A ball-bond arrangement comprising a bond pad of a semiconductor device and a wire ball-bonded to the bond pad, wherein the wire extending from the bonded ball has a diameter of 15 to 50 μm, and comprises a silver-based wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface, wherein the coating layer is a double-layer comprised of a 1 to 40 nm thick inner layer of palladium or nickel and an adjacent 20 to 500 nm thick outer layer of gold, and wherein the surface of the bonded ball has a gold coverage of 70 to 100%.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A round wire comprising a wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface, wherein the wire core itself is a silver-based wire core, wherein the coating layer is a double-layer comprised of a 1 to 100 nm thick inner layer of palladium or nickel and an adjacent 1 to 250 nm thick outer layer of gold, wherein the outer layer of gold exhibits at least one of the following intrinsic properties A1) and A2): A1) the average grain size of the crystal grains in the outer layer of gold, measured in longitudinal direction, is in the range of 0.1 to 0.8 μm; A2) 60 to 100% of the crystal grains in the outer layer of gold are oriented in <100> direction, and 0 to 20% of the crystal grains in the outer layer of gold are oriented in <111> direction.
C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
B21C 1/02 - Etirage des fils métalliques ou d'un matériau flexible analogue au moyen de machines ou d'appareils à étirer dans lesquels l'étirage est effectué par des tambours
C25D 5/50 - Post-traitement des surfaces revêtues de métaux par voie électrolytique par traitement thermique
A wire comprising a wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface, wherein the wire core itself is a silver-based wire core, wherein the coating layer is a double-layer comprised of a 1 to 100 nm thick inner layer of nickel or palladium and an adjacent 1 to 250 nm thick outer layer of gold, characterized in that the wire exhibits a total carbon content of ≤40 wt.-ppm.
A process for the manufacture of encapsulated semiconductor dies and/or of encapsulated semiconductor packages or for the manufacture of an encapsulation of semiconductor dies and/or of semiconductor packages comprising the steps: (1) assembling a multitude of bare semiconductor dies on a temporary carrier, and (2) encapsulating the assembled bare semiconductor dies, characterized in that an aqueous hydraulic hardening inorganic cement preparation is applied as encapsulation agent in step (2).
A3) 20 to 70% of the crystal grains of the wire core are oriented in <100> direction, and 3 to 40% of the crystal grains of the wire core are oriented in <111> direction, each % with respect to the total number of crystal grains with orientation parallel to the drawing direction of the wire.
C22F 1/14 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des métaux nobles ou de leurs alliages
C25D 3/12 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de nickel ou de cobalt
C25D 3/48 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions d'or
C25D 3/50 - Dépôt électrochimique; Bains utilisés à partir de solutions de métaux du groupe du platine
C25D 5/10 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents
C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
C25D 5/34 - Prétraitement des surfaces métalliques à revêtir de métaux par voie électrolytique
C25D 5/50 - Post-traitement des surfaces revêtues de métaux par voie électrolytique par traitement thermique
H01B 5/02 - Barres, barreaux, fils ou rubans simples; Barres omnibus
H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
The disclosure relates to a method for manufacturing a biocompatible wire, a biocompatible wire comprising a biocompatible metallic material and a medical device comprising such wire.
The disclosure relates to a method for manufacturing a biocompatible wire, a biocompatible wire comprising a biocompatible metallic material and a medical device comprising such wire.
The method for manufacturing a biocompatible wire comprises providing a workpiece of a biocompatible metallic material, cold working the workpiece into a wire, and annealing the wire, wherein a cold work percentage is 97 to 99%, wherein the cold working is a drawing with a die reduction per pass ratio in a range of 6 to 40%, and wherein the annealing is done in a range of 850 to 1100° C.
