Abrégé

Disclosed herein are quantum dots, films and wafers containing quantum dots, methods of making the quantum dots and methods of using quantum dots. Particularly, nanoporous anodic aluminum oxide membranes containing quantum dots, methods of making and using them are disclosed. A Nanoporous Anodic Aluminum Oxide membrane coated with quantum dots, wherein the quantum dots are substantially evenly dispersed in transparent silica or a polymer, and methods of making and using such membranes are disclosed.

Classes IPC  ?

• C25D 11/02 - Anodisation
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/42 - Matériaux transparents
• H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
• H01L 51/56 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

Quantum dots that are cadmium-free and/or stoichiometncally tuned are disclosed, as are methods of making them. Inclusion of the quantum dots and others in a stabilizing polymer matrix is also disclosed. The polymers are chosen for their strong binding affinity to the outer layers of the quantum dots such that the bond dissociation energy between the polymer material and the quantum dot is greater than the energy required to reach the melt temperature of the cross-linked polymer.

Classes IPC  ?

• C09K 11/00 - Substances luminescentes, p. ex. électroluminescentes, chimiluminescentes
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire

Abrégé

Disclosed herein are methods and compositions of nanoparticles having one or more layers of organic coating. In some embodiments, a nanoparticle comprises a core/shell nanocrystal comprising a first coating layer comprising a plurality of organic molecules, and a second organic coating layer surrounding the first organic coating layer, wherein the second coating layer comprises a plurality of organic molecules. Further, the organic molecules of the second coating layer are intercalated between the organic molecules of the first coating layer.

Classes IPC  ?

• B05D 5/00 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces pour obtenir des effets, finis ou des structures de surface particuliers

Abrégé

Metal printed circuit boards, particularly aluminum based printed circuit boards are provided. Methods of making the metal printed circuit boards are also provided. Lighting systems, such as LED lighting systems, employing the disclosed metal printed circuit boards are also provided. Some embodiments include a method comprising screen printing on a mask; anodizing the aluminum with a rather thick layer (70um to 80um) of anodization to form a dielectric layer; patterning the anodized layer exposing the areas where traces and pads will later be located; zincating in preparation for electroless nickel (EN) deposition. The zincation step requires that the nitric acid etch is either eliminated or made less aggressive so that it does not remove significant amounts of the anodized dielectric layer. The zincate treatment itself removes some anodization (about 40um), which was the motivation for the excessively thick initial anodized layer; and EN plate deposition to desired thickness.

Classes IPC  ?

• H01L 23/62 - Protection contre l'excès de courant ou la surcharge, p. ex. fusibles, shunts
• F21V 7/20 - spécialement adaptée pour faciliter le refroidissement, p.ex. avec des ailettes

Abrégé

Light modules for converting the wavelength of light are described herein along with methods for using and making such modules and devices incorporating such modules.

Classes IPC  ?

• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

Fluorescent semiconductor nanocrystals and quantum dots having an inorganic coating on the outermost surface of the nanocrystal are described herein as well as methods for preparing and using such nanocrystals and quantum dots. Devices in which such nanocrystals and quantum dots are used are also described.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

Passivated semiconductor nanoparticles and methods for the fabrication and use of passivated semiconductor nanoparticles is provided herein.

Classes IPC  ?

• A61K 49/00 - Préparations pour examen in vivo
• B82Y 30/00 - Nanotechnologie pour matériaux ou science des surfaces, p. ex. nanocomposites
• G01N 33/53 - Tests immunologiquesTests faisant intervenir la formation de liaisons biospécifiquesMatériaux à cet effet
• H10D 62/862 - Corps semi-conducteurs, ou régions de ceux-ci, de dispositifs ayant des barrières de potentiel caractérisés par les matériaux étant des matériaux du groupe II-VI, p. ex. ZnO étant des matériaux du groupe II-VI comprenant trois éléments ou plus, p. ex. CdZnTe
• H10P 95/00 -

Abrégé

Passivated semiconductor nanoparticles and methods for the fabrication and use of passivated semiconductor nanoparticles is provided herein.

Classes IPC  ?

• H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
• B82B 1/00 - Nanostructures formées par manipulation d’atomes ou de molécules, ou d’ensembles limités d’atomes ou de molécules un à un comme des unités individuelles