Abrégé

Disclosed is a laser debonding apparatus that transmits light energy to a release layer between a carrier substrate of an object to be processed and a device, thereby separating the device from the carrier substrate. The laser debonding apparatus disclosed herein comprises: a light source for generating laser light; a beam shaper for shaping the laser light into a processing beam; and a projection optical system for projecting the processing beam onto the release layer. The laser light is pulsed UV laser light that photochemically decomposes the release layer.

Classes IPC  ?

• B23K 26/53 - Travail par transmission du faisceau laser à travers ou dans la pièce à travailler pour modifier ou reformer le matériau dans la pièce à travailler, p. ex. pour faire des fissures d'amorce de rupture
• B23K 26/082 - Systèmes de balayage, c.-à-d. des dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la tête du laser
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• B23K 26/0622 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples par commande directe du faisceau laser par impulsions de mise en forme

Abrégé

A wafer processing apparatus according to an exemplary embodiment selectively processes wafers of different sizes and transfers the wafers to a cassette, and comprises: a processing unit for processing the wafers; an aligning unit for aligning the wafers to be supplied to the processing unit; an inverting unit for inverting a wafer of a predetermined size from among the wafers; and a transferring unit for transferring the wafer between the processing unit, the aligning unit and the inverting unit, wherein the transferring unit includes an end effector that makes contact with the wafer, and the end effector can be mounted on the transferring unit in an attachable or detachable manner.

Classes IPC  ?

• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

A groove forming apparatus includes a laser light source configured to emit a laser beam, a multi-beam generator configured to split the laser beam into a plurality of sub-laser beams, a focusing lens unit configured to focus the plurality of sub-laser beams on a processing object, a first telecentric lens provided between the multi-beam generator and the focusing lens unit, and a second telecentric lens provided between the first telecentric lens and the focusing lens unit.

Classes IPC  ?

• B23K 26/364 - Gravure au laser pour faire une rainure ou une saignée, p. ex. pour tracer une rainure d'amorce de rupture
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• G02B 13/22 - Objectifs ou systèmes de lentilles télécentriques
• G02B 27/42 - Optique de diffraction

Abrégé

A disclosed laser processing method comprises the steps of: performing primary processing while positioning a processing beam having a first processing width smaller than a target width of a groove at a first position inside the target width and relatively moving the processing beam with respect to an object to be processed; and alternately performing a plurality of secondary processing and tertiary processing in which the processing is performed while sequentially positioning the processing beam at a plurality of second positions moved by a first step in a first direction with respect to the first position and at a plurality of third positions moved by a second step in an opposite direction of the second position with respect to the first position and relatively moving the processing beam in a second direction with respect to the object to be processed.

Classes IPC  ?

• B23K 26/364 - Gravure au laser pour faire une rainure ou une saignée, p. ex. pour tracer une rainure d'amorce de rupture
• B23K 26/062 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples par commande directe du faisceau laser
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Disclosed are a laser annealing system and a method of fabricating a semiconductor device using the same. The laser annealing system having multiple laser devices may include a stage, on which a substrate is loaded, a light source generating a plurality of laser beams to be provided to the substrate, an optical delivery system disposed between the light source and the stage and used to deliver the laser beams, a homogenizing system disposed between the optical delivery system and the stage, the homogenizing system including an array lens including a plurality of lens cells which allow the laser beams to pass therethrough and homogenize the laser beams, and an imaging optical system disposed between the homogenizing system and the stage to image the laser beams on the substrate.

Classes IPC  ?

• B23K 26/34 - Soudage au laser pour des finalités autres que l’assemblage
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• B23K 26/073 - Détermination de la configuration du spot laser
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
• G02B 27/18 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes , pour projection optique, p. ex. combinaison de miroir, de condensateur et d'objectif
• H01S 3/00 - Lasers, c.-à-d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet
• H10P 34/42 -
• H10P 72/00 -
• H10P 95/90 -

Abrégé

A laser processing apparatus includes a stage configured to support a substrate as a processing target and a reflective structure for measurement, a laser output portion configured to output a laser beam, a focusing lens configured to focus the laser beam on the substrate in a processing mode for processing the substrate and to focus the laser beam on the reflective structure in a measuring mode for measuring the laser beam, an aberration measuring optical system configured to receive a reflected light of the laser beam from the reflective structure through the focusing lens and to measure aberration of the laser beam, and an aberration corrector provided on an optical path of the laser beam incident from the laser output portion to the focusing lens and configured to correct the aberration of the laser beam based on the measured aberration information of the laser beam.

Classes IPC  ?

• B23K 26/062 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples par commande directe du faisceau laser
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/70 - Opérations ou équipement auxiliaires
• G01J 1/42 - Photométrie, p. ex. posemètres photographiques en utilisant des détecteurs électriques de radiations

Abrégé

A wafer inspection system according to an embodiment includes: a first image sensor that is configured to inspect a wafer loaded on a stage and photographs one surface of the wafer a plurality of times; a second image sensor that photographs the opposite surface of the wafer a plurality of times; and a control unit that controls a time point at which the wafer is photographed, by applying a photographing signal to each of the first image sensor and the second image sensor, wherein each of the first image sensor and the second image sensor is relatively moved in a first direction with respect to the stage, and the relative movement may be continuously performed in a process in which each of the first image sensor and the second image sensor photographs the wafer a plurality of times.

Classes IPC  ?

• G01N 21/95 - Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
• G01N 21/88 - Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures
• G06T 7/30 - Détermination des paramètres de transformation pour l'alignement des images, c.-à-d. recalage des images

Abrégé

Disclosed is a cleaning unit for a notching apparatus, which cleans a jig supporting an object to be processed in the notching apparatus. The cleaning unit disclosed herein may comprise: an outer brush configured to brush an outer surface of the jig, in which the outer surface supports the object to be processed; and an inner brush configured to brush an inner surface of the jig, which is opposite to the outer surface, and having a shape different from that of the outer brush.

Classes IPC  ?

• B23K 26/16 - Enlèvement de résidus, p. ex. des particules ou des vapeurs produites pendant le traitement de la pièce à travailler
• B23K 37/04 - Dispositifs ou procédés auxiliaires non spécialement adaptés à un procédé couvert par un seul des autres groupes principaux de la présente sous-classe pour maintenir ou mettre en position les pièces
• B08B 1/12 - Brosses
• B23K 26/362 - Gravure au laser
• B25B 11/00 - Porte-pièces ou dispositifs de mise en position non couverts par l'un des groupes , p. ex. porte-pièces magnétiques, porte-pièces utilisant le vide

Abrégé

The disclosed laser processing apparatus comprises: a beam splitter for splitting a laser beam from a light source into a first beam having a first polarization and a second beam having a second polarization; a beam converter for changing the beam mode of at least one of the first beam and the second beam; a beam combiner for overlapping the first and second beams on the same optical path; and a projection optical system for projecting the overlapped first and second beams onto an object being processed.

Classes IPC  ?

• B23K 26/364 - Gravure au laser pour faire une rainure ou une saignée, p. ex. pour tracer une rainure d'amorce de rupture
• B23K 26/38 - Enlèvement de matière par perçage ou découpage
• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• B23K 26/082 - Systèmes de balayage, c.-à-d. des dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la tête du laser

Abrégé

Disclosed is a method for dividing a processing target in which a pattern layer is disposed between a first wafer layer and a second wafer layer. The dividing method disclosed herein may comprise the steps of: forming a processing groove extending in the depth direction from one surface of the processing target to at least the pattern layer; forming a modified region inside the processing target by focusing a laser beam onto a position spaced apart from the other surface of the processing target; and applying an external force to the processing target and thereby forming a crack extending along the modified region.

Classes IPC  ?

• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• B23K 26/53 - Travail par transmission du faisceau laser à travers ou dans la pièce à travailler pour modifier ou reformer le matériau dans la pièce à travailler, p. ex. pour faire des fissures d'amorce de rupture
• B23K 26/38 - Enlèvement de matière par perçage ou découpage
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

The disclosed method for dividing a processing object comprises the steps of: preparing a processing object including a substrate layer and at least one material layer formed on the upper surface of the substrate layer; shaping laser light into a processing beam; forming a recess to be cut that partially extends from the material layer to the inside of the substrate layer, while relatively moving the processing beam one or more times in the processing direction with respect to the processing object; and dividing the processing object along the recess to be cut. In at least one relative movement from among the one or more relative movements in the step of forming the recess to be cut, the processing beam has a Gaussian intensity profile, and the recess to be cut having a shape of which the width becomes narrower as the depth increases in a cross section orthogonal to the processing direction is formed in the processing object by the processing beam having the Gaussian intensity profile.

Classes IPC  ?

• B23K 26/364 - Gravure au laser pour faire une rainure ou une saignée, p. ex. pour tracer une rainure d'amorce de rupture
• B23K 26/38 - Enlèvement de matière par perçage ou découpage
• B23K 26/0622 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples par commande directe du faisceau laser par impulsions de mise en forme
• B23K 26/53 - Travail par transmission du faisceau laser à travers ou dans la pièce à travailler pour modifier ou reformer le matériau dans la pièce à travailler, p. ex. pour faire des fissures d'amorce de rupture
• B23K 26/073 - Détermination de la configuration du spot laser
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

The present invention relates to a laser processing method and to a laser processing method for processing a processing line of a substrate by using a laser processing apparatus comprising: a scanner for deflecting a laser beam; a scanning lens for forming a focal point of the laser beam on the substrate; and a stage on which the substrate is seated and moves. A scan field of the scanning lens is divided into a masking area that is not irradiated with the laser beam and an irradiation area which is disposed adjacent to the masking area and irradiated with the laser beam, and the scanner and the stage are driven in synchronization so that the processing line is processed while disposed in the irradiation area.

