Moreover, the temperature sensitivity is designed out by either minimizing temperature variation of an individual block such as the v-i-v detector, or using two sub-blocks in tandem to provide overall temperature compensation. In one aspect, active resistors are used in order to compensate for temperature variations.
G01R 19/25 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe utilisant une méthode de mesure numérique
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H04B 10/079 - Dispositions pour la surveillance ou le test de systèmes de transmissionDispositions pour la mesure des défauts de systèmes de transmission utilisant un signal en service utilisant des mesures du signal de données
44.
Systems and Methods for Optimizing Amplifier Operations
Methods and systems for optimizing amplifier operations are described. The described methods and systems particularly describe a feed-forward control circuit that may also be used as a feed-back control circuit in certain applications. The feed-forward control circuit provides a control signal that may be used to configure an amplifier in a variety of ways.
H03F 1/32 - Modifications des amplificateurs pour réduire la distorsion non linéaire
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/30 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence des variations de la température ou de la tension d'alimentation
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03F 3/72 - Amplificateurs commandés, c.-à-d. amplificateurs mis en service ou hors service au moyen d'un signal de commande
H03G 3/30 - Commande automatique dans des amplificateurs comportant des dispositifs semi-conducteurs
45.
FIELD EFFECT TRANSISTOR WITH INTERMEDIATE-IMPEDANCE BODY-SOURCE TIE
An NFET amplifying device that provides the benefits of both floating-body (FB) NFETs and body tied to source (BTS) NFETs, particularly in the context of RF amplifying devices. Embodiments include a four-terminal NFET having an intermediate-impedance body-source tie that, in combination with a parallel capacitance, provides the performance of an FB NFET at high radio frequencies (essentially operating as an "open" body-source tie) and the performance of a BTS NFET (essentially operating as a "short" body-source tie) at low frequencies. The intermediate-impedance may be a resistance, an inductance, or a combination of a resistance and an inductance. The intermediate-impedance body-to-source connection provides the advantages of floating body FETs at RF frequencies while exhibiting essentially no quiescent point settling problem at low frequencies.
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
46.
Transistor Bias Adjustment for Optimization of Third Order Intercept Point in a Cascode Amplifier
Methods and devices for amplifying an input RF signal according to at least two gain-states is described. According to one aspect, a multi gain amplifier circuit including a low noise amplifier having a stack of transistors is used for amplification of the input RF signal. When switching from a low gain-state to a high gain-state, the drain-to-source voltage of the output transistor of the stack is increased to affect region of operation of the output transistor, and thereby reduce non-linearity at the output of the amplifier. When switching from the high gain-state to the low gain-state, the drain-to-source voltage of the input transistor of the stack is increased to affect region of operation of the input transistor, and thereby reduce non-linearity at the output of the amplifier.
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/32 - Modifications des amplificateurs pour réduire la distorsion non linéaire
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/02 - Amplificateurs comportant comme éléments d'amplification uniquement des tubes à décharge ou uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant uniquement des tubes
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H03G 3/30 - Commande automatique dans des amplificateurs comportant des dispositifs semi-conducteurs
47.
CIRCUITS AND METHODS FOR LEAKAGE REDUCTION IN MOS DEVICES
Various methods and circuital arrangements for leakage reduction in MOS devices are presented. A pull-up circuit is selectively coupled to a gate of the MOS device to provide control of a voltage to the gate that is larger than a source voltage. Voltage switching circuits selectively couple different voltages to the body and/or back-gate terminals of the MOS device. During a standby mode of operation, the leakage current of the MOS device is decreased by driving the MOS device further into its subthreshold leakage region. During standby mode, a threshold voltage of the MOS device is increased by coupling a voltage higher than the source voltage to the body and/or back-gate terminals. The MOS device can be a pass device used in low dropout regulator (LDO). During standby mode, the LDO maintains output regulation by driving the MOS device further into its subthreshold leakage region and/or increasing the threshold voltage.
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
Circuits and methods that compensate for the problems created by low-dropout regulator (LDO) leakage current, particularly when stressed. Embodiments include an improved LDO configured to provide a load current, and which includes a leakage current compensation circuit. The leakage current compensation circuit generates a compensating current that offsets the leakage current through the pass device of the LDO during conditions that induce such leakage. More specifically, the leakage current compensation circuit can replicate the leakage current of the pass device of the LDO and feed a compensating current back into the LDO from a current mirror circuit while drawing zero-power during normal use, when leakage current is absent. LDO circuits that include a leakage current compensation circuit are particularly useful as voltage sources for positive or negative charge pumps, but are also quite useful in applications requiring a regulated voltage output.
G05F 1/565 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final sensible à une condition du système ou de sa charge en plus des moyens sensibles aux écarts de la sortie du système, p. ex. courant, tension, facteur de puissance
An apparatus for electric power conversion includes a converter having a regulating circuit and switching network. The regulating circuit has magnetic storage elements, and switches connected to the magnetic storage elements and controllable to switch between switching configurations. The regulating circuit maintains an average DC current through a magnetic storage element. The switching network includes charge storage elements connected to switches that are controllable to switch between plural switch configurations. In one configuration, the switches forms an arrangement of charge storage elements in which at least one charge storage element is charged using the magnetic storage element through the network input or output port. In another, the switches form an arrangement of charge storage elements in which an element discharges using the magnetic storage element through one of the input port and output port of the switching network.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 1/42 - Circuits ou dispositions pour corriger ou ajuster le facteur de puissance dans les convertisseurs ou les onduleurs
H02M 3/00 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
Circuits and methods for improving IC yield during automated test equipment (ATE) calibration of circuit designs which require IDD calibration and use a closed feedback bias circuit, such as amplifier circuits. The circuit designs include bias branch/active circuit architectures where the active circuit includes one or more active devices. An example first embodiment uses an on-chip calibration switch between the on-chip grounds of a bias network and an active circuit comprising an amplifier. During calibration of the active circuit by the ATE, the calibration switch is closed, and after completion of calibration, the calibration switch is opened. An example second embodiment utilizes an active on-chip feedback loop calibration circuit to equalize voltages between the on-chip grounds of a bias network and an active circuit comprising an amplifier during calibration of the active circuit. Both embodiments mitigate or overcome miscalibration of active circuit current settings resulting from ATE test probe resistance.
