A polarisation control device for a photonic integrated circuit, comprising a first polarisation converter and a second polarisation converter. The first polarisation converter has a first cross-sectional structure and supports a first mode and a second mode having different effective refractive indices to each other and having different orientations of polarisation to each other. The second polarisation converter has a second cross-sectional structure and supports a third mode and a fourth mode having different effective refractive indices to each other and having different orientations of polarisation to each other. A control element modifies the effective refractive indices in response to a signal.
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
G02F 1/015 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN ou PIN
A tunable laser comprising a first wafer, a second wafer, and an optical cavity. The first wafer is of a first semiconductor material. The first wafer supports an optical amplifier and an electro-optically tunable optical filter. The second wafer is of a second material different from the first semiconductor material. The second wafer supports a thermally tunable optical filter. The optical cavity comprises the optical amplifier, the electro-optically tunable optical filter, and the thermally tunable optical filter.
H01S 5/06 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
A method of manufacturing a semiconductor structure comprising: depositing a first layer in contact with a first surface area of a substrate; depositing a second layer in contact with a second surface area of the substrate, the second surface area substantially co-planar with and outwards of the first surface area; depositing a third layer in contact with the first layer and the second layer; removing a portion of the third layer to expose a portion of the first layer; and removing at least a portion of the first layer to create a cavity between the substrate, the second layer and the third layer.
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
A method comprising: providing an electrically-insulative wafer comprising a first surface, and a second surface for processing; and providing a layer on the first surface. The layer is non-metallic, electrically-conductive, and for electrostatically clamping to an electrostatic chuck.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/768 - Fixation d'interconnexions servant à conduire le courant entre des composants distincts à l'intérieur du dispositif
A structure for a photonic integrated circuit comprising a substrate, a semiconductor waveguide, and a metal layer. The semiconductor waveguide is on a first portion of the substrate, the first portion between a second portion of the substrate and a third portion of the substrate, a length of the semiconductor waveguide corresponding with a light propagation axis between a first end of the semiconductor waveguide and a second end of the semiconductor waveguide. The metal layer spans between the second portion and the third portion of the substrate and is configured to at least partially enclose the semiconductor waveguide between the metal layer and the first portion of the substrate substantially along the length of the semiconductor waveguide.
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
6.
SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR INHIBITING ELECTRICAL CROSS-TALK
A semiconductor structure for a photonic integrated circuit. The semiconductor structure comprises a waveguide and an active component of the photonic integrated circuit. An electrically resistive material is between the waveguide and the active component along a light propagation axis between the waveguide and the active component. The electrically resistive material has an electrical resistivity higher than the waveguide.
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
H01L 31/0232 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails Éléments ou dispositions optiques associés au dispositif
An optical coupler for a photonic integrated circuit, comprising: a grating between a first surface and a second surface; and a first region of a semiconductor layer. A component of the photonic integrated circuit different from the optical coupler comprises a second region of the semiconductor layer. The grating and a distance between the grating and the first surface are each configured such that light diffracted by the grating is reflected at the first surface towards the second surface, to interfere constructively with light diffracted by the grating towards the second surface.
An interferometer for a photonic integrated circuit, the interferometer comprising: a first waveguide, a second waveguide, and a layer on at least one of the first waveguide or the second waveguide. The first waveguide having a first effective refractive index and a first path length along an optical propagation axis of the first waveguide. The second waveguide having a second effective refractive index and a second path length along an optical propagation axis of the second waveguide. The interferometer is configured to reduce change in a difference between: the first path length multiplied by the first effective refractive index; and the second path length multiplied by the second effective refractive index. The change in the difference is caused by at least one of an expansion force or a contraction force from the layer.
G02F 1/21 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
A structure comprising a substrate, a waveguide, a layer, and a heating element. The waveguide has a first thermal conductivity, and a light propagation axis. The layer has a second thermal conductivity lower than the first thermal conductivity. The heating element is operable to heat the waveguide and modify a refractive index of the waveguide. A portion of the heating element, in a cross-sectional plane perpendicular to the light propagation axis, is located between the waveguide and the substrate, and is separated from the substrate by the layer.
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
10.