Classes IPC  ?

• B23K 26/082 - Systèmes de balayage, c.-à-d. des dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la tête du laser
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/066 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes par utilisation de masques
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce

Abrégé

A support unit for supporting a workpiece in a notching apparatus is disclosed. The disclosed support unit comprises: a pair of support rollers which are spaced apart in the moving direction of a workpiece, and which are disposed to come into contact with the workpiece; and at least one guard part, which is disposed between the pair of support rollers so as to prevent foreign substances generated while a laser beam is emitted at the workpiece from becoming stuck to the pair of support rollers.

Classes IPC  ?

• B23K 26/362 - Gravure au laser
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 37/00 - Dispositifs ou procédés auxiliaires non spécialement adaptés à un procédé couvert par un seul des autres groupes principaux de la présente sous-classe
• B23K 26/16 - Enlèvement de résidus, p. ex. des particules ou des vapeurs produites pendant le traitement de la pièce à travailler
• B08B 1/12 - Brosses
• H01M 50/531 - Connexions d’électrodes dans un boîtier de batterie
• B65H 23/26 - Positionnement, tension, suppression des à-coups ou guidage des bandes longitudinal par barres ou rouleaux transversaux fixes ou réglables

Abrégé

A method of operating an apparatus for laser annealing, includes reducing temporal or spatial coherency of a plurality of laser beams by beam superimposing; and reducing an electric field inner product magnitude of beams having the reduced temporal or spatial coherency by a fly eye lens array to reduce coherency, and/or by modifying a polarization state between the beams by beam superimposing.

Classes IPC  ?

• G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• B23K 103/00 - Matières à braser, souder ou découper
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux
• G02B 27/14 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réflexion
• G02B 27/28 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes , pour polariser
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

Provided are a variable pulse width flat-top laser device and an operation method therefor. A variable pulse width flat-top laser device includes a light source unit including first and second laser light sources driven at different times to respectively emit pulse-type first and second laser beams, a beam shaping unit configured to shape the first and second laser beams emitted from the light source unit into flat-top laser beams, a combination/split unit located between the light source unit and the beam shaping unit, and including a first beam combination/split unit configured to combine optical paths of the first and second laser beams and split a combined optical path into at least two optical paths so that the split at least two optical paths are directed to different regions of an incident surface of the beam shaping unit, and an imaging optical system configured to time-sequentially overlay the flat-top laser beams shaped by the beam shaping unit on a target object to form an image.

Classes IPC  ?

• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

A laser processing apparatus is disclosed. The disclosed laser processing apparatus comprises: a laser device; a chuck table comprising a first surface, which comprises a curved surface and is a surface on which a workpiece is placed, and a second surface which is at the opposite side to the first surface; a suction unit for adhering the workpiece to the first surface of the chuck table; and a focusing optical system for focusing a pulsed laser beam, provided from the laser device, into the interior of the workpiece placed on the chuck table. The laser device generates a pulsed laser beam, each pulse having a waveform in which, with respect to the peak of the laser beam, the front slope is gentle, and the rear slope is steeper than the front slope.

Classes IPC  ?

• B23K 26/0622 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples par commande directe du faisceau laser par impulsions de mise en forme
• B23K 37/04 - Dispositifs ou procédés auxiliaires non spécialement adaptés à un procédé couvert par un seul des autres groupes principaux de la présente sous-classe pour maintenir ou mettre en position les pièces
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23Q 17/24 - Agencements sur les machines-outils pour indiquer ou mesurer utilisant des moyens optiques
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

A laser device and a laser processing device including same are disclosed. The laser device disclosed herein comprises: a pulse beam generation unit for generating a shaped pulse laser beam; a first optical amplification unit for amplifying the pulse laser beam generated by the pulse beam generation unit; and a control unit for controlling the pulse beam generation unit to generate a shaped pulse laser beam having a shape in which the slope before a peak value of the pulse laser beam is gentle and the slope after the peak value is steeper than the slope before the peak value.

Classes IPC  ?

• B23K 26/38 - Enlèvement de matière par perçage ou découpage
• B23K 26/0622 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples par commande directe du faisceau laser par impulsions de mise en forme
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• H01S 3/091 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p. ex. pompage utilisant le pompage optique
• H01S 3/067 - Lasers à fibre optique
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Provided are an illumination optical system and a method of forming a laser beam using the same. The illumination optical system comprises a lens array unit configured to receive a plurality of laser beams provided from one side, a spatial light modulator configured to control phases of the plurality of laser beams passing through the lens array unit, and a condensing lens configured to overlap the plurality of laser beams passing through the spatial light modulator to form a flat-top beam, wherein the plurality of laser beams includes a first laser beam and a second laser beam passing through two adjacent lenses, and wherein the spatial light modulator is configured to control the first laser beam and the second laser beam to have different phases.

Classes IPC  ?

• G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
• G02B 5/30 - Éléments polarisants
• G02B 13/00 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

A laser processing apparatus is disclosed. Disclosed is the laser processing apparatus comprising: a laser light source for generating laser light; a spatial light modulator for forming a processing modulation pattern by modulating the laser light provided by the laser light source; a condensing optical system for condensing, onto an object to be processed, the laser light modulated by the spatial light modulator; a relay lens optical system positioned between the spatial light modulator and the condensing optical system; and a control unit for controlling the spatial light modulator such that the laser light is modulated according to the processing modulation pattern. The relay lens optical system transfers an image of the processing modulation pattern formed by the spatial light modulator to the incident side of the condensing optical system, and includes a first lens group, a second lens group and a field lens between the first lens group and the second lens group.

Classes IPC  ?

• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/062 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples par commande directe du faisceau laser
• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce

Abrégé

Disclosed is a laser processing apparatus for processing an electrode. The laser processing apparatus comprises: a first laser source that outputs a first laser beam for preheating an edge region of an active material layer of an electrode; a second laser source that outputs a second laser beam for etching the edge region; and a controller that controls the first laser source and the second laser source, wherein an irradiation region of the first laser beam is larger than an irradiation region of the second laser beam.

Classes IPC  ?

• H01M 4/04 - Procédés de fabrication en général
• H01M 4/139 - Procédés de fabrication
• B23K 26/16 - Enlèvement de résidus, p. ex. des particules ou des vapeurs produites pendant le traitement de la pièce à travailler
• B23K 26/362 - Gravure au laser
• B23K 26/70 - Opérations ou équipement auxiliaires
• B23K 101/36 - Dispositifs électriques ou électroniques

Abrégé

A laser processing apparatus is provided. The laser processing apparatus includes a light source unit configured to emit a first laser beam and a second laser beam, a beam shaping unit configured to generate a processing beam from the first laser beam and the second laser beam based on an operation mode of the laser processing apparatus, and a beam measurement unit configured to measure a waveform of at least one laser beam, wherein, when the operation mode is a processing mode, the first laser beam and the second laser beam overlap each other, and the beam measurement unit measures a waveform of the processing beam, and when the operation mode is a test mode, the first laser beam and the second laser beam do not overlap each other, and the beam measurement unit measures waveforms of the first laser beam and the second laser beam.

Classes IPC  ?

• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/0622 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples par commande directe du faisceau laser par impulsions de mise en forme

Abrégé

A groove forming apparatus includes a laser light source configured to emit a laser beam, a multi-beam generator configured to split the laser beam into a plurality of sub-laser beams, a focusing lens unit configured to focus the plurality of sub-laser beams on a processing object, a first telecentric lens provided between the multi-beam generator and the focusing lens unit, and a second telecentric lens provided between the first telecentric lens and the focusing lens unit.

Classes IPC  ?

• B23K 26/364 - Gravure au laser pour faire une rainure ou une saignée, p. ex. pour tracer une rainure d'amorce de rupture
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• G02B 13/22 - Objectifs ou systèmes de lentilles télécentriques
• G02B 27/42 - Optique de diffraction

Abrégé

An optical amplifier is disclosed. The optical amplifier includes: a gain medium which has a first surface on which a seed beam is incident, a second surface positioned opposite to the first surface, and a side surface connecting the first surface and the second surface, and in which the incident seed beam is amplified while moving to the second surface and emitted to the second surface; and a pumping source providing a pump beam to at least one of the first surface or the second surface, wherein a pump beam removal region is provided in one region of the side surface of the gain medium, the pump beam removal region being surface-treated so that at least a portion of the pump beam existing inside the gain medium is emitted to the outside of the gain medium, and the pump beam removal region is located closer to the first surface than a region in which the pump beam is first reflected from the side surface of the gain medium.

Classes IPC  ?

• H01S 3/06 - Structure ou forme du milieu actif
• H01S 3/10 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation
• H01S 3/042 - Dispositions pour la gestion thermique pour des lasers à l'état solide
• H01S 3/13 - Stabilisation de paramètres de sortie de laser, p. ex. fréquence ou amplitude
• B23K 26/362 - Gravure au laser
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples

Abrégé

A laser device according to various embodiments may comprise: a housing; an inlet valve that is disposed in a first direction of the housing and configured to receive cooling water; an outlet valve that is disposed in a second direction of the housing and configured to discharge the cooling water; a laser output unit that is accommodated in the housing and configured to receive power and output a laser beam; and a cooling structure for cooling the laser output unit. The cooling structure may include: a support member for accommodating the laser output unit therein; and a flow path that is formed to go from the surface of the support member toward the inside of the support member and is for providing a path through which the cooling water flows.

Classes IPC  ?