C22F 1/10 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du nickel ou du cobalt ou de leurs alliages
C21D 8/06 - Modification des propriétés physiques par déformation en combinaison avec, ou suivie par, un traitement thermique pendant la fabrication de barres ou de fils
C22C 19/05 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de nickel avec du chrome
C22C 19/07 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de cobalt
B21F 45/00 - Travail du fil métallique pour la fabrication d'autres objets particuliers
B21C 1/00 - Fabrication des tôles, fils, barres, tubes métalliques ou d'autres produits semi-finis similaires par étirage
C21D 9/52 - Traitement thermique, p.ex. recuit, durcissement, trempe ou revenu, adapté à des objets particuliers; Fours à cet effet pour bandes métalliques
A ball-bond arrangement comprising a bond pad of a semiconductor device and a wire ball-bonded to the bond pad, wherein the wire extending from the bonded ball has a diameter of 15 to 50 µm, and comprises a silver-based wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface, wherein the coating layer is a double-layer comprised of a 1 to 40 nm thick inner layer of palladium or nickel and an adjacent 20 to 500 nm thick outer layer of gold, and wherein the surface of the bonded ball has a gold coverage of 70 to 100 %.
H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
A round wire comprising a wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface, wherein the wire core itself is a silver-based wire core, wherein the coating layer is a double-layer comprised of a 1 to 100 nm thick inner layer of palladium or nickel and an adjacent 1 to 250 nm thick outer layer of gold, wherein the outer layer of gold exhibits at least one of the following intrinsic properties A1) and A2): A1) the average grain size of the crystal grains in the outer layer of gold, measured in longitudinal direction, is in the range of from 0.1 to 0.8 µm; A2) 60 to 100 % of the crystal grains in the outer layer of gold are oriented in <100> direction, and 0 to 20 % of the crystal grains in the outer layer of gold are oriented in <111> direction, each % with respect to the total number of crystal grains with orientation parallel to the drawing direction of the wire.
A wire comprising a wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface, wherein the wire core itself is a silver-based wire core, wherein the coating layer is a double-layer comprised of a 1 to 100 nm thick inner layer of nickel or palladium and an adjacent 1 to 250 nm thick outer layer of gold, characterized in that the wire exhibits a total carbon content of ≤ 40 wt.-ppm.
B23K 35/40 - Fabrication de fils ou de barres pour le brasage ou le soudage
B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c. à d. non caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 28/02 - Revêtements uniquement de matériaux métalliques
10.
PROCESS FOR THE MANUFACTURE OF ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR DIES AND/OR OF ENCAPSULATED SEMICONDUCTOR PACKAGES
A process for the manufacture of encapsulated semiconductor dies and/or of encapsulated semiconductor packages or for the manufacture of an encapsulation of semiconductor dies and/or of semiconductor packages comprising the steps: (1) assembling a multitude of bare semiconductor dies on a temporary carrier, and (2) encapsulating the assembled bare semiconductor dies, characterized in that an aqueous hydraulic hardening inorganic cement preparation is applied as encapsulation agent in step (2).
A wire comprising a silver-based wire core having a double-layer coating comprised of a 1 to 100 nm thick inner layer of palladium or nickel and an adjacent 1 to 250 nm thick outer layer of gold, wherein the wire exhibits at least one of the intrinsic properties A1) to A3): A1) the average grain size of the crystal grains in the wire core, measured in longitudinal direction, is in the range of from 0.7 to 1.1 µm; A2) the fraction of twin boundaries, measured in longitudinal direction of the wire, is in the range of from 5 to 40 %; A3) 20 to 70 % of the crystal grains of the wire core are oriented in <100> direction, and 3 to 40 % of the crystal grains of the wire core are oriented in <111> direction, each % with respect to the total number of crystal grains with orientation parallel to the drawing direction of the wire.
B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
B23K 35/40 - Fabrication de fils ou de barres pour le brasage ou le soudage
C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c. à d. non caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 28/02 - Revêtements uniquement de matériaux métalliques
A process for electrically connecting contact surfaces of electronic components by capillary wedge bonding a round wire of 8 to 80 μm to the contact surface of a first electronic component, forming a wire loop, and stitch bonding the wire to the contact surface of a second electronic component, wherein the wire comprises a wire core having a silver or silver-based wire core with a double-layered coating comprised of a 1 to 50 nm thick inner layer of nickel or palladium and an adjacent 5 to 200 nm thick outer layer of gold.