LIGHT POLARISATION CONVERTER AND METHOD OF MANUFACTURE
A light polarisation converter for a photonic integrated circuit, comprising a first layer. The first layer comprises a first surface and a second surface. The second surface is offset from the first surface along a first axis and a second axis. The first axis is perpendicular to the first surface. The second axis is parallel to the first surface. The light polarisation converter comprises a second layer and a waveguide. The waveguide is between, and in contact with, the first layer and the second layer. The waveguide comprises a first waveguide portion in contact with the first surface, and a second waveguide portion in contact with the second surface. The second waveguide portion is offset from the first waveguide portion. The first waveguide portion has a first thickness different to a second thickness of the first waveguide portion. The first thickness and the second thickness are perpendicular the first surface.
G02B 6/126 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré utilisant des effets de polarisation
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
A linear tunable laser comprising: a first tunable resonator, a second tunable resonator, an interferometer, an optical amplifier, and a power splitter. The first tunable resonator comprises a waveguide. The interferometer comprises a plurality of waveguides. At least one of the waveguides of the interferometer is optically connected to the first tunable resonator. The optical amplifier is optically connected to the interferometer. The second tunable resonator comprises a waveguide optically that is connected to the optical amplifier. The power splitter is for outputting light from the linear tunable laser.
H01S 3/107 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation par commande de dispositifs placés dans la cavité utilisant des dispositifs électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou Kerr
H01S 3/063 - Lasers à guide d'ondes, p. ex. amplificateurs laser
A polarisation converter for a photonic integrated circuit. The polarisation converter comprises a first semiconductor layer, a second semiconductor layer and a third semiconductor layer. The second semiconductor layer comprises, when viewed in a cross-sectional plane perpendicular a light propagation axis, a first portion thicker than a second portion. The second semiconductor layer is between, and in contact with, the first semiconductor layer and the third semiconductor layer.
G02B 6/126 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré utilisant des effets de polarisation
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK (NWO) (Pays‑Bas)
TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN (Pays‑Bas)
Inventeur(s)
Meighan, Arezou
Abrégé
An electro-optical modulator for a photonic integrated circuit. The electro-optical modulator comprising: a substrate; a first waveguide on a first portion of the substrate; a first electrode; a second waveguide on a second portion of the substrate; and a second electrode. A first electrical impedance value between the first electrode and the second electrode is different from a second electrical impedance value between the first electrode and the second electrode. The first electrical impedance value along a first axis perpendicular a light propagation axis of the first waveguide. The second electrical impedance value along a second axis perpendicular the light propagation axis of the first waveguide. The first axis spaced from the second axis along the light propagation axis of the first waveguide.
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
A spot-size converter for a photonic integrated circuit, comprising a substrate, and a waveguide. The waveguide comprises a first waveguide portion and a second waveguide portion. The first waveguide portion is on a first portion of the substrate. The second waveguide portion is on a second portion of the substrate. A size of the first waveguide portion in a first direction perpendicular to a light propagation direction of the waveguide is less than a size of the second waveguide portion in the first direction.
A photonic integrated circuit comprising: a plurality of conductive contacts connected to one another by a conductive layer; a waveguide comprising a first part of a waveguide layer, and at least one conductive contact of the plurality of conductive contacts; an optical element comprising a second part of the waveguide layer, and a contact layer for connection to a voltage source; and an isolator between the contact layer and the at least one conductive contact. Corresponding methods of operation of such a photonic integrated circuit are also presented herein.
G02F 1/025 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN ou PIN dans une structure de guide d'ondes optique
A61N 2/02 - Magnétothérapie utilisant des champs magnétiques produits par des bobines, y compris par des boucles à spire unique ou par des électro-aimants
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
A61B 5/055 - Détection, mesure ou enregistrement pour établir un diagnostic au moyen de courants électriques ou de champs magnétiquesMesure utilisant des micro-ondes ou des ondes radio faisant intervenir la résonance magnétique nucléaire [RMN] ou électronique [RME], p. ex. formation d'images par résonance magnétique
A61B 6/50 - Appareils ou dispositifs pour le diagnostic par radiationsAppareils ou dispositifs pour le diagnostic par radiations combinés avec un équipement de thérapie par radiations spécialement adaptés à des parties du corps spécifiquesAppareils ou dispositifs pour le diagnostic par radiationsAppareils ou dispositifs pour le diagnostic par radiations combinés avec un équipement de thérapie par radiations spécialement adaptés à des applications cliniques spécifiques
A61K 45/06 - Mélanges d'ingrédients actifs sans caractérisation chimique, p. ex. composés antiphlogistiques et pour le cœur
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK (NWO) (Pays‑Bas)
TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN (Pays‑Bas)
Inventeur(s)
Meighan, Arezou
Abrégé
An electro-optical modulator for a photonic integrated circuit, comprising: a substrate; a first waveguide on a first portion of the substrate; a second waveguide on a second portion of the substrate; a first electrode in contact with the first waveguide, the first waveguide between the first electrode and the first portion of the substrate; and a second electrode in contact with the second waveguide, the second waveguide between the second electrode and the second portion of the substrate.