• H01S 3/04 - Dispositions pour la gestion thermique
• H01S 3/16 - Matériaux solides
• H01S 3/02 - Détails de structure

Abrégé

A laser processing device is disclosed. The laser processing device comprises: a light source that provides a laser beam; a beam expander comprising a birefringent material that double-refracts the laser beam to form a first laser beam polarized from the laser beam in a first direction and a second laser beam polarized in a second direction perpendicular to the first direction; a focusing lens for imaging the first laser beam and the second laser beam on an object to be processed, wherein focuses of the first laser beam and the second laser beam are formed at different depths from a surface of the object to be processed.

Classes IPC  ?

• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/364 - Gravure au laser pour faire une rainure ou une saignée, p. ex. pour tracer une rainure d'amorce de rupture
• B23K 26/382 - Enlèvement de matière par perçage ou découpage par perçage
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

Provided is a laser device. A laser device includes a light source unit configured to emit a first laser beam and a second laser beam, and a beam shaping unit configured to receive the first laser beam and the second laser beam on an incident surface and to shape the first laser beam and the second laser beam into a first processing beam, wherein the beam shaping unit is further configured, to have the incident surface including four quadrants, to receive the first laser beam on a first quadrant and the second laser beam on a second quadrant, and to shape the first laser beam and the second laser beam being emitted at different timing from the first laser beam into the first processing beam.

Classes IPC  ?

• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

Abrégé

An electrode manufacturing device is disclosed. The electrode manufacturing device includes a transfer unit configured to transfer an electrode, a laser output unit configured to emit a laser beam to the electrode, a guide unit including a first surface and a second surface for guiding the electrode so that the electrode is transferred along a preset path while the laser beam is emitted, and a cleaning unit disposed adjacent to the guide unit, and configured to remove dust deposited on the guide unit, wherein the guide unit rotates between a first state and a second state, in the first state, the first surface is disposed to guide the electrode and the second surface is disposed to be cleaned by the cleaning unit, and in the second state, the first surface is disposed to be cleaned by the cleaning unit and the second surface is disposed to guide the electrode.

Classes IPC  ?

• H01M 10/04 - Structure ou fabrication en général
• B23K 26/38 - Enlèvement de matière par perçage ou découpage
• B23K 26/142 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage en utilisant un écoulement de fluide, p. ex. un jet de gaz, associé au faisceau laserBuses à cet effet pour l'enlèvement de résidus

Abrégé

Various embodiments of the present disclosure relate to a rework device and a method for controlling same, the rework device enabling uniform radiant heating, by a laser source, of only a target part seated at a predetermined position on a printed circuit board. To this end, in the rework device, a uniformizing filter may be stacked on the target part, which has been mounted at a rework position provided on the printed circuit board, and thus mounted thereto. A laser generated by a light source part is provided to the target part to which the uniformizing filter has been mounted, and an opening may be provided through a blocking mask to prevent the periphery of the target part from being exposed.

Classes IPC  ?

• B23K 26/57 - Travail par transmission du faisceau laser à travers ou dans la pièce à travailler le faisceau laser entrant dans une face de la pièce à travailler d’où il est transmis à travers le matériau de la pièce à travailler pour opérer sur une face différente de la pièce à travailler, p. ex. pour effectuer un enlèvement de matière, pour raccorder par fusion, pour modifier ou pour reformer le matériau
• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 37/04 - Dispositifs ou procédés auxiliaires non spécialement adaptés à un procédé couvert par un seul des autres groupes principaux de la présente sous-classe pour maintenir ou mettre en position les pièces
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• B23K 101/42 - Circuits imprimés

Abrégé

A groove forming apparatus comprises: a laser light source which emits a laser beam; a multi-beam generator which splits the laser beam into a plurality of sub-laser beams; a focusing lens unit which condenses the plurality of sub-laser beams; a first telecentric lens provided between the multi-beam generator and the focusing lens unit; and a second telecentric lens provided between the first telecentric lens and the focusing lens unit.

Classes IPC  ?

• B23K 26/364 - Gravure au laser pour faire une rainure ou une saignée, p. ex. pour tracer une rainure d'amorce de rupture
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• G02B 13/22 - Objectifs ou systèmes de lentilles télécentriques
• G02B 27/42 - Optique de diffraction
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes

Abrégé

Provided are a variable pulse width flat-top laser device and an operation method therefor. A variable pulse width flat-top laser device includes a light source unit including first and second laser light sources driven at different times to respectively emit pulse-type first and second laser beams, a beam shaping unit configured to shape the first and second laser beams emitted from the light source unit into flat-top laser beams, a combination/split unit located between the light source unit and the beam shaping unit, and including a first beam combination/split unit configured to combine optical paths of the first and second laser beams and split a combined optical path into at least two optical paths so that the split at least two optical paths are directed to different regions of an incident surface of the beam shaping unit, and an imaging optical system configured to time-sequentially overlay the flat-top laser beams shaped by the beam shaping unit on a target object to form an image.

Classes IPC  ?

• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser

Abrégé

A method of operating an apparatus for laser annealing, includes reducing temporal or spatial coherency of a plurality of laser beams by beam superimposing; and reducing an electric field inner product magnitude of beams having the reduced temporal or spatial coherency by a fly eye lens array to reduce coherency, and/or by modifying a polarization state between the beams by beam superimposing.

Classes IPC  ?

• G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux
• G02B 27/14 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réflexion
• G02B 27/28 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes , pour polariser
• B23K 103/00 - Matières à braser, souder ou découper
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

An electrode manufacturing device for manufacturing an electrode includes: a first support unit having a plate shape extending along a plane and injecting a first pressurized fluid in a 1st-1st direction perpendicular to the plane; a second support unit having a plate shape extending along one plane, disposed to face the first support unit at a certain distance, and injecting a second pressurized fluid in a 1st-2nd direction opposite to the 1st-1st direction; a transfer unit configured to transfer an electrode having a sheet-shape in a direction of gravity and dispose a first area of the electrode between the first support unit and the second support unit; and a laser beam notching unit configured to notch and cut a portion of a second area of the electrode by irradiating a laser beam to the electrode in the 1st-1st direction.

Classes IPC  ?

• B23K 26/38 - Enlèvement de matière par perçage ou découpage
• B08B 5/04 - Nettoyage par aspiration, avec ou sans action auxiliaire
• H01M 50/533 - Connexions d’électrodes dans un boîtier de batterie caractérisées par la forme des conducteurs ou des languettes
• B23K 26/142 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage en utilisant un écoulement de fluide, p. ex. un jet de gaz, associé au faisceau laserBuses à cet effet pour l'enlèvement de résidus
• B23K 26/14 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage en utilisant un écoulement de fluide, p. ex. un jet de gaz, associé au faisceau laserBuses à cet effet
• B23K 37/04 - Dispositifs ou procédés auxiliaires non spécialement adaptés à un procédé couvert par un seul des autres groupes principaux de la présente sous-classe pour maintenir ou mettre en position les pièces

Abrégé

A hole formation device comprises: a laser light source; an acousto-optic modulator for controlling the processing path of a laser beam provided from the laser light source; and a scan head for emitting, at an object to be processed, the laser beam provided from the acousto-optic modulator, wherein: the acousto-optic modulator controls the processing path of the laser beam so that the laser beam is emitted at the object to be processed along a first loop processing path so as to form a first trench in the object to be processed, and so that the laser beam is emitted at the object to be processed along a second loop processing path so as to form a second trench in the object to be processed; and the second trench is provided to be spaced from the first trench in an area surrounded by the first trench.

Classes IPC  ?

• B23K 26/382 - Enlèvement de matière par perçage ou découpage par perçage
• B23K 26/082 - Systèmes de balayage, c.-à-d. des dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la tête du laser
• H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
• H01S 3/101 - Lasers munis de moyens pour changer l'origine ou la direction du rayonnement émis
• G02F 1/11 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire pour la commande de l'intensité, de la phase, de la polarisation ou de la couleur basés sur des éléments acousto-optiques, p. ex. en utilisant la diffraction variable par des ondes sonores ou des vibrations mécaniques analogues

Abrégé

A variable-pulse-width flat-top laser device and an operating method therefor are disclosed. The disclosed variable-pulse-width flat-top laser device comprises: a light source unit including first and second laser light sources driven at different times so as to respectively emit pulse-type first and second laser beams, respectively; a beam shaping unit for shaping, into flat-top laser beams, the first and second laser beams emitted from the light source unit; a combination/branching unit arranged between the light source unit and the beam shaping unit so as to include a first beam combination/split unit, which combines the optical paths of the first and second laser beams and splits the combined optical path into at least two optical paths so that the split at least two optical paths are directed to different regions of the incident surface of the beam shaping unit; and an imaging optical system for sequentially overlaying the flat-top laser beams shaped by the beam shaping unit on an object and forming an image.

Classes IPC  ?

• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• B23K 26/53 - Travail par transmission du faisceau laser à travers ou dans la pièce à travailler pour modifier ou reformer le matériau dans la pièce à travailler, p. ex. pour faire des fissures d'amorce de rupture
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

Disclosed are a laser annealing system and a method of fabricating a semiconductor device using the same. The laser annealing system having multiple laser devices may include a stage, on which a substrate is loaded, a light source generating a plurality of laser beams to be provided to the substrate, an optical delivery system disposed between the light source and the stage and used to deliver the laser beams, a homogenizing system disposed between the optical delivery system and the stage, the homogenizing system including an array lens including a plurality of lens cells which allow the laser beams to pass therethrough and homogenize the laser beams, and an imaging optical system disposed between the homogenizing system and the stage to image the laser beams on the substrate.

Classes IPC  ?