B23K 20/00 - Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p.ex. revêtement ou placage
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
13.
Method for increasing the straightness of a thin wire
A method for producing a further wire, wherein the method includes, providing a first wire and feeding the first wire through a furnace to obtain the further wire. A further cast of the further wire is larger than a first cast of the first wire.
C21D 9/52 - Traitement thermique, p.ex. recuit, durcissement, trempe ou revenu, adapté à des objets particuliers; Fours à cet effet pour bandes métalliques
C21D 8/06 - Modification des propriétés physiques par déformation en combinaison avec, ou suivie par, un traitement thermique pendant la fabrication de barres ou de fils
wherein the coating layer is a double-layer comprised of a 1 to 1000 nm inner layer of gold and an adjacent 0.5 to 100 nm thick outer layer of palladium or a double-layer comprised of a 0.5 to 100 nm thick inner layer of palladium and an adjacent >200 to 1000 nm thick outer layer of gold.
H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
15.
MANUFACTURING AND TAPE TRANSFER METHOD FOR A PATTERNED PREFORM
The invention relates to a manufacturing method for a patterned preform on a transfer tape and such a patterned preform as well as using transfer tape as carrier. The manufacturing method for a patterned preform comprises the steps of: - providing a patterned tape comprising a rigid base and a tape, wherein the tape is made of polyimide or poly dimethyl siloxane, wherein the rigid base is at least partially covered by the tape, and wherein the tape comprises a pattern of recesses, and - at least partially filling the recesses of the patterned tape by an electroconductive material to obtain the patterned preform. The electroconductive material comprises a mixture of a first component with a first melting point and a second component and a second melting point, which differs from the first melting point.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p.ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes
A wire comprising a wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface, wherein the wire core itself is a silver wire core or a silver-based wire core, wherein the coating layer is a 1 to 1000 nm thick single-layer of gold or a double-layer comprised of a 1 to 100 nm thick inner layer of palladium and an adjacent 1 to 250 nm thick outer layer of gold, characterized in that the gold layer comprises at least one member selected from the group consisting of antimony, bismuth, arsenic and tellurium in a total proportion in the range of 10 to 100 wt.-ppm, based on the weight of the wire.
B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
B23K 35/40 - Fabrication de fils ou de barres pour le brasage ou le soudage
C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c. à d. non caractérisé par le procédé de revêtement
A wire comprising a wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface, wherein the wire core itself is a silver wire core or a silver-based wire core, wherein the coating layer is a 1 to 1000 nm thick single-layer of gold or a double-layer comprised of a 1 to 100 nm thick inner layer of palladium and an adjacent 1 to 250 nm thick outer layer of gold, characterized in that the gold layer comprises at least one member selected from the group consisting of antimony, bismuth, arsenic and tellurium in a total proportion in the range of 10 to 100 wt.-ppm, based on the weight of the wire.
B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
B23K 35/40 - Fabrication de fils ou de barres pour le brasage ou le soudage
C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c. à d. non caractérisé par le procédé de revêtement
A process for electrically connecting contact surfaces of electronic components by capillary wedge bonding a round wire of 8 to 80 pm to the contact surface of a first electronic component, forming a wire loop, and stitch bonding the wire to the contact surface of a second electronic component, wherein the capillary wedge bonding is carried out with a ceramic capillary having a lower face angle within the range of from zero to 4 degrees, wherein the wire comprises a wire core having a silver or silver-based wire core with a double-layered coating comprised of a 1 to 50 nm thick inner layer of nickel or palladium and an adjacent 5 to 200 nm thick outer layer of gold.