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
G01R 31/28 - Test de circuits électroniques, p. ex. à l'aide d'un traceur de signaux
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03F 3/24 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C d'étages transmetteurs de sortie
H03F 3/72 - Amplificateurs commandés, c.-à-d. amplificateurs mis en service ou hors service au moyen d'un signal de commande
An apparatus and method for a frequency based integrated circuit that selectively filters out unwanted bands or regions of interfering frequencies utilizing one or more tunable notch or bandpass filters or tunable low or high pass filters capable of operating across multiple frequencies and multiple bands in noisy RF environments. The tunable filters are fabricated within the same integrated circuit package as the associated frequency based circuitry, thus minimizing R, L, and C parasitic values, and also allowing residual and other parasitic impedance in the associated circuitry and IC package to be absorbed and compensated.
A clamping circuit that may be used to provide efficient and effective voltage clamping in an RF front end. The clamping circuit comprises two series coupled signal path switches and a bypass switch coupled in parallel with the series coupled signal path switches. A diode is coupled from a point between the series coupled signal path switches to a reference potential. In addition, an output selection switch within an RF front end has integrated voltage clamping to more effectively clamp the output voltage from the RF front end. Additional output clamping circuits can be used at various places along a direct gain signal path, along an attenuated gain path and along a bypass path.
H04B 1/18 - Circuits d'entrée, p. ex. pour le couplage à une antenne ou à une ligne de transmission
G05F 1/59 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de réglage final pour une charge unique
H03F 3/189 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence
H03G 1/00 - Détails des dispositions pour le réglage de l'amplification
H03G 3/30 - Commande automatique dans des amplificateurs comportant des dispositifs semi-conducteurs
H03H 7/24 - Affaiblisseurs indépendants de la fréquence
H03K 5/08 - Mise en forme d'impulsions par limitation, par application d'un seuil, par découpage, c.-à-d. par application combinée d'une limitation et d'un seuil
Disclosed are apparatuses and methods for powering up a step-up charge pump circuit. One method embodiment comprises: providing an input voltage at a step-up converter input terminal, without operating the charge pump circuit's phase or series switches; determining that the supply voltages for a first set of voltage regulators are sufficient to operate the phase switches in at least a reduced gate drive mode; after this determination, operating the phase switches without operating the series switches; determining that the supply voltage for one of a second set of voltage regulators is sufficient to operate its corresponding series switch in at least a reduced gate drive mode; and operating the corresponding series switch, after determining that the supply voltage for the one of the second set of voltage regulators is sufficient to operate the corresponding series switch.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
Disclosed are apparatuses and methods for powering up a step-up charge pump circuit. One method embodiment comprises: providing an input voltage at a step-up converter input terminal, without operating the charge pump circuit's phase or series switches; determining that the supply voltages for a first set of voltage regulators are sufficient to operate the phase switches in at least a reduced gate drive mode; after this determination, operating the phase switches without operating the series switches; determining that the supply voltage for one of a second set of voltage regulators is sufficient to operate its corresponding series switch in at least a reduced gate drive mode; and operating the corresponding series switch, after determining that the supply voltage for the one of the second set of voltage regulators is sufficient to operate the corresponding series switch.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
55.
METHOD AND APPARATUS IMPROVING GATE OXIDE RELIABILITY BY CONTROLLING ACCUMULATED CHARGE
A method and apparatus are disclosed for use in improving gate oxide reliability of semiconductor-on-insulator (SOI) metal-oxide-silicon field effect transistor (MOSFET) devices using accumulated charge control (ACC) techniques. The method and apparatus are adapted to remove, reduce, or otherwise control accumulated charge in SOI MOSFETs, thereby yielding improvements in FET performance characteristics. In one embodiment, a circuit includes a MOSFET, operating in an accumulated charge regime, and means for controlling the accumulated charge. Determinations are made of effects of an uncontrolled accumulated charge and a controlled accumulated charge on time dependent dielectric breakdown (TDDB) of the gate oxide. The SOI MOSFET is adapted to have a selected average time-to-breakdown, responsive to the determinations, and the circuit is operated using techniques for ACC operatively coupled to the SOI MOSFET. In one embodiment, the ACC techniques include using an accumulated charge sink operatively coupled to the SOI MOSFET body.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
Methods and devices for a wide-swing cascode current mirror with low headroom voltage and high output impedance are presented. An input leg of the current mirror includes a composite transistor in series connection with an intrinsic transistor. The composite transistor includes two series-connected regular transistors with respective sizes that are twice the size of the intrinsic transistor. An output leg of the current mirror includes a regular transistor in series connection with an intrinsic transistor. A gate voltage of the composite transistor, provided at a node that is common to gates of the two series-connected regular transistors, self-establishes when a reference current flows through the input leg. The self-established gate voltage is used to bias the regular transistor of the output leg. Biasing voltages to gates of the intrinsic transistors is provided by an intermediate node that provides the series connection of the regular transistors of the composite transistor.
