Foosung Co., Ltd.

République de Corée

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Juridiction
        États-Unis 11
        International 6
Date
2024 5
2023 1
2022 2
2020 2
Avant 2020 7
Classe IPC
C09K 13/08 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique contenant un composé du fluor 3
C03C 15/00 - Traitement de surface du verre, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par attaque chimique 2
C07C 17/20 - Préparation d'hydrocarbures halogénés par remplacement par des halogènes d'atomes d'halogène par d'autres atomes d'halogène 2
C09K 13/00 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage 2
H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes 2
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Statut
En Instance 3
Enregistré / En vigueur 14
Résultats pour  brevets

1.

METHOD FOR PREPARING BIS(METHYLCYCLOPENTADIENYL)NICKEL, AND NICKEL OXIDE THIN FILM USING SAME

      
Numéro d'application KR2023003996
Numéro de publication 2024/195914
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-03-27
Date de publication 2024-09-26
Propriétaire FOOSUNG CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Hur, Gook
  • Woo, Byung Won
  • Kim, Bong Suk
  • Lim, Yeong Jin
  • Kim, Eun Ho
  • Kim, Ki Tae

Abrégé

A method for preparing bis(methylcyclopentadienyl)nickel, according to one embodiment of the present invention, does not require preparation of an anhydrous solvent, and uses a cheap and safe alkali metal hydroxide, and thus has excellent process stability. Furthermore, bis(methylcyclopentadienyl)nickel prepared by the method has excellent yield and purity. In addition, a method for manufacturing a nickel oxide thin film, according one embodiment of the present invention, exhibits an economic effect of reducing process time through an improved deposition rate, and a nickel oxide thin film manufactured thereby has excellent physical properties, for example, excellent resistance and transparency, and thus is suitable for application to a hole transport layer of a perovskite solar cell.

Classes IPC  ?

  • C07F 17/02 - Metallocènes de métaux des groupes 8, 9 ou 10 du tableau périodique
  • C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
  • C23C 16/40 - Oxydes
  • H10K 30/57 - Dispositifs photovoltaïques [PV] comprenant des jonctions multiples, p. ex. des cellules PV en tandem
  • H10K 30/81 - Électrodes
  • H10K 30/85 - Couches à haute mobilité électronique, p. ex. couches de transport d'électrons ou couches de blocage de trous
  • H10K 30/86 - Couches à haute mobilité des trous, p. ex. de transport des trous ou couches de blocage des électrons
  • H10K 85/50 - Pérovskites organiquesPérovskites hybrides organiques-inorganiques [HOIP], p. ex. CH3NH3PbI3

2.

ETCHING GAS AND ETCHING METHOD USING THE SAME

      
Numéro d'application 18376034
Statut En instance
Date de dépôt 2023-10-03
Date de la première publication 2024-09-05
Propriétaire Foosung Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Han, Yeonock
  • Park, Jinkoo
  • Kim, Do Hoon
  • Kang, Hoin
  • Kim, Bongsuk
  • Lee, Kyungeun
  • Chung, Wonwoong

Abrégé

An etching gas and an etching method, the etching gas includes hydrogen gas; a halogen gas; a first gas; and a second gas, wherein the first gas includes a phosphorus atom, and the second gas includes a carbon atom and two or more halogen atoms that are different from each other.

Classes IPC  ?

  • C09K 13/00 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage
  • H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes

3.

METHOD FOR PURIFYING 6FDA WITH HIGH PURITY

      
Numéro d'application KR2023014585
Numéro de publication 2024/085488
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-09-25
Date de publication 2024-04-25
Propriétaire FOOSUNG CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Kim, Bong Suk
  • Woo, Byung Won
  • Jung, Jin A
  • Manish, Pokhrel
  • Choi, Ga Ram
  • Hong, Deok Gi

Abrégé

The present invention relates to a method for purifying 6FDA with high purity. According to the present invention, the use of activated carbon and phosphoric acid together in the purification process makes it possible to remove heavy metal ion impurities contained in 6FDA in a single process while maintaining an excellent yield, thereby enabling the production of high-quality and high-purity 6FDA.

Classes IPC  ?

  • C07D 307/89 - Benzo [c] furannesBenzo [c] furannes hydrogénés avec deux atomes d'oxygène liés directement en positions 1 et 3
  • C07B 63/04 - Emploi d'additifs

4.