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
C23C 28/02 - Revêtements uniquement de matériaux métalliques
B23K 20/00 - Soudage non électrique par percussion ou par une autre forme de pression, avec ou sans chauffage, p.ex. revêtement ou placage
B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
A wire comprising a wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface, wherein the wire core itself consists of: (a) pure silver consisting of (a1 ) silver in an amount in the range of from 99.99 to 100 wt.-% and (a2) further components in a total amount of from 0 to 100 wt.-ppm or (b) doped silver consisting of (b1 ) silver in an amount in the range of from > 99.49 to 99.997 wt.-%, (b2) at least one doping element selected from the group consisting of calcium, nickel, platinum, palladium, gold, copper, rhodium and ruthenium in a total amount of from 30 to < 5000 wt.-ppm and (b3) further components in a total amount of from 0 to 100 wt.-ppm, or (c) a silver alloy consisting of (d) silver in an amount in the range of from 89.99 to 99.5 wt.-%, (c2) at least one alloying element selected from the group consisting of nickel, platinum, palladium, gold, copper, rhodium and ruthenium in a total amount in the range of from 0.5 to 10 wt.-% and (c3) further components in a total amount of from 0 to 100 wt.-ppm, or (d) a doped silver alloy consisting of (d1 ) silver in an amount in the range of from > 89.49 to 99.497 wt.-%, (d2) at least one doping element selected from the group consisting of calcium, nickel, platinum, palladium, gold, copper, rhodium and ruthenium in a total amount of from 30 to < 5000 wt.-ppm, (d3) at least one alloying element selected from the group consisting of nickel, platinum, palladium, gold, copper, rhodium and ruthenium in a total amount in the range of from 0.5 to 10 wt.-% and (d4) further components in a total amount of from 0 to 100 wt.-ppm, wherein the at least one doping element (d2) is other than the at least one alloying element (d3), wherein the individual amount of any further component is less than 30 wt.-ppm, wherein the individual amount of any doping element is at least 30 wt.-ppm, wherein all amounts in wt.-% and wt.-ppm are based on the total weight of the core, and wherein the coating layer is a double-layer comprised of a 1 to 1000 nm inner layer of gold and an adjacent 0.5 to 100 nm thick outer layer of palladium or a double-layer comprised of a 0.5 to 100 nm thick inner layer of palladium and an adjacent > 200 to 1000 nm thick outer layer of gold.
H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages
B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p.ex. par la forme
A process for electrically connecting a contact surface of a first electronic component with a contact surface of a second electronic component comprising the subsequent steps: (1) ball-bonding a bonding wire having a diameter in the range of from 12 to 80 μιτ> to the contact surface of the first electronic component, (2) raising the ball-bonded bonding wire to produce an elongated and narrowed wire region still connected to the bonded ball, (3) disconnecting the ball and the bonding wire at the elongated and narrowed wire region by means of an EFO spark to produce and leave back a ball bump connected to the contact surface of the first electronic component, (4) ball-bonding the bonding wire with its disconnected end formed in step (3) to the contact surface of the second electronic component, (5) forming a wire loop between the ball bond formed in step (4) and the ball bump left back in step (3), and (6) stitch-bonding the bonding wire to the ball bump left back in step (3), wherein the bonding wire comprises a metal core with an outer electrically insulating coating, optionally with at least one thin layer of metal other than the core metal between the metal core surface and the outer electrically insulating coating, and wherein the core metal is selected from the group consisting of copper, silver, gold, a copper-based alloy, a silver-based alloy and a gold-based alloy.
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
A wire comprising a wire core with a surface, the wire core having a coating layer superimposed on its surface, wherein the wire core itself consists of: (a) silver in an amount of from 0.1 to 0.3 wt.-%, (b) copper in an amount in the range of from 99.64 to 99.9 wt.-%, (c) phosphorus in an amount in the range of from 0 to 100 wt.-ppm, and (d) further components (components other than silver, copper and phosphorus) in an amount in the range of from 0 to 500 wt.-ppm, wherein the individual amount of any further component is less than 30 wt.-ppm, wherein all amounts in wt.-% and wt.-ppm are based on the total weight of the core, and wherein the coating layer is a double-layer comprised of an inner layer of palladium and an adjacent outer layer of gold, wherein the weight of the inner palladium layer is in the range of 1.5 to 2.5 wt.-%, relative to the weight of the wire core, and wherein the weight of the outer gold layer is in the range of 0.09 to 0.18 wt.-%, relative to the weight of the wire core.