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
A semiconductor structure for a photonic integrated circuit, comprising a substrate, and a waveguide. The substrate comprises a planar surface. The waveguide comprises a first waveguide portion and a second waveguide portion. The first waveguide portion tapered for a first spot size conversion of light, and in contact with a first portion of the planar surface. The second waveguide portion in contact with a second portion of the planar surface next to the first portion of the planar surface. A size of the first waveguide portion in a first direction perpendicular to a light propagation direction is less than a size of the second waveguide portion in the first direction for a second spot size conversion of the light.
A light polarisation converter for a photonic integrated circuit, comprising: a substrate and a waveguide. The substrate comprises a first surface and a second surface. The waveguide comprises a first waveguide portion in contact with the first surface, and a second waveguide portion in contact with the second surface. The second surface is offset from the first surface along a first axis and a second axis. Each axis is perpendicular to a light propagation direction for converting polarisation of the light. The second waveguide portion is offset from the first waveguide portion.
G02B 6/126 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré utilisant des effets de polarisation
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
A polarisation control device for a photonic integrated circuit, comprising a first polarisation converter and a second polarisation converter. The first polarisation converter has a first cross-sectional structure and supports a first mode and a second mode having different effective refractive indices to each other and having different orientations of polarisation to each other. The second polarisation converter has a second cross-sectional structure and supports a third mode and a fourth mode having different effective refractive indices to each other and having different orientations of polarisation to each other. A control element modifies the effective refractive indices in response to a signal.
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/126 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré utilisant des effets de polarisation
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
A method comprising: providing an electrically-insulative wafer comprising a first surface, and a second surface for processing; and providing a layer on the first surface. The layer is non-metallic, electrically-conductive, and for electrostatically clamping to an electrostatic chuck.
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
A tunable laser comprising a first wafer, a second wafer, and an optical cavity. The first wafer is of a first semiconductor material. The first wafer supports an optical amplifier and an electro-optically tunable optical filter. The second wafer is of a second material different from the first semiconductor material. The second wafer supports a thermally tunable optical filter. The optical cavity comprises the optical amplifier, the electro-optically tunable optical filter, and the thermally tunable optical filter.
H01S 3/106 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation par commande de dispositifs placés dans la cavité
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
H01S 3/107 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation par commande de dispositifs placés dans la cavité utilisant des dispositifs électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou Kerr
H01S 5/06 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif
22.
SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURE
A semiconductor structure for a photonic integrated circuit, comprising: a substrate; a waveguide on the substrate; a passive region comprising a first cladding layer in contact with a first portion of the waveguide; and an active region comprising a second cladding layer different to the first cladding layer, the second cladding layer in contact with a second portion of the waveguide and the first cladding layer. There is a photonic integrated circuit comprising the semiconductor structure. There is a method of manufacturing a semiconductor structure for a photonic integrated circuit.
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
A waveguide structure comprising: a substrate; a waveguide layer on the substrate; a cladding layer in contact with a first side of the waveguide layer, the waveguide layer between the cladding layer and the substrate; and a first waveguide modifier layer comprising a first material for modifying a waveguide function of the waveguide layer, the first waveguide modifier layer in contact with the cladding layer and having a width along a first axis less than a width, parallel to the first axis, of the cladding layer, the first axis perpendicular to a second axis corresponding with a light propagation direction within the waveguide layer. There is a method of manufacturing a waveguide structure.
G02B 6/126 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré utilisant des effets de polarisation
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
An optical coupler for a photonic integrated circuit, comprising: a grating between a first surface and a second surface; and a first region of a semiconductor layer. A component of the photonic integrated circuit different from the optical coupler comprises a second region of the semiconductor layer. The grating and a distance between the grating and the first surface are each configured such that light diffracted by the grating is reflected at the first surface towards the second surface, to interfere constructively with light diffracted by the grating towards the second surface.
G02B 6/13 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication
G02B 6/34 - Moyens de couplage optique utilisant des prismes ou des réseaux
G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
25.
SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR INHIBITING ELECTRICAL CROSS-TALK
A semiconductor structure for a photonic integrated circuit. The semiconductor structure comprises a waveguide and an active component of the photonic integrated circuit. An electrically resistive material is between the waveguide and the active component along a light propagation axis between the waveguide and the active component. The electrically resistive material has an electrical resistivity higher than the waveguide.
An interferometer (100) for a photonic integrated circuit, the interferometer comprising: a first waveguide (104), a second waveguide (108), and a layer (106) on at least one of the first waveguide (104) or the second waveguide (108). The first waveguide (104) having a first effective refractive index and a first path length along an optical propagation axis of the first waveguide (104). The second waveguide (108) having a second effective refractive index and a second path length along an optical propagation axis of the second waveguide (108). The interferometer (100) is configured to reduce change in a difference between: the first path length multiplied by the first effective refractive index; and the second path length multiplied by the second effective refractive index. The change in the difference is caused by at least one of an expansion force or a contraction force from the layer (106).
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/293 - Moyens de couplage optique ayant des bus de données, c.-à-d. plusieurs guides d'ondes interconnectés et assurant un système bidirectionnel par nature en mélangeant et divisant les signaux avec des moyens de sélection de la longueur d'onde
A polarisation converter for a photonic integrated circuit. The polarisation converter comprises a first semiconductor layer, a second semiconductor layer and a third semiconductor layer. The second semiconductor layer comprises, when viewed in a cross-sectional plane perpendicular a light propagation axis, a first portion thicker than a second portion. The second semiconductor layer is between, and in contact with, the first semiconductor layer and the third semiconductor layer.
G02B 6/10 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02B 6/126 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré utilisant des effets de polarisation
G02B 6/13 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
G02B 6/27 - Moyens de couplage optique avec des moyens de sélection et de réglage de la polarisation
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
G02F 1/017 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p. ex. superréseaux, puits quantiques
A linear tunable laser comprising: a first tunable resonator, a second tunable resonator, an interferometer, an optical amplifier, and a power splitter. The first tunable resonator comprises a waveguide. The interferometer comprises a plurality of waveguides. At least one of the waveguides of the interferometer is optically connected to the first tunable resonator. The optical amplifier is optically connected to the interferometer. The second tunable resonator comprises a waveguide optically that is connected to the optical amplifier. The power splitter is for outputting light from the linear tunable laser.
H01S 3/106 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation par commande de dispositifs placés dans la cavité
H01S 3/107 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation par commande de dispositifs placés dans la cavité utilisant des dispositifs électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou Kerr
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
G02B 6/293 - Moyens de couplage optique ayant des bus de données, c.-à-d. plusieurs guides d'ondes interconnectés et assurant un système bidirectionnel par nature en mélangeant et divisant les signaux avec des moyens de sélection de la longueur d'onde
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
H01S 3/08 - Structure ou forme des résonateurs optiques ou de leurs composants
H01S 3/105 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation par commande de la position relative ou des propriétés réfléchissantes des réflecteurs de la cavité
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK (NWO) (Pays‑Bas)
TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN (Pays‑Bas)
Inventeur(s)
Meighan, Arezou
Abrégé
An electro-optical modulator for a photonic integrated circuit. The electro-optical modulator comprising: a substrate; a first waveguide on a first portion of the substrate; a first electrode; a second waveguide on a second portion of the substrate; and a second electrode. A first electrical impedance value between the first electrode and the second electrode is different from a second electrical impedance value between the first electrode and the second electrode. The first electrical impedance value along a first axis perpendicular a light propagation axis of the first waveguide. The second electrical impedance value along a second axis perpendicular the light propagation axis of the first waveguide. The first axis spaced from the second axis along the light propagation axis of the first waveguide.
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
G02F 1/03 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
NEDERLANDSE ORGANISATIE VOOR WETENSCHAPPELIJK ONDERZOEK (NWO) (Pays‑Bas)
TECHNISCHE UNIVERSITEIT EINDHOVEN (Pays‑Bas)
Inventeur(s)
Meighan, Arezou
Abrégé
An electro-optical modulator for a photonic integrated circuit, comprising: a substrate; a first waveguide on a first portion of the substrate; a second waveguide on a second portion of the substrate; a first electrode in contact with the first waveguide, the first waveguide between the first electrode and the first portion of the substrate; and a second electrode in contact with the second waveguide, the second waveguide between the second electrode and the second portion of the substrate.
G02F 1/225 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur par interférence dans une structure de guide d'ondes optique
F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
G02F 1/025 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN ou PIN dans une structure de guide d'ondes optique
G02F 1/035 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des céramiques ou des cristaux électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou un effet Kerr dans une structure de guide d'ondes optique
31.
SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH TAPERED WAVEGUIDE AND METHOD OF MANUFACTURE
A semiconductor structure for a photonic integrated circuit, the semiconductor structure comprising a substrate and a waveguide. The substrate comprises a planar surface. The waveguide comprises a first waveguide portion and a second waveguide portion. The first waveguide portion is tapered for a first spot size conversion of light. The first waveguide portion is in contact with a first portion of the planar surface. The second waveguide portion is in contact with a second portion of the planar surface. The second portion of the planar surface is next to the first portion of the planar surface. A size of the first waveguide portion in a first direction perpendicular to a light propagation direction is less than a size of the second waveguide portion in the first direction for a second spot size conversion of the light.
A light polarisation converter for a photonic integrated circuit, comprising a first layer. The first layer comprises a first surface and a second surface. The second surface is offset from the first surface along a first axis and a second axis. The first axis is perpendicular to the first surface. The second axis is parallel to the first surface. The light polarisation converter comprises a second layer and a waveguide. The waveguide is between, and in contact with, the first layer and the second layer. The waveguide comprises a first waveguide portion in contact with the first surface, and a second waveguide portion in contact with the second surface. The second waveguide portion is offset from the first waveguide portion. The first waveguide portion has a first thickness different to a second thickness of the first waveguide portion. The first thickness and the second thickness are perpendicular the first surface.
G02B 6/10 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02B 6/126 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré utilisant des effets de polarisation
G02B 6/13 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
G02B 6/27 - Moyens de couplage optique avec des moyens de sélection et de réglage de la polarisation
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
33.
LIGHT POLARISATION CONVERTER AND METHOD OF MANUFACTURE
A light polarisation converter for a photonic integrated circuit, comprising: a substrate and a waveguide. The substrate comprises a first surface and a second surface. The waveguide comprises a first waveguide portion in contact with the first surface, and a second waveguide portion in contact with the second surface. The second surface is offset from the first surface along a first axis and a second axis. Each axis is perpendicular to a light propagation direction for converting polarisation of the light. The second waveguide portion is offset from the first waveguide portion.
G02B 6/10 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02B 6/126 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré utilisant des effets de polarisation
G02B 6/13 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
G02B 6/27 - Moyens de couplage optique avec des moyens de sélection et de réglage de la polarisation
G02F 1/01 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur
A photonic integrated circuit, PIC, for use in generating a random number. The PIC comprising: light source on a substrate; a light detector on the substrate configured to, in response to receipt of light from the light source, output an electrical signal for use in generating the random number; and a light guidance system on the substrate configured to direct light from the light source to the light detector.
A structure for a photonic integrated circuit, comprising: a substrate; a first portion of n-type semiconductor material on a first surface area of the substrate, a second portion of n-type semiconductor material on a second surface area of the substrate; a waveguide; and an element between the first portion and the second portion. The waveguide is on and in contact with the element. The element is configured to reduce electric current flow from the first portion to the second portion during propagation of light via the waveguide.
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/43 - Dispositions comprenant une série d'éléments opto-électroniques et d'interconnexions optiques associées
36.
Waveguide structure for a photonic integrated circuit
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
A method of manufacturing a semiconductor structure comprising: depositing a first layer in contact with a first surface area of a substrate; depositing a second layer in contact with a second surface area of the substrate, the second surface area substantially co-planar with and outwards of the first surface area; depositing a third layer in contact with the first layer and the second layer; removing a portion of the third layer to expose a portion of the first layer; and removing at least a portion of the first layer to create a cavity between the substrate, the second layer and the third layer.
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
38.
FABRICATING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH MULTIPLE QUANTUM WELLS
A method of fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells, comprising: providing a substrate comprising a binary semiconductor compound having a first lattice constant; depositing: a first layer on the substrate, the first layer of a first semiconductor alloy, and a second layer in contact with the first layer, the second layer of a second semiconductor alloy, to form a first stack of substantially planar semiconductor layers on the substrate; depositing in contact with the first stack a third layer of a binary semiconductor compound having the first lattice constant; depositing at least: a fourth layer on the third layer, the fourth layer comprising a third semiconductor alloy comprising InP, and a fifth layer in contact with the fourth layer, the fifth layer comprising a fourth semiconductor alloy comprising InP, to form a second stack of substantially planar semiconductor layers on the third layer.
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
39.