SURFACE TREATMENT COMPOSITION AND SURFACE TREATMENT METHOD USING SAME

      
Numéro d'application KR2023007324
Numéro de publication 2024/053819
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2023-05-26
Date de publication 2024-03-14
Propriétaire
  • SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. (République de Corée)
  • FOOSUNG CO.,LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Hong, Hyeunwoong
  • Kwon, Woohyeop
  • Ahn, Hyeongeun
  • Jung, Wooin
  • Kang, Dongkyeong
  • Kim, Donghyun
  • Kim, Taeheon
  • Kim, Hyunjeong
  • Lee, Changsu
  • Jeon, Kangyeob
  • Moon, Jungheun
  • Moon, Chulhwan
  • Woo, Byungwon
  • Lee, Jungeun
  • Lee, Junhee
  • Lee, Taeseok
  • Jeong, Hyejeong
  • Hong, Kangsan
  • Joung, Soonkil

Abrégé

266) and hydrofluoric acid (HF), and a surface treatment method using same. The composition can be used for processing (for example, etching) of a substrate such as glass.

Classes IPC  ?

  • C03C 15/00 - Traitement de surface du verre, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par attaque chimique
  • C09K 13/04 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique
  • C09K 13/08 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique contenant un composé du fluor
  • C09K 13/02 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un hydroxyde d'un métal alcalin

5.

COMPOSITION FOR SURFACE TREATMENT AND SURFACE TREATMENT METHOD USING THE SAME

      
Numéro d'application 18333154
Statut En instance
Date de dépôt 2023-06-12
Date de la première publication 2024-03-07
Propriétaire
  • Samsung Electronics Co., Ltd. (République de Corée)
  • FOOSUNG CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Hong, Hyeunwoong
  • Kwon, Woohyeop
  • Ahn, Hyeongeun
  • Jung, Wooin
  • Kang, Dongkyeong
  • Kim, Donghyun
  • Kim, Taeheon
  • Kim, Hyunjeong
  • Lee, Changsu
  • Jeon, Kangyeob
  • Moon, Jungheun
  • Moon, Chulhwan
  • Woo, Byungwon
  • Lee, Jungeun
  • Lee, Junhee
  • Jeong, Hyejeong
  • Lee, Taeseok
  • Hong, Kangsan
  • Joung, Soonkil

Abrégé

A composition for surface treatment includes fluorosilicic acid (H2SiF6) and hydrofluoric acid (HF), and/or a surface treatment method using the same. The composition may be used to treat (e.g., etch) a substrate such as glass or the like.

Classes IPC  ?

  • C09K 13/08 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique contenant un composé du fluor
  • C03C 15/00 - Traitement de surface du verre, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par attaque chimique

6.

SILICON NITRIDE FILM ETCHING COMPOSITION AND PREPARATION METHOD THEREFOR

      
Numéro d'application KR2022018185
Numéro de publication 2023/096266
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2022-11-17
Date de publication 2023-06-01
Propriétaire FOOSUNG CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Hur, Gook
  • Woo, Byung Won
  • Lim, Yeong Jin
  • Kim, Ki Tae

Abrégé

The present invention relates to a silicon nitride film etching composition and a preparation method therefor, and the silicon nitride film etching composition of the present invention may comprise phosphoric acid, hydrogen fluoride, silicate ions and water. The silicon nitride film etching composition of the present invention can provide the excellent effects of excellent etch selectivity, which is maintained as ∞, a high silicon nitride film etching rate and post-etching particle generation suppression.

Classes IPC  ?

  • C09K 13/06 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique avec une substance organique
  • C09K 13/08 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique contenant un composé du fluor
  • H01L 21/311 - Gravure des couches isolantes
  • H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives

7.

Electrolyte additive for secondary battery, preparation method therefor, and electrolyte composition and secondary battery, which comprise additive

      
Numéro d'application 17613038
Numéro de brevet 12255287
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-05-22
Date de la première publication 2022-07-14
Date d'octroi 2025-03-18
Propriétaire FOOSUNG CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Woo, Byung Won
  • Park, Soon Hong
  • Jung, Jae Woo
  • Kim, Ji Eun
  • Lee, Sang Moon

Abrégé

According to an embodiment of the present inventive concept, an electrolyte additive represented by the compounds of Chemical Formulas 1 to 4 may be provided. In addition, according to another embodiment of the present inventive concept, a method for preparing an electrolyte additive of the compounds of Chemical Formulas 1 to 4 may be provided, wherein the method for preparing the electrolyte additive includes reacting hexafluorophosphate and 2-monofluoromalonic acid, further adding an HF scavenger to the mixed solution produced by the reaction, and concentrating and drying the reaction solution obtained therefrom.

Classes IPC  ?