C21D 9/52 - Traitement thermique, p.ex. recuit, durcissement, trempe ou revenu, adapté à des objets particuliers; Fours à cet effet pour bandes métalliques
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
B23K 35/40 - Fabrication de fils ou de barres pour le brasage ou le soudage
B23K 35/22 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par la composition ou la nature du matériau
22.
SPUTTERING TARGET OF RUTHENIUM-CONTAINING ALLOY AND PRODUCTION METHOD THEREOF
The present invention relates to a Ru-Co-Cr alloy sputtering target which is used for depositing an intermediate layer of magnetic media for use in hard disk drive, wherein the sputtering target is made of a single Ru -Co-Cr alloy phase, no intermetallic phase is present and said sputtering target has an oxygen content of less than 200 ppm. The low oxygen content in the sputtering target will prevent arcing and particle generation during the sputtering process. In addition, a vacuum melting process to produce said sputtering target is also disclosed in this invention.
A silver alloyed copper wire comprising a wire core, the wire core itself consisting of: (a) silver in an amount of from 0.3 to 0.7 wt.-%, (b) copper in an amount in the range of from 99.25 to 99.7 wt.-%, and (c) 0 to 500 wt.-ppm of further components, wherein all amounts in wt.-% and wt.-ppm are based on the total weight of the core.
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p.ex. par la forme
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
C23C 28/00 - Revêtement pour obtenir au moins deux couches superposées, soit par des procédés non prévus dans un seul des groupes principaux , soit par des combinaisons de procédés prévus dans les sous-classes et
C23C 30/00 - Revêtement avec des matériaux métalliques, caractérisé uniquement par la composition du matériau métallique, c. à d. non caractérisé par le procédé de revêtement
HERAEUS ORIENTAL HITEC CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Tark, Yong-Deok
Kang, Il Tae
Kim, Jong Su
Jung, Hyun Seok
Kim, Tae Yeop
Zhang, Xi
Sarangapani, Murali
Abrégé
An alloyed silver wire comprising or consisting of a wire core, the wire core itself consisting of: (a) palladium in an amount in the range of from 0.1 to 3 wt.-%, (b) gold in an amount in the range of from 0.1 to 3 wt.-%, (c) nickel in an amount in the range of from 20 to 700 wt.-ppm, (d) calcium in an amount in the range of from 20 to 200 wt.-ppm, (e) silver in an amount in the range of from 93.91 to 99.786 wt.-%, and (f) 0 to 100 wt.-ppm of further components, wherein all amounts in wt.-% and wt.-ppm are based on the total weight of the core, wherein the alloyed silver wire has an average diameter in the range of from 8 to 80 µm.
HERAEUS ORIENTAL HITEC CO., LTD (République de Corée)
Inventeur(s)
Tark, Yong-Deok
Kang, Il Tae
Kim, Jong Su
Jung, Hyun Seok
Kim, Tae Yeop
Zhang, Xi
Sarangapani, Murali
Abrégé
An alloyed silver wire comprising or consisting of a wire core, the wire core itself consisting of: (a) palladium in an amount in the range of from 3 to 6 wt.-%, (b) gold in an amount in the range of from 0.2 to 2 wt.-%, (c) nickel in an amount in the range of from 20 to 700 wt.-ppm, (d) platinum in an amount in the range of from 20 to 500 wt.-ppm, (e) silver in an amount in the range of from 91.88 to 96.786 wt.-%, and (f) 0 to 100 wt.-ppm of further components, wherein all amounts in wt.-% and wt.-ppm are based on the total weight of the core, wherein the alloyed silver wire has an average diameter in the range of from 8 to 80 μm.
B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p.ex. par la forme
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
C22F 1/14 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid des métaux nobles ou de leurs alliages
27.
