Abrégé

A method of producing a laminate, wherein a wood body is provided, a curable composition in the liquid state is applied thereto, and the composition cures, wherein the composition contains at least one organic binder and at least 80% by weight of mineral fillers, based on the overall composition. The method enables permanent bonding of wood bodies and compositions that are based on organic binder and have a high content of mineral fillers. The laminates obtained from the method are comparatively lightweight, stable and durable, and are particularly suitable as sustainable components in building construction, especially as a roof element.

Classes IPC  ?

• B27N 7/00 - Post-traitement, p. ex. réduction du gonflement ou du retrait, surfaçageProtection des bords contre l'humidité
• B05D 7/06 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers à du bois
• E04F 13/10 - Revêtements ou enduits, p. ex. pour murs ou plafonds constitués d'éléments d'habillage ou de garnissageLeurs bâtisLeurs moyens de fixation constitués de plusieurs éléments d'habillage ou de garnissage semblables en bois

Abrégé

The invention relates to a method for producing a laminate, characterized in, characterized in that - a wooden body is provided, - a curable composition in the liquid state is applied to the latter, and - the composition cures, the composition containing at least one organic binder and at least 80 % by weight of mineral fillers based on the entire composition. The method enables the permanent joining of wooden bodies and compositions based on an organic binder and having a high content of mineral fillers. The laminates obtained from the method are comparatively light, stable and robust and are especially suitable as sustainable components for building construction, particularly as a ceiling element.

Classes IPC  ?

• B05D 7/06 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers à du bois
• B27N 7/00 - Post-traitement, p. ex. réduction du gonflement ou du retrait, surfaçageProtection des bords contre l'humidité
• B28B 1/00 - Fabrication d'objets façonnés à partir du matériau
• B28B 1/16 - Fabrication d'objets façonnés à partir du matériau par simple coulée, le matériau n'étant ni alimenté sous pression, ni réellement compacté pour la fabrication d'objets stratifiés
• B28B 11/04 - Appareillages ou procédés pour le traitement ou le travail des objets façonnés pour le revêtement
• B28B 11/24 - Appareillages ou procédés pour le traitement ou le travail des objets façonnés pour faire prendre ou durcir
• B28B 19/00 - Machines ou méthodes pour appliquer le matériau sur des surfaces pour former une couche permanente sur ces dernières
• B32B 13/10 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une substance à prise hydraulique, p. ex. du béton, du plâtre, du ciment, ou d'autres matériaux entrant dans la construction comprenant une telle substance comme seul composant ou composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de boisProduits stratifiés composés essentiellement d'une substance à prise hydraulique, p. ex. du béton, du plâtre, du ciment, ou d'autres matériaux entrant dans la construction comprenant une telle substance comme seul composant ou composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique de particules de bois
• C04B 24/12 - Composés contenant de l'azote
• C04B 26/14 - Polyépoxydes
• C04B 26/16 - Polyuréthanes
• C04B 40/00 - Procédés, en général, pour influencer ou modifier les propriétés des compositions pour mortiers, béton ou pierre artificielle, p. ex. leur aptitude à prendre ou à durcir
• E04B 1/26 - Structures comportant des éléments porteurs allongés, p. ex. colonnes, poutres, ossatures les pièces porteuses étant en bois

Abrégé

The invention relates to a method for producing a laminate, characterized in that (i) a wooden element is provided, (ii) the wooden element is coated on the top side with a an adhesive that is applied in liquid form and comprises at least one polymer that is liquid at room temperature and contains silane groups, at least one liquid epoxy resin and at least one amine hardener, (iii) the applied adhesive is covered with a layer of a liquid cementitious composition while still wet, and (iv) the liquid cementitious composition and the adhesive each cure. The method enables the durable joining of wooden elements and cementitious elements in an easy-to-implement, wet-on-wet method. The laminates obtained from the method are comparatively light, stable and robust and are especially suitable as sustainable components in above-ground construction, particularly as a ceiling element.

