Processes for the inherently selective formation of silicon-containing films on various substrates are disclosed, which involve the use of precursors containing at least one oxygen atom and at least one silicon-nitrogen bond, and a non-oxidizing plasma.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
2.
METHODS FOR PRODUCING AND PURIFYING ORGANOTIN COMPOUNDS, SUPPRESSING FORMATION OF DIALKYL TIN COMPOUNDS AND SELECTIVELY REMOVING TETRAKIS(DIALKYLAMINO) TIN COMPOUNDS
Aspects of the disclosure relate to methods for producing organotin compounds with high purity, which may involve the use of specific additives or reaction conditions. Methods for purifying organotin compounds and suppressing the formation of impurities in organotin compounds are also described.
An inherently selective process for the deposition of silicon-containing dielectric layers on metal layers includes atomic layer deposition or chemical vapor deposition utilizing a chemical precursor comprising silicon and sulfur, and an oxidant. An optional buffer layer may be present between the metal layer and the selectively deposited film.
An inherently selective process for the deposition of silicon-containing dielectric layers on metal layers includes atomic layer deposition or chemical vapor deposition utilizing a chemical precursor comprising silicon and sulfur, and an oxidant. An optional buffer layer may be present between the metal layer and the selectively deposited film.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
5.
METHODS FOR PRODUCING AND PURIFYING ORGANOTIN COMPOUNDS, SUPPRESSING FORMATION OF DIALKYL TIN COMPOUNDS AND SELECTIVELY REMOVING TETRAKIS(DIALKYLAMINO) TIN COMPOUNDS
Aspects of the disclosure relate to methods for producing organotin compounds with high purity, which may involve the use of specific additives or reaction conditions. Methods for purifying organotin compounds and suppressing the formation of impurities in organotin compounds are also described.
A metal container for an organotin compound in which the metal container has a diamond-like carbon layer on an inner surface. The diamond-like carbon layer is a fluorine-containing diamond-like carbon layer or at least two diamond-like carbon layers having hydrogen atom contents different from each other, and the diamond-like carbon layer has a thickness of 50 to 15,000 nm.
B65D 65/42 - Emploi de substances enduites ou imprégnées
B08B 9/08 - Nettoyage de récipients, p. ex. de réservoirs
B65D 51/24 - Fermetures non prévues ailleurs combinées avec dispositifs auxiliaires pour des buts autres que la fermeture
B65D 81/20 - Réceptacles, éléments d'emballage ou paquets pour contenus présentant des problèmes particuliers de stockage ou de transport ou adaptés pour servir à d'autres fins que l'emballage après avoir été vidés de leur contenu fournissant une ambiance spécifique pour le contenu, p. ex. température supérieure ou inférieure à la température ambiante sous vide ou pression superatmosphérique ou en atmosphère spéciale, p. ex. sous gaz inerte
Processes for the inherently selective formation of silicon-containing films on various substrates are disclosed, which involve the use of precursors containing at least one oxygen atom and at least one silicon-nitrogen bond, and a non-oxidizing plasma.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
8.
HIGH PURITY POLYSILOXANE MACROMERS AND METHOD FOR MAKING THE SAME
A method of synthesizing a high purity acryloxyalkyldimethylchlorosilane involves (a) reacting an acrylate salt with a haloalkyldimethylalkoxysilane to form an acryloxy-substituted alkyldimethylalkoxysilane; and (b) displacing the alkoxy group in the acryloxy-substituted alkyldimethylalkoxysilane using a chloride-containing compound to form the acryloxyalkyldimethylchlorosilane. The acryloxyalkyldimethylchlorosilane, which may be used as an end-capper for AROP, has a purity of greater than about 99% and contains no detectable isomeric or hydrogenated impurities.
C08G 77/24 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes organiques contenant des atomes autres que le carbone, l'hydrogène et l'oxygène groupes contenant des halogènes
9.
SILOXANE COMPOSITION FOR LOWER TEMPERATURE ADHESION
Organosiloxane compositions that cure by a catalyzed hydrosilylation reaction are provided. These curable organosiloxane compositions exhibit excellent adhesion at lower temperature cure to a variety of substrates which the compositions are in contact with during curing.
