A chemical detection mixture includes microsensor elements adapted to detect target chemical and/or target environmental conditions. The microsensor elements can be incorporated within liquid and dry mixtures, including compounds of inks, dyes, print powders, aerosols and other suspensions. The microsensor element state is detected and then processed to identify a detected value for the target chemical. Depending on the result, a readout substance is released to indicate a presence of the target chemical.
G01N 21/77 - Systèmes dans lesquels le matériau est soumis à une réaction chimique, le progrès ou le résultat de la réaction étant analysé en observant l'effet sur un réactif chimique
G01N 27/12 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps solide dépendant de l'absorption d'un fluideRecherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface
A coated article includes integrated circuit detection elements incorporated on a surface or embedded in a body, which elements are adapted to detect target chemical and/or target environmental conditions. The detection elements include microsensors applied with liquid and dry mixtures, including compounds of inks, dyes, print powders, aerosols and other suspensions. The microsensor state is detected and then processed to identify a detected value for the target chemical. Depending on the result, a readout substance is released to indicate a presence of the target chemical.
G01N 21/77 - Systèmes dans lesquels le matériau est soumis à une réaction chimique, le progrès ou le résultat de la réaction étant analysé en observant l'effet sur un réactif chimique
G01N 27/12 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps solide dépendant de l'absorption d'un fluideRecherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface
A chemical detection system on an integrated circuit includes microsensor elements adapted to detect target chemical and/or target environmental conditions. The chemical detection system generally includes carbon nanotubes as the microsensor elements, magnetoelectronic processing components for interpreting the CNT state, non-volatile memory for storing the detection state, and a combination of readout options, including transmitting antennas and micromechanical structures for controlling an expression of a readout substance.
G01N 21/77 - Systèmes dans lesquels le matériau est soumis à une réaction chimique, le progrès ou le résultat de la réaction étant analysé en observant l'effet sur un réactif chimique
G01N 27/12 - Recherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps solide dépendant de l'absorption d'un fluideRecherche ou analyse des matériaux par l'emploi de moyens électriques, électrochimiques ou magnétiques en recherchant l'impédance en recherchant la résistance d'un corps solide dépendant de la réaction avec un fluide
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface
A process is disclosed for using microsensors elements embedded in or on articles for detecting target chemical and/or target environmental conditions of interest, including materials hazardous to human health and/or associated with illegal activity. The microsensor elements can be fabricated on a single semiconductor chip, and can be made indetectable to facilitate secure surveillance of potentially illegal activities.
Resistance elements, including Magnetic Tunnel Junction devices are configured as magnetoelectronic (ME) devices. These resistive devices are useable as circuit building blocks in reconfigurable processing systems, including as logic circuits, non-volatile switches and memory cells.
G11C 11/18 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des dispositifs à effet Hall
H01L 27/22 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun utilisant des effets de champ magnétique analogues
H01L 43/02 - Dispositifs utilisant les effets galvanomagnétiques ou des effets magnétiques analogues; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives - Détails
H01L 43/08 - Résistances commandées par un champ magnétique
G11C 11/16 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
Hybrid Hall Effect Devices implemented with Spin Transfer Torque write capability are configured as magnetoelectronic (ME) devices. These devices are useable as circuit building blocks in reconfigurable processing systems, including as logic circuits, non-volatile switches and memory cells.
H03K 19/173 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des circuits logiques élémentaires comme composants
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface
H03K 19/177 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des circuits logiques élémentaires comme composants disposés sous forme matricielle
H03K 17/90 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
Magnetoelectronic circuits include Hybrid Hall Effect devices implemented with Spin Transfer Torque write capability. The circuits include reconfigurable processing systems, logic circuits, non-volatile switches, memory cells, etc.
H03K 19/173 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des circuits logiques élémentaires comme composants
H03K 19/177 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des circuits logiques élémentaires comme composants disposés sous forme matricielle
G11C 11/16 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments magnétiques utilisant des éléments dans lesquels l'effet d'emmagasinage est basé sur l'effet de spin
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface
8.
Reconfigurable magnetoelectronic processing system
Magnetoelectronic (ME) logic circuits and methods of operating the same are disclosed for use in energy constrained applications in which logic operations are carried out using a minimal number of physical operations. Microsystems of different circuits made from different types of ME devices can be constructed and employed in applications such as sensors, smart dust, etc. including in clockless applications.
H03K 3/59 - Générateurs caractérisés par le type de circuit ou par les moyens utilisés pour produire des impulsions par l'utilisation de dispositifs galvanomagnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface
H03K 19/177 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des circuits logiques élémentaires comme composants disposés sous forme matricielle
9.
Nonvolatile logic circuit architecture and method of operation
Magnetoelectronic (ME) logic circuits and methods of operating the same are disclosed. Microsystems of different circuits made from different types of ME devices can be constructed and employed in applications such as sensors, smart dust, etc.
H03K 19/173 - Circuits logiques, c.-à-d. ayant au moins deux entrées agissant sur une sortieCircuits d'inversion utilisant des éléments spécifiés utilisant des circuits logiques élémentaires comme composants
H03K 19/0175 - Dispositions pour le couplageDispositions pour l'interface
brevets