Nissan Chemical Corporation

Japon

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Type PI
        Brevet 1 848
        Marque 212
Juridiction
        International 1 445
        États-Unis 545
        Europe 41
        Canada 29
Date
Nouveautés (dernières 4 semaines) 29
2025 octobre 29
2025 septembre 20
2025 août 28
2025 juillet 20
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Classe IPC
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage 356
G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement 285
H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou 232
C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides 222
G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet 191
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Classe NICE
01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture 124
05 - Produits pharmaceutiques, vétérinaires et hygièniques 99
03 - Produits cosmétiques et préparations de toilette; préparations pour blanchir, nettoyer, polir et abraser. 14
40 - Traitement de matériaux; recyclage, purification de l'air et traitement de l'eau 10
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception 9
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Statut
En Instance 254
Enregistré / En vigueur 1 806
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1.

METHOD FOR FORMING PATTERN OF COLORED RESIST AND COMPOSITION USED THEREFOR

      
Numéro d'application JP2025015410
Numéro de publication 2025/225566
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-04-21
Date de publication 2025-10-30
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Masunaga Yuka
  • Hatanaka Tadashi
  • Matsuyama Motonobu

Abrégé

The present invention provides, in order to form a good colored resist pattern: a composition for forming a resist underlayer film for the formation of a resist underlayer film that is disposed between a substrate and a colored resist film; a resist underlayer film which is formed using the composition for forming a resist underlayer film; and a laminated body using the resist underlayer film, a method for forming a pattern of a colored resist, and provides a self-luminous display element and a liquid crystal element. The present invention specifically provides a composition for forming a resist underlayer film for the formation of a resist underlayer film that is disposed between a substrate and a colored resist film, the composition for forming a resist underlayer film containing an alkali-soluble resin and a solvent. The resist underlayer film, which is formed by baking the composition for forming a resist underlayer film, exhibits solvent resistance to a solvent that is contained in a resist material for forming the colored resist film, and exhibits solubility in an alkali developer solution for the colored resist film.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/023 - Quinonediazides macromoléculairesAdditifs macromoléculaires, p. ex. liants
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

2.

CHEMICAL-RESISTANT PROTECTIVE FILM

      
Numéro d'application 18866874
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-25
Date de la première publication 2025-10-30
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nishita, Tokio
  • Kinoshita, Kazuhiko

Abrégé

A composition for forming a protective film against a wet etching solution for a semiconductor, the composition containing: (A) a compound or polymer having a reactive group capable of undergoing a crosslinking reaction in the presence of a curing agent; (B) a curing agent; (C) a β-dicarbonyl compound; and (D) a solvent.

Classes IPC  ?

  • C08G 59/50 - Amines
  • G03F 7/023 - Quinonediazides macromoléculairesAdditifs macromoléculaires, p. ex. liants
  • G03F 7/38 - Traitement avant le dépouillement selon l'image, p. ex. préchauffage
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
  • H01L 21/308 - Traitement chimique ou électrique, p. ex. gravure électrolytique en utilisant des masques
  • H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
  • H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable

3.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION FOR FORMING INSULATION FILM

      
Numéro d'application JP2025011698
Numéro de publication 2025/220442
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-25
Date de publication 2025-10-23
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Chiba Rou
  • Iinuma Yosuke
  • Ishii Hidenori
  • Ogino Hiroshi
  • Tsuruga Kenta

Abrégé

122 represents a divalent aromatic group having a photopolymerizable group.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/027 - Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p. ex. composés éthyléniques
  • C08F 2/44 - Polymérisation en présence d'additifs, p. ex. plastifiants, matières colorantes, charges
  • C08F 4/00 - Catalyseurs de polymérisation
  • C08F 4/32 - Composés organiques
  • C08F 20/00 - Homopolymères ou copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et un seul étant terminé par un seul radical carboxyle ou un sel, anhydride, ester, amide, imide ou nitrile
  • C08F 283/00 - Composés macromoléculaires obtenus par polymérisation de monomères sur des polymères prévus par la sous-classe
  • C08F 290/14 - Polymères prévus par la sous-classe
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/031 - Composés organiques non couverts par le groupe

4.

ADHESIVE COMPOSITION FOR RELEASE BY LIGHT IRRADIATION, LAMINATE, AND METHOD FOR PRODUCING PROCESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE OR ELECTRONIC DEVICE LAYER

      
Numéro d'application 18875553
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-06
Date de la première publication 2025-10-23
Propriétaire Nissan Chemical Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Okuno, Takahisa
  • Shinjo, Tetsuya

Abrégé

An adhesive composition that includes a light-absorbing compound that contributes to facilitating release of a semiconductor substrate or an electronic device layer and a support substrate by absorbing the light; an organic resin; and an organic solvent, wherein the light-absorbing compound is a compound having a structure selected from a benzophenone structure, a diphenylamine structure, a diphenyl sulfoxide structure, a diphenyl sulfone structure, an azobenzene structure, a dibenzofuran structure, a fluorenone structure, a carbazole structure, an anthraquinone structure, a 9,9-diphenyl-9H-fluorene structure, a naphthalene structure, an anthracene structure, a phenanthrene structure, an acridine structure, a pyrene structure, a phenylbenzotriazole structure, and a structure derived from cinnamic acid, or a polyphenol-based compound.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
  • C09J 9/00 - Adhésifs caractérisés par leur nature physique ou par les effets produits, p. ex. bâtons de colle
  • C09J 11/06 - Additifs non macromoléculaires organiques

5.

CHARGE TRANSPORT COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2025010591
Numéro de publication 2025/220397
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-19
Date de publication 2025-10-23
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamaguchi Shun
  • Ashizawa Ryoichi

Abrégé

As a charge transport composition which is suitable for the formation of a charge transport thin film of a photoelectric conversion element, and in particular, which is capable of significantly improving the photoelectric conversion efficiency of an obtained element when used as a hole collecting layer of an inverse lamination type perovskite solar cell, the present invention provides a charge transport composition for forming a charge transport thin film of an organic photoelectric conversion element, the composition comprising a charge transport substance, a crosslinking agent, and an organic solvent. The charge transport substance comprises at least one polyimide-based polymer which is selected from the group consisting of polyimide precursors that are each obtained from a tetracarboxylic acid component and a diamine component having any one of the structures represented by formulae (1)-(3), esters of the polyimide precursors, and imidized products of the polyimide precursors. (In the formulae, R1 represents a hydrogen atom or a monovalent organic group. * represents a site bonded to another group. Any hydrogen atom forming the benzene ring may be substituted with a monovalent organic group.)

Classes IPC  ?

  • H10K 30/50 - Dispositifs photovoltaïques [PV]
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n
  • H10K 30/86 - Couches à haute mobilité des trous, p. ex. de transport des trous ou couches de blocage des électrons
  • H10K 85/50 - Pérovskites organiquesPérovskites hybrides organiques-inorganiques [HOIP], p. ex. CH3NH3PbI3
  • H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire

6.

COMPOSITION CONTAINING LIPID PEPTIDE AND SUCROSE ESTER

      
Numéro d'application JP2025013237
Numéro de publication 2025/216117
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-31
Date de publication 2025-10-16
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Shimura Sakata, Mizuki
  • Furusawa, Mami

Abrégé

[Problem] To provide a novel composition which contains a lipid peptide and a sucrose ester that comprises a contamination suppressing effect and a penetration enhancing effect. [Solution] This composition contains: a lipid peptide-type compound in which a peptide moiety formed by the repetition of at least two or more identical or different amino acids is bonded to a lipid moiety that is composed of an aliphatic group having 10-24 carbon atoms; a sucrose ester; a 1,2-alkanediol; a fatty acid; and water.

Classes IPC  ?

7.

LIQUID CRYSTAL LIGHT CONTROL ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025013762
Numéro de publication 2025/216188
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-04-04
Date de publication 2025-10-16
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Moriyama Shoji
  • Himori Shogo
  • Miki Noritoshi

Abrégé

Provided is a liquid crystal light control element using a liquid crystal composition including a liquid crystal and a chiral compound, in which display defects due to alignment defects of the liquid crystal and burn-in defects do not occur even in an environment of prolonged exposure to light irradiation. Provided is a liquid crystal light control element having a variable transmittance in response to voltage application, the liquid crystal light control element being characterized by comprising a pair of substrates provided with electrodes, a liquid crystal layer provided between the substrates and including liquid crystal molecules twist-aligned when a voltage is not applied, and a liquid crystal alignment film that substantially horizontally aligns the liquid crystal molecules in at least one direction between the substrate and the liquid crystal layer, the liquid crystal layer having a liquid crystal composition including liquid crystal molecules having positive dielectric anisotropy and a chiral compound, the liquid crystal alignment film including a polymer having a structure indicated by formula [1]of the following formula [1], and d/p being 1 to 10, where d is the thickness of the liquid crystal layer and p is the chiral pitch of the liquid crystals of the liquid crystal layer. (Each symbol in formula [1] is as defined in the specification.)

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • G02F 1/13 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p. ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
  • G02F 1/137 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p. ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides caractérisés par l'effet électro-optique ou magnéto-optique, p. ex. transition de phase induite par un champ, effet d'orientation, interaction entre milieu récepteur et matière additive ou diffusion dynamique

8.

LIQUID CRYSTAL LIGHT CONTROL ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025013757
Numéro de publication 2025/216187
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-04-04
Date de publication 2025-10-16
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Himori Shogo
  • Moriyama Shoji
  • Miki Noritoshi

Abrégé

Provided is a liquid crystal light control element using a liquid crystal composition containing a liquid crystal and a chiral compound, wherein a display defect and a burn-in defect due to an alignment defect of the liquid crystal do not occur even in an environment exposed to light irradiation for a long time. This liquid crystal light control element has a transmittance that is variable in response to voltage application. The liquid crystal light control element is characterized by comprising: a pair of substrates provided with electrodes; a liquid crystal layer provided between the substrates and containing liquid crystal molecules that are twist-aligned when no voltage is applied; and a liquid crystal alignment film for approximately vertically aligning liquid crystal molecules in at least one space between the substrates and the liquid crystal layer, wherein the liquid crystal layer has a liquid crystal composition containing liquid crystal molecules having positive dielectric anisotropy and a chiral compound, the liquid crystal alignment film includes a polymer having a structure of formula [1], and when the thickness of the liquid crystal layer is denoted by d, and the chiral pitch of a liquid crystal of the liquid crystal layer is denoted by p, d/p is 1-10. (Each symbol in formula [1] is as defined in the specification.)

Classes IPC  ?

  • G02F 1/13 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p. ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
  • G02F 1/137 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p. ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides caractérisés par l'effet électro-optique ou magnéto-optique, p. ex. transition de phase induite par un champ, effet d'orientation, interaction entre milieu récepteur et matière additive ou diffusion dynamique

9.

LIQUID CRYSTAL LIGHT CONTROL ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025013766
Numéro de publication 2025/216191
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-04-04
Date de publication 2025-10-16
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Himori Shogo
  • Miki Noritoshi
  • Moriyama Shoji

Abrégé

Provided is a liquid crystal light control element using a liquid crystal composition including a liquid crystal and a chiral compound, in which display defects due to alignment defects of the liquid crystal and burn-in defects do not occur even when the liquid crystal light control element is subjected to prolonged light irradiation. Provided is a liquid crystal light control element having a variable transmittance in response to voltage application, the liquid crystal light control element being characterized by comprising a pair of substrates provided with electrodes, a liquid crystal layer provided between the substrates and including liquid crystal molecules twist-aligned when a voltage is not applied, a liquid crystal alignment film (A) that substantially vertically aligns the liquid crystal between one substrate and the liquid crystal layer, and a liquid crystal alignment film (B) that substantially horizontally aligns the liquid crystal between the liquid crystal layer and the other substrate, the liquid crystal layer including a chiral compound and liquid crystal having positive dielectric anisotropy, the liquid crystal alignment film (A) including a polymer having a structure indicated by formula [1], the liquid crystal alignment film (B) including a polymer having a structure indicated by formula [2], and d/p being 1 to 10, where d is the thickness of the liquid crystal layer and p is the chiral pitch of the liquid crystal of the liquid crystal layer.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/13 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p. ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
  • G02F 1/137 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des cristaux liquides, p. ex. cellules d'affichage individuelles à cristaux liquides caractérisés par l'effet électro-optique ou magnéto-optique, p. ex. transition de phase induite par un champ, effet d'orientation, interaction entre milieu récepteur et matière additive ou diffusion dynamique

10.

CHARGE-TRANSPORTING COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2025010333
Numéro de publication 2025/211155
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-18
Date de publication 2025-10-09
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Ashizawa Ryoichi
  • Shibano Yuki

Abrégé

Provided is a charge-transporting composition for forming a charge-transporting thin film for an organic photoelectric conversion element, the charge-transporting composition being ideal for the formation of a charge-transporting thin film for a photoelectric conversion element. In particular, when used as the hole transport layer of an inverted perovskite solar cell, this composition enables large improvement in hole transport layer formability and film stability when the film is left to stand in atmosphere, while maintaining the photoelectric conversion efficiency (PCE) of the resulting element at a high level. The charge-transporting composition comprises a nickel oxide precursor, a polymer compound, and a solvent.

Classes IPC  ?

  • H10K 30/50 - Dispositifs photovoltaïques [PV]
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • C08K 3/00 - Emploi de substances inorganiques en tant qu'adjuvants
  • C08K 5/09 - Acides carboxyliquesLeurs sels métalliquesLeurs anhydrides
  • C08L 79/08 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • C08L 101/00 - Compositions contenant des composés macromoléculaires non spécifiés
  • H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n
  • H10K 30/86 - Couches à haute mobilité des trous, p. ex. de transport des trous ou couches de blocage des électrons
  • H10K 71/12 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt liquide, p. ex. revêtement par centrifugation
  • H10K 85/10 - Polymères ou oligomères organiques
  • H10K 85/50 - Pérovskites organiquesPérovskites hybrides organiques-inorganiques [HOIP], p. ex. CH3NH3PbI3

11.

ADHESIVE COMPOSITION FOR RELEASE BY LIGHT IRRADIATION, LAMINATE, AND METHOD FOR PRODUCING PROCESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application 18870061
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-25
Date de la première publication 2025-10-09
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Okuno, Takahisa
  • Yanai, Masaki
  • Shinjo, Tetsuya

Abrégé

A laminate including an adhesive layer that has both a bonding function and a releasing function in a single layer and can be released through light irradiation, an adhesive composition for forming the releasable adhesive layer, and a method for producing a processed semiconductor substrate using the laminate. The adhesive composition includes an adhesive component and a release agent component, wherein the adhesive component contains a polysiloxane resin, and the release agent component contains a (meth)acrylic polymer including a silicone-based first unit and a light-absorbing structured second unit.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
  • C09J 11/08 - Additifs macromoléculaires
  • C09J 183/04 - Polysiloxanes

12.