CO-BASED ALLOY SPUTTERING TARGET HAVING BORIDE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME
The present invention relates to a sputtering target, comprising a single phase of a cobalt-based alloy, wherein the cobalt-based alloy comprises chromium and optionally platinum as an alloying element, and boride particles, wherein the boride particles have an average particle size of 10 µm or less and are dispersed in the cobalt-based alloy.
C22C 19/07 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de cobalt
C22F 1/10 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du nickel ou du cobalt ou de leurs alliages
B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensions; Appareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
A wire comprising a core comprising or consisting of (a) nickel in an amount in the range of from 0.005 to 5 wt.-%, (b) optionally, silver in an amount in the range of from 0.005 to 1 wt.-%, (c) copper in an amount in the range of from 94 wt.-% to 99.98 wt.-%, and (d) 0 to 100 wt.-ppm of further components, wherein all amounts in wt.-% and wt.-ppm are based on the total weight of the core, wherein the core has an average size of crystal grains in the range of from 1.5 to 30 μm, the average size determined according to the line intercept method, wherein the wire has an average diameter in the range of from 8 to 80 μm.
B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
C23C 28/00 - Revêtement pour obtenir au moins deux couches superposées, soit par des procédés non prévus dans un seul des groupes principaux , soit par des combinaisons de procédés prévus dans les sous-classes et
29.
COPPER BASED BONDING WIRE FOR A SEMICONDUCTOR DEVICE
The present invention relates to a wire, comprising a copper core comprising: al.silver in an amount in the range of from 0.05 to 1.3 wt.%; or a2. Palladium, and further at least one element selected from silver and gold, wherein the amount of silver is in the range of from 100 ppm to 1.3 wt.%, wherein the amount of gold is in the range of from 100 to 1500 ppm, and wherein the amount of palladium is in the range of from 0.5 to 1.5 wt.%; wherein all amounts in wt.% and ppm are based on the total weight of the core; wherein the core has an average size of crystal grains is in the range of from 3 to 30 μιη, the average size determined according to the line intercept method. The present invention further relates to a method for manufacturing a wire as aforementioned and to an electric device comprising the wire of the invention.
B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
C23C 28/00 - Revêtement pour obtenir au moins deux couches superposées, soit par des procédés non prévus dans un seul des groupes principaux , soit par des combinaisons de procédés prévus dans les sous-classes et
H01B 1/00 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisés; Emploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
30.
IMPROVED COATED COPPER WIRE FOR BONDING APPLICATIONS
The present invention relates to a wire comprising a core with a surface, a first coating layer with a layer surface and a further coating layer, wherein A) the core comprises a) at least 99.95 wt.% of copper, b) an amount X of at least one element selected from silver and gold, c) an amount Y of at least one element selected from phosphorus, magnesium and cerium, wherein the ratio of X and Y is in the range of from 0.03 to 50; B) the first coating layer is composed of at least one element selected from the group comprising of palladium, platinum and silver, wherein the first coating layer is superimposed over the surface of the core, C) the further coating layer is superimposed over the layer surface of the first coating layer, wherein the further coating layer is composed of gold. The present invention further relates to a method for manufacturing a wire as aforementioned and to an electric device comprising the wire of the invention.
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
The invention relates to a wire and a method of manufacture, the wire comprising at least a core comprising copper (2) and elemental phosphorus; a first coating layer (3) composed of at least one element selected from the group comprising of palladium, platinum and silver; a further coating layer (41) composed of at least one element selected from silver and gold; wherein at least one of the following conditions is met: Al) the ratio of the average grain size of the crystal grains in the core and the diameter of the wire is in the range of from 0.14 - 0.28 and the relative standard deviation RSD of the average grain size is less than 0.9; or A2) the degree of recrystallization of the crystal grains in the core is in the range of from 50 to 95 %; or A3) the fraction of twin boundaries is in the range of from 2 to 25 %; or A4) 18 to 42 % of the grains of the wire are oriented in <100> direction and 27 to 38 % of the grains of the wire are oriented in <111> direction.
H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
32.