Quarter-wavelength switchable directional coupler architectures and methods that that use intermediate terminated states during directional mode-switching events to prevent generation of reflection coefficients that cause spur generation. A first embodiment of the invention utilizes existing circuitry within a quarter-wavelength switchable directional coupler but alters the conventional mode-switching sequence by adding new stage sequences to effectuate intermediate terminated states to mitigate or prevent spurs. A second embodiment of the invention modifies existing circuitry within a quarter-wavelength switchable directional coupler by adding a cross-coupled intermediate-stage termination circuit, and alters the conventional mode-switching sequence by adding new stage sequences to effectuate intermediate terminated states to mitigate or prevent spurs. A third embodiment of the invention also modifies existing circuitry within a quarter-wavelength switchable directional coupler by adding dual independent intermediate-stage termination circuits, and alters the conventional mode-switching sequence by adding new stage sequences to effectuate intermediate terminated states to mitigate or prevent spurs.
H01P 5/18 - Dispositifs à accès conjugués, c.-à-d. dispositifs présentant au moins un accès découplé d'un autre accès consistant en deux guides couplés, p. ex. coupleurs directionnels
An apparatus for reducing switching time of RF FET switching devices is described. A FET switch stack includes a stacked arrangement of FET switches and a plurality of gate feed arrangements, each coupled at a different height of the stacked arrangement. A circuital arrangement with a combination of a series RF FET switch and a shunt RF FET switch, each having a stack of FET switches, is also described. The shunt switch has one or more shunt gate feed arrangements with a number of bypass switches that is less than the number of FET switches in the shunt stack.
Methods and devices for a cascode differential input pair with low headroom voltage and high output impedance are presented. The cascode differential input pair includes first and second input (cascode) stages, each including a common-source regular transistor in series connection with a common-gate intrinsic transistor. Sources of the regular transistors are tied, and gates of the intrinsic transistors are tied. A gate voltage to the intrinsic transistors is provided by a source voltage at the sources of the regular transistors, the source voltage based on a common mode input voltage of the cascode differential input pair. According to one aspect, the cascode differential input pair is part of a differential amplifier that includes a current source coupled to the sources of the regular transistors, and a load coupled to drains of the intrinsic transistors.
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
61.
Adaptive control for reconfiguring a regulator and/or a charge pump for a power converter
In a power converter having a regulator and charge pump, both of which operate in plural modes, a controller receives information indicative of the power converter's operation and, based at least in part on said information, causes transitions between regulator modes and transitions between charge-pump modes.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02H 3/06 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion Détails avec reconnexion automatique
H02M 1/08 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
Methods and devices to support multiple frequency bands in radio frequency (RF) circuits are shown. The described methods and devices are based on adjusting the effective width of a transistor in such circuits by selectively disposing matching transistors in parallel with the transistor. The presented devices and methods can be used in RF circuits including low noise amplifiers (LNAs), RF receiver front-ends or any other RF circuits where input matching to wideband inputs is required.
H04B 1/00 - Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
A front end module (FEM) integrated circuit (IC) architecture that uses the same LNA in each of several frequency bands extending over a wide frequency range. In some embodiments, switched impedance circuits distributed throughout the front end circuit allow selection of the frequency response and impedances that are optimized for particular performance parameters targeted for a desired device characteristic. Such switched impedance circuits tune the output and input impedance match and adjust the gain of the LNA for specific operating frequencies and gain targets. In addition, adjustments to the bias of the LNA can be used to optimize performance trade-offs between the total direct current (DC) power dissipated versus radio frequency (RF) performance. By selecting appropriate impedances throughout the circuit using switched impedance circuits, the LNA can be selectively tuned to operate optimally at a selected bias for operation within selected frequency bands.
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 3/72 - Amplificateurs commandés, c.-à-d. amplificateurs mis en service ou hors service au moyen d'un signal de commande
H04B 1/00 - Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
Circuits and methods enabling common control of an agent device by two or more buses, particularly MIPI RFFE serial buses. In essence, the invention provides flagging signals designating completed register write operations to denote which of two registers are active, such that synchronization is accomplished in a clock-free manner. One embodiment includes at least two decoders, each including a common register and a bus (S/P) decoder coupled to a respective bus and to the common register. The S/P decoder asserts a write-complete signal when a write operation to a corresponding common register is completed. A multiplexer has at least two selectable input bus ports coupled to the common registers within the at least two decoders. A selection circuit selects an input bus port of the multiplexer in response to the assertion of a last write-complete signal from the S/P decoders.
Programmable clamping methods and devices providing adjustable clamping powers to accommodate different applications and requirements are disclosed. The described devices can use switchable clamping circuits having different structures, body-controlled clamping circuits, or clamping circuits adjusting their input power levels using programmable resistive ladders. Examples of how the disclosed devices can be combined to improve design flexibility are also provided.
H03K 5/08 - Mise en forme d'impulsions par limitation, par application d'un seuil, par découpage, c.-à-d. par application combinée d'une limitation et d'un seuil
H03F 3/19 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H03G 11/02 - Limitation d'amplitudeLimitation du taux de variation d'amplitude au moyen de diodes
Methods and devices for limiting the power level of low noise amplifiers (LNA) implemented in radio frequency (RF) receiver front-ends. The described methods are applicable to bypass, low and high gain modes of the LNA. According to the described methods, the decoder allows the signal to be clamped before or after being attenuated. The benefit of such methods is to improve large signal performances (e.g. IIP3, P1dB) of the RF receiver front-end, while still meeting the clamping requirements, or improve (lower) clamped output power, while still meeting large signal performances (e.g. IIP3, P1dB).
