Abrégé

Obtained are a silver powder and a mixed powder that can achieve low-resistance electrode wiring when printing wires, and a conductive paste using these powders. The silver powder includes, as 20% or more and less than 95% of all particles, silver particles whose main region of the silver particle upper surface is the (111) plane or a plane close to the (111) plane. The KAM value of the silver particles is 0.4 or more and 1.0 or less.

Classes IPC  ?

• B22F 9/18 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques
• B22F 1/052 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules caractérisées par un mélange de particules de dimensions différentes ou par la distribution granulométrique des particules
• B22F 1/145 - Traitement chimique, p. ex. passivation ou décarburation

Abrégé

This invention improves the characteristics of an optical semiconductor element.　An optical semiconductor element according to the present invention comprises: a first active layer having a light-reception/emission wavelength of a first wavelength; a tunnel junction layer on the first active layer; and a second active layer on the tunnel junction layer, the second active layer having a light-reception/emission wavelength of a second wavelength. The first active layer and the second active layer include Sb. The tunnel junction layer has a p-type InAs layer and an n-type InAs layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
• H01L 31/10 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors
• H01L 33/08 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une pluralité de régions électroluminescentes, p.ex. couche électroluminescente discontinue latéralement ou région photoluminescente intégrée au sein du corps semi-conducteur
• H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique

Abrégé

This silver-plated material comprises a silver-plated layer on a base material. The surface of the base material is copper or a copper alloy. The silver-plated layer contains selenium. The Vickers hardness of the silver-plated material in the initial state and the Vickers hardness of the silver-plated material after being heated at 100°C for 168 hours are both 120 HV or more. The glossiness of the silver plated layer is 1.0 or more.

Classes IPC  ?

• C25D 7/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
• C25D 3/46 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'argent
• C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome

Abrégé

[Problem] To efficiently obtain, from a lithium-ion-containing aqueous solution containing anions, a lithium-ion-containing aqueous solution which has a reduced content of anions other than hydroxide ions. [Solution] This method for treating lithium-ion-containing aqueous solution uses an electrodialyzer equipped with a raw-solution tank separated from adjacent tanks on both sides by a cation-exchange membrane and an anion-exchange membrane respectively, a first adjoining tank which adjoins the raw-solution tank with the cation-exchange membrane interposed therebetween, and a second adjoining tank which adjoins the raw-solution tank with the anion-exchange membrane interposed therebetween, wherein: a lithium-ion-containing aqueous solution which contains lithium ions, cations other than lithium ions, and anions is put in the raw-solution tank; water or an aqueous solution is put in the first adjoining tank and the second adjoining tank; a voltage is applied between a cathode inside the first adjoining tank and an anode inside the second adjoining tank; and, while the pH of the liquid inside the raw-solution tank is kept at 10.5 or higher, lithium ions inside the raw-solution tank are caused to move into the first adjoining tank through the cation-exchange membrane.

Classes IPC  ?

• C02F 1/469 - Traitement de l'eau, des eaux résiduaires ou des eaux d'égout par des procédés électrochimiques par séparation électrochimique, p. ex. par électro-osmose, électrodialyse, électrophorèse
• B01D 61/44 - Électrodialyse à sélectivité ionique

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a copper-containing silver powder capable of reducing line resistance of a conductive film. The present invention pertains to a copper-containing silver powder. In a differential curve of a TMA curve from 100°C to 600°C obtained by thermomechanical analysis in which the temperature of the copper-containing silver powder is raised at a temperature increase rate of 10°C/min, the copper-containing silver powder has an expansion peak and has, on the lower temperature side from the expansion peak, a first shrinkage peak at which the dTMA is -0.10%/min or less.

Classes IPC  ?

• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/10 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques
• B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent
• C22C 5/08 - Alliages à base d'argent avec le cuivre comme second constituant majeur
• C22C 21/00 - Alliages à base d'aluminium
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages

Abrégé

The present invention improves the characteristics of an AlN template substrate. An AlN template substrate according to the present invention is characterized in that: the AlN template substrate has an AlN layer formed on a main surface of a sapphire substrate; the main surface of the sapphire substrate has a C-plane inclined at an off angle of 0.02°-0.35°; and a step linear rate is at least 90%, the step linear rate being obtained by dividing the linear distance connecting a first contact point which is between a ridge line of a step in an AFM image of a surface of the AlN layer and an edge of the AFM image, and a second contact point by the length of the ridge line of the step extending from the first contact point to the second contact point.

Classes IPC  ?

• C30B 29/38 - Nitrures
• C30B 25/18 - Croissance d'une couche épitaxiale caractérisée par le substrat
• C30B 33/02 - Traitement thermique
• H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique

Abrégé

Provided are a silver powder that can reduce line resistance and a method of producing the same. The silver powder has a diameter at a cumulative value of 50% of 3 μm or more and a ratio of particles of 10 μm or larger of 10% or less. The silver powder includes flake-like particles having a major axis of 6 μm or more and irregularly shaped particles having a major axis of less than 6 μm, an average aspect ratio that is a ratio of average major axis relative to average thickness of the flake-like particles is 8 or more, and a shape factor that is a ratio of area of a circle having average maximum length of the irregularly shaped particles as a diameter relative to average particle area of the irregularly shaped particles is 1.7 to 1.9. Ignition loss is 0.1 wt % to 0.4 wt %.

Classes IPC  ?

• B22F 1/052 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules caractérisées par un mélange de particules de dimensions différentes ou par la distribution granulométrique des particules
• B22F 1/065 - Particules sphériques
• B22F 1/068 - Particules en paillettes
• B22F 1/10 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques
• B22F 1/145 - Traitement chimique, p. ex. passivation ou décarburation
• B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p. ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule
• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages

Abrégé

A silver-plated material has excellent abrasion resistance and has such performance that the resistance to peeling of a silver coating layer is maintained high even when the silver-plated material is exposed to a high temperature and high humidity environment. The silver-plated material is obtained by a production method, in which when a silver plating layer is formed on a material by an electroplating method using a cyanide-containing silver plating solution, as the silver plating solution, an aqueous solution, in which a benzothiazole or a derivative thereof, and a selenium-containing substance are dissolved, a selenium concentration is 0.9 to 120 mg/L, and a molar ratio of selenium to the benzothiazole or the derivative thereof is 0.08×10−3 or more, is used. As a substance corresponding to the benzothiazole or the derivative thereof, for example, mercaptobenzothiazole or a derivative thereof can be used.

Classes IPC  ?

• C25D 3/46 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'argent

Abrégé

The purpose of the present invention is to provide a copper-containing silver powder capable of reducing line resistance of an electroconductive film. The present invention is a copper-containing silver powder having a true density of less than 10 g/cm3 and a copper content of 10 to 10,000 ppm.

Classes IPC  ?

• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 1/10 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques
• B22F 1/0655 - Particules creuses
• B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent
• C22C 5/08 - Alliages à base d'argent avec le cuivre comme second constituant majeur
• C22C 21/00 - Alliages à base d'aluminium
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages

Abrégé

Provided are an ultraviolet light-emitting element that enables high light emission output and a method of producing the same. The light-emitting element (100) includes, in stated order: an n-type semiconductor layer (3) formed of AlxGa1-xN having an Al composition ratio x; a quantum well-type light-emitting layer (4); a p-type electron blocking layer (6) formed of AlyGa1-yN having an Al composition ratio y; a p-type cladding layer (7) formed of AlzGa1-zN having an Al composition ratio z; and a p-type GaN contact layer (8). The p-type electron blocking layer (6) has an Al composition ratio y of 0.35 to 0.45 and a thickness of 11 nm to 70 nm. The total thickness of the p-type electron blocking layer (6) and p-type cladding layer (7) is 73 nm to 100 nm. The thickness of the p-type GaN contact layer (8) is 5 nm to 15 nm.

Classes IPC  ?

• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant

Abrégé

555 as a main component.

Classes IPC  ?

• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p. ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule
• C22C 1/00 - Fabrication des alliages non ferreux
• C22C 1/02 - Fabrication des alliages non ferreux par fusion
• C22C 1/04 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres
• C22C 1/047 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres comprenant des composés intermétalliques
• C22C 19/07 - Alliages à base de nickel ou de cobalt, seuls ou ensemble à base de cobalt

Abrégé

Provided are a method of producing single crystal AlN, single crystal AlN, and a single crystal AlN production apparatus with which single crystal AlN can be cheaply and continuously produced. The method of producing single crystal AlN includes a melt formation step of heating and melting an alloy to form a melt of the alloy and a deposition step of cooling a portion of the melt and providing a temperature gradient in the melt while causing deposition of single crystal AlN. In the deposition step, a nitrogen-containing gas is brought into contact with a high-temperature portion of the melt and a single crystal AlN seed crystal or a substrate for crystal growth is held in a low-temperature portion of the melt so as to continue to take nitrogen into the melt in the high-temperature portion while causing deposition of single crystal AlN.

Classes IPC  ?

• C30B 19/12 - Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide caractérisée par le substrat
• C30B 19/06 - Chambres de réactionNacelles pour bain fonduPorte-substrat
• C30B 19/10 - Commande ou régulation
• C30B 29/40 - Composés AIII BV
• C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée

Abrégé

There is provided a composite material having a composite film on a substrate, the composite film including a silver layer that contains carbon particles, wherein a crystallite size of silver of the composite film is 30 to 100 nm and Vickers hardness Hv of the composite film is 75 or more.

Classes IPC  ?

• C25D 3/46 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'argent
• C25D 5/50 - Post-traitement des surfaces revêtues de métaux par voie électrolytique par traitement thermique
• C25D 15/00 - Production électrolytique ou électrophorétique de revêtements contenant des matériaux incorporés, p. ex. particules, "whiskers", fils

Abrégé

Provided are: a solid electrolyte powder which contains 0.7% by mass to 5% by mass of Li, 8% by mass to 60% by mass of Nb, and 1.0% by mass to 30% by mass of P with respect to the solid electrolyte powder, with the content of the non-oxygen remainder, which is the remainder excluding oxygen (O), being 10% by mass or less with respect to the solid electrolyte powder, and which has a crystallite diameter of 100 nm or less; and related art thereof.