• B23K 26/34 - Soudage au laser pour des finalités autres que l’assemblage
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/073 - Détermination de la configuration du spot laser
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs
• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
• G02B 27/18 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes , pour projection optique, p. ex. combinaison de miroir, de condensateur et d'objectif
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01S 3/00 - Lasers, c.-à-d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet

Abrégé

A laser marking device includes a laser emission unit configured to emit a laser beam to a first surface of an object to be processed, and a pressing unit configured to press a second surface that is opposite to the first surface of the object to be processed to make the first surface of the object to be flat. The pressing unit includes a first pressing portion configured to press an edge area of the second surface in a contact manner, and at least one second pressing portion configured to press a middle area of the second surface in a non-contact manner to maintain a separation distance from the second surface within a certain distance.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test

Abrégé

A laser marking device includes a laser emission unit configured to emit a laser beam to a first surface of an object to be processed, and a pressing unit configured to press a second surface that is opposite to the first surface of the object to be processed to make the first surface of the object to be flat. The pressing unit includes a first pressing portion configured to press an edge area of the second surface in a contact manner, and at least one second pressing portion configured to press a middle area of the second surface in a non-contact manner to maintain a separation distance from the second surface within a certain distance.

Classes IPC  ?

• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser

Abrégé

A warpage reduction device the present disclosure includes a jig having a warped shape capable of distributing stress of a workpiece, a light source heating the workpiece so as to be flat, a pressurizer applying pressure to the heated workpiece to be pressed against the jig so as to be deformed, a cooler cooling the deformed workpiece, and a controller controlling operations of the light source, the pressurizer, and the cooler.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• B29C 51/10 - Formage par une différence de pression, p. ex. sous vide
• B29C 51/18 - Appareils de thermoformage
• B29C 51/42 - Chauffage ou refroidissement
• H01L 21/56 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• B29L 31/34 - Appareils électriques, p. ex. bougies ou leurs parties constitutives

Abrégé

Provided are a monitoring device and method. A monitoring device includes a laser processor configured to emit a processing laser beam to perform a melting annealing process on a wafer; a laser monitor configured to emit a monitoring laser beam onto the wafer while the laser processor performs the melting annealing process, the laser monitor configured to measure reflectivity of the wafer; and a data processor configured to process data on the reflectivity measured by the laser monitor, and monitor one or more characteristics of the wafer based on the data on the reflectivity.

Classes IPC  ?

• G01N 21/25 - CouleurPropriétés spectrales, c.-à-d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• B23K 26/354 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage pour le traitement de surface par fusion
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler

Abrégé

Provided is an apparatus and method for correcting a marking position, in which, by measuring and correcting a marking position by using a processing film for position correction, marking may be accurately performed on a position on a semiconductor chip during a marking operation, before a marking operation is performed on semiconductor chips provided on a wafer. The apparatus for correcting a marking position of a wafer includes a support configured to support a processing film for position correction, a laser head configured to emit a laser beam to the processing film for position correction to form a pattern, a vision camera configured to obtain pattern position information, a movable table configured to move the support in a horizontal direction, and a controller configured to compare and match the pattern position information and marking position information set in the laser head.

Classes IPC  ?

• H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test

Abrégé

A laser processing device according to the present disclosure comprises: a light source for emitting a laser beam; an optical modulator for controlling, within the swing angle thereof, an angle at which the laser beam travels; a 4F angle control optical system for changing the swing angle of the optical modulator; and a flying head for processing an object to be processed, by using a laser beam transmitted from the 4F angle control optical system.

Classes IPC  ?

• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/066 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes par utilisation de masques
• G02F 1/00 - Dispositifs ou dispositions pour la commande de l'intensité, de la couleur, de la phase, de la polarisation ou de la direction de la lumière arrivant d'une source lumineuse indépendante, p. ex. commutation, ouverture de porte ou modulationOptique non linéaire

Abrégé

Disclosed is a high-power light source device having a compact structure in which laser beams emitted from a plurality of laser light sources are efficiently combined. The disclosed light source device includes: a first row of laser light sources and a second row of laser light sources, which are disposed to face each other; a third row of reflective mirrors disposed on the outside of the second row of laser light sources; a fourth row of reflective mirrors disposed on the outside of the first row of laser light sources; and a beam combiner, wherein the first row of laser light sources and the second row of laser light sources are alternately disposed, the first row of laser light sources are provided so as to have a stepped portion therebetween, and the second row of laser light sources are provided so as to have a stepped portion therebetween.

Classes IPC  ?

• H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
• G02B 5/08 - Miroirs
• G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
• G02B 27/28 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes , pour polariser
• G02B 27/30 - Collimateurs

Abrégé

A warpage reduction device according to the present disclosure comprises: a jig having a curved shape capable of distributing stress in a material; a light source for heating the material so as to flatten the same; a pressurizer for applying pressure to the heated material so as to press the heated material against the jig and thus deform the same; a cooler for cooling the deformed material; and a control unit for controlling operations of the light source, the pressurizer, and the cooler.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide

Abrégé

The laser processing device includes: a measuring device configured to measure a change in a height of an object and including a first light source configured to emit probe light, a first light focusing unit configured to focus the probe light on the object, a light sensing unit configured to detect a change in the probe light reflected from a reflective surface of the object and including a Shack-Hartmann sensor, and a calculation unit configured to calculate the change in the height of the object by using the change in the reflected light detected by the light sensing unit; a second light source configured to emit laser light for processing to the object; and a focus adjusting device configured to adjust a focus of the laser light emitted to the object by using the change in the height of the object to be processed measured by the measuring device.

Classes IPC  ?

• G01N 21/00 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de moyens optiques, c.-à-d. en utilisant des ondes submillimétriques, de la lumière infrarouge, visible ou ultraviolette
• B23K 26/046 - Focalisation automatique du faisceau laser
• B23K 26/02 - Mise en place ou surveillance de la pièce à travailler, p. ex. par rapport au point d'impactAlignement, pointage ou focalisation du faisceau laser
• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler
• B23K 26/04 - Alignement, pointage ou focalisation automatique du faisceau laser, p. ex. en utilisant la lumière rétrodiffusée
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• G01B 11/06 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur pour mesurer l'épaisseur
• G01B 11/14 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la distance ou la marge entre des objets ou des ouvertures espacés
• G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
• G02B 27/14 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réflexion
• G02B 7/28 - Systèmes pour la génération automatique de signaux de mise au point

Abrégé

A laser amplification device is disclosed. The disclosed laser amplification device comprises a seed beam light source for supplying a seed beam and a solid amplifier for amplifying the output of the seed beam, wherein the solid amplifier comprises: a laser medium; a pumping beam light source for supplying a pumping beam exciting the laser medium; a pumping beam mirror for reflecting, to the laser medium again, the pumping beam having passed through the laser medium; a plurality of dichroic mirrors for reflecting the seed beam such that the seed beam passes through the laser medium by the same path as the pumping path of the pumping beam; and a plurality of mirrors arranged on the optical path of the seed beam.

Classes IPC  ?

• H01S 3/08 - Structure ou forme des résonateurs optiques ou de leurs composants
• H01S 3/10 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation
• G02B 27/14 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réflexion

Abrégé

Provided is an adhesive removing device for removing an adhesive for adhering a mask and a pellicle from the mask. The adhesive removing device includes: a laser irradiating unit configured to irradiate a laser beam to an adhesive layer formed between the mask and the pellicle; a controller configured to control a wavelength, a waveform, and an energy density of the laser beam, so as to remove the adhesive layer through emission of the laser beam; and an imaging unit configured to monitor a region to which the laser beam is irradiated.

Classes IPC  ?

• G03F 1/82 - Procédés auxiliaires, p. ex. nettoyage ou inspection
• B08B 7/00 - Nettoyage par des procédés non prévus dans une seule autre sous-classe ou un seul groupe de la présente sous-classe
• G03F 1/64 - Pellicules, p. ex. assemblage de pellicules ayant une membrane sur un cadre de supportLeur préparation caractérisés par les cadres, p. ex. du point de vue de leur structure ou de leur matériau

Abrégé

Disclosed is a laser processing method. The disclosed laser processing method simultaneously enables height measurement and laser processing of an object to be processed, by using a height measurement unit and a laser irradiation unit which are arranged in the direction of processing.

Classes IPC  ?

• B23K 26/04 - Alignement, pointage ou focalisation automatique du faisceau laser, p. ex. en utilisant la lumière rétrodiffusée
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler

Abrégé

Provided is an automatic inspection device and method for inspecting processing quality of laser processing equipment that forms a modified area by irradiating a laser beam into an object to be processed. The automatic inspection device includes: an image film coated on a bottom surface of the object to be processed; an image sensing unit configured to detect a damage image of the object to be processed formed on the image film through irradiation of the laser beam; and an image processing unit configured to process the damage image detected by the image sensing unit.

Classes IPC  ?

• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• B23K 31/12 - Procédés relevant de la présente sous-classe, spécialement adaptés à des objets ou des buts particuliers, mais non couverts par un seul des groupes principaux relatifs à la recherche des propriétés, p. ex. de soudabilité, des matériaux
• B23K 26/0622 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples par commande directe du faisceau laser par impulsions de mise en forme
• B23K 26/082 - Systèmes de balayage, c.-à-d. des dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la tête du laser
• B23K 26/53 - Travail par transmission du faisceau laser à travers ou dans la pièce à travailler pour modifier ou reformer le matériau dans la pièce à travailler, p. ex. pour faire des fissures d'amorce de rupture
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler
• B23K 26/362 - Gravure au laser
• B23K 26/40 - Enlèvement de matière en tenant compte des propriétés du matériau à enlever
• B23K 103/00 - Matières à braser, souder ou découper
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs

Abrégé

The present invention relates to an optical coupler and, according to one embodiment, the optical coupler can comprise: a first ferrule which is a hollow tubular member extending along one direction and which has one end portion to which a first optical fiber is connected; a first lens arranged so as to be spaced from the other end portion of the first ferrule at predetermined intervals; a second ferrule which is a hollow tubular member extending along one direction and which has one end portion to which a second optical fiber is connected; and a second lens arranged so as to be spaced from the other end portion of the second ferrule at predetermined intervals.