CHARGE-TRANSPORTING INK COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2025010155
Numéro de publication 2025/211144
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-17
Date de publication 2025-10-09
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Teratani Kohei

Abrégé

Provided is a charge-transporting ink composition for an upper layer of a quantum dot layer, the composition being configured such that: when used to form an upper layer of a quantum dot (QD) layer (light emission layer), the changes in the flatness of the film formed by inkjet deposition can be suppressed, such changes occurring due to the post-deposition time delay; practical charge-transporting properties can be maintained; and photoluminescence (PL) quenching of the quantum dot (QD) layer in the element obtained is not triggered. The composition contains a charge-transporting material and a solvent, where the solvent is a specific solvent having a Balaban index of 3.3 or lower and a molar refractive index of 65 or lower, and also having a boiling point of 180°C or higher.

Classes IPC  ?

  • H10K 50/165 - Couches de transport d'électrons comprenant des dopants
  • C08G 61/12 - Composés macromoléculaires contenant d'autres atomes que le carbone dans la chaîne principale de la macromolécule
  • C09D 11/52 - Encres conductrices de l’électricité
  • C09K 11/06 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes contenant des substances organiques luminescentes
  • H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
  • H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
  • H05B 33/22 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition des couches auxiliaires diélectriques ou réfléchissantes
  • H10K 50/115 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] comprenant des nanostructures inorganiques actives, p. ex. des points quantiques luminescents
  • H10K 71/12 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt liquide, p. ex. revêtement par centrifugation
  • H10K 85/10 - Polymères ou oligomères organiques
  • H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire

13.

COMPOSITION FOR FORMING ARTIFICIAL SOLID ELECTROLYTE INTERPHASE LAYER

      
Numéro d'application JP2025011413
Numéro de publication 2025/211196
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-24
Date de publication 2025-10-09
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yoshimoto Takuji
  • Shiga Norihito

Abrégé

Provided is a composition for forming an artificial solid electrolyte interphase layer which can be suitably used for forming an artificial solid electrolyte interphase layer constituting a negative electrode of a secondary battery such as an anode-free lithium metal secondary battery. The composition for forming an artificial solid electrolyte interphase layer contains a solvent containing graphene oxide or a salt thereof, an olefin-unsaturated carboxylic acid copolymer or a salt thereof, and water.

Classes IPC  ?

  • H01M 4/66 - Emploi de matériaux spécifiés
  • H01G 11/30 - Électrodes caractérisées par leur matériau
  • H01M 4/13 - Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p. ex. pour accumulateurs au lithiumLeurs procédés de fabrication
  • H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
  • H01M 4/134 - Électrodes à base de métaux, de Si ou d'alliages
  • H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium

14.

STABILIZED AQUEOUS ACTIVE SILICA SOLUTION, SILICA SOL USING SAME, AND METHOD FOR PRODUCING SAME

      
Numéro d'application 18285022
Statut En instance
Date de dépôt 2022-03-23
Date de la première publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Mitsui, Shigeru
  • Nishimura, Tohru

Abrégé

A stabilized aqueous active silica solution including at least one stabilizing agent selected from an acid, potassium hydroxide, ammonia and an organic base, whose content is 0.167 to 10% by mass/SiO2 relative to solution. The acid is an inorganic or organic acid. The inorganic acid is sulfuric or nitric acid. The organic acid is citric acid. The base is an amine or quaternary ammonium hydroxide. The viscosity of the solution that has a SiO2 concentration of 2.8 to 3.3% by mass, measured by the Ostwald method at 23° C. within 3 hours after production, is 0.5 to 20 mPa·s. The viscosity of the solution measured after storage at 23° C. for 3 days is higher by 5.0 times or less than that of the solution measured within 3 hours. Also, a silica sol including silica particles having an average primary particle diameter of 5 to 300 nm.

Classes IPC  ?

  • C01B 33/148 - ConcentrationSéchageDéshydratationStabilisationPurification

15.

LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025011803
Numéro de publication 2025/205807
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-25
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Mizoguchi Kotaro
  • Yuki Tatsuya
  • Sakaida Megumu

Abrégé

11'11n221211'121111'141q122q12q1q1234511'1'.)

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
  • C07D 307/89 - Benzo [c] furannesBenzo [c] furannes hydrogénés avec deux atomes d'oxygène liés directement en positions 1 et 3
  • C07D 493/04 - Systèmes condensés en ortho
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • C08K 5/11 - EstersÉthers-esters d'acides polycarboxyliques acycliques
  • C08K 5/20 - Amides d'acides carboxyliques
  • C08L 101/00 - Compositions contenant des composés macromoléculaires non spécifiés
  • C09K 3/00 - Substances non couvertes ailleurs

16.

LIQUID CRYSTAL ALIGNING AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025011823
Numéro de publication 2025/205821
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-25
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Mizoguchi Kotaro
  • Yuki Tatsuya
  • Sakaida Megumu

Abrégé

aaaaa) are as defined in the description.) Component (B) is a compound (B) represented by formula (1) (meanings of symbols in formula (1) are as defined in the description).

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
  • C07D 307/89 - Benzo [c] furannesBenzo [c] furannes hydrogénés avec deux atomes d'oxygène liés directement en positions 1 et 3
  • C07D 493/04 - Systèmes condensés en ortho
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • C08K 5/04 - Composés contenant de l'oxygène
  • C08K 5/205 - Composés contenant des groupes , p. ex. carbamates
  • C08L 79/08 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • C09K 3/00 - Substances non couvertes ailleurs

17.

LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025011834
Numéro de publication 2025/205830
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-25
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Mizoguchi Kotaro
  • Yuki Tatsuya
  • Sakaida Megumu

Abrégé

aaaaa) is as defined in the specification.) (The meaning of each symbol in formula (1) is as defined in the specification.)

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
  • C07D 307/89 - Benzo [c] furannesBenzo [c] furannes hydrogénés avec deux atomes d'oxygène liés directement en positions 1 et 3
  • C07D 493/04 - Systèmes condensés en ortho
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • C08K 5/06 - ÉthersAcétalsCétalsOrtho-esters
  • C08K 5/09 - Acides carboxyliquesLeurs sels métalliquesLeurs anhydrides
  • C08K 5/13 - PhénolsPhénolates
  • C08K 5/18 - AminesComposés d'ammonium quaternaire avec des groupes amino liés aromatiquement
  • C08K 5/20 - Amides d'acides carboxyliques
  • C09K 3/00 - Substances non couvertes ailleurs

18.

ADHESIVE COMPOSITION, LAMINATE, AND PRODUCTION METHOD FOR PROCESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2025011965
Numéro de publication 2025/205909
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-26
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Usui Yuki
  • Okuno Takahisa
  • Kishioka Takahiro

Abrégé

Provided is an adhesive composition for forming an adhesive layer in a laminate having a first base body that is a semiconductor substrate or an electronic device layer, a second base body that is a support substrate that transmits infrared laser light, and the adhesive layer provided between the first base body and the second base body, the adhesive layer being used in the process in which, after the first base body is processed, the adhesive layer is irradiated with the infrared laser light from the second base body side, and the first base body and the second base body are subsequently separated from each other. The adhesive composition contains an adhesive component having a siloxane bond and a release agent component.

Classes IPC  ?

  • C09J 183/04 - Polysiloxanes
  • C09J 11/00 - Caractéristiques des adhésifs non prévues dans le groupe , p. ex. additifs
  • C09J 11/08 - Additifs macromoléculaires
  • C09J 183/05 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C09J 183/07 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe

19.

LAMINATE AND METHOD FOR MANUFACTURING PROCESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2025012088
Numéro de publication 2025/205978
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-26
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Usui Yuki
  • Okuno Takahisa
  • Kishioka Takahiro

Abrégé

This laminate comprises a first base body that is a semiconductor substrate or an electronic device layer, a second base body that is a support substrate for transmitting an infrared laser, and an adhesive layer and an infrared absorption layer that are provided between the first base body and the second base body.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
  • B32B 7/12 - Liaison entre couches utilisant des adhésifs interposés ou des matériaux interposés ayant des propriétés adhésives
  • B32B 27/00 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique
  • C09J 11/08 - Additifs macromoléculaires
  • C09J 183/05 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C09J 183/07 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • C09J 201/00 - Adhésifs à base de composés macromoléculaires non spécifiés
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

20.

COMPOSITION FOR FORMING COATING FILM FOR FOREIGN SUBSTANCE REMOVAL, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2025011311
Numéro de publication 2025/205536
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-24
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kamibayashi Satoshi
  • Kishioka Takahiro

Abrégé

This composition for forming a coating film for foreign substance removal can form a coating film that can be removed using a remover liquid. The composition contains a film structural component and a solvent, and the film structural component contains a coordination compound.

Classes IPC  ?

  • C09D 201/00 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires non spécifiés
  • B05D 3/10 - Traitement préalable des surfaces sur lesquelles des liquides ou d'autres matériaux fluides doivent être appliquésTraitement ultérieur des revêtements appliqués, p. ex. traitement intermédiaire d'un revêtement déjà appliqué, pour préparer les applications ultérieures de liquides ou d'autres matériaux fluides par d'autres moyens chimiques
  • C09D 5/20 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, caractérisées par leur nature physique ou par les effets produitsApprêts en pâte pour revêtements pelables sous forme de films cohérents, p. ex. revêtements pelables temporaires sous forme de films cohérents
  • C09D 7/63 - Adjuvants non macromoléculaires organiques
  • C09D 9/00 - Produits chimiques pour enlever la peinture ou l'encre
  • C09D 201/02 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires non spécifiés caractérisés par la présence de groupes déterminés
  • H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe

21.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2025011495
Numéro de publication 2025/205630
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-24
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Mitsutake Yuki

Abrégé

This composition for forming a resist underlayer film contains a resin (G) having a composite unit structure, and a solvent, the composite unit structure having a unit structure (A) that has an aromatic ring and a unit structure (B) that has one or more carbon atoms, the resin (G) being obtained by a reaction for generating a covalent bond between a carbon atom constituting the aromatic ring in the unit structure (A) and a carbon atom in the unit structure (B), the unit structure (A) including a unit structure (A-I) that includes a bisphenol skeleton having three or more aromatic hydrocarbon rings, and the unit structure (B) including a unit structure (B-I) that has a quaternary carbon atom to be bonded to the carbon atom constituting the aromatic ring in the unit structure (A).

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/26 - Traitement des matériaux photosensiblesAppareillages à cet effet
  • G03F 7/40 - Traitement après le dépouillement selon l'image, p. ex. émaillage

22.

LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025011794
Numéro de publication 2025/205803
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-25
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Mizoguchi Kotaro

Abrégé

AAA111n2222-NH-Z

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
  • C08G 73/14 - Polyamide-imides

23.

LIQUID CRYSTAL-ALIGNING AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025011810
Numéro de publication 2025/205811
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-25
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Mizoguchi Kotaro

Abrégé

11'11nn-*

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
  • C07D 307/89 - Benzo [c] furannesBenzo [c] furannes hydrogénés avec deux atomes d'oxygène liés directement en positions 1 et 3
  • C07D 493/04 - Systèmes condensés en ortho
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • C08K 5/04 - Composés contenant de l'oxygène
  • C08L 79/08 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides
  • C08L 101/00 - Compositions contenant des composés macromoléculaires non spécifiés
  • C09K 3/00 - Substances non couvertes ailleurs

24.

UNDERLAYER FILM MATERIAL FOR SELF-ASSEMBLING MATERIAL

      
Numéro d'application JP2025011951
Numéro de publication 2025/205902
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-26
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Shigaki Shuhei
  • Wakayama Hiroyuki
  • Hirohara Tomotada

Abrégé

An underlayer film, which is a backed product of a coating film of an underlayer film-forming composition, wherein the underlayer film-forming composition contains a polysiloxane that is a hydrolytic condensate of a hydrolyzable silane, the hydrolyzable silane contains a compound represented by formula (1) and may contain a compound represented by formula (2), the mole fraction of the compound represented by formula (1) in the hydrolyzable silane is 45 mol% or more, and the total mole fraction of the compound represented by formula (1) and the compound represented by formula (2) in the hydrolyzable silane is 65 mol% or more (including the case in which the mole fraction of the compound represented by formula (2) in the hydrolyzable silane is 0 mol%). (In formula (1), Ar represents an aromatic hydrocarbon group which may have a substituent. n represents an integer of 1-3. When n is 1, Rarepresents a single bond or C1-C6 alkylene group. When n is 2 or 3, Rarepresents an (n +1)-valent saturated C1-C6 hydrocarbon group. Each X independently represents a hydrolyzable group. When n is 2 or 3, a plurality of Ar's may be the same or different.) (In formula (2), Rb represents a non-aromatic C1-C6 hydrocarbon group. Each X independently represents a hydrolyzable group.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/40 - Traitement après le dépouillement selon l'image, p. ex. émaillage
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

25.

ADHESIVE COMPOSITION, LAMINATE, AND METHOD FOR PRODUCING PROCESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2025012013
Numéro de publication 2025/205932
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-26
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Usui Yuki
  • Okuno Takahisa
  • Kishioka Takahiro

Abrégé

With respect to a laminate having a first substrate that is a semiconductor substrate or an electronic device layer, a second substrate that is an infrared laser-transmissive support substrate, and an adhesive layer provided between the first substrate and the second substrate, this adhesive composition serves to form the adhesive layer used to separate the first substrate and the second substrate after processing of the first substrate and then irradiation of the adhesive layer with the infrared laser from the second substrate side. The adhesive composition contains a siloxane bond-bearing adhesive component, a release agent component, and an infrared absorber.

Classes IPC  ?

  • C09J 201/00 - Adhésifs à base de composés macromoléculaires non spécifiés
  • C09J 11/02 - Additifs non macromoléculaires
  • C09J 11/08 - Additifs macromoléculaires
  • C09J 183/05 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C09J 183/07 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe

26.

LAMINATE AND METHOD FOR FABRICATING PROCESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2025012057
Numéro de publication 2025/205963
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-26
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Usui Yuki
  • Okuno Takahisa
  • Kishioka Takahiro

Abrégé

The present invention provides a laminate comprising: a first base body, which is a semiconductor substrate or an electronic device layer; a second base body, which is a support substrate that allows infrared laser light to be transmitted therethrough; and an infrared-transmissive adhesive layer and an infrared-absorbing layer provided between the first and second base bodies.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
  • B32B 7/12 - Liaison entre couches utilisant des adhésifs interposés ou des matériaux interposés ayant des propriétés adhésives
  • C09J 201/00 - Adhésifs à base de composés macromoléculaires non spécifiés
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

27.

METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025012164
Numéro de publication 2025/206020
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-26
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Furukawa Yuki
  • Shibayama Wataru

Abrégé

Provided is method for manufacturing a laminate, the method including: a first step for coating, onto a semiconductor substrate, a surface modifier containing polysiloxane and a solvent, and then firing the coated semiconductor substrate to crosslink the polysiloxane and thereby obtain a surface-modified layer precursor; and a second step for bringing the surface-modified layer precursor into contact with a thinning solution to thin the surface-modified layer precursor and thereby obtain a surface-modified layer having a film thickness of 5 nm or less. The polysiloxane comprises an aromatic hydrocarbon ring and an RO- group (R representing an alkyl group having 1-6 carbon atoms or an alkoxyalkyl group having a total of 2-6 carbon atoms) bonded to the aromatic hydrocarbon ring. The laminate comprises the surface-modified layer and the semiconductor substrate, and is used in lithography in which a resist that contains an organic resin is used and an unexposed portion of a resist film is subjected to organic solvent development.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/09 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires
  • G03F 7/26 - Traitement des matériaux photosensiblesAppareillages à cet effet
  • H01L 21/312 - Couches organiques, p. ex. couche photosensible

28.

NOVEL MICROORGANISM AND USE THEREOF

      
Numéro d'application JP2025012685
Numéro de publication 2025/206272
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-28
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire
  • NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
  • NIHON HIRYO CO., LTD. (Japon)
Inventeur(s)
  • Otani, Masato
  • Nishimura, Kenji
  • Sasatsuki, Hitoshi
  • Sakai, Kazunari
  • Nagashima, Takashi
  • Araki, Takatoshi
  • Okayama, Kaoru
  • Ogawa, Takayuki
  • Nishitani, Shiori

Abrégé

A microorganism according to the present disclosure is a microorganism (accession number: NITE BP-03832) belonging to Bacillus velezensis, a microorganism (accession number: NITE BP-04073) belonging to Bacillus velezensis, a microorganism (accession number: NITE BP-04126) belonging to Bacillus velezensis, or a variant of these having a plant disease prevention effect.

Classes IPC  ?

  • C12N 1/20 - BactériesLeurs milieux de culture
  • A01G 7/00 - Botanique en général
  • A01H 5/00 - Angiospermes, c.-à-d. plantes à fleurs, caractérisées par leurs parties végétalesAngiospermes caractérisées autrement que par leur taxonomie botanique
  • A01H 6/20 - Brassicaceae, p. ex. colza, brocoli ou roquette
  • A01H 6/34 - Cucurbitaceae, p. ex. melon amer, concombre ou pastèque
  • A01H 6/46 - Gramineae ou Poaceae, p. ex. ivraie, riz, blé ou maïs
  • A01H 6/54 - Leguminosae ou Fabaceae, p. ex. soja, luzerne ou arachide
  • A01H 6/82 - Solanaceae, p. ex. poivron, tabac, pomme de terre, tomate ou aubergine
  • A01N 63/22 - Bacillus
  • A01N 63/23 - B. thuringiensis
  • A01P 3/00 - Fongicides
  • A01P 7/02 - Acaricides
  • A01P 7/04 - Insecticides
  • C12N 15/01 - Préparation de mutants sans introduction de matériel génétique étrangerProcédés de criblage à cet effet

29.

GRAPHENE LINKER COMPOUND AND FIELD EFFECT TRANSISTOR BIOSENSOR

      
Numéro d'application JP2025012881
Numéro de publication 2025/206344
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-28
Date de publication 2025-10-02
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yuki Tatsuya
  • Okada Kazuo

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide: a linker agent which contains a specific solvent and a linker compound that enables surface modification of a two-dimensional material, and which has excellent storage stability; a novel linker compound; and a GFET biosensor which is provided with the linker compound. The present invention provides: a linker agent which is characterized by containing a compound of formula (1) (wherein Z, X, A, Y, and B are as described in the claims and the description) and at least one solvent that is selected from the group consisting of ethylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol methyl ether acetate, and ethylene glycol monobutyl ether, and which is also characterized by being a solution; a novel linker compound; and a GFET biosensor which is provided with the linker compound.

Classes IPC  ?

  • C07D 207/46 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à cinq chaînons, non condensés avec d'autres cycles, ne comportant qu'un atome d'azote comme unique hétéro-atome du cycle avec les hétéro-atomes liés directement à l'atome d'azote du cycle
  • C07D 249/18 - Benzotriazoles
  • C07D 253/08 - Composés hétérocycliques contenant des cycles à six chaînons comportant trois atomes d'azote comme uniques hétéro-atomes du cycle, non prévus par le groupe condensés avec des carbocycles ou avec des systèmes carbocycliques
  • G01N 27/414 - Transistors à effet de champ sensibles aux ions ou chimiques, c.-à-d. ISFETS ou CHEMFETS
  • G01N 33/551 - Support inorganique
  • H10K 10/46 - Transistors à effet de champ, p. ex. transistors organiques à couche mince [OTFT]
  • H10K 19/10 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comprenant au moins un élément organique spécialement adapté au redressement, à l'amplification, à l'oscillation ou à la commutation couvert par le groupe . comprenant des transistors à effet de champ

30.

CHARGE-TRANSPORTING COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2025008930
Numéro de publication 2025/197665
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-11
Date de publication 2025-09-25
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yamaguchi Shun
  • Kojima Keisuke
  • Shibano Yuki
  • Ashizawa Ryoichi

Abrégé

Provided is a charge-transporting composition suitable for forming a charge-transporting thin film of a photoelectric conversion element, and capable of significantly improving the photoelectric conversion efficiency and durability of the obtained element, in particular, when used as a hole collection layer of a perovskite-type solar cell. For example, provided is a charge-transporting composition for forming a charge-transporting thin film in an organic photoelectric conversion element, the charge-transporting composition comprising: a charge-transporting substance represented by formula H-1; an electron-accepting dopant substance; and an organic solvent.

Classes IPC  ?

  • H10K 30/50 - Dispositifs photovoltaïques [PV]
  • C07F 5/02 - Composés du bore
  • C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
  • H10K 30/40 - Dispositifs organiques sensibles au rayonnement infrarouge, à la lumière, au rayonnement électromagnétique de plus courte longueur d'onde ou au rayonnement corpusculaire comprenant une structure p-i-n, ayant p. ex. un absorbeur pérovskite entre des couches de transport de charge de type p et de type n
  • H10K 30/86 - Couches à haute mobilité des trous, p. ex. de transport des trous ou couches de blocage des électrons
  • H10K 85/50 - Pérovskites organiquesPérovskites hybrides organiques-inorganiques [HOIP], p. ex. CH3NH3PbI3
  • H10K 85/60 - Composés organiques à faible poids moléculaire

31.

COMPOSITION FOR FORMING PRIMER FILM, LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING LAMINATE, AND METHOD FOR PRODUCING PROCESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE OR ELECTRONIC DEVICE SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2025010327
Numéro de publication 2025/197877
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-18
Date de publication 2025-09-25
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Usui Yuki
  • Okuno Takahisa
  • Kishioka Takahiro

Abrégé

The present invention provides, for example, a laminate which comprises a support substrate, a semiconductor substrate or an electronic device substrate, and an adhesive layer that is provided between the semiconductor substrate or the electronic device substrate and the support substrate, and with which it is possible to control the separation interface when a semiconductor wafer is separated from the support substrate. This laminate comprises a support substrate, a semiconductor substrate or an electronic device substrate, and an adhesive layer that is provided between the semiconductor substrate or the electronic device substrate and the support substrate, wherein: a primer film is formed on a substrate surface of one of the semiconductor substrate, the electronic device substrate, and the support substrate; and the primer film is formed of a composition for forming a primer film for enhancing the adhesion between a substrate and an adhesive layer that is formed of an adhesive composition which contains an adhesive component that is cured by a hydrosilylation reaction, the composition for forming a primer film containing a component that contributes to the hydrosilylation reaction.

Classes IPC  ?

  • C09D 201/00 - Compositions de revêtement à base de composés macromoléculaires non spécifiés
  • B32B 7/06 - Liaison entre couches permettant une séparation sans difficultés
  • B32B 27/00 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique
  • C09D 5/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, caractérisées par leur nature physique ou par les effets produitsApprêts en pâte
  • C09J 5/00 - Procédés de collage en généralProcédés de collage non prévus ailleurs, p. ex. relatifs aux amorces
  • C09J 183/05 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • C09J 183/07 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe

32.

RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2025011033
Numéro de publication 2025/198016
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-21
Date de publication 2025-09-25
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Izumi Akihito
  • Tokunaga Hikaru

Abrégé

This resist underlayer film-forming composition contains a solvent and a resin (G) having multiple composite unit structures. The composite unit structures include: a unit structure (A) that has a naphthalene ring having one or two phenolic hydroxyl groups; and a unit structure (B) that has one or more carbon atoms. The resin (G) is obtained through a reaction for generating a covalent bond between a carbon atom forming the aromatic ring in the unit structure (A) and a carbon atom in the unit structure (B). A first composite unit structure includes, as the unit structure (B), a unit structure (B-I) having a naphthalene ring, and a second composite unit structure includes, as the unit structure (B), a unit structure (B-II) having an aliphatic hydrocarbon group.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08G 8/20 - Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des phénols d'aldéhydes de formaldéhyde, p. ex. de formaldéhyde formé in situ avec des phénols polyhydriques
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

33.

METHOD FOR MANUFACTURING MACHINED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2025011124
Numéro de publication 2025/198034
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-21
Date de publication 2025-09-25
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yagyu Masafumi
  • Okuno Takahisa

Abrégé

A method for manufacturing a machined semiconductor substrate (1) comprises: a step for preparing a laminate having a semiconductor substrate (1), a support substrate (4), an adhesive agent layer (2) provided between the semiconductor substrate (1) and the support substrate (4), and a release agent layer (3) provided between the semiconductor substrate (1) and the support substrate (4); a machining step for machining the semiconductor substrate (1) in the laminate; an irradiation step for, after the machining step, irradiating the release agent layer (3) with an ultraviolet laser; and a separation step for, after the irradiation step, separating the machined semiconductor substrate (1) and the support substrate (4). The adhesive agent layer (2) is formed from an adhesive composition which contains an adhesive component, and the area of irradiation in the irradiation step is smaller than the area of the adhesive agent layer (2).

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • B23K 26/57 - Travail par transmission du faisceau laser à travers ou dans la pièce à travailler le faisceau laser entrant dans une face de la pièce à travailler d’où il est transmis à travers le matériau de la pièce à travailler pour opérer sur une face différente de la pièce à travailler, p. ex. pour effectuer un enlèvement de matière, pour raccorder par fusion, pour modifier ou pour reformer le matériau
  • B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p. ex. des matériaux pour semi-conducteursAppareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p. ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif

34.

ADHESIVE COMPOSITION, LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING LAMINATE, AND METHOD FOR PRODUCING PROCESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE OR ELECTRONIC DEVICE SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2025010608
Numéro de publication 2025/197947
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-19
Date de publication 2025-09-25
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yagyu Masafumi
  • Okuno Takahisa
  • Yanai Masaki
  • Sakaguchi Kana

Abrégé

The present invention provides, for example, a laminate which has a support substrate, a semiconductor substrate or an electronic device substrate, and an adhesive layer that is disposed between the semiconductor substrate or the electronic device substrate and the support substrate, wherein when a semiconductor wafer is separated from the support substrate, the interface between the semiconductor wafer and the adhesive layer serves as the separation interface, thereby enabling the achievement of device separation.

Classes IPC  ?

  • C09J 183/05 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
  • B32B 7/12 - Liaison entre couches utilisant des adhésifs interposés ou des matériaux interposés ayant des propriétés adhésives
  • B32B 37/12 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p. ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par l'usage d'adhésifs
  • C09J 183/07 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
  • H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe

35.

NITROGEN ATOM-CONTAINING SUBSTRATE COATING AGENT COMPOSITION, RESIST UNDERLAYER FILM, LAYERED PRODUCT, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2025010940
Numéro de publication 2025/198003
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-21
Date de publication 2025-09-25
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishibashi Ken
  • Tokunaga Hikaru

Abrégé

Provided is a nitrogen atom-containing substrate coating agent composition that contains: a resin (G) having a conjugated unit structure; and a solvent. The conjugated unit structure has a unit structure (A) having an aromatic ring and a unit structure (B) having one or more carbon atoms. The resin (G) is obtained through a reaction that generates a covalent bond between a carbon atom that constitutes the aromatic ring in the unit structure (A) and a carbon atom in the unit structure (B). The unit structure (A) includes at least a unit structure (A-I) that contains a nitrogen atom. The nitrogen atom-containing substrate is a substrate comprising a compound having a bond between a nitrogen atom and a metal atom or a metalloid atom or a substrate having a nitrogen atom-containing film comprising a compound having a bond between a nitrogen atom and a metal atom or a metalloid atom. The resin (G) is not a resin synthesized only from indole and 1-naphthoaldehyde.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08G 12/08 - Amines aromatiques
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

36.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2025011014
Numéro de publication 2025/198013
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-21
Date de publication 2025-09-25
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Izumi Akihito
  • Tokunaga Hikaru

Abrégé

This composition for forming a resist underlayer film contains a solvent and a resin (G) that has a plurality of composite unit structures. The composite unit structures each have a unit structure (A) that has a naphthalene ring having one or two phenolic hydroxyl groups, and a unit structure (B) that has one or more carbon atoms. The resin (G) is obtained by a reaction for forming a covalent bond between a carbon atom that constitutes the naphthalene ring of the unit structure (A) and a carbon atom in the unit structure (B). The first composite unit structure includes, as the unit structure (B), a unit structure (B-I) that has a naphthalene ring, and the second composite unit structure includes, as the unit structure (B), a unit structure (B-II) that has a benzene ring.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08G 8/20 - Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des phénols d'aldéhydes de formaldéhyde, p. ex. de formaldéhyde formé in situ avec des phénols polyhydriques
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

37.

RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2025008407
Numéro de publication 2025/192444
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-07
Date de publication 2025-09-18
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Tokunaga Hikaru
  • Izumi Koji
  • Kosai Jun

Abrégé

This resist underlayer film-forming composition contains a solvent and a resin (G) having a plurality of composite unit structures. The composite unit structures each have a unit structure (A) having an aromatic ring and a unit structure (B) having one or more carbon atoms. The resin (G) is obtained through a reaction for generating a covalent bond between a carbon atom constituting the aromatic ring in the unit structure (A) and a carbon atom in the unit structure (B). A first composite unit structure includes a unit structure (A-I) including a naphthol as the unit structure (A), and a second composite unit structure includes a unit structure (A-II) including a nitrogen atom as the unit structure (A).