Classes IPC  ?

• H01M 10/0585 - Structure ou fabrication d'accumulateurs ayant uniquement des éléments de structure plats, c.-à-d. des électrodes positives plates, des électrodes négatives plates et des séparateurs plats
• C01B 25/45 - Phosphates contenant plusieurs métaux ou un métal et l'ammonium
• H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
• H01B 1/10 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques sulfures
• H01M 4/13 - Électrodes pour accumulateurs à électrolyte non aqueux, p. ex. pour accumulateurs au lithiumLeurs procédés de fabrication
• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
• H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium
• H01M 10/0562 - Matériaux solides

Abrégé

[Problem] To provide a silicon oxide-coated soft magnetic powder having a silicon oxide coating with few defects so as to have an excellent insulation property, and having good dispersibility in an aqueous solution, and capable of obtaining a high filling factor when molding a green compact. [Problem] To provide a silicon oxide-coated soft magnetic powder having a silicon oxide coating with few defects so as to have an excellent insulation property, and having good dispersibility in an aqueous solution, and capable of obtaining a high filling factor when molding a green compact. [Means for Solution] A highly insulating silicon oxide-coated soft magnetic powder, in which the ratio of a volume-based cumulative 50% particle diameter D50 (HE) according to a dry laser diffraction particle size distribution analysis to the same particle diameter D50 (MT) according to a wet laser diffraction particle size distribution analysis is 0.7 or more, and a coverage ratio R defined by R=Si×100/(Si+M) (wherein Si and M are molar fractions of Si and elements constituting the soft magnetic powder) is 70% or more is obtained by subjecting a slurry containing a soft magnetic powder containing 20 mass % or more of iron and a hydrolysate of a silicon alkoxide to a dispersion treatment when the surface of the soft magnetic powder is coated with the hydrolysate in a mixed solvent of water and an organic substance.

Classes IPC  ?

• B22F 1/16 - Particules métalliques revêtues d'un non-métal
• H01F 1/147 - Alliages caractérisés par leur composition

Abrégé

Provided are a silver powder that when used as a conductive paste, has low tendency to experience disconnection even with reduced line width and has lower volume resistivity than is conventionally the case, a conductive paste containing such a silver powder as a conductive filler, and a method of producing such a silver powder. The silver powder is a collection of silver particles that has an apparent density of not less than 8.2 g/cm3 and not more than 9.2 g/cm3 and a value of not less than 1.1 and not more than 1.4 for a ratio of length of a perimeter in a particle cross-section for the silver particles and length of a line circumscribing a periphery of the particle cross-section.

Classes IPC  ?

• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
• B22F 1/06 - Poudres métalliques caractérisées par la forme des particules
• B22F 1/07 - Poudres métalliques caractérisées par des particules ayant une structure nanométrique
• B22F 1/14 - Traitement des poudres métalliques

Abrégé

Provided is a mixed silver powder capable of reducing the specific resistance of a conductive film. This mixed silver powder comprises first silver particles, second silver particles, and third silver particles that are graded by the long-side length, wherein: the average value of the aspect ratio of the first silver particles is at least 2; the average value of the aspect ratio of the second silver particles is at least 1.5 and less than 2; the average value of the aspect ratio of the third silver particles is less than 1.5; within the mixed silver powder, the proportion by the particle count of the first silver particles is at least 0.5% and no more than 5%, the proportion by the particle count of the second silver particles is at least 10%, and the proportion by the particle count of the third silver particles is at least 15%; the average value of the ratio α, calculated using the formula (1) ratio α = perimeter length of second silver particle / (long-side length of second silver particle × 2 + short-side length of second silver particle × 2), is at least 0.84; and a polyvalent carboxylic acid adheres to the surface of at least one type of silver particles chosen from the group consisting of the first silver particles, the second silver particles, and the third silver particles.

Classes IPC  ?

• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/06 - Poudres métalliques caractérisées par la forme des particules
• B22F 1/14 - Traitement des poudres métalliques
• B22F 1/052 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules caractérisées par un mélange de particules de dimensions différentes ou par la distribution granulométrique des particules
• B22F 1/102 - Poudres métalliques revêtues de matériaux organiques
• B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
• H01B 1/00 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
• H01B 5/00 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme
• H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles

Abrégé

44SiO (lithium orthosilicate) having good Li ion conductivity and a method for producing the aqueous solution, and a method for producing a positive electrode active material for a lithium secondary battery having a coating layer containing lithium orthosilicate using the aqueous solution. [Solution] An aqueous solution containing lithium and silicon that contains 0.1-3.0 mass% of lithium and 0.1-3.0 mass% of silicon and has a molar ratio Li/Si of lithium and silicon of 3.70-5.20 and an absorbance at a wavelength of 660 nm of 0.10 or less.

Classes IPC  ?

• C01B 33/32 - Silicates de métaux alcalins
• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs

Abrégé

Provided is a GaAs wafer having suppressed carrier concentration and low dislocation density, as well as a large proportion of the area of a region with zero dislocation density to the GaAs wafer surface. The GaAs wafer has a silicon concentration of 1.0×1017 cm−3 or more and less than 1.1×1018 cm−3; an indium concentration of 3.0×1018 cm−3 or more and less than 3.0×1019 cm−3; a boron concentration of 2.5×1018 cm−3 or more; a carrier concentration of 1.0×1016 cm−3 or more and 4.0×1017 cm−3 or less; and a proportion of the area of a region with zero dislocation density to the wafer surface of 91.0% or more.

Classes IPC  ?

• C30B 29/42 - Arséniure de gallium
• C30B 11/04 - Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p. ex. méthode de Bridgman-Stockbarger en introduisant dans le bain fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ

Abrégé

In a metal-ceramic bonded substrate in which a metal circuit board is bonded to one surface of a ceramic substrate through a brazing material layer, an overhang portion of the brazing material layer overhanging outward by 80 μm or more from a lower edge portion of a side surface of the metal circuit board is formed, the side surface of the metal circuit board has an inclination angle θ of 75° or more with respect to a surface of the ceramic substrate, and the side surface of the metal circuit board and the overhang portion of the brazing material layer are covered with an insulating layer. The metal-ceramic bonded substrate has good partial discharge characteristics and excellent heat cycle resistance and heat resistance.

Classes IPC  ?

• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

Abrégé

There is provided a recycled cathode material precursor, including: a metal element α consisting of at least one of nickel, cobalt and manganese; and a metal element β consisting of at least one of iron, copper and aluminum, wherein a content of the metal element β is 0.5 to 20% by mass in the recycled cathode material precursor.

Classes IPC  ?

• H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
• C01G 53/00 - Composés du nickel
• C22C 29/12 - Alliages à base de carbures, oxydes, borures, nitrures ou siliciures, p. ex. cermets, ou d'autres composés métalliques, p. ex. oxynitrures, sulfures à base d'oxydes
• H01M 4/02 - Électrodes composées d'un ou comprenant un matériau actif
• H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
• H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
• H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium

Abrégé

The present invention provides: a silver powder and a mixed powder, which are each capable of reducing the resistance of an electrode wiring line when the wiring line is printed; and a conductive paste which uses the same. This silver powder contains, with respect to all particles, not less than 20% but less than 95% of silver particles, in each of which the main region of the upper surface of the silver particle is the (111) plane or a plane close to the (111) plane, the silver particles having a KAM value of 0.4 to 1.0 inclusive.

Classes IPC  ?

• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/10 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques
• B22F 1/052 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules caractérisées par un mélange de particules de dimensions différentes ou par la distribution granulométrique des particules
• B22F 1/068 - Particules en paillettes
• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages

Abrégé

Provided are a silver powder that is suitable as a conductive filler for a conductive paste that enables low-temperature firing and a method of producing this silver powder. The method of producing a silver powder includes an azole addition step of adding an azole to a silver ammine complex aqueous solution to obtain a first liquid, a reductant addition step of adding a reductant to the first liquid to obtain a second liquid, and a fatty acid addition step of adding a fatty acid to the second liquid to obtain a third liquid. The fatty acid is an unsaturated fatty acid including two or more double bonds.

Classes IPC  ?

• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 1/102 - Poudres métalliques revêtues de matériaux organiques

Abrégé

An Sm—Fe—N-based magnetic powder includes particles containing Sm, Fe, and N as main components. The powder has a composition wherein a molar ratio of Sm to Fe (Sm/Fe) is 0.09 or more and 0.25 or less, a molar ratio of N to Fe (N/Fe) is 0.06 or more and 0.30 or less, and a Ca content in the powder is 0.002 mass % or less. When a cumulative 10% particle diameter is represented by D10, a cumulative 50% particle diameter is represented by D50, and a cumulative 90% particle diameter is represented by D90 in a volume-based particle size distribution according to a laser diffraction/scattering method, D50 is 2.0 to 11.0 μm, and D10, D50, and D90 satisfy a relationship of the following formula: (D90−D10)/D50<1.10. The Sm—Fe—N-based magnetic powder is advantageous in improving coercive force, containing few impurities, and improving the performance and manufacturability of a bonded magnet.

Classes IPC  ?

• H01F 1/059 - Alliages caractérisés par leur composition contenant des métaux des terres rares et des métaux de transition magnétiques, p. ex. SmCo5 et des éléments Va, p. ex. Sm2Fe17N2
• B22F 9/08 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau liquide par coulée, p. ex. à travers de petits orifices ou dans l'eau, par atomisation ou pulvérisation

Abrégé

A perovskite-type composite oxide powder according to the present invention contains La, further contains at least one element selected from the group consisting of Sr, Ca, Co, Ni, Mn, and Fe, has a BET specific surface area less than 6.0 m290B10B50B90A10A50A10509090 respectively represent the volume-based cumulative 10% particle size, cumulative 50% particle size, and cumulative 90% particle size as measured by a particle size distribution measuring device by using a laser diffraction scattering method, and having the suffix "A" indicates a particle size obtained after ultrasonic dispersion and having the suffix "B" indicates particle size before ultrasonic dispersion.

Classes IPC  ?