  • H01M 10/0567 - Matériaux liquides caracterisés par les additifs
  • C07F 9/6574 - Esters des oxyacides du phosphore
  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
  • H01M 10/0569 - Matériaux liquides caracterisés par les solvants

8.

SURFACE TREATMENT METHOD FOR CONTAINER FOR STORING HIGH-PURITY HYDROGEN FLUORIDE FOR SEMICONDUCTOR ETCHING

      
Numéro d'application KR2021011998
Numéro de publication 2022/055193
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2021-09-06
Date de publication 2022-03-17
Propriétaire FOOSUNG CO.,LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Woo, Byung Won
  • Joung, Soon Kill
  • Kim, Dong Hyun
  • Ahn, Hyeon Geun
  • Moon, Jung Heun

Abrégé

The present invention relates to a surface treatment method for the inside of a container for storing high-purity hydrogen fluoride, comprising: a cylinder pretreatment step for removing moisture inside a cylinder; and a fluorinated passive film formation step for forming a fluorinated passive film on the inner surface of the cylinder by means of anhydrous hydrofluoric acid. The present invention can provide: a surface treatment method which, even in the case of long-term storage of high-purity hydrogen fluoride, can minimize the amounts of impurity gases (hydrogen, oxygen, etc.) generated; and a container, surface-treated according to the method, for storing high-purity hydrogen fluoride.

Classes IPC  ?

  • C23C 8/08 - Traitement par un seul élément
  • C23C 8/02 - Pré-traitement du matériau à revêtir
  • F17C 1/10 - Récipients sous pression, p. ex. bouteilles de gaz, réservoirs de gaz, cartouches échangeables avec des moyens pour assurer une protection contre la corrosion, p. ex. due à un acide à l'état gazeux

9.

ELECTROLYTE ADDITIVE FOR SECONDARY BATTERY, PREPARATION METHOD THEREFOR, AND ELECTROLYTE COMPOSITION AND SECONDARY BATTERY, WHICH COMPRISE ADDITIVE

      
Numéro d'application KR2020006715
Numéro de publication 2020/235968
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2020-05-22
Date de publication 2020-11-26
Propriétaire FOOSUNG CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Woo, Byung Won
  • Park, Soon Hong
  • Jung, Jae Woo
  • Kim, Ji Eun
  • Lee, Sang Moon

Abrégé

According to one embodiment of the present invention, provided is an electrolyte additive which is a compound represented by chemical formulas 1-4. In addition, according to another embodiment of the present invention, provided is an electrolyte additive preparation method for preparing the compound of chemical formulas 1-4, and the electrolyte additive preparation method can comprise the steps of: reacting a hexafluorophosphate and 2-monofluoromalonic acid; further adding an HF scavenger to a mixture solution produced by the reaction; and concentrating and drying the obtained reaction solution.

Classes IPC  ?

  • H01M 10/0567 - Matériaux liquides caracterisés par les additifs
  • H01M 4/525 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'oxydes ou d'hydroxydes inorganiques de nickel, de cobalt ou de fer d'oxydes ou d'hydroxydes mixtes contenant du fer, du cobalt ou du nickel pour insérer ou intercaler des métaux légers, p. ex. LiNiO2, LiCoO2 ou LiCoOxFy
  • H01M 4/587 - Matériau carboné, p. ex. composés au graphite d'intercalation ou CFx pour insérer ou intercaler des métaux légers
  • H01M 4/36 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs
  • H01M 4/38 - Emploi de substances spécifiées comme matériaux actifs, masses actives, liquides actifs d'éléments simples ou d'alliages
  • H01M 10/052 - Accumulateurs au lithium
  • H01M 10/0525 - Batteries du type "rocking chair" ou "fauteuil à bascule", p. ex. batteries à insertion ou intercalation de lithium dans les deux électrodesBatteries à l'ion lithium
  • C07F 9/6568 - Composés hétérocycliques, p. ex. contenant du phosphore comme hétéro-atome du cycle comportant des atomes de phosphore, avec ou sans atomes d'azote, d'oxygène, de soufre, de sélénium ou de tellure, comme hétéro-atomes du cycle comportant des atomes de phosphore comme uniques hétéro-atomes du cycle

10.