METAL SINTERING PREPARATION AND THE USE THEREOF OF THE CONNECTING OF COMPONENTS
A metal sintering preparation comprising (A) 70 to ≤84 % by weight of at least one metal that is present in the form of particles that comprise a coating, and (B) 6 to 30 % by weight of organic solvent, characterised in that the total amount of the coating is 0.4 to 2 % by weight, with respect to the weight of the coated metal particles, and in that 95 to 100 % by weight of the coating consist of a combination of (i) 15 to 85 parts by weight of at least one fatty acid compound having 8 to 14 carbon atoms in the non-branched fatty acid residue and (ii) 85 to 15 parts by weight of at least one fatty acid compound having 16 to 22 carbon atoms in the non-branched fatty acid residue, whereby the parts by weight of components (i) and (ii) add up to 100 parts by weight, and whereby the metal sintering preparation comprises less than 3 % by weight of NH4BF4.
B22F 1/00 - Poudres métalliques; Traitement des poudres métalliques, p.ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
H01L 23/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A ball-bond arrangement comprising an aluminum bond pad of a semiconductor device and a wire ball-bonded to the aluminum bond pad, wherein the wire has a diameter of 10 to 80 pm and comprises a core consisting of a copper alloy consisting of 0.05 to 3 wt.-% of palladium and/or platinum with copper as the remainder to make up 100 wt.-%.
H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
An electrically conductive composition comprising (a) metal containing particles, (b) at least one epoxy resin, (c) at least one hardener for the at least one epoxy resin, and (d) at least one lactone.
Lead-free solder alloy comprising zinc (Zn) as the main component and aluminum (Al) as an alloying metal, wherein the solder alloy is a eutectic having a single melting point in the range of 320 to 390 °C (measured by DSC at a heating rate of 5 °C min-1).
B23K 35/28 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 950 C
B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p.ex. par la forme
The invention is related to a bonding wire, comprising a core with a surface, wherein the core comprises copper as a main component, wherein the core comprises copper as a main component, wherein an average size of crystal grains in the core is between 2.5 μm and 30 μm, and wherein a yield strength of the bonding wire is less than 120 MPa.
H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
The invention is related to a bonding wire, comprising a core (2) with a surface, wherein the core (2) comprises copper as a main component, and a coating layer (3) superimposed over the surface of the core (2), wherein the coating layer (3) comprises palladium as a main component, wherein the core (2) comprises at least 5 wt. ppm silver and at least 20 wt. ppm phosphorus as further components, wherein the wire meets the relation 0.000025 < E/(d*CAg) < 0.15, wherein E is an elongation of the wire measured in %, d is a diameter of the wire measured in μm and CAg is the silver content of the wire core measured in wt. ppm.
H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
38.
PALLADIUM COATED COPPER WIRE FOR BONDING APPLICATIONS
The invention is related to a bonding wire, comprising a core (2) with a surface, wherein the core comprises copper as a main component, and a coating layer (3) superimposed over the surface of the core (2), wherein the coating layer (3) comprises palladium as a main component, wherein the core (2) comprises at least 5 wt.ppm silver and at least 20 wt. ppm phosphorus as further components, wherein the wire meets the relation 0.0008 < E/(d*CP) < 0.0375, wherein E is an elongation of the wire measured in %, d is a diameter of the wire measured in μm and CP is the phosphorus content of the wire core measured in wt. ppm.
H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
39.
PALLADIUM COATED COPPER WIRE FOR BONDING APPLICATIONS
The invention is related to a bonding wire, comprising a core (2) with a surface, wherein the core (2) comprises copper as a main component, and a coating layer (3) superimposed over the surface of the core (2), wherein the coating layer (3) comprises palladium as a main component, wherein the core (2) comprises silver and phosphorus as further components, wherein the core comprises silver and phosphorus as further components, wherein the ratio between the silver content and the phosphorus content of the core is in the range of 0.03 to 2.
H01L 23/49 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p.ex. fils de connexion ou bornes formées de structures soudées du type fils de connexion
H01L 21/60 - Fixation des fils de connexion ou d'autres pièces conductrices, devant servir à conduire le courant vers le ou hors du dispositif pendant son fonctionnement
brevets