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03G 3/30 - Commande automatique dans des amplificateurs comportant des dispositifs semi-conducteurs
H04B 1/18 - Circuits d'entrée, p. ex. pour le couplage à une antenne ou à une ligne de transmission
Methods and devices for a cascode current mirror with low headroom voltage are presented. According to one aspect, a gate voltage to a cascode transistor of an input leg of the current mirror is provided by a feedback block that operates from a mirrored current output by an output leg of the current mirror. The feedback block includes a feedback current mirror that outputs a mirrored current for conduction through a self-biasing diode-connected transistor that generates the gate voltage to the cascode transistor of the input leg. According to yet another aspect, the cascode current mirror includes a start-up circuit coupled between an input to the input leg and a gate of the cascode transistor of the input leg, the start-up circuit generating a start-up voltage during a transition mode of operation of the cascode current mirror. According to one aspect, a transistor is used as the start-up circuit.
A scalable periphery tunable matching power amplifier is presented. Varying power levels can be accommodated by selectively activating or deactivating unit cells of which the scalable periphery tunable matching power amplifier is comprised. Tunable matching allows individual unit cells to see a constant output impedance, reducing need for transforming a low impedance up to a system impedance and attendant power loss. The scalable periphery tunable matching power amplifier can also be tuned for different operating conditions such as different frequencies of operation or different modes.
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H03F 3/217 - Amplificateurs de puissance de classe DAmplificateurs à commutation
H03F 3/24 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C d'étages transmetteurs de sortie
H03F 3/72 - Amplificateurs commandés, c.-à-d. amplificateurs mis en service ou hors service au moyen d'un signal de commande
69.
Antenna port termination in absence of power supply
Methods and devices to address antenna termination in absence of power supplies within an electronic circuit including a termination circuit and a switching circuit. The devices include regular NMOS devices that decouple the antenna from the switching circuit in absence of power supplies while the antenna is coupled to a terminating impedance having a desired impedance value through a native NMOS device. The antenna is coupled with the switching circuit via the regular NMOS device during powered conditions while the antenna is decoupled from the terminating impedance.
H01P 1/24 - Charges branchées à l'extrémité de lignes de transmission
H01Q 1/50 - Association structurale d'antennes avec commutateurs de terre, dispositions de descente d'antennes ou parafoudres
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
70.
Methods and Devices to Improve Switching Time by Bypassing Gate Resistor
Implementing a series gate resistor in a switching circuit results in several performance improvements. Few examples are better insertion loss, lower breakdown voltage requirements and a lower frequency corner. These benefits come at the expense of a slower switching time. Methods and devices offering solutions to this problem are described. Using a concept of bypassing the series gate resistor during transition time, a fast switching time can be achieved while the above-mentioned performance improvements are maintained.
H03K 17/0412 - Modifications pour accélérer la commutation sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
71.
START-UP OF STEP-UP POWER CONVERTER WITH SWITCHED-CAPACITOR NETWORK
A step-up power-converter has stack nodes, each of which connects to a stack switch and to a pump capacitor to form a switched-capacitor network. Among the stack nodes are first and second stack-nodes. The second stack-node drives a particular stack switch from the plurality of stack switches. When all of the stack switches are open, the first voltage causes the first stack-node to have a first stack-node voltage and causes the second stack-node to have a second stack-node voltage that is less than the first stack-node voltage. During the first state, the second stack-node voltage is insufficient to drive the particular stack-switch. During the second state, the second stack-node voltage is sufficient to drive the particular stack-switch. Causing the switched-capacitor network to transition from the first state to the second state includes, among other things, causing the second stack-node voltage to become sufficient to drive the particular stack-switch.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 1/36 - Moyens pour mettre en marche ou arrêter les convertisseurs
Circuits/methods for controlling the startup of multiple parallel power converters that avoid inrush current or switch overstress in an added power converter or a power converter having fault conditions. Embodiments include node status detectors coupled to nodes within parallel-connected power converters to monitor voltage/current and configured in some embodiments to work in parallel with an output status detector measuring the startup output voltage of a power converter. With charge pump-based power converters, the node status detectors ensure that the power converter pump capacitors are charged while the output capacitor is charged as well. For such embodiments, a soft-start period of startup may be considered finished if both the shared output capacitors and the power converter pump capacitors are charged to target values. Embodiments may also be used for fault detection during steady-state operation.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
New multi-input LNA architectures with improved passive mode negative gain performance that reconfigure the bypass path routes to achieve wide-band bypass matching and make bypass matching for lower frequency bands possible to achieve desired gain specifications. In a first embodiment, improved wide-band performance is provided by a bypass path that optionally does not pass through an impedance matching network and thus has a dedicated path to RFOUT. In a second embodiment, improved wide-band performance is provided by a bypass path that does not pass through an input inductor. In a third embodiment, improved wide-band performance is provided by a bypass path that has a first portion that optionally does not pass through an impedance matching network, and a second portion that does not pass through an input inductor. In a fourth embodiment, improved wide-band performance is provided by selectively disabling a load inductor in some modes of operation.
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
OUTOUT. In a second embodiment, improved wide-band performance is provided by a bypass path that does not pass through an input inductor. In a third embodiment, improved wide-band performance is provided by a bypass path that has a first portion that optionally does not pass through an impedance matching network, and a second portion that does not pass through an input inductor. In a fourth embodiment, improved wide-band performance is provided by selectively disabling a load inductor in some modes of operation.
H03F 1/26 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence du bruit provoqué par les éléments amplificateurs
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03G 3/30 - Commande automatique dans des amplificateurs comportant des dispositifs semi-conducteurs
75.