Classes IPC  ?

• B05D 7/00 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers
• B05D 7/06 - Procédés, autres que le flocage, spécialement adaptés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides, à des surfaces particulières, ou pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides particuliers à du bois
• B28B 19/00 - Machines ou méthodes pour appliquer le matériau sur des surfaces pour former une couche permanente sur ces dernières
• E04B 5/02 - Structures portantes de planchers, formées essentiellement d'éléments préfabriqués
• E04C 3/12 - PoutrellesSolives, fermes ou structures analogues à des fermes, p. ex. préfabriquéesLinteauxTraverses en bois, p. ex. avec armatures ou tirants
• E04C 3/29 - PoutrellesSolives, fermes ou structures analogues à des fermes, p. ex. préfabriquéesLinteauxTraverses formés d'éléments de différents matériaux

Abrégé

Disclosed are electrochemical devices, such as sodium ion conducting solid state electrolytes, sodium battery electrodes, and solid-state sodium metal batteries including these electrodes and solid state electrolytes. One example method for preparing a sodium/sodium-β″-alumina interface with low interfacial resistance and capable of achieving high current density in an electrochemical cell includes the steps of: (a) providing a precursor electrolyte having a resistive surface region, wherein the precursor electrolyte comprises sodium-β″-alumina; (b) removing at least a portion of the resistive surface region; (c) heating the precursor electrolyte thereby forming a solid state electrolyte, and (d) placing a side of the solid state electrolyte in contact with a sodium anode.

Classes IPC  ?

• H01M 10/054 - Accumulateurs à insertion ou intercalation de métaux autres que le lithium, p. ex. au magnésium ou à l'aluminium
• H01M 10/0562 - Matériaux solides

Abrégé

A method (200) for fabricating thin-film optoelectronic devices (100), the method comprising: providing a substrate (110), forming a back-contact layer (120); forming at least one absorber layer (130) made of an ABC chalcogenide material, adding at least one alkali metal (235), and forming at least one cavity (236, 610, 612, 613) at the surface of the absorber layer wherein forming of said at least one cavity is by dissolving away from said surface of the absorber layer at least one crystal aggregate comprising at least one alkali crystal comprising at least one alkali metal. The method (200) is advantageous for more environmentally-friendly production of photovoltaic devices (100) on flexible substrates with high photovoltaic conversion efficiency and faster production rate.

Classes IPC  ?

• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/0749 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails adaptés comme dispositifs de conversion photovoltaïque [PV] caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface les barrières de potentiel étant uniquement du type PN à hétérojonction incluant un composé AIBIIICVI, p.ex. cellules solaires à hétérojonctions CdS/CuInSe2 [CIS]
• H01L 31/0445 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles comportant des cellules solaires en couches minces, p.ex. cellules solaires en a-Si, CIS ou CdTe
• H01L 31/0224 - Electrodes
• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
• H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants

Abrégé

A method (200) and deposition zone apparatus (300) for fabricating thin-film optoelectronic devices (100), the method comprising: providing a potassium-nondiffusing substrate (110), forming a back-contact layer (120); forming at least one absorber layer (130) made of an ABC chalcogenide material, adding at least two different alkali metals, and forming at least one front-contact layer (150) wherein one of said at least two different alkali metals is potassium and where, following forming said front-contact layer, in the interval of layers (470) from back-contact layer (120), exclusive, to front-contact layer (150), inclusive, the comprised amounts resulting from adding at least two different alkali metals are, for potassium, in the range of 500 to 10000 ppm and, for the other of said at least two different alkali metals, in the range of 5 to 2000 ppm and at most ½ and at least 1/2000 of the comprised amount of potassium. The method (200) and apparatus (300) are advantageous for more environmentally-friendly production of photovoltaic devices (100) on flexible substrates with high photovoltaic conversion efficiency and faster production rate.

Classes IPC  ?

• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• C23C 14/24 - Évaporation sous vide
• C23C 14/14 - Matériau métallique, bore ou silicium
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

A method (200) for fabricating thin-film optoelectronic devices (100), the method comprising: providing a substrate (110), forming a back-contact layer (120); forming at least one absorber layer (130) made of an ABC chalcogenide material, adding at least one alkali metal (235), and forming at least one cavity (236, 610, 612, 613) at the surface of the absorber layer wherein forming of said at least one cavity is by dissolving away from said surface of the absorber layer at least one crystal aggregate comprising at least one alkali crystal comprising at least one alkali metal. The method (200) is advantageous for more environmentally-friendly production of photovoltaic devices (100) on flexible substrates with high photovoltaic conversion efficiency and faster production rate.

Classes IPC  ?

• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/0445 - Modules PV ou matrices de cellules PV individuelles comportant des cellules solaires en couches minces, p.ex. cellules solaires en a-Si, CIS ou CdTe
• H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
• H01L 31/0224 - Electrodes

Abrégé

B).

Classes IPC  ?

• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• C23C 14/00 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
• C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
• C23C 28/00 - Revêtement pour obtenir au moins deux couches superposées, soit par des procédés non prévus dans un seul des groupes principaux , soit par des combinaisons de procédés prévus dans les sous-classes et
• C23C 28/04 - Revêtements uniquement de matériaux inorganiques non métalliques
• B23B 27/14 - Outils de coupe sur lesquels les taillants ou éléments tranchants sont en matériaux particulier

Abrégé

The invention relates to a method according to which a profile consisting of a shape-memory alloy is placed into concrete, or a concrete to be reinforced is roughened on the outside, then profiles (2) consisting of a shape-memory alloy are fastened to the roughened outside (9) of the structure (6) and a cementitious matrix is applied to the roughened outside (9) to cover the profiles (2). After the cementitious matrix has set, said profiles (2) produce a contraction force and thus a tension as a result of the input of heat. The mortar covering layer (16) thereby acts as a reinforcement layer owing to the interlocking of the mortar covering layer (16) with the roughened outside (9) of the structure (6). The profiles (2) run in an outer mortar as a reinforcement layer (16) of the outside of a structure along the outside of the structure inside the mortar or reinforcement layer (16). A structure can also be prepared for a prestress in the equipped mortar or reinforcement layer by the input of heat, in that electrical cables (3) are routed from the end regions thereof to the outside of the mortar or reinforcement layer (16) or the end regions of the electrical cables (3) are accessible by removing inserts (5).

Classes IPC  ?

• E04C 5/08 - Éléments spécialement adaptés pour être utilisés dans des constructions précontraintes
• E04G 21/12 - Montage d'éléments d'armatureApplication de la précontrainte
• E04C 5/01 - Éléments d'armature en métal, p. ex. avec des revêtements rapportés
• C22C 38/00 - Alliages ferreux, p. ex. aciers alliés
• E04G 23/02 - Réparation, p. ex. comblement des lézardesRestaurationModificationAgrandissement
• E04B 1/16 - Structures formées à partir de matériaux en vrac, p. ex. de béton, coulés ou formés de façon analogue, sur place, avec ou sans emploi d'éléments additionnels, tels que coffrages permanents ou infrastructures à recouvrir du matériau porteur de la charge
• E04C 5/07 - Éléments d'armature en un matériau autre qu'un métal, p. ex. en verre, en matière plastique

Abrégé

A method (200) and deposition zone apparatus (300) for fabricating thin-film optoelectronic devices (100), the method comprising: providing a potassium-nondiffusing substrate (110), forming a back-contact layer (120); forming at least one absorber layer (130) made of an ABC chalcogenide material, adding at least two different alkali metals, and forming at least one front-contact layer (150) wherein one of said at least two different alkali metals is potassium and where, following forming said front-contact layer, in the interval of layers (470) from back-contact layer (120), exclusive, to front-contact layer (150), inclusive, the comprised amounts resulting from adding at least two different alkali metals are, for potassium, in the range of 500 to 10000 ppm and, for the other of said at least two different alkali metals, in the range of 5 to 2000 ppm and at most ½ and at least 1/2000 of the comprised amount of potassium. The method (200) and apparatus (300) are advantageous for more environmentally-friendly production of photovoltaic devices (100) on flexible substrates with high photovoltaic conversion efficiency and faster production rate.