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08G 14/00 - Polymères de condensation d'aldéhydes ou de cétones et de plusieurs autres monomères couverts par au moins deux des groupes
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

38.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2025008451
Numéro de publication 2025/192457
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-07
Date de publication 2025-09-18
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Tokunaga Hikaru
  • Kosai Jun
  • Izumi Koji

Abrégé

Provided is a composition for forming a resist underlayer film, which contains a solvent and a resin (G) that has a plurality of composite unit structures, wherein: the composite unit structures each have a unit structure (A) that has an aromatic ring and a unit structure (B) that has one or more carbon atoms; the resin (G) is obtained by a reaction for forming a covalent bond between a carbon atom that constitutes the aromatic ring of the unit structure (A) and a carbon atom in the unit structure (B); a first composite unit structure includes, as the unit structure (B), a unit structure (B-I) that has an aromatic ring; and a second composite unit structure includes, as the unit structure (B), a unit structure (B-II) that has an aliphatic hydrocarbon group.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08G 8/00 - Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des phénols
  • C08G 12/00 - Polymères de condensation d'aldéhydes ou de cétones obtenus uniquement avec des composés contenant de l'hydrogène fixé sur de l'azote
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

39.

COMPOSITION FOR FORMING COATING FILM FOR FOREIGN SUBSTANCE REMOVAL AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2025008520
Numéro de publication 2025/192471
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-07
Date de publication 2025-09-18
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kamibayashi Satoshi
  • Moriya Shunsuke
  • Kishioka Takahiro

Abrégé

A composition for forming a coating film for foreign substance removal, said composition containing a water-soluble compound and a solvent, and being capable of forming a coating film that can be removed by water.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe

40.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM

      
Numéro d'application JP2025008752
Numéro de publication 2025/192513
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-10
Date de publication 2025-09-18
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Ogata Hiroto
  • Kato Yuki
  • Itaoka Kohei
  • Tamura Mamoru

Abrégé

A composition for forming a resist underlayer film, the composition containing: a resin (A) having a polymerizable multiple bond and a carboxy group; and a solvent (B).

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08F 20/32 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle contenant des radicaux époxyde
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

41.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2025009010
Numéro de publication 2025/192572
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-11
Date de publication 2025-09-18
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Endo Masahisa

Abrégé

The present invention comprises a composition for forming a resist underlayer film containing a resin (G) having a composite unit structure and a solvent, wherein: the composite unit structure has a unit structure (A) having an aromatic ring and a unit structure (B) having at least one carbon atom; the resin (G) is obtained via a reaction for generating a covalent bond between a carbon atom constituting the aromatic ring of the unit structure (A) and a carbon atom in the unit structure (B); and the unit structure (B) includes a unit structure (B-I) having at least a dioxin skeleton.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08G 8/04 - Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des phénols d'aldéhydes
  • C08G 10/02 - Polymères de condensation obtenus uniquement à partir d'aldéhydes ou de cétones avec des hydrocarbures aromatiques ou avec leurs dérivés halogénés d'aldéhydes
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

42.

SEMICONDUCTOR SUBSTRATE CLEANING METHOD, PRODUCTION METHOD FOR PROCESSED SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, AND CLEANING COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2025009772
Numéro de publication 2025/192719
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-14
Date de publication 2025-09-18
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yagyu Masafumi
  • Sakaguchi Kana

Abrégé

Provided are a semiconductor substrate cleaning method and the like that make it possible to use a cleaning composition to remove (clean) an adhesive residue from the surface of a semiconductor substrate that includes an electrode without damaging the electrode. A semiconductor substrate cleaning method according to the present invention includes a step for using a cleaning composition to clean a semiconductor substrate that includes an electrode. The value of the polarity parameter (δp) of the Hansen solubility parameters (HSP) of the cleaning composition is less than 9.9 MPa0.5.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe

43.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM

      
Numéro d'application JP2025007852
Numéro de publication 2025/187721
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-03-05
Date de publication 2025-09-11
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Shimizu Shou
  • Tamura Mamoru

Abrégé

This composition for forming a resist underlayer film comprises a resin (A) and a solvent (B). The resin (A) is a polymer containing a structural unit represented by formula (1) or a structural unit represented by formula (2). In formula (1), R1represents a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 3 carbon atoms, R2 represents a hydrogen atom, a methyl group or an ethyl group, and p is an average addition mole number and is 2 to 20. In formula (2), Q represents a divalent group having no sulfur atom, and q represents an average addition mole number and is 1-20.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08F 20/28 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle ne contenant pas de cycles aromatiques dans la partie alcool
  • C08G 65/28 - Éthers cycliques et composés hydroxylés
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

44.

LAMINATE AND PRODUCTION METHOD FOR PROCESSED COMPOUND-SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2025005547
Numéro de publication 2025/187415
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-19
Date de publication 2025-09-11
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Okuno Takahisa
  • Yagyu Masafumi
  • Kishioka Takahiro

Abrégé

A laminate comprising a compound-semiconductor substrate, a support substrate, and an adhesive layer provided between the compound-semiconductor substrate and the support substrate.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

45.

COMPOSITION FOR FORMING GLASS SURFACE PROTECTIVE FILM

      
Numéro d'application JP2025005504
Numéro de publication 2025/182689
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-19
Date de publication 2025-09-04
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Moriya Shunsuke
  • Kishioka Takahiro
  • Sakamoto Rikimaru

Abrégé

Provided is a composition for forming a glass surface protective film that contains a coloring agent having a maximum absorption wavelength in a range of 600-800 nm, and a solvent, and that is used for protecting a glass substrate.

Classes IPC  ?

  • C03C 17/32 - Traitement de surface du verre, p. ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement par des matières organiques avec des résines synthétiques ou naturelles

46.

METAL ELEMENT-DOPED METAL OXIDE DISPERSION LIQUID, METHOD FOR PRODUCING SAME, CHARGE-TRANSPORTING INK COMPOSITION, CHARGE-TRANSPORTING THIN FILM, AND ELECTRONIC ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025006394
Numéro de publication 2025/182919
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-25
Date de publication 2025-09-04
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kimata Masaki
  • Teratani Kohei

Abrégé

Provided are a metal element-doped metal oxide dispersion liquid and a method for producing the same, the metal element-doped metal oxide dispersion liquid being excellent in dispersibility of the metal element-doped metal oxide particles, and it being possible to satisfy characteristics (flatness, defect amount, PL intensity of quantum dots when laminated as an ETL on a quantum dot layer, charge transport properties, etc.) The metal element-doped metal oxide dispersion liquid includes metal element-doped metal oxide particles and a solvent as a dispersion medium, and has a metal cation content calculated from Li, Na, K, and Ca included in the solvent of 1 to 2700 ppm, the metal oxide particles being particles having zinc oxide as a main component, the metal element doped into the particles having zinc oxide as a main component including one or more elements selected from Al, Mg, Li, Ca, Ga, and In, and the doped metal element being included in a ratio of 2-20 mol% with respect to elemental zinc.

Classes IPC  ?

  • H10K 50/165 - Couches de transport d'électrons comprenant des dopants
  • C01G 9/00 - Composés du zinc
  • H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
  • H05B 33/22 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition des couches auxiliaires diélectriques ou réfléchissantes
  • H10K 50/115 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] comprenant des nanostructures inorganiques actives, p. ex. des points quantiques luminescents
  • H10K 59/10 - Affichages à OLED
  • H10K 71/13 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt liquide, p. ex. revêtement par centrifugation en utilisant des techniques d'impression, p. ex. l’impression par jet d'encre ou la sérigraphie
  • H10K 71/15 - Dépôt d'une matière active organique en utilisant un dépôt liquide, p. ex. revêtement par centrifugation caractérisé par le solvant utilisé

47.

METHOD FOR MANUFACTURING LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE

      
Numéro d'application JP2025002915
Numéro de publication 2025/182421
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-30
Date de publication 2025-09-04
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Hatanaka Tadashi

Abrégé

Provided is a method for manufacturing a light-emitting display device that is an electroluminescence (EL) device using quantum dot light-emitting diode technology or organic light-emitting diode technology, and with which it is possible to manufacture the light-emitting display device by a simple and more practical method. This is a method for manufacturing a light-emitting display device using photolithography patterning, wherein a resist layer used for forming a resist pattern is formed using a positive photosensitive resin composition containing a positive photosensitive component and a solvent. The method for manufacturing the light-emitting display device includes: (i) depositing a light-emitting-layer-forming material layer, and then laminating a resist layer on the light-emitting-layer-forming material layer; (ii) patterning the resist layer to form a resist pattern; (iii) etching the light-emitting-layer-forming material layer using the resist pattern as a mask to form a pattern of a light-emitting layer; and (iv) peeling the resist pattern from the light-emitting layer after exposing the resist pattern laminated on the upper side of the light-emitting layer.

Classes IPC  ?

  • G09F 9/00 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels
  • H05B 33/10 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des sources lumineuses électroluminescentes
  • H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
  • H10K 50/15 - Couches de transport de trous
  • H10K 50/115 - OLED ou diodes électroluminescentes polymères [PLED] caractérisées par les couches électroluminescentes [EL] comprenant des nanostructures inorganiques actives, p. ex. des points quantiques luminescents
  • H10K 59/35 - Dispositifs spécialement adaptés à l'émission de lumière multicolore comprenant des sous-pixels rouge-vert-bleu [RVB]
  • H10K 59/122 - Structures ou couches définissant le pixel, p. ex. bords
  • H10K 71/20 - Modification de la forme de la couche active dans les dispositifs, p. ex. mise en forme
  • H10K 71/40 - Traitement thermique, p. ex. recuit en présence d'une vapeur de solvant

48.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2025004511
Numéro de publication 2025/182556
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-12
Date de publication 2025-09-04
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Kosai Jun

Abrégé

This composition for forming a resist underlayer film comprises a resin (G) having a composite unit structure and a solvent, wherein: the composite unit structure has a unit structure (A) having an aromatic ring and a unit structure (B) having at least one carbon atom; the resin (G) is a resin obtained by a reaction for generating a covalent bond between a carbon atom constituting the aromatic ring of the unit structure (A) and a carbon atom in the unit structure (B); and the unit structure (A) includes a unit structure (A-I) including at least a nitrogen atom and an aliphatic hydrocarbon ring.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

49.

SEMICONDUCTOR ELEMENT-FORMING COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2025007230
Numéro de publication 2025/183182
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-28
Date de publication 2025-09-04
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kinoshita Kazuhiko
  • Nishita Tokio

Abrégé

Provided is a semiconductor element-forming composition that is for use in forming circuits or the like for a semiconductor device and that satisfactorily has all of good applicability, curability of film in a short period of time, and good storage stability. This semiconductor element-forming composition comprises: (A) a compound or a polymer having a reactive group indicated by a cyclic ether structure represented by formula (I); (B) a compound or a polymer having a reactive group that has reactivity to the reactive group in (A); (C) a basic curing agent; (D) an acidic additive; and (E) a solvent.  (In formula (I), * represents a binding site. n represents 1 or 2. When n equals 1, X represents an ether bond, an ester bond, or an amide bond, and, when n equals 2, X represents a nitrogen atom or an amide bond.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage

50.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM

      
Numéro d'application 18858587
Statut En instance
Date de dépôt 2023-04-21
Date de la première publication 2025-08-28
Propriétaire Nissan Chemical Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Maruyama, Daisuke
  • Endo, Takafumi
  • Kishioka, Takahiro

Abrégé

A composition for forming a resist underlayer film containing a polymer having a first repeating unit represented by Formula (1) and a second repeating unit other than the first repeating unit, and a solvent, in which an average particle size of the polymer in a polymer solution containing the polymer is 50 nm or less. In Formula (1), R1 represents a hydrogen atom, a methyl group, or a halogen atom, and R2 represents a trivalent hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms. Here, the lactone structure containing R2 is a 5-membered ring or a 6-membered ring. A composition for forming a resist underlayer film containing a polymer having a first repeating unit represented by Formula (1) and a second repeating unit other than the first repeating unit, and a solvent, in which an average particle size of the polymer in a polymer solution containing the polymer is 50 nm or less. In Formula (1), R1 represents a hydrogen atom, a methyl group, or a halogen atom, and R2 represents a trivalent hydrocarbon group having 3 to 6 carbon atoms. Here, the lactone structure containing R2 is a 5-membered ring or a 6-membered ring.

Classes IPC  ?

  • C08F 220/20 - Esters des alcools polyhydriques ou des phénols polyhydriques
  • C08K 5/3475 - Cycles à cinq chaînons condensés avec des carbocycles
  • C08K 5/42 - Acides sulfoniquesLeurs dérivés
  • G03F 7/09 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires

51.

LIQUID CRYSTAL ALIGNING AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025005092
Numéro de publication 2025/177974
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-17
Date de publication 2025-08-28
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Gunji Rie

Abrégé

Provided is a liquid crystal alignment film which is applied to a low-temperature baking step and maintains a high voltage retention rate in a severe environment even when the amount of irradiated light in an alignment process performed by an optical alignment method is small. In addition, provided is a liquid crystal alignment film that exhibits good in-plane contrast uniformity. This liquid crystal aligning agent contains at least one polymer (P) selected from the group consisting of: polyimide precursors each obtained by using a tetracarboxylic acid component including at least one selected from the group consisting of tetracarboxylic dianhydrides represented by formula (1) and derivatives thereof, and a diamine component including a diamine represented by formula (2-1) and a diamine represented by formula (2-2); and polyimides that are imides of the polyimide precursors. (In the formulae, the meaning of each symbol is as defined in the description.)

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
  • C08G 73/14 - Polyamide-imides

52.

LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025005098
Numéro de publication 2025/177978
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-17
Date de publication 2025-08-28
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Miyamoto Yasuhiro
  • Haruki Rena
  • Sato Natsuki
  • Hashimoto Jun

Abrégé

aabbb), with at least some of the terminals including a non-amino group, and the non-amino group being a functional group represented by formula (E). [Formula 1] (The definitions of the symbols are as described in the specification.) [Formula 2] (The definitions of the symbols are as described in the specification.) [Formula 3] (The definitions of the symbols are as described in the specification.) [Formula 4] [Formula 5] (The definitions of the symbols are as described in the specification.)

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
  • C08G 73/14 - Polyamide-imides

53.