Drain switched split amplifier with capacitor switching for noise figure and isolation improvement in split mode
An amplifier circuit configuration capable of processing non-contiguous intra-band carrier aggregate (CA) signals using amplifiers is disclosed herein. In some cases, each of a plurality of amplifiers is an amplifier configured as a cascode (i.e., a two-stage amplifier having two transistors, the first configured as a “common source” input transistor, e.g., input field effect transistor (FET), and the second configured in a “common gate” configuration as a cascode output transistor, (e.g. cascode output FET). In other embodiments, the amplifier may have additional transistors (i.e., more than two stages and/or stacked transistors). The amplifier circuit configuration can be operated in either single mode or split mode. A switchable coupling is placed between the drain of the input FETs of each amplifier within the amplifier circuit configuration. During split mode, the coupling is added to the circuit to allow some of the signal present at the drain of each input FET to be coupled to the drain of the other input FET.
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/26 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence du bruit provoqué par les éléments amplificateurs
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 3/68 - Combinaisons d'amplificateurs, p. ex. amplificateurs à plusieurs voies pour stéréophonie
H04L 27/26 - Systèmes utilisant des codes à fréquences multiples
76.
AMPLIFIER WITH IMPROVED POWER SUPPLY REJECTION IN FEEDBACK CIRCUITS
Frequency-selective feedback circuits and methods for an amplifier (particularly LNAs) that improve power supply rejection in feedback circuits, reduce non-linearities caused by low-frequency noise coupled to the input of the LNA, and improve settling times of the quiescent bias-point of the LNA. Some embodiments allow multiple modes of operation to allow selection of gain versus linearity characteristics. One aspect of the present invention includes an input matching feedback circuit configured to be coupled between an input terminal of an amplification core and a feedback node in the output signal path of the amplification core, the input matching feedback circuit including a power supply rejection resistor configured to provide a low-impedance path to a reference potential for low-frequency noise.
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/26 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence du bruit provoqué par les éléments amplificateurs
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
77.
Amplifier with Improved Power Supply Rejection in Feedback Circuits
Frequency-selective feedback circuits and methods for an amplifier (particularly LNAs) that improve power supply rejection in feedback circuits, reduce non-linearities caused by low-frequency noise coupled to the input of the LNA, and improve settling times of the quiescent bias-point of the LNA. Some embodiments allow multiple modes of operation to allow selection of gain versus linearity characteristics. One aspect of the present invention includes an input matching feedback circuit configured to be coupled between an input terminal of an amplification core and a feedback node in the output signal path of the amplification core, the input matching feedback circuit including a power supply rejection resistor configured to provide a low-impedance path to a reference potential for low-frequency noise.
H03F 1/32 - Modifications des amplificateurs pour réduire la distorsion non linéaire
H03F 1/26 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence du bruit provoqué par les éléments amplificateurs
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
78.
Tunable Effective Inductance for Multi-Gain LNA with Inductive Source Degeneration
A multi-gain LNA with inductive source degeneration is presented. The inductive source degeneration is provided via a tunable degeneration network that includes an inductor in parallel with one or more switchable shunting networks. Each shunting network includes a shunting capacitor that can selectively be coupled in parallel to the inductor. A capacitance of the shunting capacitor is calculated so that a combined impedance of the inductor and the shunting capacitor at a narrowband frequency of operation is effectively an inductance. The inductance is calculated according to a desired gain of the LNA. According to one aspect, the switchable shunting network includes a resistor in series connection with the shunting capacitor to provide broadband frequency response stability of the tunable degeneration network. According to another aspect, the LNA includes a plurality of selectable branches to further control gain of the LNA.
H03G 3/30 - Commande automatique dans des amplificateurs comportant des dispositifs semi-conducteurs
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/32 - Modifications des amplificateurs pour réduire la distorsion non linéaire
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H03F 3/72 - Amplificateurs commandés, c.-à-d. amplificateurs mis en service ou hors service au moyen d'un signal de commande
H03G 1/00 - Détails des dispositions pour le réglage de l'amplification
H03G 3/00 - Commande de gain dans les amplificateurs ou les changeurs de fréquence
79.
CURRENT MIRROR PRE-BIAS FOR INCREASED TRANSITION SPEED
Methods and devices for speeding up the onset of a target current through an output leg of a current mirror are presented. Upon activation of the current mirror, a pre-charge current is sourced to a node of the current mirror that is common to the output leg and an input leg of the current mirror. Sourcing of the pre-charge current is based on sensing, by a first transistor, of a voltage at the common node. Pre-charging of the common node continues up to a cutoff voltage sensed at the common node. Sourcing of the pre-charge current is provided by a second transistor coupled to the common node. Based on the voltage sensed at the common node, the first transistor controls the sourcing of the pre-charge current by the second transistor. Such control is based on a portion of a current from a current source that flows through the first transistor.
A common gate resistor bypass arrangement for a stacked arrangement of FET switches, the arrangement including a series combination of an nMOS transistor and a pMOS transistor connected across a common gate resistor. During at least a transition portion of the transition state of the stacked arrangement of FET switches, the nMOS transistor and the pMOS transistor are both in an ON state and bypass the common gate resistor. On the other hand, during at least a steady state portion of the ON steady state and the OFF steady state of the stacked arrangement of FET switches, one of the nMOS transistor and the pMOS transistor is in an OFF state and the other of the nMOS transistor and the pMOS transistor is in an ON state, thus not bypassing the common gate resistor.
H03K 17/0412 - Modifications pour accélérer la commutation sans réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande par des dispositions prises dans le circuit de commande
H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
81.