• C01G 45/00 - Composés du manganèse
• H01M 4/86 - Électrodes inertes ayant une activité catalytique, p. ex. pour piles à combustible
• H01M 8/12 - Éléments à combustible avec électrolytes solides fonctionnant à haute température, p. ex. avec un électrolyte en ZrO2 stabilisé

Abrégé

The present invention detects an etch pit with high accuracy. A wafer inspection device (10) is provided with: a data input interface (11) for acquiring parameters used for detecting an etch pit; an image input interface (13) for acquiring a captured image of the surface of a wafer; and a control unit (14) for analyzing the captured image on the basis of the parameters and detecting an etch pit appearing on the surface of the wafer. The captured image is taken by means of an illumination device for supplying light to the wafer and an imaging device for capturing an image of the wafer. The captured image is an image captured such that the long axis of the etch pit is inclined by 30° or more from a line perpendicular to a line connecting the illumination device and the imaging device. The parameters include a luminance threshold value and a range of the inclination angle of the etch pit. The control unit (14) detects, as an etch pit, an isolated point at which the angle with respect to an image reference axis is within the range of the inclination angle.

Classes IPC  ?

• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• C30B 33/08 - Gravure
• G06T 7/00 - Analyse d'image

Abrégé

[Problem] To provide an aqueous solution and a production method therefor, the aqueous solution containing niobium polyacid ions, lithium ions, and phosphate ions, suppressing an increase in the specific surface area of a coated positive electrode active material when the surfaces of positive electrode active material particles of a lithium-ion secondary battery are coated with a coating layer containing niobium, lithium, and phosphorus, which are solid electrolytes, and having excellent storage stability. [Solution] This aqueous solution contains niobium polyacid ions, lithium ions, and phosphate ions, wherein: the ratio P/(Nb+Li+P) of the molar number of the phosphorus to the sum of the molar numbers of the niobium, lithium, and phosphorus contained in the aqueous solution is at least 0.04 and less than 0.5; the molar ratio Li/Nb of the lithium and the niobium is greater than 0.6 and at most 2.0; and 0.01-10 mass% of hydrogen peroxide is preferably further contained.

Classes IPC  ?

• C01B 25/18 - Acide phosphorique
• H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
• H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
• H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy

Abrégé

[Problem] To provide a Cu-Ti-based copper alloy sheet material having all of good strength, bendability, conductivity, fatigue characteristics and spring bending elastic limit and reduced density (specific gravity). [Solution] A copper alloy sheet material comprising, in % by mass, Ti: 1.00-5.00%, Al: 0.50-3.00%, Ag: 0-0.30%, B: 0-0.30%, Co: 0-1.00%, Cr: 0-1.00%, Fe: 0-1.00%, Mg: 0-1.00%, Mn: 0-2.00%, Nb: 0-1.00%, Ni: 0-1.00%, P: 0-0.50%, S: 0-0.20%, Si: 0-0.50%, Sn: 0-2.00%, V: 0-1.00%, Zn: 0-3.00%, Zr: 0-1.00% and a rare earth element: 0-3.00%, the total of elements excluding the above elements and Cu: 0.50% or less, Ti/Al being 1.50 or more with the balance substantially being Cu, and having an average crystal grain size, a number density of coarse deposit particles, a tensile strength of LD and a spring bending elastic limit of TD within predetermined ranges.

Classes IPC  ?

• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• C22C 9/01 - Alliages à base de cuivre avec l'aluminium comme second constituant majeur
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
• H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages

Abrégé

[Problem] To provide a Cu-Fe-P-based copper alloy sheet material which exhibits excellent strength and electrical conductivity and also has a higher level of bending workability. [Solution] Provided is a copper alloy sheet material which has a chemical composition containing, in terms of mass%, 0.05-1.10% of Fe, 0.02-0.50% of P, 0-0.50% of Mg, 0-0.80% of Ni, 0-0.80% of Sn, 0-0.80% of Zn, and a total of 0-0.10% of elements other than Fe, P, Mg, Ni, Sn, Zn and Cu, with the remainder comprising Cu. The crystallite size, as determined using the Halder-Wagner method on the basis of integrated widths of peaks in an X-Ray diffraction pattern using Cu-Kα rays on a surface of the sheet, is 30 nm or less. The 0.2% proof stress in a direction perpendicular to the direction of rolling is 450 N/mm2 or more.

Classes IPC  ?

• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• C22F 1/00 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid
• C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages

Abrégé

Provided are: an inexpensive copper/ceramic circuit board capable of responding to dimensional accuracy (lower dimensional variation) higher than before; and a manufacturing method therefor. This copper/ceramic circuit board is manufactured by: preparing a copper plate for a circuit pattern and a copper plate for a heat sink pattern, the copper plates each one surface having an arithmetic average roughness Ra of at most 0.1 μm; bonding the other surfaces of the copper plate for the circuit pattern and of the copper plate for the heat sink pattern to one surface and the other surface of a ceramic substrate via a brazing material; then forming etching resists having a circuit pattern shape and a heat sink pattern shape, respectively, on the one surfaces of the copper plate for the circuit pattern and of the copper plate for the heat sink pattern; and etching portions of the copper plate for the circuit pattern and of the copper plate for the heat sink pattern, whereby a circuit pattern copper plate 114 having the circuit pattern shape and a heat sink pattern copper plate 116 having the heat sink pattern shape are bonded to the ceramic substrate 12 via the brazing material 118.

Classes IPC  ?

• H01L 23/12 - Supports, p. ex. substrats isolants non amovibles
• H01L 23/13 - Supports, p. ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par leur forme
• H05K 1/02 - Circuits imprimés Détails
• H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
• H05K 3/06 - Élimination du matériau conducteur par voie chimique ou électrolytique, p. ex. par le procédé de photo-décapage

Abrégé

Provided is a composite material in which a composite film that is composed of a silver layer containing metal sulfide particles is formed on a base material, wherein the value X obtained by dividing the arithmetic average roughness Ra of the composite film by the thickness (μm) of the composite film is 0.14 or less.

Classes IPC  ?

• C25D 7/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
• C25D 3/46 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'argent
• C25D 5/16 - Dépôt de couches d'épaisseur variable
• C25D 15/02 - Procédés combinés électrophorétiques et électrolytiques
• H01R 13/03 - Contacts caractérisés par le matériau, p. ex. matériaux de plaquage ou de revêtement
• H01R 43/16 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication, l'assemblage, l'entretien ou la réparation de connecteurs de lignes ou de collecteurs de courant ou pour relier les conducteurs électriques pour la fabrication des pièces de contact, p. ex. par découpage et pliage

Abrégé

36x3+x3+x, where x is 2.0-5.0, and the second solid electrolyte includes sulfide or oxide as a main component. The first solid electrolyte is interposed between the electroconductive material on the high potential side and the second solid electrolyte, and a contact part is provided between the electroconductive material on the high potential side and the first solid electrolyte, and a contact part is provided between the first solid electrolyte and the second solid electrolyte.

Classes IPC  ?

• H01M 10/0562 - Matériaux solides
• C01F 7/54 - Composés doubles contenant à la fois de l'aluminium et des métaux alcalins ou alcalino-terreux
• H01B 1/06 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement d'autres substances non métalliques
• H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium
• H01M 10/0585 - Structure ou fabrication d'accumulateurs ayant uniquement des éléments de structure plats, c.-à-d. des électrodes positives plates, des électrodes négatives plates et des séparateurs plats

Abrégé

Provided are a gallium-containing silver powder, and a production method thereof. The gallium-containing silver powder can supply gallium as a p-type impurity in a suitable form, can exhibit low resistance through low-temperature sintering and can exhibit lower electrical resistance compared to a case in which aluminum is added, through high-temperature sintering. The gallium-containing silver powder according to the present invention has a median diameter D50 of 0.2 μm to 5.0 μm in terms of the volume of gallium-containing silver powder as measured by laser diffraction.

Classes IPC  ?

• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 1/17 - Particules métalliques revêtues de métal
• B22F 1/107 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques contenant des matériaux organiques comportant des solvants, p. ex. pour la coulée en moule poreux ou absorbant
• B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
• H01B 1/00 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages

Abrégé

Gallium powder of a small particle size is obtained, and a mixed powder containing said gallium powder that enables making a conductive paste that yields a low-resistance electrode is provided. The gallium powder according to the present invention has an SEM average diameter of from 0.2 μm to 2 μm and a surfactant selected from fatty acids, azole compounds, alkenylsuccinic acids, aliphatic amines, or salts thereof or anhydrides thereof is adhered to the surface of the powder.

Classes IPC  ?

• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 1/102 - Poudres métalliques revêtues de matériaux organiques
• B22F 1/12 - Poudres métalliques contenant des particules non métalliques
• B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages

Abrégé

There is provided a silver-plated product having a more excellent wear resistance than that of conventional silver-plated products while maintaining the high hardness thereof, and a method for producing the same. In a method for producing a silver-plated product by forming a surface layer of silver on a base material by electroplating in a silver-plating solution which is an aqueous solution containing silver potassium cyanide, potassium cyanide and a mercaptothiazole, the concentration of the mercaptothiazole in the silver-plating solution is not lower than 5 g/L, and the electroplating is carried out at a liquid temperature of not lower than 30° C. and at a current density of 1 to 15 A/cm2.

Classes IPC  ?

• C25D 3/46 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'argent
• C25D 5/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par le procédéPrétraitement ou post-traitement des pièces
• C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome

Abrégé

There is provided a composite material in which an oxygen-containing silver-based coating layer is formed on a base material. the oxygen-containing silver-based coating layer containing silver and having oxygen present in the vicinity of its surface. and the base material comprising copper or copper alloy.

Classes IPC  ?

• C25D 5/48 - Post-traitement des surfaces revêtues de métaux par voie électrolytique
• C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
• C25D 7/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
• C25D 15/00 - Production électrolytique ou électrophorétique de revêtements contenant des matériaux incorporés, p. ex. particules, "whiskers", fils

Abrégé

50 obtained by a laser diffraction particle size distribution analysis of 1.5 μm or less to a slurry of a silver powder. The surface of the silver powder is coated with the surface treatment agent. The surface of the silver powder is further coated with a polyvalent carboxylic acid in a step of producing the silver powder.

Classes IPC  ?