Monolithically integrated InP electro-optically tunable ring laser, a laser device as well as a corresponding method
A tuneable ring laser having a ring cavity, wherein the ring cavity comprises at least one ring resonator having a waveguide for guiding waves, a phase modulator having a waveguide for guiding waves, one or more power couplers for coupling the waves in, and out of, the at least one ring resonator, wherein a cross section of the waveguides of the at least one ring resonator and the phase modulator is configured as PIN diodes and act as an electro-refractive modulator such that the tuneable ring laser is tuneable by applying a reverse bias voltage.
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/50 - Structures amplificatrices non prévues dans les groupes
40.
SEMICONDUCTOR STRUCTURE FOR PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF MANUFACTURE
A semiconductor structure (100) for a photonic integrated circuit, comprising: a substrate (102); a waveguide (104) on the substrate (102); a passive region comprising a first cladding layer (108) in contact with a first portion (112) of the waveguide layer (105); and an active region (114) comprising a second cladding layer (116) different to the first cladding layer, the second cladding layer (116) in contact with a second portion (120) of the waveguide layer (105) and the first cladding layer (108). There is a photonic integrated circuit comprising the semiconductor structure. There is a method of manufacturing a semiconductor structure for a photonic integrated circuit.
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
G02B 6/136 - Circuits optiques intégrés caractérisés par le procédé de fabrication par gravure
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
A waveguide structure (100) comprising: a substrate (102); a waveguide layer (104) on the substrate (102); a cladding layer (106) in contact with a first side of the waveguide layer (104), the waveguide layer (104) between the cladding layer (106) and the substrate (102); and a first waveguide modifier layer (110) comprising a first material for modifying a waveguide function of the waveguide layer (104), the first waveguide modifier layer (110) in contact with the cladding layer (106) and having a width (W1) along a first axis less than a width (W2) of the cladding layer (106) parallel to the first axis (114), the first axis perpendicular to a second axis (202) corresponding with a light propagation direction within the waveguide layer (104). There is a method of manufacturing a waveguide structure (100).
G02F 1/00 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
42.
Building block for electro-optical integrated indium-phosphide based phase modulator
A photonic integrated circuit, PIC, comprising a plurality of semiconductor layers on a substrate, the plurality of semiconductor layers forming a PIN or PN doping structure, the PIC comprising a waveguide arranged for conducting light waves; an optical element connected to the waveguide, wherein the optical element, in operation, is in reverse-bias mode, and wherein the optical element comprises a contact layer arranged for connecting to a voltage source; wherein the waveguide comprises conducting contacts proximal to the optical element, and wherein the PIC further comprises at least one isolation section arranged in between the optical element and the conducting contacts. Corresponding methods of operation of such a PIC are also presented herein.
A61K 45/06 - Mélanges d'ingrédients actifs sans caractérisation chimique, p. ex. composés antiphlogistiques et pour le cœur
A61N 2/02 - Magnétothérapie utilisant des champs magnétiques produits par des bobines, y compris par des boucles à spire unique ou par des électro-aimants
G02B 6/122 - Éléments optiques de base, p. ex. voies de guidage de la lumière
G02F 1/025 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des éléments à semi-conducteurs ayant des barrières de potentiel, p. ex. une jonction PN ou PIN dans une structure de guide d'ondes optique
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
A61B 5/055 - Détection, mesure ou enregistrement pour établir un diagnostic au moyen de courants électriques ou de champs magnétiquesMesure utilisant des micro-ondes ou des ondes radio faisant intervenir la résonance magnétique nucléaire [RMN] ou électronique [RME], p. ex. formation d'images par résonance magnétique
A61B 6/00 - Appareils ou dispositifs pour le diagnostic par radiationsAppareils ou dispositifs pour le diagnostic par radiations combinés avec un équipement de thérapie par radiations
A61B 6/50 - Appareils ou dispositifs pour le diagnostic par radiationsAppareils ou dispositifs pour le diagnostic par radiations combinés avec un équipement de thérapie par radiations spécialement adaptés à des parties du corps spécifiquesAppareils ou dispositifs pour le diagnostic par radiationsAppareils ou dispositifs pour le diagnostic par radiations combinés avec un équipement de thérapie par radiations spécialement adaptés à des applications cliniques spécifiques
A method of processing a wafer of a semiconductor material for at least one of: an optoelectronic device, an electronic device or a photonic device. The method comprises: determining a first region of the wafer between a second region of the wafer for a structure for a photonic integrated circuit and a sacrificial third region of the wafer; and modifying the wafer in the first region to restrict transfer of energy from the sacrificial third region to the second region.