Classes IPC  ?

• H01S 3/067 - Lasers à fibre optique
• H01S 3/00 - Lasers, c.-à-d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet
• G02B 7/02 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques pour lentilles

Abrégé

A thin disk laser device is disclosed. The disclosed thin disk laser device comprises: a first parabolic reflector and a second parabolic reflector which face each other and are arranged in the same axis; a first thin disk and a second thin disk which respectively have a laser medium and a reflective surface and are respectively arranged at peaks of the first parabolic reflector and the second parabolic reflector so as to form a multi-path of pumping light together with the first parabolic reflector and the second parabolic reflector; a first inner mirror and a second inner mirror which are arranged in a space between the first parabolic reflector and the second parabolic reflector and reflect signal light; and a plurality of mirrors arranged on a light path of the signal light between the first inner mirror and the second inner mirror, wherein the first inner mirror, the second inner mirror and the plurality of mirrors amplify the signal light by repeating the reflection of the signal light between the first thin disk and the second thin disk.

Classes IPC  ?

• H01S 3/06 - Structure ou forme du milieu actif
• H01S 3/105 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation par commande de la position relative ou des propriétés réfléchissantes des réflecteurs de la cavité
• H01S 3/00 - Lasers, c.-à-d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet

Abrégé

A mask cleaning apparatus is disclosed. The disclosed mask cleaning apparatus comprises: a laser source for generating a laser beam; and a laser emitting unit for emitting a laser beam at an adhesive on a photomask, wherein the laser emitting unit includes: a rotational driving unit for providing a rotational driving force; and a rotating optical system disposed on a moving path of the laser beam, rotated by the rotational driving unit, and moving, by the rotation, the location of the laser beam emitted at the adhesive on the photomask so as to compensate for a spatial energy variation of the laser beam.

Classes IPC  ?

• G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet

Abrégé

The present invention relates to an object alignment method using an imaging device and an imaging method. According to an imaging method, a clear image can be obtained by performing auto-focusing in an imaging process using a reference table in which chuck thickness values measured at a plurality of sampling points are stored. In addition, objects can be aligned using images obtained from an imaging device.

Classes IPC  ?

• G03B 3/02 - Dispositions pour la mise au point présentant un intérêt général pour les appareils photographiques, les appareils de projection ou les tireuses par déplacement de l'objectif le long de la plaque de base
• G01B 11/02 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur
• G01N 3/04 - Mandrins
• G02B 3/10 - Lentilles bifocalesLentilles multifocales
• G01N 21/17 - Systèmes dans lesquels la lumière incidente est modifiée suivant les propriétés du matériau examiné

Abrégé

The present invention relates to a marking position correcting device and a marking position correcting method wherein, before semiconductor chips provided on a wafer are subjected to a marking process, marked positions are measured and corrected using a screen formed on a surface of a transparent substrate such that markings can be made in correct positions on the semiconductor chip. In addition, the position in which a laser beam is detected and the position of a marking point formed on the screen by the laser beam may differ from each other due to the refractive index of the transparent substrate, but the refractive index of the transparent substrate is compensated for, according to the present invention, when calculating the position of the marking point, thereby making the correction of the marking position accurate. A marking position correcting device according to an embodiment of the present invention is a marking position correcting device for correcting the marking position on a wafer, comprising: a position correcting member comprising a transparent substrate and a screen provided on the transparent screen; a laser head for emitting a laser beam to the screen and forming a marking point; a vision camera for acquiring information regarding the position of a detection point formed as the laser beam passes through the screen and the transparent substrate; a calculation unit for calculating information regarding the position of the marking point using the information regarding the position of the detection point acquired by the vision camera; and a control unit for comparing and matching the information regarding the position of the marking point and information regarding the marking position set on the laser head.

Classes IPC  ?

• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement

Abrégé

According to exemplary embodiments, a laser device and a laser generation method are provided. The laser device according to an embodiment generates a trigger signal from a laser modulation signal. In addition, the laser device emits pumping light at a gain medium by synchronizing an optical pumping device by means of the trigger signal.

Classes IPC  ?

• H01S 3/0933 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p. ex. pompage utilisant le pompage optique par de la lumière incohérente produite par un semi-conducteur, p. ex. une diode émettrice de lumière
• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage
• B23K 26/062 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples par commande directe du faisceau laser

Abrégé

Disclosed is an apparatus and method for measuring straightness. The disclosed method for measuring straightness comprises the steps of: acquiring photographed images by photographing a reference line marked on an object while changing a photographing position along a processing direction of the object; and measuring straightness in the processing direction from positions of the reference line appearing in the photographed images, wherein, in the step of acquiring the photographed images, the line width of the reference line appearing in the photographed images is smaller than the resolution of a photographing unit.

Classes IPC  ?

• G01B 11/04 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur spécialement adaptés pour mesurer la longueur ou la largeur d'objets en mouvement
• G01B 11/10 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer des diamètres d'objets en mouvement
• G01B 11/06 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur pour mesurer l'épaisseur
• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler
• B23Q 17/24 - Agencements sur les machines-outils pour indiquer ou mesurer utilisant des moyens optiques

Abrégé

A laser marking device is disclosed. The disclosed laser marking device comprises: a laser emission unit for emitting a laser beam at a first surface of an object to be processed; and a pressing unit for pressing a second surface which is a surface opposite to the first surface of the object to be processed so as to planarize the first surface of the object to be processed, wherein the pressing unit comprises: a first pressing part for pressing, by a contact method, an edge region of the second surface; and at least one second pressing part for pressing, by a contactless method, a center region of the second surface such that a spacing distance from the second surface is maintained to be within a predetermined distance.

Classes IPC  ?

• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

The present invention relates to a marking position correcting apparatus and a marking position correcting method, which are capable of marking at a correct position on semiconductor chips during a marking operation, by measuring and correcting a position to be marked using a processing film for position correction before performing the marking operation on the semiconductor chips provided on a wafer. A marking position correcting apparatus according to one embodiment of the present invention relates to a marking position correcting apparatus for correcting a marking position of a wafer, comprising: a support for supporting a processing film for position correction; a laser head for irradiating a laser beam onto the processing film for position correction to form a pattern; a vision camera for obtaining position information of the pattern; a moving table for moving the support in a horizontal direction; and a control unit for comparing and matching the position information of the pattern with marking position information set in the laser head.

Classes IPC  ?

• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

Disclosed are a laser deflashing method, and laser processing method and device using same. The laser deflashing method, which is for removing metal particles and/or a heat-affected zone generated on the periphery of a cutting line of a metal material, comprises the steps of: forming an oil pattern on a cutting area of a metal material; and cutting the metal material, by means of radiating a first laser beam on the cutting area on which the oil pattern is formed, and then removing a heat-affected zone and/or metal particles by means of radiating a second laser beam on the periphery of a cutting line of the metal material.

Classes IPC  ?

• B23K 26/16 - Enlèvement de résidus, p. ex. des particules ou des vapeurs produites pendant le traitement de la pièce à travailler
• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/38 - Enlèvement de matière par perçage ou découpage
• B23K 26/70 - Opérations ou équipement auxiliaires

Abrégé

Disclosed are a laser pulse control apparatus and a laser pulse control method. The disclosed laser pulse control apparatus comprises: a pulse laser generator for generating a plurality of laser pluses at regular time intervals; an optical modulator which is driven so as to selectively extract some of the laser pulses; a control unit for controlling the driving of the optical modulator by changing an electrical signal applied to the optical modulator over time; and an optical amplifier for amplifying the extracted laser pulses.

Classes IPC  ?

• H01S 3/10 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation
• H01S 3/107 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation par commande de dispositifs placés dans la cavité utilisant des dispositifs électro-optiques, p. ex. produisant un effet Pockels ou Kerr
• H01S 3/106 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation par commande de dispositifs placés dans la cavité

Abrégé

Disclosed is an ultrasonic cleaning device for cleaning a surface of a processing material with ultrasonic waves, and an ultrasonic cleaning method using the same. The disclosed ultrasonic cleaning device comprises: a first cleaning unit movably provided in a vertical direction and a horizontal direction and including an upper ultrasonic generator for emitting ultrasonic waves toward an upper surface of the processing material; and a second cleaning unit in which the processing object is provided during the cleaning processes and which includes a lower ultrasonic generator emitting ultrasonic waves toward a lower surface of the processing material.

Classes IPC  ?

• B08B 7/02 - Nettoyage par des procédés non prévus dans une seule autre sous-classe ou un seul groupe de la présente sous-classe par distorsion, battage ou vibration de la surface à nettoyer
• B23K 26/60 - Traitement préliminaire
• B23K 26/70 - Opérations ou équipement auxiliaires

Abrégé

Disclosed are a laser soldering repairing process, a laser soldering process and a laser soldering system. The laser soldering repairing process is a repairing process performed, by means of a laser, on a repair area on which a soldering process has not been performed of a solder area on a substrate. The laser soldering repairing process comprises the steps of: performing laser cleaning by means of radiating a cleaning laser beam on a repair area of a substrate; preparing a solder ball on the cleaned repair area of the substrate; and radiating a soldering laser beam on the solder ball and thus heating the solder ball and attaching same to the repair area.

Classes IPC  ?

• H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• H01L 23/492 - Embases ou plaques
• H01L 23/495 - Cadres conducteurs
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p. ex. recuit, frittage
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants

Abrégé

A photographing apparatus is disclosed. The disclosed photographing apparatus comprises: a light source for irradiating light; a focusing optical system for changing a path of light reflected from an object; a photographing unit for photographing an image of the object formed by the focusing optical system; and a distance adjusting unit for adjusting a distance between the focusing optical system and the object. The photographing unit photographs the image of the object every time the distance between the focusing optical system and the object changes by a predetermined distance, wherein the predetermined distance is set to be smaller than a depth of field of the focusing optical system.