• B22F 1/102 - Poudres métalliques revêtues de matériaux organiques
• B22F 1/054 - Particules de taille nanométrique
• B22F 1/145 - Traitement chimique, p. ex. passivation ou décarburation
• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
• C09C 1/62 - Pigments ou charges métalliques
• C09C 3/08 - Traitement par des composés organiques de bas poids moléculaire
• H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages

Abrégé

In a perovskite-type composite oxide powder according to the present invention, the geometric standard deviation value of the maximum Feret diameter of the perovskite-type composite oxide powder calculated by performing image analysis on an SEM image acquired with a scanning electron microscope is equal to or greater than 1.01 and less than 1.60, and when it is assumed that the perovskite-type composite oxide powder is spherical, the ratio (B/A) of an area value B directly calculated by the image analysis to an area value A calculated from the maximum Feret diameter is equal to or greater than 0.7 and less than 1.0. In this way, the perovskite-type composite oxide powder is used as the air electrode material of an SOFC, and thus high conductivity as compared with a conventional air electrode material is obtained.

Classes IPC  ?

• H01M 4/90 - Emploi de matériau catalytique spécifié
• H01M 12/06 - Éléments hybridesLeur fabrication composés d'un demi-élément du type élément à combustible et d'un demi-élément du type élément primaire avec une électrode métallique et une électrode à gaz

Produits et services

semi-conductors; semiconductor wafers; semiconductor chips; semiconductor elements; LED (light emitting diode) chips; Sensors.

Produits et services

(1) Semi-conductors; semiconductor wafers; semiconductor chips; semiconductor power elements; LED (light emitting diode) chips; Sensors (2) Furnaces; Industrial furnaces; incinerator, furnaces, other than for laboratory use; Heat treatment furnaces; fittings, shaped, for furnaces; heat treatment equipment for treating metal parts, namely, furnaces and gas generators; Gas burner, heating furnace, non-experimental furnace, incinerator, sintering furnace, blunting furnace, hot air furnace, mobile metal heating furnace, electric furnace.

Produits et services

semi-conductors; semiconductor wafers; semiconductor chips; semiconductor elements; LED (light emitting diode) chips; Sensors.

Abrégé

xyzzAs (where 0.49 ≤ x ≤ 0.55, 0.10 ≤ z < 0.35 and x + y + z = 1), and the developed interfacial area ratio (Sdr) of a light extraction surface of the cladding layer having the second conductivity type is 4.0 or more.

Classes IPC  ?

• H01L 33/22 - Surfaces irrégulières ou rugueuses, p.ex. à l'interface entre les couches épitaxiales
• H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique

Abrégé

This composite material is used to produce a terminal that has a soldering portion and terminal-engaged portion, wherein a metal coating and a composite coating are formed above a base material to provide the composite material, the metal coating includes at least one of silver and tin, the composite coating is formed from a silver layer containing carbon particles, and a portion in which the metal coating is exposed and a portion in which the composite coating is exposed are present.

Classes IPC  ?

• C25D 7/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
• C25D 5/02 - Dépôt sur des surfaces déterminées
• C25D 5/10 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents
• C25D 5/16 - Dépôt de couches d'épaisseur variable
• C25D 15/02 - Procédés combinés électrophorétiques et électrolytiques
• H01H 1/023 - Matériau composite avec un métal noble comme matériau de base
• H01H 1/04 - Contacts coopérants en matériaux différents
• H01H 1/18 - Contacts caractérisés par la manière dont les contacts coopérants s'engagent en butant l'un contre l'autre avec glissement subséquent
• H01R 13/03 - Contacts caractérisés par le matériau, p. ex. matériaux de plaquage ou de revêtement
• H01R 43/16 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication, l'assemblage, l'entretien ou la réparation de connecteurs de lignes ou de collecteurs de courant ou pour relier les conducteurs électriques pour la fabrication des pièces de contact, p. ex. par découpage et pliage

Abrégé

A carbon nanotube collection apparatus includes: a collection room having an opening part communicating with a carbon nanotube production apparatus; a winding member arranged inside the collection room and configured to wind a carbon nanotube passed through the opening part from the carbon nanotube production apparatus to form a carbon nanotube wound body; and a separation mechanism configured to move the carbon nanotube wound body from a base end side toward a tip end side of the winding member to separate the carbon nanotube wound body from the winding member.

Classes IPC  ?

• B65H 54/72 - BâtisCartersCouvercles
• B65H 67/04 - Dispositions pour retirer les paquets d'enlèvement une fois garnis et les remplacer par des noyaux, gabarits ou récipients vides aux postes d'enroulage ou d'emmagasinageTransfert du matériau entre les éléments de prise adjacents pleins et vides
• C01B 32/16 - Préparation
• C01B 32/168 - Post-traitement

Abrégé

A method of separating valuable materials. The method includes a heat treatment step of performing a heat treatment on a lithium-ion secondary battery including valuable materials, a crushing step of crushing a heat-treated product obtained in the heat treatment step, and a classification step including a first classification step of classifying a crushed product obtained in the crushing step into a coarse-particle product and an intermediate product at a classification cut-point of 0.6 mm or greater and 2.4 mm or less, and a second classification step of classifying the intermediate product into a medium-particle product and a fine-particle product at a classification cut-point of 40 μm or greater and 300 μm or less.

Classes IPC  ?

• H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
• C22B 1/02 - Procédés de grillage
• C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés

Abrégé

Provided are a silver powder having powder physical properties enabling reduction of volume resistivity after firing and a method of producing this silver powder. The silver powder has a tap density of 4.8 g/mL or more, a TAP/D50 value (value determined by dividing the tap density (g/mL) by the volume-based median diameter (μm)) of not less than 7 and not more than 15, and a specific surface area of not less than 0.75 m2/g and not more than 1.3 m2/g.

Classes IPC  ?

• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 1/105 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques contenant des agents lubrifiants ou liants inorganiques, p. ex. des sels métalliques
• B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p. ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule
• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions

Abrégé

A powder contains a niobium complex and lithium, an amount of niobium being 25 mass % or more and 75 mass % or less, a proportion of niobium in metal elements of the powder is 0.775 or more and 0.950 or less in terms of mass ratio. When the powder is dissolved in 8 times its mass of water at 25° C., a niobium content contained in a filtrate thereof is 80 mass % or more of an amount of niobium contained in the powder before dissolution. The powder is obtained by mixing a niobium compound, a lithium compound, an alkali, hydrogen peroxide, and water to obtain an aqueous solution containing a niobium complex and lithium and then drying the solution at a temperature equal to or lower than a decomposition temperature of the niobium complex. The powder is suitable for preparing a lithium niobate precursor solution for coating positive electrode active material particles.

Classes IPC  ?

• C01G 33/00 - Composés du niobium

Abrégé

A light-emitting element having high emission output power and light emission efficiency and a method of manufacturing of the same are provided. A light-emitting element according to the present disclosure includes an n-type semiconductor layer; an InAsSbP active layer containing at least In and As on the n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer that is lattice-matched with the InAsSbP active layer, on the InAsSbP active layer; and a p-type InGaAs window layer that is lattice-mismatched with the p-type semiconductor layer, on the p-type semiconductor layer, wherein the p-type semiconductor layer has a thickness of 20 nm or more and 520 nm or less.

Classes IPC  ?

• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
• H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
• H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique

Abrégé

There is provided an aluminum-ceramic bonded substrate in which an aluminum plate comprising aluminum alloy is directly bonded to one surface of a ceramic substrate and an aluminum base plate comprising aluminum alloy is directly bonded to the other surface of the ceramic substrate, wherein the aluminum alloy is the aluminum alloy containing 0.05% by mass or more and 3.0% by mass or less of at least one element selected from nickel and iron in total amount, containing 0.01% by mass or more and 0.1% by mass or less of at least one element selected from titanium and zirconium in total amount, and containing 0% by mass or more and 0.05% by mass or less of at least one element selected from boron or carbon in total amount, with a balance being aluminum.

Classes IPC  ?

• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
• B22D 19/02 - Coulée dans, sur, ou autour d'objets formant partie intégrante du produit final pour fabriquer des pièces renforcées
• B22D 19/04 - Coulée dans, sur, ou autour d'objets formant partie intégrante du produit final pour raccorder des pièces
• B22D 21/00 - Coulée de métaux non ferreux ou de composés métalliques, dans la mesure où leurs propriétés métallurgiques affectent le procédé de couléeUtilisation de compositions appropriées
• C22C 21/00 - Alliages à base d'aluminium
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou

Abrégé

A carrier core material includes ferrite particles, contains CaSiO3, and has a true density at least equal to 3.5 g/cm3 and at most equal to 4.5 g/cm3. A particle strength index calculated from formula (1) is preferably at most equal to 1.5% by volume. (1): Particle strength index=V2−V1 (In the formula, V1: cumulative value (% by volume) of particle size 22 μm or less in cumulative particle size distribution of carrier core material before crushing test, and V2: cumulative value (% by volume) of particle size 22 μm or less in cumulative particle size distribution of carrier core material after crushing test) Crushing test conditions: 30 g of carrier core material crushed using a sample mill for 60 seconds at a rotational speed of 14000 rpm.

Classes IPC  ?

• G03G 9/107 - Développateurs avec des particules de toner caractérisés par les particules porteuses ayant des composants magnétiques
• G03G 15/08 - Appareils pour procédés électrographiques utilisant un dessin de charge pour développer en utilisant un développateur solide, p. ex. développateur en poudre

Abrégé

There is provided a copper alloy sheet material, containing: 0.0005% by mass or more and 0.1% by mass or less of Ni, 0.0005% by mass or more and 0.1% by mass or less of Sn, 100 ppm or less of C, 800 ppm or less of O, 10 ppm or less of H, and 50 ppm or less of Ag, with a balance being Cu and impurities, wherein a total content of Ni and Sn is 0.001% by mass or more and 0.11% by mass or less, and when a content of the impurities is expressed as A to B (ppm) in consideration of a quantitative lower limit of each element (here, A is a total impurity content when a content of elements less than the quantitative lower limit is deemed 0 ppm, and B is a total impurity content when a content of the element less than the quantitative lower limit is deemed the quantitative lower limit of each element), A is 100 or less and B is 250 or less.

Classes IPC  ?

• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
• C22C 9/02 - Alliages à base de cuivre avec l'étain comme second constituant majeur
• C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages

Abrégé

[Problem] To provide a silver coating material which has favorable peeling resistance of a silver coating layer in a severely bent part and also has favorable durability against fine sliding wear. [Solution] This production method for a silver coating material comprises: a lower silver plating step for forming a lower silver-plated layer on a material using a silver plating solution not containing benzothiazoles and derivatives thereof; an upper silver plating step for forming an upper silver-plated layer on the lower silver-plated layer by means of an electroplating method using a silver plating solution containing at least one substance selected from among benzothiazoles and derivatives thereof; and a heat treatment step for holding the lower silver-plated layer and the upper silver-plated layer in the temperature range of 250-400ºC for 3-60 seconds.

Classes IPC  ?

• C25D 5/50 - Post-traitement des surfaces revêtues de métaux par voie électrolytique par traitement thermique
• C25D 3/46 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'argent
• C25D 5/10 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents

Abrégé

A method of producing a GaAs wafer having excellent OF orientation stability even in a GaAs wafer having an off angle, and a GaAs wafer group are provided. A method of producing a GaAs wafer includes: a grinding step of grinding a peripheral surface of a GaAs ingot including formation of a provisional orientation flat; a slicing step of slicing the GaAs ingot after the grinding step to cut out a material wafer having an off angle; and a cleaving step of applying marking to the material wafer according to an orientation of an orientation flat determined based on the provisional orientation flat and cleaving the material wafer toward a peripheral surface of the material wafer from the marking to form the orientation flat.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV

Abrégé

To provide a flaky silver powder having a tapped density of from 0.8 g/mL to 1.9 g/mL, and a cumulative 50th percentile particle diameter (D50) of from 2 μm to 7 μm, where the cumulative 50th percentile particle diameter (D50) is measured by laser diffraction or laser scattering particle size analysis.

Classes IPC  ?

• B22F 1/068 - Particules en paillettes
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p. ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages

Abrégé

Provided are a silver powder and a method of producing the same. The method of producing the silver powder includes a first surface smoothing step of causing fine silver particles having internal voids to mechanically collide with one another; a fine powder removal step of dispersing fine silver particles present after the first surface smoothing step using high-pressure airflow while removing fine powder; and a second surface smoothing step of causing fine silver particles present after the fine powder removal step to mechanically collide with one another.

Classes IPC  ?

• B22F 9/04 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau solide, p. ex. par broyage, meulage ou écrasement à la meule
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 1/145 - Traitement chimique, p. ex. passivation ou décarburation
• H01B 1/20 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur

Abrégé

The present invention provides a method for recovering valuable materials from lithium ion secondary batteries, the method comprising: a heat treatment step in which a heat treated material is obtained by subjecting lithium ion secondary batteries to a heat treatment; a first classification step in which a coarse grain product 1 and a fine grain product are obtained by classifying a crushed material that is obtained by crushing the heat treated material; a second classification step in which a coarse grain product 2 and a microfine grain product are obtained by classifying a ground material, which is obtained by grinding the fine grain product, at a classification point that is smaller than the classification point of the first classification step; a first magnetic separation step in which a magnetically attracted material 1 and a magnetically non-attracted material 1 are obtained by magnetically separating the microfine grain product obtained in the second classification step; a second magnetic separation step in which a magnetically attracted material 2 and a magnetically non-attracted material 2 are obtained by magnetically separating the magnetically non-attracted material 1 obtained in the first magnetic separation step; and a recovery step in which valuable materials are recovered from the magnetically attracted material 1 and the magnetically attracted material 2.

Classes IPC  ?

• H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
• C22B 1/00 - Traitement préliminaire de minerais ou de débris ou déchets métalliques
• C22B 1/02 - Procédés de grillage
• C22B 3/22 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés physiques, p. ex. par filtration, par des moyens magnétiques
• C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
• C22B 23/00 - Obtention du nickel ou du cobalt

Abrégé

The present invention provides: an ultraviolet light emitting element which achieves a high light emission output; and a method for producing this ultraviolet light emitting element. This ultraviolet light emitting element is provided with: a transparent substrate which has a main surface that serves as a light extraction surface; an AlN layer which is positioned on the transparent substrate; an n-type semiconductor layer which is positioned on the AlN layer; a quantum well light emitting layer which is positioned on the n-type semiconductor layer; a p-type semiconductor layer which is positioned directly on the quantum well light emitting layer; and a reflective electrode which is positioned directly on the p-type semiconductor layer. The lateral surface of the transparent substrate is roughened; the thickness L (nm) of the p-type semiconductor layer, the luminescence center wavelength λ (nm) by the quantum well light emitting layer, the refractive index n of the p-type semiconductor layer, a natural number k, and the emission angle θ of light heading toward the inside of the p-type semiconductor layer from the quantum well light emitting layer satisfy 2L/cosθ = λ(2k + 1)/2n; and in cases where the main surface and the lateral surface of the transparent substrate are flat, the emission angle θ is within the range where light is not extracted from the transparent substrate to the air.

Classes IPC  ?

• H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
• H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote

Abrégé

[Problem] To directly bond a metal layer in the shape of a thin line to a surface of a ceramic substrate. [Solution] A method for producing a ceramic/metal bonded object which comprises: causing laser beams to strike on a surface of a ceramic substrate while sweeping the laser beams; simultaneously therewith, feeding a solid metallic material toward a region (hereinafter, referred to as "irradiated area") in the ceramic-substrate surface, the region being irradiated with the laser beams, so that the metallic material being supplied is also in the state of being irradiated with the laser beams, thereby melting the metallic material while heating the ceramic-substrate surface located in the irradiated area; and causing the molten metallic material to adhere to the ceramic-substrate surface and then solidifying the metallic material.

Classes IPC  ?

• B23K 26/342 - Soudage de rechargement
• C23C 24/10 - Revêtement à partir de poudres inorganiques en utilisant la chaleur ou une pression et la chaleur avec formation d'une phase liquide intermédiaire dans la couche
• C23C 26/00 - Revêtements non prévus par les groupes
• C23C 26/02 - Revêtements non prévus par les groupes par application au substrat de matériaux fondus

Abrégé

This carbon nanotube recovering device is for recovering carbon nanotubes, and comprises: a winding chamber; a recovery chamber; a first gas discharge line for discharging a gas supplied to the recovery chamber; and a second gas discharge line for discharging a gas supplied to the winding chamber. The recovery chamber has: a first opening connected to the winding chamber; and an open/close mechanism that opens and closes the first opening. It is possible to change among discharging of gas from the first gas discharge line, discharging of gas from the second gas discharge line, and discharging of gas from both of the first and second gas discharge lines.

Classes IPC  ?

• C01B 32/164 - Préparation faisant intervenir des procédés continus
• D01F 9/12 - Filaments de carboneAppareils spécialement adaptés à leur fabrication
• D01F 9/133 - Appareils à cet effet

Abrégé

A composite material obtained by forming, on a material, a composite film comprising a silver layer containing carbon particles, wherein the crystallite size of the silver in the composite film is greater than 40nm and no greater than 70nm, and the arithmetic mean roughness RA (μm) of the composite film is no more than 2μm.

Classes IPC  ?

• C25D 15/02 - Procédés combinés électrophorétiques et électrolytiques
• C25D 3/46 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'argent
• C25D 5/18 - Dépôt au moyen de courant modulé, pulsé ou inversé
• C25D 7/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
• C25D 21/12 - Commande ou régulation

Abrégé

An apparatus for recovering carbon nanotubes which is equipped with a recovery chamber for recovering carbon nanotubes, wherein: the recovery chamber has a housing and a storage container provided below the housing; the housing has a first opening which is connected to an apparatus for producing carbon nanotubes, an opening/closing mechanism for opening and closing the first opening, and a second opening which is connected to the storage container; and the storage container is removably attached to the housing.

Classes IPC  ?

• C01B 32/16 - Préparation

Abrégé

22 at more than 5 mol% in terms of Si.

Classes IPC  ?

• C30B 29/42 - Arséniure de gallium
• C30B 11/00 - Croissance des monocristaux par simple solidification ou dans un gradient de température, p. ex. méthode de Bridgman-Stockbarger
• C30B 27/00 - Croissance de monocristaux sous un fluide protecteur

Abrégé

Provided is a production method for an optical semiconductor element having a good yield rate due to damage to a wafer by grinding being inhibited. Specifically provided is a production method for an optical semiconductor element, the production method having a step for forming a compound semiconductor layer laminate on one main surface of a compound semiconductor substrate having cleavability and a grinding step for grinding the other main surface of the substrate, wherein the skewness (Ssk) of the ground surface of the substrate in a surface roughness measurement is set to be positive immediately after the grinding step.

Classes IPC  ?

• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/304 - Traitement mécanique, p. ex. meulage, polissage, coupe
• H01L 31/08 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

Provided is a III-V compound semiconductor light-emitting element that has better light emission output with respect to injected power, as compared to conventional light-emitting elements. A III-V compound semiconductor light-emitting element according to the present invention has an n-type cladding layer, a light-emitting layer, and a p-type cladding layer in this order and has an undoped electron blocking layer between the light-emitting layer and the p-type cladding layer. The light-emitting layer has a laminated structure formed by repeatedly stacking barrier layers and well layers. In a conduction band, a band gap of the electron blocking layer is larger than a band gap of the barrier layer and a band gap of the p-type cladding layer, and a band gap of the p-type cladding layer is larger than a band gap of the barrier layer. In a valence band, the band gap of the electron blocking layer lies between the band gap of the barrier layer and the band gap of the cladding layer.

Classes IPC  ?

• H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique

Abrégé

There is provided an Ag-plated material and a related technique, including: an Ag-plated layer on a substrate that comprises a conductive metal; and a plurality of two-layer plating structures on the substrate, the two-layer plating structures having a porous Ni-plated layer and an Ag-plated layer in this order from a substrate side.

Classes IPC  ?

