Abrégé

Proposed are an attachable microphone and a manufacturing method therefor. The attachable microphone includes a substrate (100) including a back chamber (110) and a first frame member (120), a back plate part (200) being disposed on the substrate (100) and including a plurality of first through holes (210) and a back plate (220), a first electrode part (300) being disposed on the back plate part (200) and having a plurality of second through holes (310) and a first electrode member (320), a support part (400) being disposed on the first electrode part (300) and including a front chamber (410) and a second frame member (420), a second electrode part (500) being disposed on the support part (400) and including a second electrode member (510), and a diaphragm (600) being disposed on the second electrode part (500) and including a thin film (610).

Classes IPC  ?

• B81B 3/00 - Dispositifs comportant des éléments flexibles ou déformables, p. ex. comportant des membranes ou des lamelles élastiques
• B81C 1/00 - Fabrication ou traitement de dispositifs ou de systèmes dans ou sur un substrat
• H04R 1/46 - Adaptation particulière pour usage comme microphone de contact, p. ex. sur instrument de musique, sur stéthoscope

Abrégé

SPLSPL), and can be attached to various surfaces including skin and curved surfaces.

Classes IPC  ?

• H04R 1/46 - Adaptation particulière pour usage comme microphone de contact, p. ex. sur instrument de musique, sur stéthoscope
• H04R 9/08 - Microphones
• H04R 7/18 - Dispositions pour monter ou pour tendre des membranes ou des cônes à la périphérie

Abrégé

Disclosed are a skin attachment-type fluid collecting patch and a manufacturing method therefor. The skin attachment-type fluid collecting patch according to the present invention has a wedge pattern of hydrophobic/hydrophilic parts and thus enables faster collection of fluids than existing fluid collection devices and is not affected by changes in slope caused by body movements when attached to the skin, and can be used while coupled to various types of sensors.

Classes IPC  ?

• A61B 5/145 - Mesure des caractéristiques du sang in vivo, p. ex. de la concentration des gaz dans le sang ou de la valeur du pH du sang
• A61B 10/00 - Instruments pour le prélèvement d'échantillons corporels à des fins de diagnostic Autres procédés ou instruments pour le diagnostic, p. ex. pour le diagnostic de vaccination ou la détermination du sexe ou de la période d'ovulationInstruments pour gratter la gorge
• A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus

Abrégé

Proposed is a vibration sensor including: a substrate; a first electrode positioned on the substrate; a support positioned on the first electrode and including a cylindrical hollow hole; and a diaphragm including a thin film positioned on the support and a second electrode positioned on the thin film. According to the present disclosure, it is possible to manufacture a skin-attachable vibration sensor that is attached to a user's neck to detect vibration acceleration in user's neck skin, thus exhibiting a uniform and high sensitivity to a user's voice over the frequency range of the human voice. In addition, the sensor sensitively detects a user's voice through neck skin vibrations rather than through air, thus being free from the influence of external noise or wind, and can recognize the user's voice even in a situation where a user's mouth is covered.

Classes IPC  ?

• H04R 1/08 - EmbouchuresLeurs fixations
• H04R 31/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des transducteurs ou de leurs diaphragmes
• H04R 1/40 - Dispositions pour obtenir la fréquence désirée ou les caractéristiques directionnelles pour obtenir la caractéristique directionnelle désirée uniquement en combinant plusieurs transducteurs identiques
• H04R 3/00 - Circuits pour transducteurs
• H04R 7/04 - Membranes planes
• H04R 7/16 - Dispositions pour monter ou pour tendre des membranes ou des cônes
• G10L 25/78 - Détection de la présence ou de l’absence de signaux de voix
• H04R 1/14 - Montage de laryngophone

Abrégé

Provided according to one embodiment of the present disclosure is a process for analyzing muscle fatigue via electromyogram measurement by a wearable device, the process comprising the steps of: (a) measuring electromyogram signals by electric signals on a muscle surface of a user, detected at electrodes; (b) obtaining pure electromyogram signals (m[n]) from the measured electromyogram signals; and (c) analyzing muscle fatigue on the basis of the obtained pure electromyogram signals (m[n]), and providing an analysis result to the user.

Classes IPC  ?