Classes IPC  ?

• G03B 3/10 - Mise au point effectuée par force motrice
• B23Q 17/24 - Agencements sur les machines-outils pour indiquer ou mesurer utilisant des moyens optiques
• G01B 11/02 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur
• H04N 5/232 - Dispositifs pour la commande des caméras de télévision, p.ex. commande à distance

Abrégé

Disclosed are a laser processing apparatus and a laser processing method. The disclosed laser processing apparatus time-divides a pulse laser beam into a plurality of processing beams by means of an acousto-optic modulation unit. The laser processing apparatus forms a processing pattern by irradiating the plurality of processing beams to different positions.

Classes IPC  ?

• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage
• G02B 27/10 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux
• H01S 3/00 - Lasers, c.-à-d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet
• B23K 103/00 - Matières à braser, souder ou découper

Abrégé

A laser processing system is disclosed. The disclosed laser processing system comprises: a detection unit for detecting a thickness of a workpiece in an optical manner; a laser irradiation unit for irradiating a laser beam onto the workpiece on the basis of the thickness detected by the detection unit; and a cooling unit configured to cool the detection unit.

Classes IPC  ?

• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage
• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/36 - Enlèvement de matière
• B23K 26/70 - Opérations ou équipement auxiliaires
• B23Q 17/24 - Agencements sur les machines-outils pour indiquer ou mesurer utilisant des moyens optiques

Abrégé

The present invention relates to a wafer alignment apparatus for aligning a wafer of which the central part and the peripheral part are different in thickness, and a wafer transfer apparatus. A wafer alignment apparatus according to one embodiment of the present application may comprise: a housing; a wafer chuck which is arranged on the upper part of the housing and supports a wafer of which the central part and the peripheral part are different in thickness; and a rotation apparatus for rotating the wafer chuck with respect to one axis.

Classes IPC  ?

• H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail

Abrégé

The present invention relates to a wafer cleaning apparatus. The wafer cleaning apparatus, according to one embodiment of the present inention, comprises: a housing having a cylindrical shape of which the upper surface is open; a wafer chuck, arranged inside the housing, for supporting a wafer; a cleansing solution spraying device for spraying a cleansing fluid on the wafer; and a spraying portion, which is arranged on the upper surface of the housing, for spraying a gas having a specific flow velocity while maintaining a specific spray angle with the upper surface.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

Abrégé

Disclosed is a laser processing method using the inclination angle of a laser beam. The disclosed laser processing method is to remove an edge portion of a workpiece loaded on a stage by irradiating the laser beam to the edge portion. The method comprises the steps of: passing the laser beam through a focusing lens; and irradiating the edge of the workpiece with a tilted beam including an outer surface inclined with respect to the central axis of the focusing lens among the laser beams having passed through the focusing lens. The edge portion of the workpiece is processed to be oblique so as to correspond to the outer surface of the inclined beam.

Classes IPC  ?

• B23K 26/36 - Enlèvement de matière
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/38 - Enlèvement de matière par perçage ou découpage
• B23K 101/42 - Circuits imprimés

Abrégé

Disclosed is a wafer marking method using a laser for marking a wafer having processing tape attached thereto. The disclosed laser marking method comprises the steps of: penetrating a 532-nm wavelength laser beam through the processing tape attached to one side of the wafer; and performing marking on the one side of the wafer by moving the 532-nm wavelength laser beam at a predetermined velocity, wherein the 532-nm wavelength laser beam has a frequency of 8 kHz to 40 kHz, and an output power of 0.8 W to 2 W.

Classes IPC  ?

• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
• C03C 23/00 - Autres traitements de surface du verre, autre que sous forme de fibres ou de filaments
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage
• B23K 26/18 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage utilisant des couches absorbantes sur la pièce à travailler, p. ex. afin de marquer ou de protéger
• B23K 26/082 - Systèmes de balayage, c.-à-d. des dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la tête du laser
• B23K 26/352 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage pour le traitement de surface
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs
• B23K 103/00 - Matières à braser, souder ou découper

Abrégé

A lens optical system and a laser processing apparatus comprising the same are disclosed. The disclosed lens optical system comprises: a body part including a first surface on which light is incident and a second flat surface opposite to the first surface; a circular lens part provided at the center of the second surface; and at least one annular lens part provided on the first surface so as to surround the circular lens part. Here, the circular lens part and the at least one annular lens part may have different radii of curvature, thereby forming a plurality of light-converging points spaced apart from each other along a traveling direction of the light.

Classes IPC  ?

• G02B 3/00 - Lentilles simples ou composées
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples

Abrégé

A laser processing apparatus, according to one embodiment of the present invention, comprises: a first laser emission unit; and a cooling head having a plurality of nozzle units for discharging a cooling fluid such that the cooling fluid is injected so as to surround an emission area of a laser beam formed by the first laser emission unit.

Classes IPC  ?

• B23K 26/36 - Enlèvement de matière
• B23K 26/38 - Enlèvement de matière par perçage ou découpage
• B23K 26/70 - Opérations ou équipement auxiliaires
• B23Q 11/00 - Accessoires montés sur les machines-outils pour maintenir les outils ou les organes de la machine dans de bonnes conditions de travail ou pour refroidir les pièces travailléesDispositifs de sécurité spécialement combinés aux machines-outils, disposés dans ces machines ou spécialement conçus pour être utilisés en relation avec ces machines

Abrégé

Disclosed is a method for marking, by using a laser marker, a plurality of wafer dice divided by a wafer dicing process. The disclosed marking method for wafer dice comprises the steps of: setting a plurality of scan regions having a mutually overlapping portion on a wafer including the wafer dice; scanning the scan regions of the wafer a plurality of times by using a line scan camera; collecting position information of each of wafer dice located in regions in which the scan regions do not overlap; collecting, through image synthesis, position information of each of wafer dice located in regions in which the scan regions overlap; and marking, by using the laser marker, each of all the wafer dice of which the position information has been collected.

Classes IPC  ?

• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage
• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/359 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage pour le traitement de surface en formant une ligne ou un motif linéaire, p. ex. une ligne en pointillés d'amorce de rupture
• B23K 101/40 - Dispositifs semi-conducteurs
• B23K 103/00 - Matières à braser, souder ou découper

Abrégé

The present invention relates to a wafer alignment method and alignment equipment using the same, the method comprising the steps of: loading a wafer, including a notch for alignment, on a stage of which the X axis and the Y axis are set; capturing a first image of the wafer, then rotating the wafer 180 degrees, and then capturing a second image of the wafer; comparing the first image and the second image so as to move the center of the wafer on the X axis of the stage; capturing a third image of the wafer, then rotating the wafer 180 degrees, and then capturing a fourth image of the wafer; comparing the third image and the fourth image so as to move the center of the wafer on the Y axis of the stage such that the center of the wafer coincides with the center of the stage; and rotating the wafer so as to allow a center line of the wafer passing through the notch to coincide with an alignment line of the stage.

Classes IPC  ?

• H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement

Abrégé

The present invention relates to a laser marking device and a laser marking method using same, which can prevent warpage that can occur in a wafer, through a vacuum plate on which the wafer is seated and a pressing member that applies pressure to the edge portion of the wafer. Also, by only moving the wafer vertically, wafer movement can be minimized, and expedient and accurate marking work can be executed without having to re-check the position of a semiconductor chip. A laser marking device according to an embodiment of the present invention, which is a laser marking device that uses a laser beam to execute marking work on semiconductor chips provided on a wafer, comprises: a laser head for emitting the laser beam; a stage on which the wafer is seated, and which includes an opening through which the laser beam passes and is irradiated on the semiconductor chips; a wafer support for supporting a portion of the wafer and enabling the wafer to move in a vertical direction with respect to the stage; and rotating means for rotating the stage.

Classes IPC  ?

• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

An embodiment of the present invention provides a photo-mask repair system and method for repairing a photo-mask, which is used in a semiconductor process, through dissociation of gas using a laser beam when the photo-mask is required to be repaired. The disclosed photo-mask repair system comprises: a chamber in which a photo-mask to be repaired is placed; a vacuum device for maintaining the interior of the chamber in a vacuum state; a gas supply unit for supplying an etching gas and a passivation gas into the chamber; and a laser device disposed within the chamber and dissociating the etching gas within the chamber by applying a laser beam to a portion of the photo-mask to be repaired, wherein the passivation gas is adsorbed onto the portion of the photo-mask to be repaired to uniformly etch the same.

Classes IPC  ?

• G03F 1/72 - Réparation ou correction des défauts dans un masque
• G03F 1/80 - Attaque chimique
• G03F 7/20 - ExpositionAppareillages à cet effet
• H01L 21/033 - Fabrication de masques sur des corps semi-conducteurs pour traitement photolithographique ultérieur, non prévue dans le groupe ou comportant des couches inorganiques
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser

Abrégé

A laser processing method and a laser processing device, which use multiple focuses, are disclosed. The disclosed laser processing method processes, using a laser, an object to be processed, which is loaded on a stage, and comprises the steps of: splitting a laser beam into a plurality of laser beams; emitting the plurality of split laser beams at the object to be processed, so as to respectively form focusing points at different depths; and processing the object to be processed by relatively moving, with respect to the stage, the laser beams along a line scheduled to be processed, wherein a focusing point formed at a deeper position from the surface of the object to be processed, on which the laser beams are incident, is formed more toward the moving direction of the laser beams than a focusing point formed at a shallower position in the line scheduled to be processed.

Classes IPC  ?

• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• B23K 26/02 - Mise en place ou surveillance de la pièce à travailler, p. ex. par rapport au point d'impactAlignement, pointage ou focalisation du faisceau laser
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/38 - Enlèvement de matière par perçage ou découpage

Abrégé

Disclosed are a device and a method for inspecting a processing quality of a laser processing equipment which forms a modified area by irradiating a laser beam into an object to be processed. The disclosed automatic inspection device comprises: an image film coated on the bottom surface of the object to be processed; an image detection unit for detecting a damaged image of the object to be processed, which has been formed on the image film by irradiating the laser beam; and an image processing unit for processing the damaged image detected by the image detection unit.

Classes IPC  ?

• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser

Abrégé

Disclosed are a device and method for aligning a laser optical system constituting a laser processing apparatus. The disclosed optical system aligning device for a laser processing apparatus comprises: a laser optical system through which a laser beam passes; a Shack-Hartmann sensor for measuring a light wavefront of the laser beam emitted from the laser optical system; and a computing unit for expressing the light wavefront of the laser beam detected by the Shack-Hartmann sensor in an equation, and calculating an eccentric value for the laser optical system, which arises when the laser optical system becomes misaligned.

Classes IPC  ?

• B23K 26/042 - Alignement automatique du faisceau laser
• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler
• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• G01J 9/00 - Mesure du déphasage des rayons lumineuxRecherche du degré de cohérenceMesure de la longueur d'onde des rayons lumineux
• G01J 9/02 - Mesure du déphasage des rayons lumineuxRecherche du degré de cohérenceMesure de la longueur d'onde des rayons lumineux par des méthodes interférométriques

Abrégé

A laser processing system is disclosed. The disclosed laser processing system comprises: a laser emission unit for emitting a laser beam; a chamber unit in which an object to be processed can be accommodated and through which the laser beam penetrates from the outside so as to be emitted at the object to be processed; and a frequency conversion unit disposed between the chamber unit and the laser emission unit, enabled to be rotated, and having a rotary plate, which has at least one slit.

Classes IPC  ?

• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• B23K 26/066 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes par utilisation de masques
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/364 - Gravure au laser pour faire une rainure ou une saignée, p. ex. pour tracer une rainure d'amorce de rupture
• B23K 26/70 - Opérations ou équipement auxiliaires

Abrégé

A laser processing device according to one embodiment of the present invention can comprise: a laser emission unit emitting a laser beam so as to form a processing groove on a wafer; a wafer chuck on which the wafer is loaded, and which moves along a first axial direction; a cam disposed so as to be fixed to the wafer chuck; a cam guide formed to extend along the first axial direction, and making contact with the cam so as to guide a movement path of the wafer chuck; a first slide guide extending along the first axial direction and guiding the movement path of the wafer chuck; and a sensor unit for sensing the movement of the first slide guide in a second axial direction orthogonal to the first axial direction.

Classes IPC  ?

• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• H01L 21/76 - Réalisation de régions isolantes entre les composants
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
• H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement

Abrégé

Disclosed are a laser marking system and a laser marking method. The disclosed laser marking system comprises: a laser oscillator; a beam splitter for dividing a laser beam emitted from the laser oscillator into first and second marking laser beams; first and second beam control units, which are disposed in movement paths of the first and second marking laser beams and have refractive indices changing according to changes in voltages applied thereto, so as to control characteristics of the first and second marking laser beams; and first and second Galvano scanners for controlling directions of the first and second marking laser beams which have passed through the first and second beam control units.

Classes IPC  ?

• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage
• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• B23K 26/40 - Enlèvement de matière en tenant compte des propriétés du matériau à enlever
• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
• B23K 103/00 - Matières à braser, souder ou découper

Abrégé

Disclosed are a laser processing method for cutting a semiconductor wafer having a metal layer formed thereon and a laser processing device. The disclosed laser processing method transmits a plurality of laser beams, which propagate coaxially, to the semiconductor wafer, thereby forming focusing points in positions adjacent to a surface of the metal layer, which constitutes a boundary with the semiconductor wafer, and to one surface of the semiconductor wafer, respectively.

Classes IPC  ?

• H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
• H01L 21/50 - Assemblage de dispositifs à semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par l'un uniquement des groupes ou
• H01L 21/268 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée les radiations étant électromagnétiques, p. ex. des rayons laser
• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01S 3/10 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• H01L 21/78 - Fabrication ou traitement de dispositifs consistant en une pluralité de composants à l'état solide ou de circuits intégrés formés dans ou sur un substrat commun avec une division ultérieure du substrat en plusieurs dispositifs individuels

Abrégé

Disclosed are a device and a method for measuring a change in the thickness or the height of an object, the device being provided on the upper part of the object. The disclosed measuring device comprises: a light source which emits a probe light; a light focusing unit which focuses the probe light and irradiates same on an object; a light sensing unit which comprises a Shack-Hartmann sensor and detects a change in a reflected light coming from a reflective surface of the object; and a calculation unit which calculates a change in the height of the reflective surface by using the change in the reflected light detected by the light sensing unit.

Classes IPC  ?

• G01B 11/06 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer la longueur, la largeur ou l'épaisseur pour mesurer l'épaisseur
• G01B 11/24 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques optiques pour mesurer des contours ou des courbes

Abrégé

Disclosed are a laser processing device and a laser processing method. The disclosed laser processing device comprises: a measuring device which measures a change in the height of a subject to be processed, and comprises a first light source, a first light focusing unit, a light sensing unit and a calculation unit, the first light source emitting a probe light for measurement, the first light focusing unit focusing the probe light and irradiating same on the subject to be processed, the light sensing unit comprising a Shack-Hartmann sensor and detecting a change in a reflected light which is the probe light being reflected from a reflective surface of the subject to be processed, and the calculation unit calculating a change in the height of the subject to be processed by using the change in the reflected light detected by the light sensing unit; a second light source which emits, on the subject to be processed, a laser light for processing; and a focus adjusting device which adjusts the focus of the laser light irradiated on the subject to be processed by using the change in the height of the subject to be processed measured by the measuring device.

Classes IPC  ?

• B23K 26/02 - Mise en place ou surveillance de la pièce à travailler, p. ex. par rapport au point d'impactAlignement, pointage ou focalisation du faisceau laser
• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler
• B23K 26/04 - Alignement, pointage ou focalisation automatique du faisceau laser, p. ex. en utilisant la lumière rétrodiffusée
• B23K 26/046 - Focalisation automatique du faisceau laser
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce

Abrégé

A device for removing an adhesive for adhering a mask and a pellicle from the mask is disclosed. The disclosed adhesive removing device comprises: a laser emitting unit for emitting a laser beam at an adhesive layer formed between the mask and the pellicle; a control unit for controlling the wavelength, waveform, and energy density of the laser beam so as to remove the adhesive layer by the emission of the laser beam; and a photographing unit for monitoring a region at which the laser beam is emitted.

Classes IPC  ?

• G03F 1/68 - Procédés de préparation non couverts par les groupes
• G03F 1/66 - Réceptacles spécialement adaptés aux masques, aux masques vierges ou aux pelliculesLeur préparation
• B08B 7/00 - Nettoyage par des procédés non prévus dans une seule autre sous-classe ou un seul groupe de la présente sous-classe

Abrégé

Disclosed are a laser processing device and a laser processing method using the same. The disclosed processing device for processing an object to be processed, which is loaded on a stage, using a laser, comprises: a laser light source; a first scanner which is driven to rotate a laser beam emitted from the laser light source; a second scanner which is driven to move the laser beam emitted from the first scanner to a predetermined position of the object to be processed; and a scanner control unit for controlling the driving of the first scanner and the second scanner.

Classes IPC  ?

• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/044 - Suivi des joints
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/364 - Gravure au laser pour faire une rainure ou une saignée, p. ex. pour tracer une rainure d'amorce de rupture
• B23K 26/382 - Enlèvement de matière par perçage ou découpage par perçage

Abrégé

A laser processing apparatus and method are disclosed according to exemplary embodiments. According to the embodiments, provided is a laser processing apparatus comprising: a laser light source which emits a pulse laser; and an optical modulator which shields parts of a laser pulse wave having a laser intensity lower than a predetermined threshold and transmits parts of the laser pulse wave above the predetermined threshold to modulate the shape of the laser pulse.

Classes IPC  ?

• B23K 26/0622 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples par commande directe du faisceau laser par impulsions de mise en forme
• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• G02B 6/42 - Couplage de guides de lumière avec des éléments opto-électroniques
• H01S 3/00 - Lasers, c.-à-d. dispositifs utilisant l'émission stimulée de rayonnement électromagnétique dans la gamme de l’infrarouge, du visible ou de l’ultraviolet
• B23K 103/00 - Matières à braser, souder ou découper

Abrégé

Disclosed is a laser soldering device for performing a soldering process by emitting a laser beam at a soldering process area on a substrate. The disclosed laser soldering device comprises: a laser light source for oscillating a multi-mode laser beam; and an optical system processing the multi-mode laser beam emitted from the laser light source and emitting the laser beam at the soldering process area, and including a collimator forming the incident multi-mode laser beam as a parallel beam of a certain size and emitting the parallel beam.

Classes IPC  ?

• H05K 3/34 - Connexions soudées
• B23K 1/005 - Brasage par énergie rayonnante
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• B23K 26/211 - Assemblage par soudage avec interposition de matériau particulier pour faciliter la connexion des parties
• B23K 31/12 - Procédés relevant de la présente sous-classe, spécialement adaptés à des objets ou des buts particuliers, mais non couverts par un seul des groupes principaux relatifs à la recherche des propriétés, p. ex. de soudabilité, des matériaux

Abrégé

A laser processing device is disclosed. The disclosed laser processing device comprises: a beam generation unit for emitting a plurality of laser beams; a plurality of scanners for adjusting paths of the plurality of laser beams emitted from the beam generation unit; and a telecentric lens unit allowing laser beams reflected from the scanners to be incident thereon, and condensing the laser beams such that the incident laser beams are vertically incident to a workpiece.