• C25D 3/46 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'argent
• H01R 13/03 - Contacts caractérisés par le matériau, p. ex. matériaux de plaquage ou de revêtement
• H01R 43/16 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication, l'assemblage, l'entretien ou la réparation de connecteurs de lignes ou de collecteurs de courant ou pour relier les conducteurs électriques pour la fabrication des pièces de contact, p. ex. par découpage et pliage
• C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome

Abrégé

Provided is a semiconductor light-emitting device for which detrimental effects such as discoloration of an electrode or emission failure due to migration are suppressed even when a joint material containing Ag is used, and a method of producing the same. The semiconductor light-emitting device includes a p-type semiconductor layer, a p-type electrode provided on the p-type semiconductor layer, and a pad provided on the p-type electrode. The p-type electrode at least has an ohmic metal layer placed on the p-type semiconductor layer side and a barrier layer that is placed closer to the pad than the ohmic metal layer and includes a TiN layer. In a top view, when a region of the barrier layer that does not overlap an electrical connection region between the pad and the barrier layer is defined as a surface diffusion inhibiting surface, the surface diffusion inhibiting surface is formed in a circular pattern.

Classes IPC  ?

• H01L 33/40 - Matériaux
• H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
• H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails

Abrégé

Provided is a semiconductor light-emitting element having better light-emitting characteristics than conventional light-emitting elements. A semiconductor light-emitting element according to the present invention comprises a light-emitting layer having a laminate obtained by repeatedly laminating a first group III-V compound semiconductor layer and a second group III-V compound semiconductor layer, wherein: the group III element in the first and second group III-V compound semiconductor layers is one or more selected from the group consisting of Al, Ga, and In; the group V element in the first and second group III-V compound semiconductor layers is one or more selected from the group consisting of As, Sb, and P; the composition wavelength difference between the composition wavelength of the first group III-V compound semiconductor layer and the composition wavelength of the second group III-V compound semiconductor layer is at least 70 nm; and, in a band structure of the laminate, the well depth (Dc) on a conduction band side is greater than the well depth (Dv) on a valence band side, and Dc/(Dc+Dv) is at least 65%.

Classes IPC  ?

• H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
• H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
• H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique

Abrégé

There is provided an Ag-coated material and its related technique, including a base material and an Ag film on the base material, the Ag film including alternately laminated at least three Ag layers with average crystal grain sizes different by three times or more.

Classes IPC  ?

• C25D 5/10 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents
• C25D 3/46 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'argent
• C25D 5/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par le procédéPrétraitement ou post-traitement des pièces
• C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
• C30B 29/02 - Éléments
• C30B 28/04 - Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée à partir de liquides
• B32B 15/01 - Produits stratifiés composés essentiellement de métal toutes les couches étant composées exclusivement de métal
• H01B 5/00 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme

Abrégé

Provided is a method for recovering valuable materials from lithium ion secondary batteries, said method comprising: a heat treatment step for obtaining a heat-treated material by subjecting a lithium ion secondary battery to a heat treatment; a first classification step for obtaining a coarse-grain product 1 and a fine-grain product, by crushing the heat-treated material and classifying the resulting crushed material using a classification point from 600 µm to 2,400 µm; a pulverization step for pulverizing the fine-grain product to obtain a pulverized material; a second classification step for obtaining a coarse-grain product 2 and a very fine-grain product 1, by classifying the pulverized material using at least one classification point that is smaller than the classification point in the first classification step and is from 75 µm to 1,200 µm; and a magnetic sorting step for sorting, using magnetic force, the very fine-grain product 1 yielded by the second classification step.

Classes IPC  ?

• H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
• C22B 1/02 - Procédés de grillage
• C22B 3/22 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés physiques, p. ex. par filtration, par des moyens magnétiques
• C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
• C22B 15/00 - Obtention du cuivre

Abrégé

Provided is a semiconductor light receiving element having high light receiving sensitivity and a high ESD withstand voltage. The semiconductor light receiving element 100 comprises an n-type InP substrate 110, an n-type InGaAs light absorbing layer 130, and an InP window layer 140, and has a p-type impurity diffusion region 150 formed within the InP window layer 140 to reach the upper part of the n-type InGaAs light absorbing layer 130, wherein the n-type InGaAs light absorbing layer 130 has a thickness of 2.2 µm or more and a carrier density due to n-type impurities of 2.5×1015/cm3 or more.

Classes IPC  ?

• H01L 31/10 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails dans lesquels le rayonnement commande le flux de courant à travers le dispositif, p.ex. photo-résistances caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. photo-transistors

Abrégé

A method for recovering a valuable substance from a lithium ion secondary battery is provided. The method includes a thermal treatment step of thermally treating a lithium ion secondary battery containing aluminum, carbon, and a copper foil as constituting materials, and a wet sorting step of applying an external force to a thermally treated product obtained in the thermal treatment step in the presence of a liquid, to sort the thermally treated product into a heavy product and a light product containing copper.

Classes IPC  ?

• H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
• C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
• C22B 15/00 - Obtention du cuivre

Abrégé

Provided is a recycled positive electrode material comprising: lithium, nickel, cobalt, and manganese; 0.3 mass% to 3 mass% of aluminium; and less than 1 mass% of at least one of copper and iron.

Classes IPC  ?

• H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
• C01G 53/00 - Composés du nickel
• C22B 1/02 - Procédés de grillage
• C22B 3/06 - Extraction de composés métalliques par voie humide à partir de minerais ou de concentrés par lixiviation dans des solutions inorganiques acides
• C22B 3/22 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés physiques, p. ex. par filtration, par des moyens magnétiques
• C22B 3/44 - Traitement ou purification de solutions, p. ex. de solutions obtenues par lixiviation par des procédés chimiques
• C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
• C22B 23/00 - Obtention du nickel ou du cobalt
• C22B 26/12 - Obtention du lithium
• C22B 47/00 - Obtention du manganèse
• H01M 4/131 - Électrodes à base d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes, ou de mélanges d'oxydes ou d'hydroxydes, p. ex. LiCoOx
• H01M 4/505 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de manganèse d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du manganèse pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiMn2O4 ou LiMn2OxFy
• H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés

Abrégé

Provided is a GaAs wafer that can suitably be used to produce LiDAR sensors in particular and a method of producing a GaAs ingot that can be used to obtain such a GaAs wafer. The GaAs wafer has a silicon concentration of 5.0×1017 cm−3 or more and less than 3.5×1018 cm−3, an indium concentration of 3.0×1017 cm−3 or more and less than 3.0×1019 cm−3, and a boron concentration of 1.0×1018 cm−3 or more. The average dislocation density of the GaAs wafer is 1500/cm2 or less.

Classes IPC  ?

• C30B 29/42 - Arséniure de gallium
• H01L 29/207 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV caractérisés en outre par le matériau de dopage
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

2 or more.

Classes IPC  ?

• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 1/07 - Poudres métalliques caractérisées par des particules ayant une structure nanométrique
• B22F 1/107 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques contenant des matériaux organiques comportant des solvants, p. ex. pour la coulée en moule poreux ou absorbant
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages

Abrégé

The present invention provides a composite material which is obtained by forming, on a base material, a composite film that is composed of a silver layer containing carbon particles, wherein if the composite film is observed with a laser microscope, the proportion of specific projected parts in the observation field of view is 12% by area or more.

Classes IPC  ?

• C25D 15/02 - Procédés combinés électrophorétiques et électrolytiques
• H01H 1/04 - Contacts coopérants en matériaux différents

Abrégé

A method for recovering a valuable substance is provided. The method includes a thermal treatment step of thermally treating a target containing a valuable substance using a continuous furnace configured to thermally treat the target while moving a target storing unit, in which the target is stored, such that the target storing unit is not contacted by a flame that is for thermal treatment, and a valuable substance recovering step of recovering the valuable substance from a thermally treated product of the target obtained in the thermal treatment step.

Classes IPC  ?

• C22B 15/00 - Obtention du cuivre
• H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
• C22B 1/24 - AgglutinationBriquetage
• C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés

Abrégé

The present invention provides: a method for producing a silver powder that enables the preparation of a conductive paste which is capable of forming a wiring pattern that has desired line width and height; and this silver powder. A method for producing a silver powder according to the present invention comprises: a crushing step in which an agglomerated silver powder is crushed by means of an air flow type pulverizer 2; and a classification step in which the silver powder after the crushing step is classified by means of a pneumatic classifier 3. With respect to this method for producing a silver powder, the agglomerated silver powder has a moisture content of 2 wt% to 20 wt%; a compressed air at a temperature of 80°C to 180°C is supplied, as a supply air, to the air flow type pulverizer 2 in the crushing step; the exhaust of the air flow type pulverizer 2 and the silver powder after the crushing step are supplied to the pneumatic classifier 3 in the classification step; and the exhaust has a temperature of 30°C or more and a volumetric humidity of 20 g/m3 or more.

Classes IPC  ?

• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/052 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules caractérisées par un mélange de particules de dimensions différentes ou par la distribution granulométrique des particules
• B22F 1/0655 - Particules creuses
• B22F 1/103 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques contenant un liant organique comprenant un mélange de, ou obtenu par réaction de, plusieurs composants autres que les solvants ou les agents lubrifiants
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages

Abrégé

A magnetic powder for a magnetic recording medium includes magnetic particles in which Ba in hexagonal barium ferrite is partially substituted with Sr, wherein a Dx volume represented by Dx volume (nm3) = Dxc × π × (Dxa/2)2 is 2,200 nm3 or less, and an Sr/(Ba+Sr) molar ratio is 0.01 to 0.15. One that satisfies Ku ≥ 0.1 × [Sr/(Ba+Sr) molar ratio] + 0.13 is more preferred. For the formulas, Dxc is a crystallite diameter (nm) in a c-axis direction of a hexagonal ferrite crystal lattice, Dxa is a crystallite diameter (nm) in an a-axis direction of the same crystal lattice, π is a circular constant, and Ku is a magnetocrystalline anisotropy constant (MJ/m3). By providing the hexagonal ferrite magnetic powder formed of fine particles, an effect of improving the perpendicular squareness ratio SQ of a magnetic recording medium is large.

Classes IPC  ?

• H01F 1/34 - Aimants ou corps magnétiques, caractérisés par les matériaux magnétiques appropriésEmploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés magnétiques en matériaux inorganiques caractérisés par leur coercivité en matériaux magnétiques doux substances non métalliques, p. ex. ferrites

Abrégé

50BETBET thereof is 0.9-1.2, and a void is present in the particles thereof.