A photonic integrated circuit, PIC, for use in generating a random number. The PIC comprising: light source on a substrate; a light detector on the substrate configured to, in response to receipt of light from the light source, output an electrical signal for use in generating the random number; and a light guidance system on the substrate configured to direct light from the light source to the light detector.
A structure for a photonic integrated circuit, comprising: a substrate; a first portion of n-type semiconductor material on a first surface area of the substrate, a second portion of n-type semiconductor material on a second surface area of the substrate; a waveguide; and an element between the first portion and the second portion. The waveguide is on and in contact with the element. The element is configured to reduce electric current flow from the first portion to the second portion during propagation of light via the waveguide.
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
46.
WAVEGUIDE STRUCTURE FOR A PHOTONIC INTEGRATED CIRCUIT
A waveguide structure (100) for a photonic integrated circuit, comprising: a substrate; an active region (102) comprising a diode junction, the active region comprising: a light emission portion (102a) to emit light in a first direction and a second direction perpendicular the first direction; and a light absorption portion (102b) to absorb light emitted from the light emission portion (102a) in the second direction; a first contact corresponding to the light emission portion (102a); and a second contact corresponding to the light absorption portion (102b).
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
H01S 5/50 - Structures amplificatrices non prévues dans les groupes
47.
FABRICATING A SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH MULTIPLE QUANTUM WELLS
Examples relate to a method of fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells. The method comprises: providing a substrate comprising a binary semiconductor compound having a first lattice constant; depositing at least: a first layer on the substrate, the first layer of a first semiconductor alloy comprising InP, and a second layer in contact with the first layer, the second layer of a second semiconductor alloy comprising InP, to form a first stack of substantially planar semiconductor layers on the substrate; depositing in contact with the first stack a third layer of a binary semiconductor compound having the first lattice constant; depositing at least: a fourth layer on the third layer, the fourth layer comprising a third semiconductor alloy comprising InP, and a fifth layer in contact with the fourth layer, the fifth layer comprising a fourth semiconductor alloy comprising InP, to form a second stack of substantially planar semiconductor layers on the third layer.
G02F 1/017 - Structures avec une variation de potentiel périodique ou quasi périodique, p. ex. superréseaux, puits quantiques
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
B82Y 20/00 - Nano-optique, p. ex. optique quantique ou cristaux photoniques
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/026 - Composants intégrés monolithiques, p. ex. guides d'ondes, photodétecteurs de surveillance ou dispositifs d'attaque
Examples relate to a method of manufacturing a semiconductor structure. The method comprises: depositing a first layer in contact with a first surface area of a substrate, the substrate being of a first semiconductor material and the first layer being of a second semiconductor material; depositing a second layer in contact with a second surface area of the substrate, the second surface area substantially co-planar with and outwards of the first surface area, and the second layer being of the first semiconductor material or a third semiconductor material; depositing a third layer in contact with the first layer and the second layer, the third layer being of the first semiconductor material or the third semiconductor material or a fourth semiconductor material; removing a portion of the third layer to expose a portion of the first layer; removing at least a portion of the first layer to create a cavity between the substrate, the second layer and the third layer.
