Abrégé

Disclosed are Si-C free and volatile silazane precursors for high purity thin film deposition.

Classes IPC  ?

• C23C 16/34 - Nitrures
• H01L 21/316 - Couches inorganiques composées d'oxydes, ou d'oxydes vitreux, ou de verres à base d'oxyde
• H01L 21/318 - Couches inorganiques composées de nitrures

Abrégé

3x2yy], wherein x=0, 1, or 2 and y= 0, 1, or 2 when x+y=2; and x= 0, 1 or 2 and y=1, 2, or 3 when x+y=3 are disclosed. Also disclosed are synthesis methods and applications for the same.

Classes IPC  ?

• C01B 21/082 - Composés contenant de l'azote et des non-métaux
• C08G 77/62 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des atomes d'azote

Abrégé

6 hydrocarbyl group.

Classes IPC  ?

• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C23C 16/34 - Nitrures
• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

ALD processes for forming the silicon and oxygen containing films using mono-substituted TSA precursors are disclosed. The mono-substituted TSA precursors have the formula: (SiH3)2N-SiH2-X, wherein X is a halogen atom or an amino group.

Classes IPC  ?

• C07F 7/02 - Composés du silicium
• C01B 21/088 - Composés contenant de l'azote et des non-métaux contenant un ou plusieurs atomes d'hydrogène contenant en outre un ou plusieurs atomes d'halogènes
• C01B 21/087 - Composés contenant de l'azote et des non-métaux contenant un ou plusieurs atomes d'hydrogène
• C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

ALD processes for forming the silicon and oxygen containing films using mono-substituted TSA precursors are disclosed. The mono-substituted TSA precursors have the formula: (SiH3)2N-SiH2-X, wherein X is a halogen atom or an amino group.

Classes IPC  ?

• C07F 7/02 - Composés du silicium
• C01B 21/088 - Composés contenant de l'azote et des non-métaux contenant un ou plusieurs atomes d'hydrogène contenant en outre un ou plusieurs atomes d'halogènes
• C01B 21/087 - Composés contenant de l'azote et des non-métaux contenant un ou plusieurs atomes d'hydrogène
• C23C 16/50 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement au moyen de décharges électriques
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction

Abrégé

Mono-substituted TSA precursor Si-containing film forming compositions are disclosed. The precursors have the formula: (SiH3)2N-SiH2-X, wherein X is selected from a halogen atom; an isocyanato group; an amino group; an N-containing C4-C10 saturated or unsaturated heterocycle; or an alkoxy group. Methods for forming the Si-containing film using the disclosed mono-substituted TSA precursor are also disclosed.

Classes IPC  ?

• C07F 7/02 - Composés du silicium
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique

Abrégé

Si-containing film forming compositions are disclosed comprising Si-N containing precursors. Also disclosed are methods of synthesizing the same and methods of using the same for vapor deposition. In particular, a catalytic dehydrogenative coupling of carbosilanes with ammonia, amines and amidines produces the Si-N containing precursors.

Classes IPC  ?

• C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
• C07F 7/20 - PurificationSéparation
• H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement

Produits et services

Chemicals used in the manufacture of semiconductors and photovoltaic devices

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