Classes IPC  ?

• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/0655 - Particules creuses
• B22F 1/103 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques contenant un liant organique comprenant un mélange de, ou obtenu par réaction de, plusieurs composants autres que les solvants ou les agents lubrifiants
• B22F 1/105 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques contenant des agents lubrifiants ou liants inorganiques, p. ex. des sels métalliques

Abrégé

10509090105050BET50BETBET is 0.90 to 1.20.

Classes IPC  ?

• B22F 9/24 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par un procédé chimique avec réduction de mélanges métalliques à partir de mélanges métalliques liquides, p. ex. de solutions
• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/103 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques contenant un liant organique comprenant un mélange de, ou obtenu par réaction de, plusieurs composants autres que les solvants ou les agents lubrifiants
• B22F 1/105 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques contenant des agents lubrifiants ou liants inorganiques, p. ex. des sels métalliques

Abrégé

A method for recovering a valuable substance is provided. The method includes a thermal treatment step of thermally treating a target, which contains a valuable substance and is stored in a target storing unit, via a flame blocking unit configured to block a flame for thermally treating the target such that the target storing unit is not contacted by the flame, and a valuable substance recovering step of recovering the valuable substance from a thermally treated product of the target obtained in the thermal treatment step.

Classes IPC  ?

• C22B 9/22 - Refusion des métaux en chauffant par énergie ondulatoire ou par rayonnement corpusculaire
• H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
• C22B 15/00 - Obtention du cuivre

Abrégé

A method for recovering a valuable substance is provided. The method includes: a thermal treatment step of thermally treating a target containing a valuable substance while supporting a target storing unit, in which the target is stored, by a supporting unit that can support the target storing unit, wherein the thermally treating includes heating a gas present in a region, in which the supporting unit is positioned, by a flame for thermally treating the target such that the target storing unit is not contacted by the flame; and a valuable substance recovering step of recovering the valuable substance from a thermally treated product of the target obtained in the thermal treatment step.

Classes IPC  ?

• H01M 10/54 - Récupération des parties utiles des accumulateurs usagés
• C22B 21/00 - Obtention de l'aluminium
• C22B 7/00 - Mise en œuvre de matériaux autres que des minerais, p. ex. des rognures, pour produire des métaux non ferreux ou leurs composés
• C22B 15/00 - Obtention du cuivre
• B09B 3/40 - Destruction de déchets solides ou transformation de déchets solides en quelque chose d'utile ou d'inoffensif impliquant un traitement thermique, p. ex. évaporation

Abrégé

This vacuum carburizing furnace comprises: a heating chamber in which vacuum carburizing of a workpiece charged into the furnace is performed; and a workpiece charging port that is provided on the bottom of the heating chamber.

Classes IPC  ?

• C23C 8/22 - Carburation de la couche superficielle de matériaux ferreux
• C21D 1/06 - Durcissement de surface

Abrégé

There is provided a bonding paste capable of forming a uniform bonding layer by reducing occurrence of voids at edges even when a bonding area is large, and bonding method using the paste, and provides a metal paste for bonding containing at least metal nanoparticles (A) having a number average primary particle size of 10 to 100 nm, wherein a cumulative weight loss value (L100) when a temperature is raised from 40° C. to 100° C. is 75 or less, and a cumulative weight loss value (L150) when a temperature is raised from 40° C. to 150° C. is 90 or more, and a cumulative weight loss value (L200) when a temperature is raised from 40° C. to 200° C. is 98 or more, based on 100 cumulative weight loss value (L700) when the paste is heated from 40° C. to 700° C. at a heating rate of 3° C./min in a nitrogen atmosphere.

Classes IPC  ?

• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• B23K 35/02 - Baguettes, électrodes, matériaux ou environnements utilisés pour le brasage, le soudage ou le découpage caractérisés par des propriétés mécaniques, p. ex. par la forme

Abrégé

[Problem] A hexagonal barium ferrite magnetic powder formed of fine particles, wherein the anisotropic magnetic field distribution of a magnetic recording medium can be made to fall within a range effective in both improving the recording density and improving the SNR is provided. [Problem] A hexagonal barium ferrite magnetic powder formed of fine particles, wherein the anisotropic magnetic field distribution of a magnetic recording medium can be made to fall within a range effective in both improving the recording density and improving the SNR is provided. [Solution] A magnetic powder for a magnetic recording medium including magnetic particles in which Ba in hexagonal barium ferrite is partially substituted with Sr, wherein a Dx volume represented by the following formula (1) is 2,200 nm3 or less, an Sr/(Ba+Sr) molar ratio is 0.01 to 0.30, and an anisotropic magnetic field distribution is 1.00 or less. [Problem] A hexagonal barium ferrite magnetic powder formed of fine particles, wherein the anisotropic magnetic field distribution of a magnetic recording medium can be made to fall within a range effective in both improving the recording density and improving the SNR is provided. [Solution] A magnetic powder for a magnetic recording medium including magnetic particles in which Ba in hexagonal barium ferrite is partially substituted with Sr, wherein a Dx volume represented by the following formula (1) is 2,200 nm3 or less, an Sr/(Ba+Sr) molar ratio is 0.01 to 0.30, and an anisotropic magnetic field distribution is 1.00 or less. Dx volume (nm3)=Dxc×Π×(Dxa/2)2  (1) [Problem] A hexagonal barium ferrite magnetic powder formed of fine particles, wherein the anisotropic magnetic field distribution of a magnetic recording medium can be made to fall within a range effective in both improving the recording density and improving the SNR is provided. [Solution] A magnetic powder for a magnetic recording medium including magnetic particles in which Ba in hexagonal barium ferrite is partially substituted with Sr, wherein a Dx volume represented by the following formula (1) is 2,200 nm3 or less, an Sr/(Ba+Sr) molar ratio is 0.01 to 0.30, and an anisotropic magnetic field distribution is 1.00 or less. Dx volume (nm3)=Dxc×Π×(Dxa/2)2  (1) Here, Dxc is a crystallite diameter (nm) in a c-axis direction of a hexagonal ferrite crystal lattice, Dxa is a crystallite diameter (nm) in an a-axis direction of the same crystal lattice, and n is a circular constant.

Classes IPC  ?

• H01F 1/34 - Aimants ou corps magnétiques, caractérisés par les matériaux magnétiques appropriésEmploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés magnétiques en matériaux inorganiques caractérisés par leur coercivité en matériaux magnétiques doux substances non métalliques, p. ex. ferrites

Abrégé

2).

Classes IPC  ?

• C25D 3/46 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'argent
• C25D 5/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par le procédéPrétraitement ou post-traitement des pièces
• C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome

Abrégé

[Object] To provide a Cu—Ti-based copper alloy sheet material having a strength, an electrical conductivity, bending workability, and a stress relaxation property all at high levels in a good balance, and also having a reduced density (specific gravity). [Means for Solution] A copper alloy sheet material composed of, in mass %, Ti: 1.0 to 5.0%, Al: 0.5 to 3.0%, Ag: 0 to 0.3%, B: 0 to 0.3%, Be: 0 to 0.15%, Co: 0 to 1.0%, Cr: 0 to 1.0%, Fe: 0 to 1.0%, Mg: 0 to 0.5%, Mn: 0 to 1.5%, Nb: 0 to 0.5%, Ni: 0 to 1.0%, P: 0 to 0.2%, Si: 0 to 0.5%, Sn: 0 to 1.5%, V: 0 to 1.0%, Zn: 0 to 2.0%, Zr: 0 to 1.0%, S: 0 to 0.2%, rare earth elements: 0 to 3.0%, and the balance substantially being Cu, wherein a maximum width of a grain boundary reaction type precipitate existing region is 1000 nm or less, a KAM value when a boundary with a crystal orientation difference of 15° or more measured by EBSD (step size: 0.1 μm) is rewarded as a crystal grain boundary is 3.0° or less, and a tensile strength in a rolling direction is 850 MPa or more.

Classes IPC  ?

• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages

Abrégé

[Problem] To provide a silver-plated material that not only has excellent wear resistance but can also keep the peeling resistance of a silver coating layer high, even when exposed to high-temperature/high-humidity environments. [Solution] According to the present invention, a production method for a silver-plated material includes an electro silver plating step for forming a silver coating layer on a base material by means of an electroplating method that uses a cyanide-containing silver plating liquid in which a benzothiazole or a derivative of a benzothiazole has been dissolved and a heat treatment step for holding the silver coating layer at a temperature of 150°C–300°C for 3–30 seconds. Mercaptobenzothiazole or a derivative of mercaptobenzothiazole can, for example, be used as the benzothiazole or the derivative of a benzothiazole.

Classes IPC  ?

• C25D 5/50 - Post-traitement des surfaces revêtues de métaux par voie électrolytique par traitement thermique
• C25D 3/46 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'argent
• C25D 5/10 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents
• C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome

Abrégé

The present invention provides: a silver-plated material wherein a silver plating film is not easily separated from a base plating film and exhibits excellent adhesion in a high-temperature high-humidity environment in cases where the silver plating film is formed on a base material with the base plating film being interposed therebetween; and a method for producing this silver-plated material. According to the present invention, after forming a base silver plating film (which preferably has a thickness of 0.06-15 µm) on a base material (which is preferably formed of copper or a copper alloy) with a base plating film (which is preferably formed of copper, nickel or an alloy of these metals) being interposed therebetween, a surface layer (a silver plating film containing carbon and sulfur) which is formed of silver and contains carbon and sulfur (the surface layer preferably having a thickness of 0.1-2.0 µm) is formed on the base silver plating film by performing electroplating in a silver plating solution which is composed of an aqueous solution that contains silver potassium cyanide or silver cyanide, potassium cyanide or sodium cyanide, and a benzothiazole or a derivative thereof.

Classes IPC  ?