ARYLTETRAHYDROPYRIDINE COMPOUND AND PEST CONTROL AGENT

      
Numéro d'application JP2025005894
Numéro de publication 2025/178102
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-20
Date de publication 2025-08-28
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Tsuji Keisuke
  • Tajima Yuki
  • Kobayashi Chisato
  • Nishimuro Sota
  • Mizoyama Yasunori

Abrégé

The present invention relates to an aryltetrahydropyridine compound or a salt thereof, the aryltetrahydropyridine compound being represented by formula (1). In formula (1), Q is Q-3 or the like, J is J-1 or the like, G is G-3 or the like, R2is a hydrogen atom or the like, R3 is a hydrogen atom or the like, X is an oxygen atom or the like, and Y is an oxygen atom or the like.

Classes IPC  ?

  • C07D 413/14 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes d'azote et d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant au moins trois hétérocycles
  • A01N 43/40 - Biocides, produits repoussant ou attirant les animaux nuisibles, ou régulateurs de croissance des végétaux, contenant des composés hétérocycliques comportant des cycles avec un atome d'azote comme unique hétéro-atome du cycle des cycles à six chaînons
  • A01N 43/54 - Diazines-1,3Diazines-1,3 hydrogénées
  • A01N 43/56 - Diazoles-1,2Diazoles-1,2 hydrogénées
  • A01N 43/58 - Diazines-1,2Diazines-1,2 hydrogénés
  • A01N 43/60 - Diazines-1,4Diazines-1,4 hydrogénées
  • A01N 43/72 - Biocides, produits repoussant ou attirant les animaux nuisibles, ou régulateurs de croissance des végétaux, contenant des composés hétérocycliques comportant des cycles avec des atomes d'azote et des atomes d'oxygène ou de soufre, comme hétéro-atomes du cycle
  • A01N 43/76 - Oxazoles-1,3Oxazoles-1,3 hydrogénés
  • A01N 43/78 - Thiazoles-1,3Thiazoles-1,3 hydrogénés
  • A01N 43/80 - Biocides, produits repoussant ou attirant les animaux nuisibles, ou régulateurs de croissance des végétaux, contenant des composés hétérocycliques comportant des cycles avec des atomes d'azote et des atomes d'oxygène ou de soufre, comme hétéro-atomes du cycle des cycles à cinq chaînons avec un atome d'azote et soit un atome d'oxygène, soit un atome de soufre, en positions 1,2
  • A01N 43/82 - Biocides, produits repoussant ou attirant les animaux nuisibles, ou régulateurs de croissance des végétaux, contenant des composés hétérocycliques comportant des cycles avec des atomes d'azote et des atomes d'oxygène ou de soufre, comme hétéro-atomes du cycle des cycles à cinq chaînons avec trois hétéro-atomes
  • A01N 43/84 - Biocides, produits repoussant ou attirant les animaux nuisibles, ou régulateurs de croissance des végétaux, contenant des composés hétérocycliques comportant des cycles avec des atomes d'azote et des atomes d'oxygène ou de soufre, comme hétéro-atomes du cycle des cycles à six chaînons avec un atome d'azote et soit un atome d'oxygène, soit un atome de soufre, en positions 1,4
  • A01N 43/90 - Biocides, produits repoussant ou attirant les animaux nuisibles, ou régulateurs de croissance des végétaux, contenant des composés hétérocycliques comportant plusieurs hétérocycles déterminants condensés entre eux ou avec un système carbocyclique commun
  • A01N 43/647 - TriazolesTriazoles hydrogénés
  • A01N 43/653 - Triazoles-1,2,4Triazoles-1,2,4 hydrogénés
  • A01N 43/824 - Oxa(thia)diazoles-1,3,4Oxa(thia)diazoles-1,3,4 hydrogénés
  • A01N 43/828 - Oxa(thia)diazoles-1,2,3Oxa(thia)diazoles-1,2,3 hydrogénés
  • A01N 43/832 - Oxa(thia)diazoles-1,2,5Oxa(thia)diazoles-1,2,5 hydrogénés
  • A01N 43/836 - Oxa(thia)diazoles-1,2,4Oxa(thia)diazoles-1,2,4 hydrogénés
  • A01P 5/00 - Nématicides
  • A01P 7/02 - Acaricides
  • A01P 7/04 - Insecticides
  • A61K 31/55 - Composés hétérocycliques ayant l'azote comme hétéro-atome d'un cycle, p. ex. guanéthidine ou rifamycines ayant des cycles à sept chaînons, p. ex. azélastine, pentylènetétrazole
  • A61K 31/439 - Composés hétérocycliques ayant l'azote comme hétéro-atome d'un cycle, p. ex. guanéthidine ou rifamycines ayant des cycles à six chaînons avec un azote comme seul hétéro-atome d'un cycle le cycle formant une partie d'un système cyclique ponté, p. ex. quinuclidine
  • A61K 31/444 - Pyridines non condenséesLeurs dérivés hydrogénés contenant d'autres systèmes hétérocycliques contenant un cycle à six chaînons avec l'azote comme hétéro-atome du cycle, p. ex. amrinone
  • A61K 31/454 - Pipéridines non condensées, p. ex. pipérocaïne contenant d'autres systèmes hétérocycliques contenant un cycle à cinq chaînons avec l'azote comme hétéro-atome du cycle, p. ex. pimozide, dompéridone
  • A61K 31/497 - Pyrazines non condensées contenant d'autres hétérocycles
  • A61K 31/501 - PyridazinesPyridazines hydrogénées non condensées et contenant d'autres hétérocycles
  • A61K 31/506 - PyrimidinesPyrimidines hydrogénées, p. ex. triméthoprime non condensées et contenant d'autres hétérocycles
  • A61K 31/541 - Thiazines non condensées contenant d'autres hétérocycles
  • A61K 31/553 - Composés hétérocycliques ayant l'azote comme hétéro-atome d'un cycle, p. ex. guanéthidine ou rifamycines ayant des cycles à sept chaînons, p. ex. azélastine, pentylènetétrazole ayant au moins un azote et au moins un oxygène comme hétéro-atomes d'un cycle, p. ex. loxapine, staurosporine
  • A61K 31/4439 - Pyridines non condenséesLeurs dérivés hydrogénés contenant d'autres systèmes hétérocycliques contenant un cycle à cinq chaînons avec l'azote comme hétéro-atome du cycle, p. ex. oméprazole
  • A61K 31/4525 - Pipéridines non condensées, p. ex. pipérocaïne contenant d'autres systèmes hétérocycliques contenant un cycle à cinq chaînons avec l'oxygène comme hétéro-atome du cycle
  • A61K 31/4535 - Pipéridines non condensées, p. ex. pipérocaïne contenant d'autres systèmes hétérocycliques contenant un hétérocycle avec le soufre comme hétéro-atome du cycle, p. ex. pizotifène
  • A61K 31/4545 - Pipéridines non condensées, p. ex. pipérocaïne contenant d'autres systèmes hétérocycliques contenant un cycle à six chaînons avec l'azote comme hétéro-atome du cycle, p. ex. pipampérone, anabasine
  • A61K 31/5377 - 1,4-Oxazines, p. ex. morpholine non condensées et contenant d'autres hétérocycles, p. ex. timolol
  • A61K 31/5386 - 1,4-Oxazines, p. ex. morpholine condensées en spiro ou formant une partie de systèmes cycliques pontés
  • A61P 33/10 - Anthelmintiques
  • A61P 33/14 - Antiparasites externes, p. ex. antiscabieux
  • C07D 401/04 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles comportant des atomes d'azote comme uniques hétéro-atomes du cycle, au moins un cycle étant un cycle à six chaînons avec un unique atome d'azote contenant deux hétérocycles liés par une liaison directe de chaînon cyclique à chaînon cyclique
  • C07D 401/14 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles comportant des atomes d'azote comme uniques hétéro-atomes du cycle, au moins un cycle étant un cycle à six chaînons avec un unique atome d'azote contenant au moins trois hétérocycles
  • C07D 405/04 - Composés hétérocycliques contenant à la fois un ou plusieurs hétérocycles comportant des atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle et un ou plusieurs hétérocycles comportant des atomes d'azote comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant deux hétérocycles liés par une liaison directe de chaînon cyclique à chaînon cyclique
  • C07D 405/14 - Composés hétérocycliques contenant à la fois un ou plusieurs hétérocycles comportant des atomes d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle et un ou plusieurs hétérocycles comportant des atomes d'azote comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant au moins trois hétérocycles
  • C07D 409/04 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant deux hétérocycles liés par une liaison directe de chaînon cyclique à chaînon cyclique
  • C07D 409/14 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes de soufre comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant au moins trois hétérocycles
  • C07D 413/04 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes d'azote et d'oxygène comme uniques hétéro-atomes du cycle contenant deux hétérocycles liés par une liaison directe de chaînon cyclique à chaînon cyclique
  • C07D 417/14 - Composés hétérocycliques contenant plusieurs hétérocycles, au moins un cycle comportant des atomes de soufre et d'azote comme uniques hétéro-atomes du cycle, non prévus par le groupe contenant au moins trois hétérocycles
  • C07D 453/02 - Composés hétérocycliques contenant des systèmes cycliques quinuclidine ou isoquinuclidine, p. ex. alcaloïdes de la quinine contenant des systèmes cycliques quinuclidine sans autre condensation
  • C07D 498/08 - Systèmes pontés

54.

RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION AND RESIST UNDERLAYER FILM

      
Numéro d'application JP2025004160
Numéro de publication 2025/173662
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-07
Date de publication 2025-08-21
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Ogata Hiroto
  • Kato Yuki
  • Itaoka Kohei
  • Tamura Mamoru

Abrégé

Provided are: a resist underlayer film-forming composition capable of improving sensitivity further than before, in an EB exposure method or an EUV exposure method; and a resist underlayer film. The present invention pertains to a resist underlayer film-forming composition for forming a resist underlayer film, the composition comprising a polysaccharide (A) having a hydroxy group and a solvent (B). Moreover, the present invention pertains to a resist underlayer film-forming composition, wherein the polysaccharide (A) is cyclodextrin.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08F 220/26 - Esters contenant de l'oxygène en plus de l'oxygène de la fonction carboxyle
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

55.

RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2025004944
Numéro de publication 2025/173766
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-14
Date de publication 2025-08-21
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Ogata Hiroto
  • Itaoka Kohei
  • Tamura Mamoru

Abrégé

This resist underlayer film-forming composition is for use in electron beam lithography or EUV lithography, and contains a solvent and a polymer having a structural unit represented by formula (1). (In formula (1), each A independently represents a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group. Q represents a divalent group. X represents a hydrogen atom or a nitro group.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

56.

RESIN COMPOSITION FOR THERMOSETTING PHOTO-ALIGNMENT FILM

      
Numéro d'application JP2025005018
Numéro de publication 2025/173781
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-14
Date de publication 2025-08-21
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Suzuki, Tomoya
  • Moriuchi, Masato
  • Miyashita, Takumi
  • Yada, Kenzo
  • Suzuki, Kanako
  • Komuro, Takazumi

Abrégé

[Problem] To provide a composition capable of obtaining an alignment material having excellent alignment properties and heat resistance through firing at a low temperature in a short time without using a crosslinking agent containing an N-methylol group, an N-alkoxymethyl group, or the like. [Solution] This cured film-forming composition comprises (A) a compound represented by formula (a), (B) a polymer having an epoxy group, and (C) a thermal acid generator.

Classes IPC  ?

57.

RESIN COMPOSITION FOR THERMOSETTING OPTICAL ALIGNMENT FILM

      
Numéro d'application JP2025005020
Numéro de publication 2025/173783
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-14
Date de publication 2025-08-21
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Suzuki, Tomoya
  • Miyashita, Takumi
  • Yada, Kenzo
  • Moriuchi, Masato
  • Suzuki, Kanako

Abrégé

[Problem] To provide a composition capable of obtaining, through a brief low-temperature firing, an alignment material having excellent alignment properties and adhesiveness without using a crosslinking agent including an N-methylol group, an N-alkoxymethyl group, or the like. [Solution] A cured film-forming composition of the present invention contains (A) a compound represented by formula (a), (B) a polymer having an epoxy group, (C) a thermal acid generator, and (D) a compound having a nucleophilic group and a radically polymerizable group including a C=C double bond.

Classes IPC  ?

  • G02B 5/30 - Éléments polarisants
  • C08F 2/44 - Polymérisation en présence d'additifs, p. ex. plastifiants, matières colorantes, charges

58.

CLEANING AGENT COMPOSITION AND CLEANING METHOD

      
Numéro d'application 19198327
Statut En instance
Date de dépôt 2025-05-05
Date de la première publication 2025-08-21
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Okuno, Takahisa
  • Ogino, Hiroshi
  • Karasawa, Ryo
  • Shinjo, Tetsuya

Abrégé

A method for producing a cleaning agent composition for use in removal of, for example, a polysiloxane adhesive. The composition contains a quaternary ammonium salt, an etching rate enhancer formed of an amphoteric surfactant, and an organic solvent.

Classes IPC  ?

  • C11D 1/90 - Bétaïnes
  • C11D 1/62 - Composés d'ammonium quaternaire
  • C11D 3/24 - Composés organiques contenant un halogène
  • C11D 3/28 - Composés hétérocycliques contenant de l'azote dans le cycle
  • C11D 3/30 - AminesAmines substituées
  • C11D 3/43 - Solvants
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

59.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM

      
Numéro d'application JP2025004789
Numéro de publication 2025/173744
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-13
Date de publication 2025-08-21
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Igata Kosuke
  • Mizuochi Ryuta
  • Tamura Mamoru

Abrégé

Provided is, inter alia, a composition for forming a resist underlayer film, which is resistant to solvents and has excellent sensitivity in resist patterning. This composition for forming a resist underlayer film contains a polymer (A) and a solvent (B), the polymer (A) having a sulfonic acid group.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08G 59/02 - Polycondensats contenant plusieurs groupes époxyde par molécule
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

60.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2025002352
Numéro de publication 2025/169765
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-27
Date de publication 2025-08-14
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Tokunaga Hikaru
  • Kosai Jun
  • Izumi Koji

Abrégé

This composition for forming a resist underlayer film contains: a resin (G) having a composite unit structure; and a solvent. The composite unit structure has a unit structure (A) having an aromatic ring and a unit structure (B) having one or more carbon atoms. The resin (G) is a resin obtained by a reaction for generating a covalent bond between a carbon atom constituting the aromatic ring of the unit structure (A) and a carbon atom in the unit structure (B). The unit structure (A) includes a unit structure (A-I) containing at least a nitrogen atom and a carbon-carbon triple bond. The unit structure (B) includes a unit structure (B-I) having a non-aromatic hydrocarbon ring. The number of carbon atoms constituting the non-aromatic hydrocarbon ring of the unit structure (B-I) is 5-30.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/26 - Traitement des matériaux photosensiblesAppareillages à cet effet
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

61.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2025002357
Numéro de publication 2025/169767
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-27
Date de publication 2025-08-14
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Tokunaga Hikaru
  • Kosai Jun
  • Izumi Koji

Abrégé

A composition for forming a resist underlayer film, the composition comprising a solvent and a resin (G) having a complex unit structure, wherein: the complex unit structure includes a unit structure (A) having an aromatic ring and a unit structure (B) having one or more carbon atoms; the resin (G) is obtained by means of a reaction that generates a covalent bond between a carbon atom constituting the aromatic ring of the unit structure (A) and a carbon atom in the unit structure (B); the unit structure (A) includes a unit structure (A-I) comprising at least a nitrogen atom; the unit structure (B) includes a unit structure (B-I) having a non-aromatic hydrocarbon ring; the number of carbon atoms constituting the non-aromatic hydrocarbon ring of the unit structure (B-I) is 5 to 30; and the resin (G) is not a resin that is synthesized from only carbazole and dicyclopentadiene.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/26 - Traitement des matériaux photosensiblesAppareillages à cet effet
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

62.

RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION, RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST PATTERN-FORMING METHOD, AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

      
Numéro d'application JP2025002359
Numéro de publication 2025/169768
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-27
Date de publication 2025-08-14
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Tokunaga Hikaru
  • Kosai Jun
  • Izumi Koji

Abrégé

A resist underlayer film-forming composition comprising a solvent and a resin (G) having a complex unit structure, wherein the complex unit structure has a unit structure (A) having an aromatic ring and a unit structure (B) having at least one carbon atom, the resin (G) is obtained through a reaction for generating a covalent bond between a carbon atom forming the aromatic ring of the unit structure (A) and a carbon atom in the unit structure (B), the unit structure (A) includes a unit structure (A-I) including a carbon-carbon triple bond and an oxygen atom directly bound to the aromatic ring, the unit structure (B) includes a unit structure (B-I) having a nonaromatic hydrocarbon ring, and the number of carbon atoms forming the nonaromatic hydrocarbon ring of the unit structure (B-I) is 5-30.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C07D 209/82 - CarbazolesCarbazoles hydrogénés
  • C08G 61/02 - Composés macromoléculaires contenant uniquement des atomes de carbone dans la chaîne principale de la molécule, p. ex. polyxylylènes
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

63.

CURED FILM-FORMING COMPOSITION, ALIGNMENT MATERIAL, AND RETARDATION MATERIAL

      
Numéro d'application JP2025004010
Numéro de publication 2025/170007
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-06
Date de publication 2025-08-14
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nishimura, Naoya
  • Suzuki, Tomoya

Abrégé

[Problem] To provide a cured film-forming composition that uses a film such as an acrylic film as the base material, has excellent solvent resistance, is capable of aligning a polymerizable liquid crystal with high sensitivity, and forms a cured film used for forming an alignment material with little cissing by low-temperature firing at less than 100° C. [Solution] A cured film-forming composition containing (A) a low-molecular compound having a photo-aligning group and a thermally crosslinkable group, (B) a polymer containing a monomer selected from N-hydroxymethyl(meth)acrylamide and N-alkoxymethyl(meth)acrylamide compounds as a monomer component, (C) a polymer having a hydroxy group (excluding those included in the definition of component (B)), (D) inorganic fine particles, and (E) a crosslinking catalyst.

Classes IPC  ?

  • C08L 33/26 - Homopolymères ou copolymères de l'acrylamide ou de la méthacrylamide
  • C08K 3/013 - Charges, pigments ou agents de renforcement
  • G02B 1/14 - Revêtements protecteurs, p. ex. revêtements durs
  • G02B 5/30 - Éléments polarisants

64.

UNIQUE BLEACHING ACTION RYZONIC

      
Numéro d'application 1869490
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2025-06-27
Date d'enregistrement 2025-06-27
Propriétaire Nissan Chemical Corporation (Japon)
Classes de Nice  ?
  • 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture
  • 05 - Produits pharmaceutiques, vétérinaires et hygièniques

Produits et services

Chemicals; plant growth regulating preparations; agricultural chemicals, except fungicides, herbicides, insecticides and parasiticides; fertilizers. Herbicides; fungicides; insecticides; vermin destroying preparations.

65.

LIQUID CRYSTAL ALIGNING AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT

      
Numéro d'application 18867267
Statut En instance
Date de dépôt 2023-05-19
Date de la première publication 2025-08-14
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Iizuka, Yuta
  • Moriuchi, Masato

Abrégé

The present invention provides: a liquid crystal alignment film which has good liquid crystal alignment properties, while having excellent pretilt angle developability; a liquid crystal display element which is provided with this liquid crystal alignment film; and a liquid crystal aligning agent which enables the achievement of this liquid crystal alignment film. The present invention provides a liquid crystal aligning agent which contains: as a component (A), a compound that has a thermally crosslinkable group and a photo-alignment group represented by formula (pa-1), wherein the thermally crosslinkable group is capable of forming a covalent bond by being reacted with a carboxy group; and as a component (B), a polyamic acid and a solvent. (In formula (pa-1), A represents a phenylene group or the like; R1 represents —COO— or —OCO—; R2 represents a cyclohexane-1,4-diyl group; R3 represents a cyclohexane-1,4-diyl group; R4 represents a linear or branched alkyl group having 1 to 40 carbon atoms, and some or all of the hydrogen atoms in this alkyl group may be substituted by fluorine atoms; D represents an oxygen atom, a sulfur atom or —NRd-; a represents an integer of 0 to 3; and * denotes a bonding position.)

Classes IPC  ?

  • C09K 19/30 - Composés non stéroïdes formant des cristaux liquides contenant au moins deux cycles non condensés contenant des cycles non aromatiques saturés ou insaturés, p. ex. cycle cyclohexanique
  • C09K 19/06 - Composés non stéroïdes formant des cristaux liquides
  • C09K 19/34 - Composés non stéroïdes formant des cristaux liquides contenant au moins un hétérocycle

66.

METAL OXIDE PARTICLE HAVING CORE-SHELL STRUCTURE AND METHOD FOR PRODUCING SAME

      
Numéro d'application 18996776
Statut En instance
Date de dépôt 2024-04-17
Date de la première publication 2025-08-14
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Watanabe, Yuki
  • Yamaguchi, Masato

Abrégé

Core-shell type metal oxide particles each include: a core containing metal oxide particles that have an average primary particle diameter of 3-100 nm; and a shell containing metal oxide particles that have an average primary particle diameter of 1-7 nm and that cover the core surfaces. The average primary particle diameters have a relationship of (metal oxide particles of the cores)>(metal oxide particles of the shells). When component (a) is titanium oxide and component (b) is a metal oxide other than titanium oxide, the cores are formed of particles including component (a) or a combination of component (a) and component (b), and the shells are formed of particles including component (b). The mass ratio of (metal oxide other than titanium oxide)/(titanium oxide) is in the range of 0.05-1.0.

Classes IPC  ?

  • C01G 23/047 - Dioxyde de titane
  • B01J 13/00 - Chimie des colloïdes, p. ex. production de substances colloïdales ou de leurs solutions, non prévue ailleursFabrication de microcapsules ou de microbilles
  • C09D 7/62 - Adjuvants non macromoléculaires inorganiques modifiés par traitement avec d’autres composés

67.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2025002349
Numéro de publication 2025/169764
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-27
Date de publication 2025-08-14
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Tokunaga Hikaru
  • Kosai Jun
  • Izumi Koji

Abrégé

A composition for a forming resist underlayer film, said composition comprising a resin (G) that has a complex unit structure and a solvent, wherein: the complex unit structure has a unit structure (A) that has an aromatic ring and a unit structure (B) that has one or more carbon atoms; the resin (G) is obtained by a reaction that produces a covalent bond between a carbon atom of the aromatic ring of the unit structure (A) and a carbon atom of the unit structure (B); the unit structure (A) includes a unit structure (A-I) that includes a phenolic hydroxy group; the unit structure (B) includes a unit structure (B-I) that has a non-aromatic hydrocarbon ring; the number of carbon atoms constituting the non-aromatic hydrocarbon ring of the unit structure (B-I) is 5-30; and the resin (G) is not a resin that is synthesized from only 1-naphthol and dicyclopentadiene, a resin that is synthesized from only 1,5-naphthalenediol and dicyclopentadiene, or a resin that is synthesized from only phenol and dicyclopentadiene.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C07D 209/82 - CarbazolesCarbazoles hydrogénés
  • C08G 61/02 - Composés macromoléculaires contenant uniquement des atomes de carbone dans la chaîne principale de la molécule, p. ex. polyxylylènes
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

68.

LIQUID CRYSTAL ALIGNING AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT USING SAME

      
Numéro d'application JP2025003673
Numéro de publication 2025/169938
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-05
Date de publication 2025-08-14
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishikawa Kazunori
  • Yuki Tatsuya

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a liquid crystal display element in which AC image retention is not likely to occur even if firing is carried out at a low temperature when the liquid crystal alignment film is manufactured. The purpose of the present invention is further to provide: a liquid crystal alignment film used in the liquid crystal display element; and a liquid crystal aligning agent for manufacturing the liquid crystal alignment film. The liquid crystal aligning agent contains at least one polymer (P) selected from among polyimide precursors and polyimides obtained using a tetracarboxylic acid component that contains at least one selected from among tetracarboxylic acid dianhydrides represented by formula (1) and derivatives thereof, and a diamine component that contains a diamine represented by formula (2). (In the formula, the meaning of each symbol is as defined in the description.) (In the formula, the meaning of each symbol is as defined in the description.)

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides

69.

PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2025003827
Numéro de publication 2025/169970
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-05
Date de publication 2025-08-14
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Tsujimoto, Haruki
  • Nagasawa, Takehiro

Abrégé

[Problem] The present invention is to provide a photosensitive resin composition that makes it possible to form a cured film that can be used in a liquid crystal display element, an organic EL display element, an inorganic EL display element, or the like. The water and oil repellency of the surface of the cured film are to be maintained without loss through a development step, and a substrate is to be given high water and oil repellency such that an EL element formation ink achieves favorable spread without overflowing a bank to an adjacent pixel or causing cissing or unevenness. In other words, the present invention is to provide a photosensitive resin composition that makes it possible to form a cured film that has developer resistance, liquid repellency, and ink wettability. [Solution] A photosensitive resin composition according to the present invention contains components (A)–(D). (A) An alkali-soluble polymer. (B) A liquid-repellent polymer that includes a copolymer that comprises at least (B1) a monomer that includes a liquid-repellent group, (B2) a monomer that includes a trialkoxysilyl group, and (B3) a monomer of a cyclic compound. (C) A photosensitizer. (D) A solvent.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/075 - Composés contenant du silicium
  • G02B 5/20 - Filtres
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/023 - Quinonediazides macromoléculairesAdditifs macromoléculaires, p. ex. liants
  • G03F 7/033 - Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p. ex. composés éthyléniques avec des liants les liants étant des polymères obtenus par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone, p. ex. polymères vinyliques
  • G09F 9/30 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels
  • H05B 33/14 - Sources lumineuses avec des éléments radiants ayant essentiellement deux dimensions caractérisées par la composition chimique ou physique ou la disposition du matériau électroluminescent
  • H10K 59/122 - Structures ou couches définissant le pixel, p. ex. bords
  • H10K 85/10 - Polymères ou oligomères organiques

70.

CURED FILM-FORMING COMPOSITION, ALIGNMENT MATERIAL, AND RETARDATION MATERIAL

      
Numéro d'application JP2025004013
Numéro de publication 2025/170009
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-02-06
Date de publication 2025-08-14
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Nishimura, Naoya
  • Suzuki, Tomoya

Abrégé

[Problem] To provide a cured film-forming composition that involves the use of a film such as an acrylic film as a base material, has excellent solvent resistance, is capable of aligning a polymerizable liquid crystal with high sensitivity, and is for forming a cured film used to form an alignment material with little cissing by low-temperature firing at less than 100°C. [Solution] A cured film-forming composition containing (A) a low molecular compound having a photo-alignable group and a thermally crosslinkable group, (B) a crosslinking agent having an N-hydroxymethyl group or an N-alkoxymethyl group, (C) a polymer in which 60 mol% or more of the total repeating units include a hydroxyl group, (D) a polymer that has a repeating unit having a hydroxyl group and in which a repeating unit represented by formula (X) accounts for 45 mol% or more of the total repeating units, (E) inorganic fine particles surface-modified with a group having no (meth)acrylic groups, (F) a low molecular compound having both a (meth)acrylic group and a hydroxy group, and (G) a crosslinking catalyst. (In the formula, R1represents a hydrogen atom or a methyl group, and R2 represents a linear or branched alkyl group having 1-5 carbon atoms.)

Classes IPC  ?

  • C08L 33/14 - Homopolymères ou copolymères des esters d'esters contenant des atomes d'halogène, d'azote, de soufre ou d'oxygène en plus de l'oxygène du radical carboxyle
  • C08K 9/06 - Ingrédients traités par des substances organiques par des composés contenant du silicium
  • C08L 33/26 - Homopolymères ou copolymères de l'acrylamide ou de la méthacrylamide
  • G02B 1/14 - Revêtements protecteurs, p. ex. revêtements durs
  • G02B 5/30 - Éléments polarisants

71.

ORGANIC RESIN COMPOSITION FOR FORMING METAL OXIDE RESIST PATTERN

      
Numéro d'application JP2025002579
Numéro de publication 2025/164609
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-28
Date de publication 2025-08-07
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Takeda Satoshi
  • Mitsutake Yuki

Abrégé

The present invention relates to an organic film forming composition for use in forming an organic film which is to be formed between resist patterns formed from a metal-containing resist film and is to be removed subsequently. The organic film forming composition contains: an organic polymer having a glass transition temperature of 150°C or higher; and a solvent.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/40 - Traitement après le dépouillement selon l'image, p. ex. émaillage
  • C08K 5/00 - Emploi d'ingrédients organiques
  • C08L 101/00 - Compositions contenant des composés macromoléculaires non spécifiés
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/32 - Compositions liquides à cet effet, p. ex. développateurs

72.

RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2025002939
Numéro de publication 2025/164708
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-30
Date de publication 2025-08-07
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Mizuochi Ryuta
  • Tamura Mamoru

Abrégé

Provided are: a resist underlayer film-forming composition that can form a resist underlayer film capable of forming, with high sensitivity, a fine resist pattern; and a resist underlayer film, a laminate, a method for producing a semiconductor element, and a pattern formation method, in all of which the resist underlayer film-forming composition is used. This resist underlayer film-forming composition contains a solvent and a polymer (A) having, in a sidechain, an aromatic hydrocarbon ring and one or more polymerizable multiple bonds selected from the group consisting of a carbon-carbon double bond, a carbon-carbon triple bond, a carbon-nitrogen double bond, and a carbon-nitrogen triple bond.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08F 8/00 - Modification chimique par post-traitement
  • C08G 59/16 - Polycondensats modifiés par post-traitement chimique par des acides monocarboxyliques ou par leurs anhydrides, halogénures ou esters à bas poids moléculaire
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

73.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

      
Numéro d'application JP2025002120
Numéro de publication 2025/164510
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-23
Date de publication 2025-08-07
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Mitsutake Yuki

Abrégé

Provided is a composition for forming a resist underlayer film, the composition containing a solvent and a resin (G) having a composite unit structure, the composite unit structure having a unit structure (A) that has an aromatic ring and a unit structure (B) that has one or more carbon atoms, the resin (G) being obtained through a reaction for generating a covalent bond between a carbon atom constituting the aromatic ring of the unit structure (A) and a carbon atom in the unit structure (B), the unit structure (A) including a unit structure (A-I) that includes at least a biphenyl skeleton, and the unit structure (B) including a unit structure (B-I) that has a quaternary carbon atom bonded to a carbon atom constituting the aromatic ring of the unit structure (A).

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08G 8/28 - Polycondensats modifiés chimiquement
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

74.

LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT USING SAME

      
Numéro d'application JP2025002295
Numéro de publication 2025/164545
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-24
Date de publication 2025-08-07
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Ishikawa Kazunori
  • Miyake Kazutoshi
  • Morimoto Yoshimichi
  • Yuki Tatsuya

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a liquid crystal display element in which an AC afterimage does not readily occur. A further purpose of the present invention is to provide a liquid crystal alignment film used in the liquid crystal display element, and a liquid crystal alignment agent for manufacturing the liquid crystal alignment film. Provided is a liquid crystal alignment agent containing at least one type of polymer selected from a polyimide and a polyimide precursor having a structure represented by formula (1). (In the formula, Xaand Xceach independently represent a divalent organic group, Xbrepresents an organic group having 4-30 carbon atoms, Xd represents a monovalent organic group, and aX represents an integer of 2.)

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
  • C07C 211/45 - Monoamines
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides

75.

LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025002563
Numéro de publication 2025/164602
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-28
Date de publication 2025-08-07
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Sato Natsuki
  • Ren Sixiao

Abrégé

aa1a2a2) (the definition of each symbol is as described in the specification).

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement

76.

LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM, AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025002583
Numéro de publication 2025/164610
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-28
Date de publication 2025-08-07
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Zhao Liqian

Abrégé

aabb1b2UUU represents a divalent organic group having a urea bond) as the structural unit derived from a diamine.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement

77.

OXIDE COLLOIDAL PARTICLES, SOL THEREOF, AND METHOD FOR PRODUCING SAME

      
Numéro d'application JP2025002717
Numéro de publication 2025/164644
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-29
Date de publication 2025-08-07
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Takahashi Tetsuya

Abrégé

Provided are: oxide colloidal particles which contain rutile-type titanium oxide as a main component and in which the formation of anatase-type titanium oxide is effectively suppressed; a sol containing the oxide colloidal particles; and a method for producing the oxide colloidal particles. The problem is solved by oxide colloid particles (A) comprising Ti and Sn and having an average primary particle diameter of 5-300 nm and/or a primary particle diameter of 5-300 nm in terms of both D10 and D90 in the number-based cumulative particle size distribution, wherein the numerical value of (rutile-type tin dioxide content)/(rutile-type titanium oxide content) (mass ratio) calculated by the method below is 0.3-3.5% when expressed as a percentage: (rutile-type tin dioxide content)/(rutile-type titanium oxide content) (mass ratio) = ((intensity of rutile-type tin dioxide diffraction lines in a diffraction pattern obtained by powder X-ray diffraction in a 2θ range of 20.0°-80.0°)/9.63)/((intensity of rutile-type titanium oxide diffraction lines in the diffraction pattern obtained by powder X-ray diffraction in the 2θ range of 20.0°-80.0°)/ 3.27).

Classes IPC  ?

78.

LUNAHORIZON

      
Numéro d'application 1867547
Statut Enregistrée
Date de dépôt 2025-05-27
Date d'enregistrement 2025-05-27
Propriétaire Nissan Chemical Corporation (Japon)
Classes de Nice  ? 01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture

Produits et services

Chemicals; chemicals used in the manufacture of display screens and display monitors; chemicals for use in the manufacture of semi-conductors; plastics, unprocessed; unprocessed plastic materials in the form of powder, liquid, or paste; acrylic resins for electronic components; acrylic resin solutions for electronic components; acrylic resins for components of display screens and display monitors; acrylic resin solutions components of display screens and display monitors; acrylic resins for semi-conductor components; acrylic resin solutions for semi-conductor components; photosensitive resins; filtering materials of unprocessed plastics; unprocessed organic silicone resin; silicon; silicon for industrial use; silicon being a metal element; silicates; silica gel; water glass [soluble glass]; silicones; glue and adhesives for industrial purposes; adhesives for electronic components; chemical preparations for sealing semi-conductors; chemical preparations for sealing semi-conductors in liquid form; chemical coatings for ophthalmic lenses; scratch-resistant chemical coatings; chemical coatings for optical lenses; silicone resin coating agent; chemicals for the manufacture of paints; chemical preparations for scientific purposes, other than for medical or veterinary use; chemical reagents, other than for medical or veterinary purposes; solvents for varnishes; chemical preparations for use in photography.

79.

COMPOSITION FOR FORMING COATING FILM FOR FOREIGN SUBSTANCE REMOVAL, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2025000258
Numéro de publication 2025/154589
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-08
Date de publication 2025-07-24
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kamibayashi Satoshi
  • Moriya Shunsuke
  • Kishioka Takahiro

Abrégé

Provided is a composition for forming a coating film for foreign substance removal, the composition containing a polymer and a solvent, and making it possible to form a coating film that can be removed by a remover liquid, wherein the polymer contains a structural unit expressed by formula (1). [In formula (1), R1represents a hydrogen atom or a C1-3 alkyl group, R2represents a hydrogen atom or a C1-4 alkyl group, and R3represents an optionally substituted C1-10 alkyl group or an optionally substituted aromatic hydrocarbon group. R2and R3may form a ring together with a carbon atom and an oxygen atom between R2and R3, and the ring may contain a heteroatom other than the oxygen atom.]

Classes IPC  ?

  • H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe

80.

COATING FILM FORMATION COMPOSITION FOR FOREIGN SUBSTANCE REMOVAL, AND SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

      
Numéro d'application JP2025000273
Numéro de publication 2025/154594
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-08
Date de publication 2025-07-24
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kamibayashi Satoshi
  • Moriya Shunsuke
  • Kishioka Takahiro

Abrégé

Provided is a coating film formation composition for foreign substance removal, said composition being able to form a coating film which contains a polymer and a solvent and can be removed by a removal liquid. [In formula (A), R11represents a single bond or a divalent group having 1 to 4 carbon atoms, R12 represents a hydrogen atom, a hydroxy group or a methyl group, and * represents a bonding site.]

Classes IPC  ?

  • H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe

81.

LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT AGENT, LIQUID CRYSTAL ALIGNMENT FILM, AND LIQUID CRYSTAL LIGHT CONTROL ELEMENT

      
Numéro d'application JP2025001071
Numéro de publication 2025/154745
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-16
Date de publication 2025-07-24
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Himori Shogo
  • Yada Kenzo
  • Moriyama Shoji

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a liquid crystal light control element which has good liquid crystal alignment properties, specifically exhibits a pretilt angle of 2 to 20°, and is excellent in electrical characteristics (high voltage holding ratio). Provided is a liquid crystal light control element in which liquid crystal alignment properties or electrical characteristics do not deteriorate even in a harsh environment. Further provided are a liquid crystal alignment film used for the liquid crystal light control element and a liquid crystal alignment agent for manufacturing the liquid crystal alignment film. The liquid crystal alignment agent contains at least one polymer selected from a polyimide and a polyamide precursor obtained by reacting a diamine component including a diamine of formula [1a], a diamine of formula [2a] and a diamine of formula [3a] with a tetracarboxylic acid component.

Classes IPC  ?

  • G02F 1/1337 - Orientation des molécules des cristaux liquides induite par les caractéristiques de surface, p. ex. par des couches d'alignement
  • C08G 73/10 - PolyimidesPolyester-imidesPolyamide-imidesPolyamide-acides ou précurseurs similaires de polyimides

82.

METHOD FOR UNIFORMLY SEEDING CELLS

      
Numéro d'application JP2025001389
Numéro de publication 2025/154803
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-17
Date de publication 2025-07-24
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Arai, Ryo
  • Hatanaka, Daisuke
  • Minami, Masataka
  • Hayashi, Hisato
  • Mizutani, Manabu
  • Anno, Shiho

Abrégé

The present invention provides a method for uniformly seeding cells or tissue onto a cell attachment surface on the inner side of a container. The method comprises: (step 1) a step for uniformly dispersing cells or tissue in a plastic fluid; and (step 2) a step for causing cells or tissue to attach to the cell attachment surface on the inner side of the container.

Classes IPC  ?

  • C12N 5/071 - Cellules ou tissus de vertébrés, p. ex. cellules humaines ou tissus humains
  • C12M 3/00 - Appareillage pour la culture de tissus, de cellules humaines, animales ou végétales, ou de virus

83.

COMPOSITION FOR FORMING SILICON-CONTAINING UNDERLAYER FILM

      
Numéro d'application JP2025000597
Numéro de publication 2025/154662
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-10
Date de publication 2025-07-24
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Shibayama Wataru
  • Furukawa Yuki
  • Saijo Taiki

Abrégé

This composition for forming a silicon-containing underlayer film is used for forming a silicon-containing underlayer film on which a surface-modified layer having a film thickness of 5 nm or less is formed. Said composition contains an [A] component that is a polysiloxane including a Q unit in the amount of 30 mol% or more relative to all units, and a [B] component that is water, but said composition does not contain a [C] component that is a curing catalyst.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08G 77/04 - Polysiloxanes
  • C08L 83/06 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes contenant de l'oxygène
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

84.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM

      
Numéro d'application JP2025000593
Numéro de publication 2025/150548
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-10
Date de publication 2025-07-17
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Itaoka Kohei
  • Ogata Hiroto
  • Tamura Mamoru

Abrégé

A composition for forming a resist underlayer film contains: a polymer (A) containing a phenolic hydroxy group and a nitro group; and a solvent (B).

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage

85.

RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION

      
Numéro d'application 19171969
Statut En instance
Date de dépôt 2025-04-07
Date de la première publication 2025-07-17
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Tokunaga, Hikaru

Abrégé

[Problem] The purpose of the present invention is to provide a resist underlayer film-forming composition that can further improve properties of a resist underlayer film, such as curing properties, heat resistance, etching resistance, planarization properties and embedding properties. [Solution] Provided is a resist underlayer film-forming composition characterized by containing a solvent and a novolac resin containing a side chain having a structure represented by formula (D). In formula (D), Ar2 is an aromatic ring. Formula (D): —O—Ar2. The novolac resin contains a conjugated unit structure A-B represented by formula (AB). A unit structure A contains a phenol unit structure and/or an amine unit structure. [Problem] The purpose of the present invention is to provide a resist underlayer film-forming composition that can further improve properties of a resist underlayer film, such as curing properties, heat resistance, etching resistance, planarization properties and embedding properties. [Solution] Provided is a resist underlayer film-forming composition characterized by containing a solvent and a novolac resin containing a side chain having a structure represented by formula (D). In formula (D), Ar2 is an aromatic ring. Formula (D): —O—Ar2. The novolac resin contains a conjugated unit structure A-B represented by formula (AB). A unit structure A contains a phenol unit structure and/or an amine unit structure.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C09D 161/32 - Condensats amine-aldéhyde modifiés

86.

COMPOSITION FOR FORMING PROTECTIVE FILM ON EDGE OF WAFER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

      
Numéro d'application JP2025000459
Numéro de publication 2025/150530
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-09
Date de publication 2025-07-17
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubota Takafumi
  • Moriya Shunsuke
  • Kishioka Takahiro

Abrégé

The present invention provides: a protective film-forming composition capable of forming, using a simple coating method during the manufacture of a semiconductor device, a protective film having a satisfactory film state, good film curability, and high dry etching resistance on the edge of a substrate (wafer) for semiconductor manufacturing; a protective film formed from the protective film-forming composition; a wafer for semiconductor manufacturing, said wafer manufactured using the protective film; and methods for manufacturing the wafer for semiconductor manufacturing and a semiconductor device. This composition for forming a protective film on the edge of a wafer for semiconductor manufacturing contains: a polymer or a compound containing a polymerizable group and having a carbon content of 70% or more; and a solvent.

Classes IPC  ?

  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
  • C08G 59/08 - Polycondensats contenant plusieurs groupes époxyde par molécule de composés polyhydroxylés avec l'épihalohydrine ou ses précurseurs de polyphénols à partir de condensats de phénolaldéhyde
  • C08G 59/17 - Polycondensats modifiés par post-traitement chimique par des acides monocarboxyliques ou par leurs anhydrides, halogénures ou esters à bas poids moléculaire par l'acide acrylique ou méthacrylique
  • G03F 7/027 - Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p. ex. composés éthyléniques
  • H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

87.

COMPOSITION FOR FORMING PROTECTIVE FILM ON EDGE OF WAFER FOR SEMICONDUCTOR MANUFACTURING

      
Numéro d'application JP2025000587
Numéro de publication 2025/150547
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2025-01-10
Date de publication 2025-07-17
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kubota Takafumi
  • Kishioka Takahiro

Abrégé

The present invention provides: a protective film-forming composition capable of forming, using a simple coating method during the manufacture of a semiconductor device, an alkali-developable protective film having a satisfactory film state and good film curability on the edge of a substrate (wafer) for semiconductor manufacturing; a protective film formed from the protective film-forming composition; a wafer for semiconductor manufacturing, said wafer manufactured using the protective film; and methods for manufacturing the wafer for semiconductor manufacturing and a semiconductor device. This composition for forming a protective film on the edge of a wafer for semiconductor manufacturing contains: a polymer or a compound having a polymerizable group and an alkali-soluble group; and a solvent.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/027 - Composés photopolymérisables non macromoléculaires contenant des doubles liaisons carbone-carbone, p. ex. composés éthyléniques
  • C08F 212/14 - Monomères contenant un seul radical aliphatique non saturé contenant un cycle substitué par des hétéro-atomes ou des groupes contenant des hétéro-atomes
  • C08G 59/08 - Polycondensats contenant plusieurs groupes époxyde par molécule de composés polyhydroxylés avec l'épihalohydrine ou ses précurseurs de polyphénols à partir de condensats de phénolaldéhyde
  • C08G 59/17 - Polycondensats modifiés par post-traitement chimique par des acides monocarboxyliques ou par leurs anhydrides, halogénures ou esters à bas poids moléculaire par l'acide acrylique ou méthacrylique
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou
  • H01L 21/3065 - Gravure par plasmaGravure au moyen d'ions réactifs

88.