DOUBLE-SIDED LAMINATE PACKAGE WITH 3D INTERCONNECTION STRUCTURE
Methods and devices for implementing vias as third-dimension connections in double-sided laminate packages for RF front-end circuits are disclosed. The described methods and devices are based on implementing components of an electronic module in two different integrated circuits and dispose the two integrated circuits on the opposite side of an isolating laminate. The components within one integrated circuit can be coupled to the components on the other integrated circuit by creating vias inside the laminate.
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/10 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs ayant des conteneurs séparés
Methods and devices to decrease the power consumption of level shifters in the absence of input power supply are disclosed. The described devices include current mirrors that are inactive when the level shifter is in the HIGH or LOW steady state. The disclosed methods further include a delay element used to keep the power consumption low in the case of slow input power supply ramps.
Methods and devices for implementing vias as third-dimension connections in double-sided laminate packages for RF front-end circuits are disclosed. The described methods and devices are based on implementing components of an electronic module in two different integrated circuits and dispose the two integrated circuits on the opposite side of an isolating laminate. The components within one integrated circuit can be coupled to the components on the other integrated circuit by creating vias inside the laminate.
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/482 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes formées de couches conductrices inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
Various methods and circuital arrangements for protection of a power amplifier (PA) from high input power conditions are presented. According to one aspect, a protection circuit coupled to a stage of the PA limits a current through the stage during the high input power conditions. Limiting of the current is provided by a current limiter circuit that includes a current generator coupled to a current mirror. The current is limited to a high value that is based on a reference current generated by the current generator. In one aspect, the reference current is programmable or variable. In another aspect the protection circuit includes a clamp that limits a low voltage at an output of the current limiter circuit. In another aspect, the protection circuit includes a pre-charge circuit that pre-charges the output of the current limiter circuit. In another aspect a filter is embedded within the current limiter circuit.
H03F 1/52 - Circuits pour la protection de ces amplificateurs
H03F 1/02 - Modifications des amplificateurs pour augmenter leur rendement, p. ex. étages classe A à pente glissante, utilisation d'une oscillation auxiliaire
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 3/19 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H03F 3/68 - Combinaisons d'amplificateurs, p. ex. amplificateurs à plusieurs voies pour stéréophonie
Various methods and circuital arrangements for protection of a power amplifier (PA) from high input power conditions are presented. According to one aspect, a protection circuit coupled to a stage of the PA limits a current through the stage during the high input power conditions. Limiting of the current is provided by a current limiter circuit that includes a current generator coupled to a current mirror. The current is limited to a high value that is based on a reference current generated by the current generator. In one aspect, the reference current is programmable or variable. In another aspect the protection circuit includes a clamp that limits a low voltage at an output of the current limiter circuit. In another aspect, the protection circuit includes a pre-charge circuit that pre-charges the output of the current limiter circuit. In another aspect a filter is embedded within the current limiter circuit.
H03F 1/52 - Circuits pour la protection de ces amplificateurs
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
An apparatus for power conversion includes a switching network that controls interconnections between pump capacitors in a capacitor network that has a terminal coupled to a current source, and a charge-management subsystem. In operation, the switching network causes the capacitor network to execute charge-pump operating cycles during each of which the capacitor network adopts different configurations in response to different configurations of the switching network. At the start of a first charge-pump operating cycle, each pump capacitor assumes a corresponding initial state. The charge-management subsystem restores each pump capacitor to the initial state by the start of a second charge-pump operating cycle that follows the first charge-pump operating cycle.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
87.
SYSTEMS AND METHODS FOR ESTIMATING OUTPUT CURRENT OF A CHARGE PUMP
The present disclosure relates to current sensing, and more particularly, to systems and methods for estimating the output current of a charge pump. In one embodiment, a method for estimating an output current of a charge pump is disclosed. The method comprises measuring, using a first sensing circuit, an input current into a switched capacitor power conversion circuit, and calculating, using a hardware processor, an estimated output current from the switched capacitor power conversion circuit as:
The present disclosure relates to current sensing, and more particularly, to systems and methods for estimating the output current of a charge pump. In one embodiment, a method for estimating an output current of a charge pump is disclosed. The method comprises measuring, using a first sensing circuit, an input current into a switched capacitor power conversion circuit, and calculating, using a hardware processor, an estimated output current from the switched capacitor power conversion circuit as:
IOUT=(IIN×N)−Offset
The present disclosure relates to current sensing, and more particularly, to systems and methods for estimating the output current of a charge pump. In one embodiment, a method for estimating an output current of a charge pump is disclosed. The method comprises measuring, using a first sensing circuit, an input current into a switched capacitor power conversion circuit, and calculating, using a hardware processor, an estimated output current from the switched capacitor power conversion circuit as:
IOUT=(IIN×N)−Offset
wherein IOUT is the estimated output current, IIN is the measured input current, N is a multiplication or division factor of the switched capacitor power conversion circuit, and Offset is an output current offset.
Methods and devices to decrease the power consumption of level shifters in the absence of input power supply are disclosed. The described devices include current mirrors that are inactive when the level shifter is in the HIGH or LOW steady state. The disclosed methods further include a delay element used to keep the power consumption low in the case of slow input power supply ramps.
An LNA having a plurality of paths, each of which can be controlled independently to achieve a gain mode. Each path includes at least an input FET and an output FET coupled in series. A gate of the output FET is controlled to set the gain of the LNA. Signals to be amplified are applied to the gate of the input FET. Additional stacked FETs are provided in series between the input FET and the output FET.