Classes IPC  ?

• H01L 31/0336 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, des matériaux semi-conducteurs couverts par plusieurs des groupes dans des régions semi-conductrices différentes, p.ex. des hétéro-jonctions Cu2X/CdX, X étant un élément du groupe VI de la classification périodique
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• C23C 14/24 - Évaporation sous vide
• C23C 14/14 - Matériau métallique, bore ou silicium
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

The invention relates to a method according to which a profile consisting of a shape-memory alloy is placed into concrete, or a concrete to be reinforced is roughened on the outside, then profiles (2) consisting of a shape-memory alloy are fastened to the roughened outside (9) of the structure (6) and a cementitious matrix is applied to the roughened outside (9) to cover the profiles (2). After the cementitious matrix has set, said profiles (2) produce a contraction force and thus a tension as a result of the input of heat. The mortar covering layer (16) thereby acts as a reinforcement layer owing to the interlocking of the mortar covering layer (16) with the roughened outside (9) of the structure (6). The profiles (2) run in an outer mortar as a reinforcement layer (16) of the outside of a structure along the outside of the structure inside the mortar or reinforcement layer (16). A structure can also be prepared for a prestress in the equipped mortar or reinforcement layer by the input of heat, in that electrical cables (3) are routed from the end regions thereof to the outside of the mortar or reinforcement layer (16) or the end regions of the electrical cables (3) are accessible by removing inserts (5).

Classes IPC  ?

• B28B 23/04 - Aménagements spécialement adaptés à la fabrication d'objets façonnés avec des éléments complètement ou partiellement enrobés dans le matériau de moulage dans lesquels les éléments enrobés sont des renforcements les éléments enrobés étant sous tension
• E04C 5/01 - Éléments d'armature en métal, p. ex. avec des revêtements rapportés
• E04G 21/12 - Montage d'éléments d'armatureApplication de la précontrainte

Abrégé

The present invention relates to a hard material layer system with a multiple-layer structure, comprising alternating layers A and B, with A layers having the composition in atomic percentage MeApAOnANmA and B layers having the composition in atomic percentage MeBpBOnBNmB, wherein the thermal conductivity of the A layers is greater than the thermal conductivity of the B layers. b. MeA and MeB each comprise at least one metal of the group Ti, Zr, Hf, V, Nb, Ta, Cr, Mo, W and AI, pA identifies the atomic percentages of MeA and pB the atomic percentages of MeB and the following is true: PA = PB, nA identifies the oxygen concentration in the A layers in atomic percentage, and nB identifies the oxygen concentration in the B layers in atomic percentage and the following is true: nA < nB, and mA identifies the nitrogen concentration in the A layers in atomic percentage and mB identifies the nitrogen concentration in the B layers in atomic percentage and the following is true: pA/(nA+mA) = pB/(nB+mB).

Classes IPC  ?

• C23C 14/00 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement
• C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
• C23C 14/34 - Pulvérisation cathodique
• C23C 28/00 - Revêtement pour obtenir au moins deux couches superposées, soit par des procédés non prévus dans un seul des groupes principaux , soit par des combinaisons de procédés prévus dans les sous-classes et

Abrégé

r higher than the previous, and in the fifth depositing only B elements to achieve a final ratio A/B of total deposited elements.

Classes IPC  ?

• H01L 31/18 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 31/0256 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux
• H01L 31/032 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés non couverts par les groupes
• H01L 31/0392 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline ou par l'orientation particulière des plans cristallins comprenant des films minces déposés sur des substrats métalliques ou isolants