METHOD FOR EVALUATING DNA-ENCODED LIBRARY

      
Numéro d'application 18713086
Statut En instance
Date de dépôt 2022-11-24
Date de la première publication 2025-07-03
Propriétaire Nissan Chemical Corporation (Japon)
Inventeur(s)
  • Niwa, Masatoshi
  • Tokugawa, Munefumi
  • Hayashida, Jun

Abrégé

The invention provides a method of inducing a DNA-encoded library (DEL) comprising cleavable site(s) in the DNA strand to a cross linker-modified double-stranded DEL and evaluating the DEL. Both the merits of the hairpin-stranded DEL and the double-stranded DEL are achieved in the invention by introducing the cleavable site(s) such as deoxyuridine into the DNA strand. The invention further provides a technique for screening a compound in which both “simple DEL synthesis method” and “expansion and improvement of the DEL evaluation method” are achieved by easily inducing the compound into a cross linker-modified DEL.

Classes IPC  ?

  • C40B 30/04 - Procédés de criblage des bibliothèques en mesurant l'aptitude spécifique à se lier à une molécule cible, p. ex. liaison anticorps-antigène, liaison récepteur-ligand
  • C12Q 1/6876 - Produits d’acides nucléiques utilisés dans l’analyse d’acides nucléiques, p. ex. amorces ou sondes

89.

POLYMER FILM-FORMING COMPOSITION AND SELECTIVE POLYMER FILM-FORMING METHOD

      
Numéro d'application 18852946
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-29
Date de la première publication 2025-07-03
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Usui, Yuki
  • Kishioka, Takahiro

Abrégé

A substance which makes it possible to selectively mask according to the substrate surface material. A polymer film-forming composition for selectively forming a polymer film on a region (R-I) of a substrate which has the region (R-I), the surface of which includes a metal (I), and a region (R-II), the surface of which includes a material (II) which differs from the metal (I), the polymer film-forming composition including a radical generator (A) and a radical-equipped reactive compound (B); and a selective polymer film formation method for forming a film of the polymer film-forming composition on the surface of the substrate.

Classes IPC  ?

  • C09D 151/08 - Compositions de revêtement à base de polymères greffés dans lesquels le composant greffé est obtenu par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carboneCompositions de revêtement à base de dérivés de tels polymères greffés sur des composés macromoléculaires obtenus autrement que par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone
  • C08F 283/04 - Composés macromoléculaires obtenus par polymérisation de monomères sur des polymères prévus par la sous-classe sur des polycarbonamides, des polyesteramides ou des polyimides
  • C08G 73/12 - Précurseurs de polyimides non saturés
  • C09D 7/20 - Diluants ou solvants

90.

CATIONICALLY CURABLE COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2024044029
Numéro de publication 2025/142521
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-12
Date de publication 2025-07-03
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Komatsubara, Rema
  • Kashino, Tsubasa

Abrégé

[Problem] To provide a cationically curable composition in which light-irradiation portions cure and even non-light-irradiation portions cure in molds of complicated shapes and which is usable in optical-member applications and adhesive applications. [Solution] Provided is a cationically curable composition which comprises an epoxy compound (A) including a fluorene skeleton containing an optionally substituted naphthalenediyl group, a mono- or higher-functional epoxy compound (B), a photoacid generator (C), a thermoacid generator (D), and an acid amplifier (E). Even non-light-irradiated portions of the cationically curable composition cure in molds of complicated shapes.

Classes IPC  ?

  • C08G 59/22 - Composés diépoxydés
  • C09J 163/00 - Adhésifs à base de résines époxyAdhésifs à base de dérivés des résines époxy
  • G02B 6/02 - Fibres optiques avec revêtement
  • G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré

91.

METHOD FOR PRODUCING LAYERED BODY AND METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR ELEMENT

      
Numéro d'application JP2024045457
Numéro de publication 2025/142834
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-23
Date de publication 2025-07-03
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Saijo Taiki
  • Shibayama Wataru
  • Furukawa Yuki

Abrégé

Provided is a method for producing a layered body having a surface modification layer and a semiconductor substrate, the method comprising: a first step for obtaining a surface modification layer precursor by coating a semiconductor substrate with a surface modifier containing a polysiloxane (A) having organic groups having nitrogen atoms and a solvent (B), and then baking the semiconductor substrate with the surface modifier thereon; and a second step for obtaining a surface modification layer having a film thickness no greater than 5 nm by inducing contact between the surface modification layer precursor and a thinning solution (X) in order to thin the surface modification layer precursor.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C07F 7/18 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si ainsi qu'une ou plusieurs liaisons C—O—Si
  • G03F 7/004 - Matériaux photosensibles
  • G03F 7/09 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
  • G03F 7/38 - Traitement avant le dépouillement selon l'image, p. ex. préchauffage
  • H01L 21/027 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou

92.

PLASMA-TREATED RESIST UNDERLAYER FILM, COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM, METHOD FOR PRODUCING PLASMA-TREATED RESIST UNDERLAYER FILM, AND LAMINATE

      
Numéro d'application JP2024046166
Numéro de publication 2025/143126
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-26
Date de publication 2025-07-03
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Tokunaga Hikaru
  • Kosai Jun
  • Hattori Hayato
  • Matsubara Kotatsu
  • Iwasawa Masato

Abrégé

This plasma-treated resist underlayer film contains resin (I) containing a structural unit represented by formula (1). (In formula (1), C represents a structure having an aromatic ring, D represents a structure having one or more carbon atoms, and * represents a bond.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/26 - Traitement des matériaux photosensiblesAppareillages à cet effet
  • G03F 7/38 - Traitement avant le dépouillement selon l'image, p. ex. préchauffage

93.

ADHESIVE CONTAINING POLYETHER-MODIFIED SILOXANE

      
Numéro d'application 18849820
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-16
Date de la première publication 2025-07-03
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Yanai, Masaki
  • Okuno, Takahisa
  • Shinjo, Tetsuya

Abrégé

An adhesive for peelably bonding between a support and a circuit surface of a wafer to allow for processing of a back surface of the wafer, the adhesive including a component (A) that cures through a hydrosilylation reaction and a component (B) containing a polyether-modified siloxane.

Classes IPC  ?

  • C09J 183/04 - Polysiloxanes
  • C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
  • C08G 77/04 - Polysiloxanes
  • C08G 77/08 - Procédés de préparation caractérisés par les catalyseurs utilisés
  • C09J 5/00 - Procédés de collage en généralProcédés de collage non prévus ailleurs, p. ex. relatifs aux amorces

94.

POLYMER COMPOUND HAVING A SULFONIC ACID GROUP, CATALYST COMPOSITION COMPRISING THE COMPOUND, AND POLYMER ELECTROLYTE FUEL CELL

      
Numéro d'application 18852379
Statut En instance
Date de dépôt 2023-02-08
Date de la première publication 2025-07-03
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kemmizaki, Yuta
  • Nakazawa, Taichi

Abrégé

A catalyst composition comprising a polymer compound having a structure represented by the following general formula (I), a catalyst, and a catalyst support, and a polymer compound having a structure represented by the following general formula (I): A catalyst composition comprising a polymer compound having a structure represented by the following general formula (I), a catalyst, and a catalyst support, and a polymer compound having a structure represented by the following general formula (I): wherein n is 1 to 2, o is 1 to 3, and p is 0 to 3, wherein the relationship: o+p≤4 is satisfied, and each of B and C is independently a group having at least one member selected from the group consisting of an alkyl group, an alkyl group having an ether linkage, a cycloalkyl group, and an aromatic group, which is bonded to ring A through a single heteroatom, or a heterocycle having a heteroatom therein bonded to ring A, and the heterocycle and group of B and C optionally have a substituent, wherein B and C are the same or different, at least one of B and C has an aromatic ring, and at least one aromatic ring of B and C has at least one sulfonic acid group, and wherein carbons of ring A, except the carbons bonded to the principal chain and the carbons to which B and C are bonded, are optionally substituted by a halogen atom.

Classes IPC  ?

  • H01M 8/1023 - Matériaux d’électrolyte polymère caractérisés par la structure chimique de la chaîne principale du polymère conducteur ionique comprenant uniquement du carbone, p. ex. des polyarylènes, des polystyrènes ou des polybutadiène-styrènes
  • C08G 61/02 - Composés macromoléculaires contenant uniquement des atomes de carbone dans la chaîne principale de la molécule, p. ex. polyxylylènes
  • H01M 4/86 - Électrodes inertes ayant une activité catalytique, p. ex. pour piles à combustible
  • H01M 4/88 - Procédés de fabrication
  • H01M 4/92 - Métaux du groupe du platine
  • H01M 8/10 - Éléments à combustible avec électrolytes solides

95.

RESIST UNDERLAYER FILM FORMATION COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2024043424
Numéro de publication 2025/142433
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-09
Date de publication 2025-07-03
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s) Endo Masahisa

Abrégé

A resist underlayer film formation composition according to the present invention includes a solvent and a compound P that includes a fluorene skeleton and also includes a partial structure that has, on one aromatic hydrocarbon ring, a phenolic hydroxyl group and a total of two groups selected from a hydroxymethyl group and groups formed by substituting the hydrogen atom of the hydroxyl group of a hydroxymethyl group with a substituent.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • G03F 7/26 - Traitement des matériaux photosensiblesAppareillages à cet effet

96.

COMPOSITION FOR FORMING RESIST UNDERLAYER FILM

      
Numéro d'application JP2024045192
Numéro de publication 2025/142781
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-20
Date de publication 2025-07-03
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Tanaka Takumi
  • Nishita Tokio
  • Endo Yuki

Abrégé

This composition for forming a resist underlayer film contains: a polymer having a unit structure represented by formula (1); and a solvent. (In formula (1), A each independently represents a hydrogen atom, a methyl group, or an ethyl group, and Q1and Q2each independently represent a divalent group having an aromatic hydrocarbon ring. X1and X2 each independently represent a single bond or -C(=O)-.)

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08G 63/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison ester carboxylique dans la chaîne principale de la macromolécule
  • G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

97.

RESIST UNDERLAYER FILM-FORMING COMPOSITION

      
Numéro d'application JP2024046090
Numéro de publication 2025/143094
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-26
Date de publication 2025-07-03
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kato Yuki
  • Igata Kosuke

Abrégé

Provided is a resist underlayer film-forming composition that contains: a polymer (A) having a partial structure represented by formula (A); a polymer (B) having a polymerizable multiple bond; and a solvent (C). In formula (A), R11denotes an (n+2)-valent group having an aromatic hydrocarbon ring and/or an aliphatic hydrocarbon ring. R12denotes a hydrogen atom or an optionally substituted alkyl group having 1-13 carbon atoms. n is 1 or 2. If n is 2, the two R12 moieties may be the same as, or different from, each other. * denotes a bond.

Classes IPC  ?

  • G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
  • C08F 299/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des interréactions de polymères impliquant uniquement des réactions entre des liaisons non saturées carbone-carbone, en l'absence de monomères non macromoléculaires

98.

DOUBLE-STRANDED RNA CONTAINING CARBAMOYLETHYL MODIFICATION

      
Numéro d'application JP2024046495
Numéro de publication 2025/143262
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2024-12-27
Date de publication 2025-07-03
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Iriyama Yusuke
  • Nakao Moemi
  • Nishiguchi Yuna
  • Ishikawa Ryutaro

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a chemically modified siRNA having further enhanced metabolic stability while maintaining activity. The present invention provides a double-stranded RNA capable of inhibiting expression of a target RNA, wherein the double-stranded RNA contains a sense strand and an antisense strand, the antisense strand has 14-40 nucleotides and has sufficient complementarity with the target RNA to mediate RNA interference, the sense strand has 14-40 nucleotides and has complementarity with the antisense strand, and the double-stranded RNA contains at least one 2'-O-XCE nucleotide.

Classes IPC  ?

  • C12N 15/113 - Acides nucléiques non codants modulant l'expression des gènes, p. ex. oligonucléotides anti-sens
  • A61K 31/713 - Acides nucléiques ou oligonucléotides à structure en double-hélice
  • A61K 48/00 - Préparations médicinales contenant du matériel génétique qui est introduit dans des cellules du corps vivant pour traiter des maladies génétiquesThérapie génique
  • C07H 21/02 - Composés contenant au moins deux unités mononucléotide comportant chacune des groupes phosphate ou polyphosphate distincts liés aux radicaux saccharide des groupes nucléoside, p. ex. acides nucléiques avec le ribosyle comme radical saccharide

99.

UNIQUE BLEACHING ACTION RYZONIC

      
Numéro de série 79430018
Statut En instance
Date de dépôt 2025-06-27
Propriétaire Nissan Chemical Corporation (Japon)
Classes de Nice  ? 05 - Produits pharmaceutiques, vétérinaires et hygièniques

Produits et services

Herbicides; fungicides; insecticides; vermin destroying preparations

100.

CAVITY FORMING COMPOSITION

      
Numéro d'application 18848666
Statut En instance
Date de dépôt 2023-03-17
Date de la première publication 2025-06-26
Propriétaire NISSAN CHEMICAL CORPORATION (Japon)
Inventeur(s)
  • Kinoshita, Kazuhiko
  • Kubodera, Shun
  • Nishita, Tokio

Abrégé

A cavity forming composition for forming a cavity between conductive wiring patterns on a semiconductor substrate, the cavity forming composition containing: a solvent; and an addition polymer formed of two or more types of monomers having an ethylenically unsaturated bond, wherein the addition polymer has a repeating unit (R1) having a thermosetting moiety and a repeating unit (R2) having an easily thermally decomposable moiety, and a thermal decomposition temperature of the easily thermally decomposable moiety is higher than a thermally curing temperature of the thermosetting moiety.

Classes IPC  ?

  • C08F 220/14 - Esters méthyliques
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
  • H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
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