H03G 3/30 - Commande automatique dans des amplificateurs comportant des dispositifs semi-conducteurs
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/32 - Modifications des amplificateurs pour réduire la distorsion non linéaire
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
H03F 3/72 - Amplificateurs commandés, c.-à-d. amplificateurs mis en service ou hors service au moyen d'un signal de commande
H03G 1/00 - Détails des dispositions pour le réglage de l'amplification
H03G 3/00 - Commande de gain dans les amplificateurs ou les changeurs de fréquence
A common gate resistor bypass arrangement for a stacked arrangement of FET switches, the arrangement including a series combination of an nMOS transistor and a pMOS transistor connected across a common gate resistor. During at least a transition portion of the transition state of the stacked arrangement of FET switches, the nMOS transistor and the pMOS transistor are both in an ON state and bypass the common gate resistor. On the other hand, during at least a steady state portion of the ON steady state and the OFF steady state of the stacked arrangement of FET switches, one of the nMOS transistor and the pMOS transistor is in an OFF state and the other of the nMOS transistor and the pMOS transistor is in an ON state, thus not bypassing the common gate resistor.
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
H03K 19/21 - Circuits OU EXCLUSIF, c.-à-d. donnant un signal de sortie si un signal n'existe qu'à une seule entréeCircuits à COÏNCIDENCES, c.-à-d. ne donnant un signal de sortie que si tous les signaux d'entrée sont identiques
Methods and devices for a cascode current mirror with low headroom voltage are presented. According to one aspect, a gate voltage to a cascode transistor of an input leg of the current mirror is provided by a feedback block that operates from a mirrored current output by an output leg of the current mirror. The feedback block includes a feedback current mirror that outputs a mirrored current for conduction through a self-biasing diode-connected transistor that generates the gate voltage to the cascode transistor of the input leg. According to yet another aspect, the cascode current mirror includes a start-up circuit coupled between an input to the input leg and a gate of the cascode transistor of the input leg, the start-up circuit generating a start-up voltage during a transition mode of operation of the cascode current mirror. According to one aspect, a transistor is used as the start-up circuit.
H03F 3/345 - Amplificateurs de courant continu dans lesquels tous les étages sont couplés en courant continu comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
Compact low noise amplifiers that have wide-band coverage while meeting necessary input matching and output matching characteristics. Embodiments include a wide-band, two-stage LNA with minimum degradation in performance compared to multiple narrow-band, single-stage LNAs. A generalized embodiment includes a first amplifier stage having a terminal coupled to a mutually coupled inductor circuit and to a second amplifier stage. The second amplifier stage includes a terminal coupled to the mutually coupled inductor circuit. The mutually coupled inductor circuit comprises electromagnetically coupled inductors L1, L2. Second terminals of the first and second amplifier stages are coupled to respective degeneration inductors. The electromagnetically coupled inductors L1, L2 of the inductor circuit substantially increase the output bandwidth of the LNA with minimum degradation in performance.
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/193 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs comportant des dispositifs à effet de champ
93.
Wide-swing intrinsic MOSFET cascode current mirror
Methods and devices for a wide-swing cascode current mirror with low headroom voltage and high output impedance are presented. An input leg of the current mirror includes a composite transistor in series connection with an intrinsic transistor. The composite transistor includes two series-connected regular transistors with respective sizes that are twice the size of the intrinsic transistor. An output leg of the current mirror includes a regular transistor in series connection with an intrinsic transistor. A gate voltage of the composite transistor, provided at a node that is common to gates of the two series-connected regular transistors, self-establishes when a reference current flows through the input leg. The self-established gate voltage is used to bias the regular transistor of the output leg. Biasing voltages to gates of the intrinsic transistors is provided by an intermediate node that provides the series connection of the regular transistors of the composite transistor.
G05F 3/20 - Régulation de la tension ou du courant là où la tension ou le courant sont continus utilisant des dispositifs non commandés à caractéristiques non linéaires consistant en des dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des combinaisons diode-transistor
94.
TRIPLE BEAT AVOIDANCE FOR CONTIGUOUS AND NON-CONTIGUOUS INTRA-BAND CARRIER AGGREGATIONS
Systems and methods for detecting and mitigating triple beat interference include implementing an intra-band carrier aggregation communications protocol across a plurality of frequency bands, identifying an intra-band carrier aggregation channel allocation for a client device, detecting triple beat interference in the plurality of frequency bands by the intra-band carrier aggregation channel allocation, and mitigating the detected triple beat interference through reallocation of the intra-band carrier aggregation channels to the client device. Mitigating may include adjusting one or more allocation parameters to derive an updated intra-band carrier aggregation channel allocation, detecting triple beat interference by the updated intra-band and carrier aggregation channel allocation, and repeating the adjusting step if triple beat interference is detected. Adjusting parameters may include incrementally increasing and/or decreasing an allocation parameter value, and repeating the adjusting step if the triple beat interference is detected or until the allocation parameter value is outside of an available range.
H04W 72/541 - Critères d’affectation ou de planification des ressources sans fil sur la base de critères de qualité en utilisant le niveau d’interférence
H04L 5/00 - Dispositions destinées à permettre l'usage multiple de la voie de transmission
95.
Adaptive Tuning Networks with Direct Mapped Multiple Channel Filter Tuning
A flexible multi-path RF adaptive tuning network switch architecture that counteracts impedance mismatch conditions arising from various combinations of coupled RF band filters, particularly in a Carrier Aggregation-based (CA) radio system. In one version, a digitally-controlled tunable matching network is coupled to a multi-path RF switch in order to provide adaptive impedance matching for various combinations of RF band filters. Optionally, some or all RF band filters include an associated digitally-controlled filter pre-match network to further improve impedance matching. In a second version, some or all RF band filters coupled to a multi-path RF switch include a digitally-controlled phase matching network to provide necessary per-band impedance matching. Optionally, a digitally-controlled tunable matching network may be included on the common port of the multi-path RF switch to provide additional impedance matching capability. In a third version, CA direct mapped adaptive tuning networks include filter tuning blocks for selected lower frequency bands.