METHOD FOR PRODUCING ALKALI METAL HEXAFLUOROPHOSPHATE, ALKALI METAL HEXAFLUOROPHOSPHATE, METHOD FOR PRODUCING ELECTROLYTE CONCENTRATE COMPRISING ALKALI METAL HEXAFLUOROPHOSPHATE, AND METHOD FOR PRODUCING SECONDARY BATTERY

      
Numéro d'application 16689044
Statut En instance
Date de dépôt 2019-11-19
Date de la première publication 2020-09-17
Propriétaire FOOSUNG CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Woo, Byung Won
  • Park, Soon Hong
  • Lee, Hong Seok
  • Jung, Jae Woo
  • Kim, Hyun Gon

Abrégé

Provided are method for producing alkali metal hexafluorophosphate, alkali metal hexafluorophosphate powder, method for producing electrolyte concentrate comprising alkali metal hexafluorophosphate, and method for producing secondary battery. The method for preparing alkali metal hexafluorophosphate includes a step of obtaining an alkali metal hexafluorophosphate by reacting phosphorus pentafluoride with alkali metal fluoride in a haloformate solvent.

Classes IPC  ?

  • H01M 10/0568 - Matériaux liquides caracterisés par les solutés
  • H01M 10/0569 - Matériaux liquides caracterisés par les solvants

11.

Method of simultaneously preparing 1,1,1-trifluoro-2-chloropropene and 1,1,1,2-tetrafluoropropene using gas phase catalyst

      
Numéro d'application 15970703
Numéro de brevet 10202321
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2018-05-03
Date de la première publication 2019-02-12
Date d'octroi 2019-02-12
Propriétaire FOOSUNG CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Cho, Ook Jae
  • Kim, Bong Seok
  • Park, Dong Hyuk
  • Park, Su Jin
  • Jung, Jin A
  • Kim, Dae Woo

Abrégé

Disclosed is a method of simultaneously preparing 1,1,1-trifluoro-2-chloropropene and 1,1,1,2-tetrafluoropropene, the method including i) a step of elevating a temperature of a reactor charged with a gas phase catalyst up to a reaction temperature; ii) a step of feeding 1,1,1-trifluoro-2,3-dichloropropane and 2-chloro-1,1,1,2-tetrafluoropropane into the reactor, the temperature of which has been elevated; iii) a step of performing dehydrochlorination while maintaining the temperature of the reactor; and iv) a step of performing washing and distillation after the dehydrochlorination. In accordance with the present disclosure, a high-efficient gas-phase process of continuously, simultaneously preparing 1,1,1-trifluoro-2-chloropropene and 1,1,1,2-tetrafluoropropene is provided.

Classes IPC  ?

  • C07C 17/20 - Préparation d'hydrocarbures halogénés par remplacement par des halogènes d'atomes d'halogène par d'autres atomes d'halogène
  • C07C 19/10 - Composés acycliques saturés contenant des atomes d'halogène contenant du fluor et du chlore
  • B01J 23/06 - Catalyseurs contenant des métaux, oxydes ou hydroxydes métalliques non prévus dans le groupe du zinc, du cadmium ou du mercure
  • B01D 3/14 - Distillation fractionnée

12.

Method and apparatus for continuously producing 1,1,1,2,3-pentafluoropropane with high yield

      
Numéro d'application 13802123
Numéro de brevet 08952209
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2013-03-13
Date de la première publication 2014-05-15
Date d'octroi 2015-02-10
Propriétaire Foosung Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Cho, Ook Jae
  • Ryu, Jae Kug
  • Kim, Bong Seok
  • Kim, Donghyun
  • Park, Byounghun
  • Park, Su Jin
  • Jung, Jin-A
  • Kim, Daewoo

Abrégé

3) as a fluid catalyst, thereby improving the reaction stability and readily adjusting the optimum conversion rate and selectivity.

Classes IPC  ?

  • C07C 17/04 - Préparation d'hydrocarbures halogénés par addition d'halogènes à des hydrocarbures halogénés non saturés
  • C07C 19/08 - Composés acycliques saturés contenant des atomes d'halogène contenant du fluor
  • B01J 19/20 - Réacteurs fixes avec éléments internes mobiles en forme d'hélice, p. ex. réacteurs à vis
  • B01J 27/06 - HalogènesLeurs composés
  • B01J 27/28 - Régénération ou réactivation
  • B01J 8/10 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés avec des particules mobiles mues par des agitateurs ou par des tambours rotatifs ou par des récipients tournants
  • B01J 8/00 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solidesAppareillage pour de tels procédés

13.