Classes IPC  ?

• B23K 26/04 - Alignement, pointage ou focalisation automatique du faisceau laser, p. ex. en utilisant la lumière rétrodiffusée
• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler
• B23K 26/046 - Focalisation automatique du faisceau laser
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• B23K 26/70 - Opérations ou équipement auxiliaires

Abrégé

Disclosed are a chamber unit for real-time temperature measurement of a laser irradiation region, and a laser processing system including the same. The disclosed chamber unit comprises: a base plate; a cover plate provided to cover the base plate; a first window which is provided on the cover plate and through which a laser beam penetrates; and a second window which is provided on the cover plate to be separated from the first window and through which a measurement beam for temperature measurement of a specific region of an object to be processed penetrates. .

Classes IPC  ?

• B23K 26/03 - Observation, p. ex. surveillance de la pièce à travailler
• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/12 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage sous atmosphère particulière, p. ex. dans une enceinte
• B23K 26/362 - Gravure au laser
• B23K 26/70 - Opérations ou équipement auxiliaires

Abrégé

The present invention relates to a laser processing system and a laser processing method. According to embodiments of the present invention, the laser processing system comprises: a beam splitter for splitting a laser beam, emitted from a laser light source, into a processing beam and a measurement beam; a sensor unit for measuring the strength of the measurement beam from the beam splitter; a control unit for determining whether a change in the strength of the measurement beam over time is within a predetermined tolerance range; and a shutter for blocking the travel of the processing beam when it is determined by the control unit that a change in the strength of the measurement beam over time is out of the predetermined tolerance range.

Classes IPC  ?

• B23K 26/402 - Enlèvement de matière en tenant compte des propriétés du matériau à enlever en faisant intervenir des matériaux non métalliques, p. ex. des isolants
• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage
• B23K 26/364 - Gravure au laser pour faire une rainure ou une saignée, p. ex. pour tracer une rainure d'amorce de rupture
• B23K 103/00 - Matières à braser, souder ou découper

Abrégé

A focusing point detection device is disclosed. The focusing point detection device, according to one embodiment, comprises: a first beam splitter which is provided between a light source emitting a processing beam and a light-collecting optical system light-collecting the processing beam, and which reflects at least one portion of a reflected beam reflected from a subject to be processed; a first lens unit which focuses the reflected beam reflected from the first beam splitter; and a first optical sensor which is provided in the direction from the first lens unit where the reflected beam is focused, and which measures the energy density of the reflected beam focused by the first lens unit.

Classes IPC  ?

• B23K 26/70 - Opérations ou équipement auxiliaires
• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• G01M 11/00 - Test des appareils optiquesTest des structures ou des ouvrages par des méthodes optiques, non prévu ailleurs

Abrégé

A laser processing device is disclosed. The disclosed laser processing device comprises: a light source emitting a processing beam for laser-processing a subject to be processed; a light-collecting optical system light-collecting the processing beam; and an auto-focusing unit adjusting the position of the light-collecting optical system so that the focusing point of the processing beam is formed inside the subject to be processed. The auto-focusing unit comprises: a first beam splitter which is provided between the light-collecting optical system and the light source, and reflects at least one portion of a reflected beam reflected from the subject to be processed; a first lens unit which focuses the reflected beam reflected from the first beam splitter; and a first optical sensor which is provided in the direction from the first lens unit where the reflected beam is focused, and which measures the energy density of the reflected beam focused by the first lens unit.

Classes IPC  ?

• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/064 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples au moyen d'éléments optiques, p. ex. lentilles, miroirs ou prismes
• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• B23K 26/70 - Opérations ou équipement auxiliaires
• G01M 11/00 - Test des appareils optiquesTest des structures ou des ouvrages par des méthodes optiques, non prévu ailleurs

Abrégé

A method for cutting a glass processed product by using a laser beam is disclosed. The disclosed method for cutting a glass processed product comprises the steps of: irradiating the glass processed product with a first laser beam so as to cut the glass processed product; and irradiating a cut surface of the glass processed product with a second laser beam so as to process the cut surface of the glass processed product. The first and second laser beams are configured to have different wavelengths from each other.

Classes IPC  ?

• C03B 33/02 - Découpe ou fendage des feuilles de verreDispositifs ou machines à cet effet
• C03B 33/10 - Outils à couper le verre, p. ex. outils de rayage

Abrégé

Disclosed is a wafer marking method using a laser for marking a wafer having processing tape attached thereto. The disclosed laser marking method comprises the steps of: penetrating a 532-nm wavelength laser beam through the processing tape attached to one side of the wafer; and performing marking on the one side of the wafer by moving the 532-nm wavelength laser beam at a predetermined velocity, wherein the 532-nm wavelength laser beam has a frequency of 8 kHz to 40 kHz, and an output power of 0.8 W to 2 W.

Classes IPC  ?

• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test

Abrégé

Disclosed is a method for marking, by using a laser marker, a plurality of wafer dice divided by a wafer dicing process. The disclosed marking method for wafer dice comprises the steps of: setting a plurality of scan regions having a mutually overlapping portion on a wafer including the wafer dice; scanning the scan regions of the wafer a plurality of times by using a line scan camera; collecting position information of each of wafer dice located in regions in which the scan regions do not overlap; collecting, through image synthesis, position information of each of wafer dice located in regions in which the scan regions overlap; and marking, by using the laser marker, each of all the wafer dice of which the position information has been collected.

Classes IPC  ?

• H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test

Abrégé

Disclosed are a laser processing method for cutting a semiconductor wafer having a metal layer formed thereon and a laser processing device. The disclosed laser processing method transmits a plurality of laser beams, which propagate coaxially, to the semiconductor wafer, thereby forming focusing points in positions adjacent to a surface of the metal layer, which constitutes a boundary with the semiconductor wafer, and to one surface of the semiconductor wafer, respectively.

Classes IPC  ?

• H01L 21/301 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour subdiviser un corps semi-conducteur en parties distinctes, p. ex. cloisonnement en zones séparées
• H01S 3/10 - Commande de l'intensité, de la fréquence, de la phase, de la polarisation ou de la direction du rayonnement, p. ex. commutation, ouverture de porte, modulation ou démodulation

Abrégé

Disclosed are a laser processing method and a laser processing system applying the same. The laser processing method comprises the steps of: driving a low-rate driver having a workpiece mounted and moving, to the pattern formation position (target position) of the workpiece, the processing region of a high-rate driver which laser-processes the workpiece; laser-processing if the pattern formation position of the workpiece enters into the processing region of the high-rate driver; and transferring the low-rate driver to the next pattern formation position of the workpiece during the laser-processing. DRWAING: FIG. 1: 110 Control host 120 Laser drive 130 Laser system 140 Scanner control part 150 Scanner system 160 Stage control part 170 Stage system AA Feedback (FB)

Classes IPC  ?

• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/02 - Mise en place ou surveillance de la pièce à travailler, p. ex. par rapport au point d'impactAlignement, pointage ou focalisation du faisceau laser
• B23Q 15/00 - Commande automatique ou régulation du mouvement d'avance, de la vitesse de coupe ou de la position tant de l'outil que de la pièce
• B23Q 17/24 - Agencements sur les machines-outils pour indiquer ou mesurer utilisant des moyens optiques

Abrégé

Disclosed are a laser processing method and a laser processing system employing the same. The laser processing method comprises: a first step of calculating the middle position of adjacent patterns from among a plurality of patterns to be processed; a second step of transferring a low-speed drive to the middle position; and a third step of processing the plurality of patterns by driving a high-speed drive at the middle position, wherein the laser processing for the plurality of patterns to be processed is performed by repeating the first to third steps.

Classes IPC  ?

• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/02 - Mise en place ou surveillance de la pièce à travailler, p. ex. par rapport au point d'impactAlignement, pointage ou focalisation du faisceau laser
• B23Q 15/00 - Commande automatique ou régulation du mouvement d'avance, de la vitesse de coupe ou de la position tant de l'outil que de la pièce
• B23Q 17/24 - Agencements sur les machines-outils pour indiquer ou mesurer utilisant des moyens optiques

Abrégé

Provided are a high speed laser processing method and apparatus. The laser processing method includes: mounting a processing target on a stage; irradiating a processing laser beam emitted from a laser beam source unit to the processing target by condensing the processing laser beam by using a condensing unit; and processing the processing target while moving the stage and the condensing unit in opposite directions.

Classes IPC  ?

• B23K 26/06 - Mise en forme du faisceau laser, p. ex. à l’aide de masques ou de foyers multiples
• B23K 26/08 - Dispositifs comportant un mouvement relatif entre le faisceau laser et la pièce
• B23K 26/04 - Alignement, pointage ou focalisation automatique du faisceau laser, p. ex. en utilisant la lumière rétrodiffusée
• B23K 26/00 - Travail par rayon laser, p. ex. soudage, découpage ou perçage

Abrégé

Disclosed is a laser machining apparatus comprising: a first scanner for deflecting a first laser beam to a first direction and/or a second direction which is orthogonal to the first direction; a second scanner for deflecting the second laser beam to the first direction and/or the second direction; a condensing lens for condensing the first and second laser beams on a machining target; and a beam guide for guiding the first and second laser beams to the condensing lens by selectively reflecting or transmitting the laser beams.

Classes IPC  ?

• B23K 26/067 - Division du faisceau en faisceaux multiples, p. ex. foyers multiples
• B23K 26/04 - Alignement, pointage ou focalisation automatique du faisceau laser, p. ex. en utilisant la lumière rétrodiffusée