• C25D 5/10 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents
• C25D 3/46 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'argent
• C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
• C25D 7/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
• H01R 13/03 - Contacts caractérisés par le matériau, p. ex. matériaux de plaquage ou de revêtement

Abrégé

An insulating substrate in which one principal surface of a heat-dissipation-side metal plate is bonded to one principal surface of a ceramic substrate via a brazing material layer provided therebetween, and a solder resist portion is formed on at least one selected from a periphery of the other principal surface of the heat-dissipation-side metal plate, a side surface of the heat-dissipation-side metal plate, and a surface of the brazing material layer. A solder resist prevents solder from wrapping around the brazing material layer, and thereby, what is called “the brazing material layer leaching into solder” no longer occurs and the occurrence of cracks inside the brazing material layer is avoided. This prevents stress concentration from occurring in the ceramic substrate at an inner portion relative to an end portion of the heat-dissipation-side metal plate.

Classes IPC  ?

• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
• H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou

Abrégé

Provided is a block-like silver powder having a BET specific surface area of 0.5 m2/g or less, an average aspect ratio when 100 or more silver particle cross sections are observed of 1.2 or greater and less than 2.0, and an average ratio of a peripheral length of a silver particle to a peripheral length of a circumscribing rectangular shape expressed by (Formula 1) of 0.84 or greater. (Formula 1): L/(2 x major diameter + 2 x minor diameter), where L is the peripheral length of the silver particle, and major diameter and minor diameter are the major diameter (μm) and the minor diameter (μm) of a rectangular shape having the smallest area of rectangular shapes circumscribing a contour of a silver particle cross section.

Classes IPC  ?

• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés
• B22F 1/06 - Poudres métalliques caractérisées par la forme des particules
• B22F 9/00 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet
• H01B 1/00 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
• H01B 5/00 - Conducteurs ou corps conducteurs non isolés caractérisés par la forme
• H01B 13/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication de conducteurs ou câbles

Abrégé

Provided is a copper/ceramic bonded substrate comprising a ceramic substrate and a copper plate bonded to at least one surface of the ceramic substrate, wherein the dislocation density of the copper plate is 1.5×1013m-2 or less.

Classes IPC  ?

• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre
• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif
• C04B 37/02 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage avec des articles métalliques
• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• H05K 3/38 - Amélioration de l'adhérence entre le substrat isolant et le métal

Abrégé

A copper/ceramic bonded substrate comprising a ceramic substrate and a copper plate bonded to at least one surface of the ceramic substrate, wherein the Vickers hardness of the copper plate is 42.5 HV or less, and the copper plate has a magnesium content of 1 ppm or less, a nickel content of 2.5 ppm or less, a tin content of 0.05 ppm or less, a selenium content of 0.3 ppm or less, a tellurium content of 0.07 ppm or less, and a bismuth content of 0.2 ppm or less.

Classes IPC  ?

• C04B 37/02 - Liaison des articles céramiques cuits avec d'autres articles céramiques cuits ou d'autres articles, par chauffage avec des articles métalliques
• B23K 35/30 - Emploi de matériaux spécifiés pour le soudage ou le brasage dont le principal constituant fond à moins de 1550 C
• C22C 5/06 - Alliages à base d'argent
• C22C 9/00 - Alliages à base de cuivre

Abrégé

Provided is a composite material formed by forming, on a raw material, a composite coating consisting of a silver layer containing carbon particles, wherein the silver crystallite size of the composite coating is equal to or less than 30 nm, the value obtained by dividing an arithmetic mean roughness Ra (µm) of the composite coating by the thickness (µm) of the composite coating is less than 0.2, and the proportion of a surface of the composite coating occupied by the carbon particles is 5 to 80 area%.

Classes IPC  ?

• C25D 15/02 - Procédés combinés électrophorétiques et électrolytiques
• C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
• C25D 7/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir

Abrégé

(200) of not less than 40 nm on (200) plane thereof, the content of oxygen in the copper powder being 0.7% by weight or less.

Classes IPC  ?

• B22F 1/10 - Poudres métalliques contenant des agents lubrifiants ou liantsPoudres métalliques contenant des matières organiques
• B22F 1/05 - Poudres métalliques caractérisées par la dimension ou la surface spécifique des particules
• B22F 9/08 - Fabrication des poudres métalliques ou de leurs suspensionsAppareils ou dispositifs spécialement adaptés à cet effet par des procédés physiques à partir d'un matériau liquide par coulée, p. ex. à travers de petits orifices ou dans l'eau, par atomisation ou pulvérisation
• C22C 1/04 - Fabrication des alliages non ferreux par métallurgie des poudres
• H01B 1/22 - Matériau conducteur dispersé dans un matériau organique non conducteur le matériau conducteur comportant des métaux ou des alliages
• B22F 1/00 - Poudres métalliquesTraitement des poudres métalliques, p. ex. en vue de faciliter leur mise en œuvre ou d'améliorer leurs propriétés

Abrégé

Provided are: a method for producing AlN single crystals, the method capable of producing AIN single crystals at low cost and in a continuous manner; AlN single crystals; and a device for producing AlN single crystals. The method for produing AlN single crystals includes: a melt formation step for heating and melting an alloy containing Al to form a melt of the alloy; and a deposition step for depositing AlN single crystals while providing a temperature gradient to the melt by cooling a part of the melt. In the deposition step, by bringing a nitrogen-containing gas into contact with a high-temperature section of the melt and holding AlN seed crystals or a crystal growth substrate for single crystals in a low-temperature section in the melt, with nitrogen being taken into the melt in the high-temperature section, AlN single crystals are deposited on the AlN seed crystals or on the substrate in the low-temperature section, and thereby AlN single crystals continuously grow.

Classes IPC  ?

• C30B 29/38 - Nitrures
• C30B 17/00 - Croissance des monocristaux sur un germe restant dans le bain fondu pendant la croissance, p. ex. méthode de Nacken-Kyropoulos
• C30B 19/02 - Croissance d'une couche épitaxiale à partir de la phase liquide en utilisant des solvants fondus, p. ex. des fondants

Abrégé

A copper alloy plate material, having a chemical composition comprising, in mass %, Ni: 10.0 to 30.0%, Al: 1.00 to 6.50%, Ag: 0 to 0.50%, B: 0 to 0.1%, Co: 0 to 2.0%, Cr: 0 to 0.5%, Fe: 0 to 2.0%, Ga: 0 to 0.5%, Ge: 0 to 0.5%, In: 0 to 0.5%, Mg: 0 to 2.0%, Mn: 0 to 2.0%, P: 0 to 0.2%, Si: 0 to 2.0%, Sn: 0 to 2.0%, Ti: 0 to 2.0%, Zn: 0 to 2.0%, and Zr: 0 to 0.3%, with the balance of Cu and unavoidable impurities, and satisfying Ni/Al≤9.0, wherein a Cu concentration XCu, in a precipitate represented by XCu (mass %)=[Cu/(Cu+Ni+Al)]×100 is 15 to 50 mass %, and a Vickers hardness is 300 HV or more.

Classes IPC  ?

• C22C 9/06 - Alliages à base de cuivre avec le nickel ou le cobalt comme second constituant majeur
• C22F 1/08 - Modification de la structure physique des métaux ou alliages non ferreux par traitement thermique ou par travail à chaud ou à froid du cuivre ou de ses alliages
• H01B 5/04 - Barres, barreaux, fils ou rubans simplesBarres omnibus enroulés ou bobinés
• H01B 1/02 - Conducteurs ou corps conducteurs caractérisés par les matériaux conducteurs utilisésEmploi de matériaux spécifiés comme conducteurs composés principalement de métaux ou d'alliages

Abrégé

Provided are a mask member for partial plating and a technique related thereto. The mask member comprises: a drum-type jig 11 including a jig opening disposition region 17 which includes a jig opening 13 for communicating a side surface inner side and a side surface outer side 16 of the drum-type jig 11 and which is a recess provided in a band shape running along the circumferential direction with respect to the side surface outer side 16; and a mask 31 which fills the jig opening disposition region 17 and includes a mask opening 32 at a site corresponding to the jig opening 13. The mask 31 is disposed in the jig opening disposition region 17, a through hole constituted by the jig opening 13 and the mask opening 32 is included, and an edge 33 of the mask opening 32 is raised toward the outer side direction of the drum-type jig 11.

Classes IPC  ?

• C25D 5/02 - Dépôt sur des surfaces déterminées
• C25D 17/08 - Claies

Abrégé

An insulating substrate in which one principal surface of a heat-dissipation-side metal plate is brazed to one principal surface of a ceramic substrate via a brazing material layer provided therebetween, in which a Ni plating layer that covers the brazing material layer exposed between the ceramic substrate and the heat-dissipation-side metal plate is provided, and at least a portion of the other principal surface of the heat-dissipation-side metal plate is not covered with a Ni plating layer, leaving the surface of the heat-dissipation-side metal plate exposed. According to the present invention, it becomes possible to obtain the insulating substrate having excellent furnace passing resistance of the insulating substrate (alone) and further having excellent heat cycle characteristics in a state of a heat sink plate being soldered to the insulating substrate.

Classes IPC  ?

• H01L 23/373 - Refroidissement facilité par l'emploi de matériaux particuliers pour le dispositif

Abrégé

[Problem] To provide a silver-plated material which has excellent abrasion resistance and has the ability to maintain high resistance to peeling of a silver coating layer even when exposed to high-temperature and high-humidity environments. [Solution] The problem is solved by a silver-plated material production method wherein when forming a silver plating layer on a raw material via an electroplating method that uses a cyan-containing silver-plating solution, used as the silver-plating solution is an aqueous solution in which a selenium-containing substance and a benzothiazole or a derivative thereof are dissolved, in which the selenium concentration is 0.9-120 mg/L, and in which the molar ratio of the selenium to the benzothiazole or the derivative thereof is not less than 0.08×10-3. Mercaptobenzothiazole or a derivative thereof, for example, may be used as a substance corresponding to the benzothiazole or the derivative thereof.

Classes IPC  ?

• C25D 3/46 - Dépôt électrochimiqueBains utilisés à partir de solutions d'argent
• C25D 5/12 - Dépôt de plusieurs couches du même métal ou de métaux différents au moins une couche étant du nickel ou du chrome
• C25D 7/00 - Dépôt électrochimique caractérisé par l'objet à revêtir
• H01R 13/03 - Contacts caractérisés par le matériau, p. ex. matériaux de plaquage ou de revêtement