• A61B 5/04 - Mesure de signaux bioélectriques du corps ou de parties de celui-ci
• A61B 5/0488 - Electromyographie
• A61B 5/00 - Mesure servant à établir un diagnostic Identification des individus
• A61B 5/024 - Mesure du pouls ou des pulsations cardiaques

Abrégé

Disclosed is a method of manufacturing multilayer graphene, including (a) contacting of a metal substrate with a nonmetal element, (b) reduction through heat treatment, and (c) chemical vapor deposition of a graphene precursor on the metal substrate containing the nonmetal element dissolved therein, thereby manufacturing multilayer graphene that is doped with the nonmetal element on the metal substrate. In the multilayer graphene thus manufactured, the number of graphene layers and the work function are simultaneously adjusted by controlling the concentration of doped nonmetal element in a thickness direction of graphene through interactions related to the reduction of the nonmetal element dissolved in a copper catalyst and the growth of graphene, and moreover, the stacking structure of graphene is maintained and the optoelectronic properties of multilayer graphene can be controlled by simultaneously regulating graphene growth and doping during the synthesis procedure without additional processing.

Classes IPC  ?

• H01L 21/28 - Fabrication des électrodes sur les corps semi-conducteurs par emploi de procédés ou d'appareils non couverts par les groupes
• H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/263 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée
• H01L 23/532 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées caractérisées par les matériaux
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée

Abrégé

The present invention provides a vibration sensor comprising: a substrate; a first electrode positioned on the substrate; a support part positioned on the first electrode and comprising a cylindrical hollow space; and a diaphragm comprising a thin film positioned on the support part and a second electrode positioned on the thin film. The present invention can manufacture an ultrathin skin-attachable vocal cord microphone which is attached to the neck of a person so as to sense vibration acceleration of the neck skin when the person speaks and thus has constant and high voice recognition sensitivity in a voice frequency domain of the person. Further, the sensor sensitively senses a vibration, is not influenced by external noise or wind, and can sense a voice even when the mouth is covered. The skin-attachable vibration sensor having an ultrathin structure using an organic material has good skin attachability and thus can minimize a vibration signal distortion phenomenon when used on the curved skin, and provides an aesthetic appearance and an excellent wearing feeling on the skin.

Classes IPC  ?

• G01H 11/06 - Mesure des vibrations mécaniques ou des ondes ultrasonores, sonores ou infrasonores par détection des changements dans les propriétés électriques ou magnétiques par des moyens électriques
• H04R 1/08 - EmbouchuresLeurs fixations

Abrégé

Disclosed is a method of manufacturing an organic semiconductor thin film, including preparing semiconductor ink containing a solvent, a low-molecular-weight organic semiconductor and a high-molecular-weight organic semiconductor and forming an organic semiconductor thin film vertically phase-separated by applying the semiconductor ink on a substrate through a bar-coating process using a bar. In the bar-coating process of the invention, the semiconductor ink blend is used, and the gap between the substrate and the bar is adjusted, thus controlling vertical phase separation. Also, the speed of the bar, the gap of which is adjusted, is regulated, thus controlling crystal growth, whereby the uniformity of the thin film is improved and thus a high-quality organic semiconductor crystalline thin film having a large area can be manufactured in a continuous process. Also, a flexible organic semiconductor transistor, having high stability and high charge mobility, can be provided using the organic semiconductor thin film.

Classes IPC  ?

• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/05 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface

Abrégé

Disclosed is a thin-film transistor-based pressure sensor including a gate electrode; a gate dielectric layer provided on the gate electrode; a semiconductor layer provided on the gate dielectric layer; and a source electrode and a drain electrode provided on the semiconductor layer, wherein each of the source and drain electrodes has an elastic body that includes: an elastic part having a protrusion; and a conductive part provided on a surface of the elastic part and having a conductive material. According to the pressure sensor and a method of manufacturing the same of the present invention, the elastic body coated with the conductive material is patterned to serve as the source electrode and the drain electrode of the pressure sensor whereby it is possible to drive an active matrix, drive the pressure sensor with low power, and manufacture the pressure sensor through a simple process.

Classes IPC  ?

• H01L 29/84 - Types de dispositifs semi-conducteurs commandés par la variation d'une force mécanique appliquée, p.ex. d'une pression
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/05 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface

Abrégé

Disclosed is a method of manufacturing a surface-modified polymer film, including forming a hydroxyl group (—OH) on the surface of a polymer film by subjecting the polymer film to light irradiation and surface treatment with a photoacid generator. The polymer film can be introduced with a hydroxyl group (—OH) group using a photoacid generator, thereby modifying the surface of the polymer film without damage to the polymer film. Also, an organic electronic device including the surface-modified polymer film can be improved in electrical characteristics and stability.