H03H 7/01 - Réseaux à deux accès sélecteurs de fréquence
H04B 1/00 - Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
H04W 72/0453 - Ressources du domaine fréquentiel, p. ex. porteuses dans des AMDF [FDMA]
96.
Devices and Methods for Improving Voltage Handling and/or Bi-Directionality of Stacks of Elements When Connected Between Terminals
Devices and methods for improving voltage handling and/or bi-directionality of stacks of elements when connected between terminals are described. Such devices and method include use of symmetrical compensation capacitances, symmetrical series capacitors, or symmetrical sizing of the elements of the stack.
H03K 17/16 - Modifications pour éliminer les tensions ou courants parasites
H01F 21/12 - Inductances ou transformateurs variables du type pour signaux discontinûment variables, p. ex. à prises
H01G 4/002 - Condensateurs fixesProcédés pour leur fabrication Détails
H01G 7/00 - Condensateurs dont la capacité varie par des moyens non mécaniquesProcédés pour leur fabrication
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H03H 7/01 - Réseaux à deux accès sélecteurs de fréquence
H03J 3/20 - Accord continu d'un seul circuit résonnant en faisant varier uniquement l'inductance ou uniquement la capacité
H03K 17/10 - Modifications pour augmenter la tension commutée maximale admissible
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
An apparatus includes first and second pluralities of switches, a controller for controlling these switches, gate-drivers for driving switches from the first plurality of switches, and first and second terminals configured for coupling to corresponding first and second external circuits at corresponding first and second voltages. During operation, the controller causes the first plurality of switches to transition between states. These transitions result in the second voltage being maintained at a value that is a multiple of the first voltage. The controller also causes the second plurality of switches to transition between states. These transitions resulting in capacitors being coupled or decoupled from the second voltage. The gate drivers derive, from the capacitors, charge for causing a voltage that enables switches from the first plurality of switches to be driven.
H02M 3/07 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des résistances ou des capacités, p. ex. diviseur de tension utilisant des capacités chargées et déchargées alternativement par des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande
H02M 1/088 - Circuits spécialement adaptés à la production d'une tension de commande pour les dispositifs à semi-conducteurs incorporés dans des convertisseurs statiques pour la commande simultanée de dispositifs à semi-conducteurs connectés en série ou en parallèle
98.
CASCODE GAIN BOOSTING AND LINEAR GAIN CONTROL USING GATE RESISTOR
Methods and apparatuses for controlling gain of a single stage cascode FET amplifier are presented. According to one aspect, a series-connected resistor and capacitor is coupled to a gate of a cascode FET transistor of the amplifier, the capacitor providing a short at frequencies of operation of the amplifier. According to another aspect, values of the resistor can be used to control gain of the amplifier. According to yet another aspect, the resistor is a variable resistor whose value can be controlled/adjusted to provide different gains of the amplifier according to a linear function of the resistor value. An input matching network coupled to an input of the amplifier can be used to compensate for different noise figure degradations from different values of the resistor.
H03F 1/22 - Modifications des amplificateurs pour réduire l'influence défavorable de l'impédance interne des éléments amplificateurs par utilisation de couplage dit "cascode", c.-à-d. étage avec cathode ou émetteur à la masse suivi d'un étage avec grille ou base à la masse respectivement
H03F 1/56 - Modifications des impédances d'entrée ou de sortie, non prévues ailleurs
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03F 3/72 - Amplificateurs commandés, c.-à-d. amplificateurs mis en service ou hors service au moyen d'un signal de commande
99.
METHODS AND DEVICES TO CONTROL RADIATED SPURIOUS EMISSION IN RF ANTENNA SWITCHES
Methods and devices to control radiated spurious emission (RSE) in an RF antenna switch are presented. The RF antenna switch includes a through stack that includes at least one regular N-type FET transistor and a plurality of intrinsic N-type FET transistors, and a shunt stack that includes a plurality of intrinsic N-type FET transistors. During an inactive mode of operation, the regular transistor turns OFF to present a high impedance. The RF antenna switch includes a termination stack having a plurality of regular P-type FET transistors that are activated during the inactive mode to present a termination impedance to the antenna. A bias signal generator that remains partially active during the inactive mode of operation to generate positive and negative control voltages having magnitudes that are sufficiently high to maintain ON/OFF control of the transistors of the stacks.
H04B 1/00 - Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
H04B 1/66 - Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission pour réduire la largeur de bande des signauxDétails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission pour améliorer l'efficacité de la transmission
100.
Butted body contact for SOI transistor and amplifier circuit
Systems, methods, and apparatus for an improved body tie construction are described. The improved body tie construction is configured to have a lower resistance body tie exists when the transistor is “off” (Vg approximately 0 volts). When the transistor is “on” (Vg>Vt), the resistance to the body tie is much higher, reducing the loss of performance associated with presence of body tie. Space efficient Body tie constructions adapted for cascode configurations are also described.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 29/08 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode transportant le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H03F 3/195 - Amplificateurs à haute fréquence, p. ex. amplificateurs radiofréquence comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03F 3/213 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs dans des circuits intégrés
H03F 3/217 - Amplificateurs de puissance de classe DAmplificateurs à commutation