Method of preparing perfluoroalkadiene

      
Numéro d'application 11797355
Numéro de brevet 07504547
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2007-05-02
Date de la première publication 2008-10-23
Date d'octroi 2009-03-17
Propriétaire Foosung Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Ji, Hae-Seok
  • Cho, Ook-Jae
  • Ryu, Jae-Gug
  • Ahn, Young-Hoon
  • Kim, Bong-Suk
  • Kim, Dong-Hyun

Abrégé

Disclosed herein is a method of preparing a perfluoroalkadiene. A dihaloperfluorocarbon used as a starting material is added dropwise to a nonpolar organic solvent, a metal powder and an organic metal compound. The dihaloperfluorocarbon is slowly added dropwise in a temperature range from 30° C. to 150° C. for a certain period of time. Moreover, the nonpolar organic solvent used may be benzene, toluene, xylene, etc., and the organic metal compound is used by being dissolved in ethyl ether or tetrahydrofuran at a concentration of 1 to 3M. The metal powder used may be Mg, Zn, Cd, etc.

Classes IPC  ?

  • C07C 17/00 - Préparation d'hydrocarbures halogénés
  • C07C 21/18 - Composés acycliques non saturés contenant des atomes d'halogène contenant des liaisons doubles carbone-carbone contenant du fluor

14.

Dry-etching gas for semiconductor process and preparation method thereof

      
Numéro d'application 11535035
Numéro de brevet 07319174
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2006-09-25
Date de la première publication 2007-11-15
Date d'octroi 2008-01-15
Propriétaire FOOSUNG CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Ji, Hae Seok
  • Cho, Ook Jae
  • Ryu, Jae Gug
  • Yang, Jong Yeol
  • Ahn, Young Hoon
  • Kim, Bong Suk
  • Kim, Dong Hyun

Abrégé

8 in an amount of 99.995 vol % or higher, nitrogen in an amount of 50 vol ppm or less, oxygen in an amount of 5 vol ppm or less, water in an amount of 5 vol ppm or less, and metal ingredients in an amount of 5 wt ppb or less.

Classes IPC  ?

  • C07C 17/20 - Préparation d'hydrocarbures halogénés par remplacement par des halogènes d'atomes d'halogène par d'autres atomes d'halogène
  • C09K 13/00 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage

15.

Catalyst for preparation of pentafluoroethane and preparation method thereof

      
Numéro d'application 11288486
Numéro de brevet 07232789
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2005-11-30
Date de la première publication 2007-04-12
Date d'octroi 2007-06-19
Propriétaire FOOSUNG CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Jang, Hyang Ja
  • Kim, Dae Hyun
  • Kim, Cheol Ho
  • Cho, Young Gu
  • Lee, Jung Eun
  • Kim, Young Su
  • Iikubo, Yuichi

Abrégé

2 and HF, and then at 320-380° C. using HF gas. The fluorination catalyst prepared using the method of this invention can be effectively used to prepare pentafluoroethane at a high yield using a chloroethane compound.

Classes IPC  ?

  • B01J 23/00 - Catalyseurs contenant des métaux, oxydes ou hydroxydes métalliques non prévus dans le groupe

16.

Method and apparatus for manufacturing nitrogen trifluoride

      
Numéro d'application 11196354
Numéro de brevet 07413722
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2005-08-04
Date de la première publication 2007-02-08
Date d'octroi 2008-08-19
Propriétaire Foosung Co., Ltd. (République de Corée)
Inventeur(s) Iikubo, Yuichi

Abrégé

3 by gas-liquid phase reaction of fluorine and ammonia in molten ammonium acid fluoride (AAF) in a static reactor in which the reactants are conveyed primarily by thermal conduction or siphon. Optimally, the reactor contains one or more static mixing elements with little, if any, mechanical agitation. Reactant flow rate and reaction temperature are regulated by the rate of introduction of ammonia and cooling, as necessary The ratio of hydrogen fluoride (generated by the reaction) to ammonia in the reactor is significantly lower than taught in the prior art. This allows a lower reaction temperature. The present invention is an improved synthetic method that offers enhanced selectivity and higher yields, improved control of reaction kinetics, reduced operational and energy costs, and a greater margin of safety.

Classes IPC  ?

  • C01B 21/083 - Composés contenant de l'azote et des non-métaux contenant un ou plusieurs atomes d'halogènes
  • C01B 7/19 - FluorAcide fluorhydrique

17.

Manufacturing method and apparatus of 4-fluoroethylene carbonate

      
Numéro d'application 11072123
Numéro de brevet 07268238
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2005-03-07
Date de la première publication 2006-07-27
Date d'octroi 2007-09-11
Propriétaire FOOSUNG CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
  • Woo, Byung Won
  • Yoon, Seoung Woo
  • Lee, Jun Ho
  • Park, Soon Hong
  • Jang, Nak Joon
  • Yoon, Hyo Jin

Abrégé

2 mixture gas to produce FEC, thus a purification process is simple and it is possible to produce FEC at high conversion efficiency and selectivity.

Classes IPC  ?