Classes IPC  ?

• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 51/05 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• B05D 1/18 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces par immersion
• C08J 7/14 - Modification chimique par des acides, leurs sels ou anhydrides
• C08J 7/12 - Modification chimique
• H01L 51/42 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement en énergie électrique, soit comme dispositifs de commande de l'énergie électrique par ledit rayonnement
• H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)

Abrégé

Disclosed is a method of producing graphene, which includes bringing a metal catalyst into contact with hydrogen gas (Step a), bringing the metal catalyst in Step a into contact with at least one selected from among a hydrocarbon gas, nitrogen gas, and an inert gas (Step b), and forming graphene on the metal catalyst by bringing the metal catalyst in Step b into contact with hydrogen gas and a hydrocarbon gas (Step c), whereby the number of layers of graphene can be variously controlled as needed, regardless of the initial surface roughness of a metal catalyst layer, and also, the time required to form graphene can be shortened, thus reducing processing costs.

Classes IPC  ?

• C01B 31/04 - Graphite
• H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles
• B82Y 40/00 - Fabrication ou traitement des nanostructures
• B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p. ex. nanocomposites

Abrégé

Provided is a 3D static RAM core cell having a vertically stacked structure, the static RAM core cell comprising six thin film transistors, each of which has a gate electrode, a source electrode, and a drain electrode, the static RAM core cell comprising: two thin film transistors for switching, which are each connected to a bit line and a word line and select the recording and reading of data; and four thin film transistors for data storage, which are connected to a power supply voltage (Vdd) or a ground voltage (Vss) and allow the recording and reading of data, the static RAM core cell comprising: a first transistor layer comprising two thin film transistors selected from among the six thin film transistors; a second transistor layer which is positioned on the first transistor layer and comprises two thin film transistors selected from among the other four thin film transistors; and a third transistor layer which is positioned on the second transistor layer and comprises the other two thin film transistors, wherein the one or more kinds of electrodes of the first transistor layer and the one or more kinds of electrodes of the second transistor layer are electrically connected, and the one or more kinds of electrodes of the second transistor layer and the one or more kinds of electrodes of the third transistor layer are electrically connected. As such, the 3D static RAM core cell having a vertically stacked structure according to the present invention allows a complex patterning process for forming different types of organic transistors to be omitted during the manufacture of memory elements by disposing the same type of organic transistors on the same plane and vertically stacking same and can improve the degree of integration of a semiconductor circuit by reducing the area taken up by the memory elements.

Classes IPC  ?

• H01L 27/11 - Structures de mémoires statiques à accès aléatoire
• H01L 51/05 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 27/28 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux
• H01L 27/06 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant une pluralité de composants individuels dans une configuration non répétitive
• H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The present invention relates to a flexible substrate lamination body comprising: a flexible substrate; and a base material which is on one surface of the flexible substrate and reduces strain of the flexible substrate. The flexible substrate lamination body of the present invention comprises a base material for reducing surface strain to reduce shearing stress and surface strain of a surface, thereby being able to minimize performance degradation of a device. Further, such flexible substrate lamination body can be applied to various electronic devices having enhanced flex resistance and thereby performance is not degraded after bending.

Classes IPC  ?

• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices

Abrégé

Disclosed is a flexible electronic device having an adhesive function, including an adhesive tape that includes a flexible film and an adhesive layer formed on one side of the flexible film, and an electronic device formed on a remaining side of the flexible film of the adhesive tape. Accordingly, the flexible electronic device of the present invention is transferred on a surface of various flexible materials or materials having a curved surface so as to freely adhere and minimize breakage of the electronic device and maintain performance over a long period of time, even if the substrate is modified or repeatedly bent.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 29/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails des corps semi-conducteurs ou de leurs électrodes
• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 29/786 - Transistors à couche mince
• H01L 51/05 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
• H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
• H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The present invention relates to a graphene laminate comprising: a first graphene layer comprising an electron donating functional group; and a second graphene layer positioned on the first graphene layer and comprising graphene, wherein the second graphene layer is n-doped by the first graphene layer. Therefore, the degree at which graphene is doped can be controlled without a deterioration in the transparency of graphene and the doping effect can last for a long time without a protective layer by doping graphene with a graphene modified with an amino group.