G02B 6/12 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
B81B 7/02 - Systèmes à microstructure comportant des dispositifs électriques ou optiques distincts dont la fonction a une importance particulière, p. ex. systèmes micro-électromécaniques [SMEM, MEMS]
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception
Produits et services
Indium phosphide (processed in products) (terms considered
too vague by the International Bureau - rule 13(2)(b) of the
Common Regulations). Semiconductor chips; photonic chips; indium phosphide chips
and - semiconductors (terms considered too vague by the
International Bureau - rule 13(2)(b) of the Common
Regulations); III-V semiconductors; data processing
equipment and computers; electronic, electro-technical and
electromagnetic modules, parts and components thereof,
including (photonic) integrated circuits (ICs), chips,
diodes, lasers; transistors, (photonic) semiconductors and
semiconductor elements; PICs (photonic integrated circuits);
integrated circuits (ICs); interfaces; computer software;
electronic chips for the manufacture of integrated circuits;
chips in products in the telecom market (eg fiber optics and
data centers), medical devices, aviation, aerospace and
automotive sectors (terms considered too vague by the
International Bureau - rule 13(2)(b) of the Common
Regulations). Photonic technology (development); product development;
research and development of photonic products; technical
advice regarding the production of semiconductors and
photonic chips (terms considered too vague by the
International Bureau - rule 13(2)(b) of the Common
Regulations); research and development in the field of
semiconductor processing technology; producing integrated
photonic chips, indium phosphide chips / - semiconductors
and III-V semiconductors (terms considered too vague by the
International Bureau - rule 13(2)(b) of the Common
Regulations); consultancy, design, research, development,
production and consultancy in the field of (photonic)
semiconductors (terms considered too vague by the
International Bureau - rule 13(2)(b) of the Common
Regulations); design of (photonic) integrated circuits
(ICs), chips, diodes, lasers, transistors, (photonic)
semiconductors and semiconductor devices, PICs (photonic
integrated circuits), integrated circuits (ICs); development
of software for (photonic) semiconductors; development of
applications in the field of FTTH (terms considered too
vague by the International Bureau - rule 13(2)(b) of the
Common Regulations), data communication, quantum coding,
safety sensor reading, gas detection, medical applications;
provision of information to designers and architects in the
semiconductor industry (terms considered too vague by the
International Bureau - rule 13(2)(b) of the Common
Regulations); provision of services and consultancy with
regard to evaluation, testing, verification, recognition and
standardization, production and application of (photonic)
semiconductors (terms considered too vague by the
International Bureau - rule 13(2)(b) of the Common
Regulations); engineering of (integration) processes.
09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception
Produits et services
Semiconductor chips; computer chips, namely, photonic chips; semiconductor chips, namely, indium phosphide chips; semiconductor chips, namely, III-V semiconductors; data processing equipment and computers; semiconductor chips, diodes, laser diodes; transistors, photonic semiconductors, and semiconductor elements, namely, laser diodes, transmitters, receptors, transistors, integrated circuits, semiconductor power elements; integrated circuit modules, namely, photonic integrated circuits; integrated circuit modules; downloadable graphical user interface software; downloadable computer operating software; electronic chips for the manufacture of integrated circuits; encoded electronic chip cards for use in the telecom market, namely, fiber optics and data centers Development of new technology for others in the field of photonic technology; product development; research and development of photonic products; technical advice regarding the production of semiconductors and photonic chips; research and development in the field of semiconductor processing technology; development of integrated photonic chips, indium phosphide chips, semiconductors, and III-V semiconductors; technical consultancy in relation to the design, research, development, and production of photonic semiconductors; design of photonic integrated circuits, chips, diodes, lasers, transistors, photonic semiconductors, semiconductor devices, photonic integrated circuits, and integrated circuits; development of software for photonic semiconductors; development of software applications in the fields of fiber-to-the-home, data communication, quantum coding, safety sensor reading, gas detection, and medical applications; provision of scientific and technological information to designers and architects in the semiconductor industry; consulting services in the fields of evaluation, testing, verification, recognition, standardization, production, and application of photonic semiconductors; and engineering services in the field of integration processes
51.
Multi-port optical probe for photonic IC characterization and packaging
Improved passive optical coupling to photonic integrated circuit (PIC) chips is provided. An interposer unit (108) having one or more flexible optical waveguide members (112, 114, 116) is employed. The flexible optical waveguide members are coupled to the PIC chip (118) via their tips. The PIC chip includes alignment features to facilitate lateral, vertical and longitudinal passive alignment of the flexible optical waveguide members to on-chip optical waveguides of the PIC.
G02B 6/28 - Moyens de couplage optique ayant des bus de données, c.-à-d. plusieurs guides d'ondes interconnectés et assurant un système bidirectionnel par nature en mélangeant et divisant les signaux
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
An optical polarization converter device includes a first polarization converter section [1100] and a second polarization converter section [1102], which have mirror image cross-sections of each other and which are made of a common material and have orientation (i.e., tilt) errors equal in magnitude and opposite in sign. Preferably, one section has half, the other one and a half times the length of an original (single section, non-tolerant) polarization converter, i.e., the lengths of the two sections have a ratio of 1:3. Other embodiments include length ratios of 3:5 and 5:7. In addition to correcting fabrication errors, the polarization converter also corrects errors due to temperature and wavelength, improving the tolerance with respect to operational conditions.
G02B 6/00 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage
G02B 6/27 - Moyens de couplage optique avec des moyens de sélection et de réglage de la polarisation
G02B 6/126 - Guides de lumièreDétails de structure de dispositions comprenant des guides de lumière et d'autres éléments optiques, p. ex. des moyens de couplage du type guide d'ondes optiques du genre à circuit intégré utilisant des effets de polarisation