Classes IPC  ?

• B32B 9/00 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes
• B32B 9/04 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance particulière non couverte par les groupes comprenant une telle substance comme seul composant ou composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
• C01B 31/04 - Graphite

Abrégé

Disclosed herein is a laminate comprising: a substrate; an organic surface modifying layer disposed on the substrate; and a porous organic semiconductor layer disposed on the surface modifying layer. Onto the substrate, introduction of the organic surface modifying layer having a low surface energy, and optionally the organic intermediate layer having a low glass transition temperature controls the self assembly of the organic semiconductor layer, allowing the porous organic semiconductor layer to have high crystallinity and large crystal grains. Also, provided is a highly efficient chemical sensor comprising the laminate.

Classes IPC  ?

• H01L 51/00 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives
• G01N 27/414 - Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c.-à-d. ISFETS ou CHEMFETS
• B32B 3/26 - Produits stratifiés comprenant une couche ayant des discontinuités ou des rugosités externes ou internes, ou une couche de forme non planeProduits stratifiés comprenant une couche ayant des particularités au niveau de sa forme caractérisés par une couche continue dont le périmètre de la section droite a une allure particulièreProduits stratifiés comprenant une couche ayant des discontinuités ou des rugosités externes ou internes, ou une couche de forme non planeProduits stratifiés comprenant une couche ayant des particularités au niveau de sa forme caractérisés par une couche comportant des cavités ou des vides internes
• H01L 51/05 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
• B32B 5/16 - Produits stratifiés caractérisés par l'hétérogénéité ou la structure physique d'une des couches caractérisés par le fait qu'une des couches est formée de particules, p. ex. de copeaux, de fibres hachées, de poudre
• B32B 27/14 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique adjacente à une couche particulaire

Abrégé

A method of manufacturing graphene, including forming a metal catalytic layer on a substrate (Step a), providing a cover member on the metal catalytic layer of Step a (Step b), and growing graphene on the metal catalytic layer of Step b by performing chemical vapor deposition (Step c), whereby the size of the micro-scale grain boundary on the surface of the metal catalyst can be reduced by simultaneously promoting the aggregation of metal catalytic molecules in a chemical vapor deposition device and preventing the evaporation of the metal catalyst due to the effect of the cover member, ultimately improving the quality of synthesized graphene, including the transparency thereof. Also, a graphene sheet can be grown under various concentrations of carbon source gas, and efficient mass production thereof is possible in a chemical vapor deposition device having a confined space.

Classes IPC  ?

• C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
• C23C 16/26 - Dépôt uniquement de carbone
• C01B 31/04 - Graphite
• C23C 16/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
• C01B 32/186 - Préparation par dépôt chimique en phase vapeur [CVD]

Abrégé

Provided is a method for producing graphene, comprising the steps of: bringing a metal catalyst into contact with hydrogen gas (step a); bringing the metal catalyst in step a into contact with at least one selected from among a hydrocarbon gas, a nitrogen gas and an inert gas (step b); and forming graphene on the metal catalyst by bringing the metal catalyst in step b into contact with the hydrogen gas and the hydrocarbon gas (step c), whereby it is possible to diversely control the number of graphene layers depending on need, regardless of the surface roughness of a first metal catalyst layer, and to shorten the time for forming graphene, thereby saving manufacturing costs.

Classes IPC  ?

• C01B 31/04 - Graphite

Abrégé

One embodiment of the present invention provides graphene and a method for manufacturing the same. The method for manufacturing graphene of the present invention comprises the steps of: (a) forming a metal catalytic layer on a substrate; (b) introducing a cover member on the metal catalytic layer of step a; and (c) growing graphene on the metal catalytic layer of step b by carrying out chemical vapor deposition. Accordingly, it is possible to improve the quality of synthesized graphene such as the transparency thereof by simultaneously promoting the aggregation of metal catalytic molecules in a chemical vapor deposition device and preventing evaporation of a metal catalyst due to the effect of the cover member, and thereby reducing the size of the micro-scale grain boundary on the surface of the metal catalyst. Furthermore, a graphene sheet growing at various concentrations of a carbon source gas can be synthesized and efficiently mass-manufactured in a limited space of the chemical vapor deposition device.

Classes IPC  ?

• C01B 31/02 - Préparation du carbone; Purification
• C23C 16/06 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique
• B01J 23/755 - Nickel