Organosiloxane compositions that cure by a catalyzed hydrosilylation reaction are provided. These curable organosiloxane compositions exhibit excellent adhesion at lower temperature cure to a variety of substrates which the compositions are in contact with during curing.
Thin glass-like ceramic films which possess organic or physically functional structures with thicknesses in the 15 to 500 nm range and bottom-up methods for their fabrication are described. SiO2-rich structures having gradient properties are formed from a silsesquioxane having an electronegative β substituent and at least one organofunctional silane or at least one metal alkoxide.
C08G 77/18 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes contenant de l'oxygène à des groupes alcoxyle ou aryloxyle
C23C 18/12 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par décomposition thermique caractérisée par le dépôt sur des matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
C23C 18/14 - Décomposition par irradiation, p. ex. par photolyse, rayonnement corpusculaire
12.
HIGH PURITY TIN COMPOUNDS CONTAINING UNSATURATED SUBSTITUENT AND METHOD FOR PREPARATION THEREOF
Monoorgano tin trialkoxide compounds having chemical formula R′Sn(OR)3 and containing less than about 5 mol % tin tetraalkoxide are described. R′ is a linear or branched, unsaturated hydrocarbon group having about 2 to about 4 carbon atoms and each R is independently trimethylsilyl, phenyl, or a linear or branched, optionally fluorinated, alkyl group having about 1 to about 5 carbon atoms. Methods for synthesizing and purifying these compounds are also provided. The monoorgano tin compounds may be used for the formation of high-resolution EUV lithography patterning precursors and are attractive due to their high purity and minimal concentration of diorgano tin impurities.
Compositions and methods for reshaping keratin-rich substrates while forming adherent flexible films contain emulsified or soluble mixtures of silanols and hemiaminals or the reaction products of silanols and hemiaminals including silylated hemiaminals. A method for treating split-ends in hair is also described.
A61K 8/892 - Polysiloxanes saturés, p. ex. diméthicone, phényl triméthicone, C24-C28 méthicone, stéaryl diméthicone modifiés par un groupe hydroxyle, p. ex. diméthiconol
A61K 8/58 - Cosmétiques ou préparations similaires pour la toilette caractérisés par la composition contenant des composés organiques contenant des atomes autres que des atomes de carbone, hydrogène, halogène, oxygène, azote, soufre ou phosphore
A61Q 5/00 - Préparations pour les soins des cheveux
A61Q 5/06 - Préparations pour mettre les cheveux en forme, p. ex. pour mettre en forme ou colorer temporairement
14.
BONDING STRUCTURE, AND CONTAINER, PIPE FOR TRANSFERRING HIGHLY PURE ORGANOTIN COMPOUND, AND HIGHLY PURE ORGANOTIN COMPOUND MANUFACTURING APPARATUS HAVING THE SAME
A bonding structure used for forming a sealed space (for example, a container) for containing or transferring an organotin compound, wherein the bonding structure is a structure in which a first member is connected with a second member via a gasket or an O-ring, and the gasket or the O-ring is formed with a fluororesin derived from monomers of at least tetrafluoroethylene and perfluoromethyl vinyl ether.
HIGH PURITY TIN COMPOUND, STORAGE METHOD AND PRODUCTION METHOD FOR SAME, AND TIN HYDROLYSIS PRODUCT, TIN HYDROLYSIS PRODUCT SOLUTION AND TIN HYDROLYSIS PRODUCT THIN FILM EACH USING SAME
23244 (In general formula (1) and general formula (2), R moiety represents a hydrocarbon group which has 1 to 30 carbon atoms and may be substituted by a halogen atom, an oxygen atom or a nitrogen atom, and R' moieties may be the same as or different from each other and each represent a hydrocarbon group which has 1 to 10 carbon atoms. Meanwhile, two R' moieties on the same nitrogen atom may combine with each other to form a three- to seven-membered ring containing the nitrogen atom.)
A bonding structure used for forming a sealed space (for example, a container) for containing or transferring an organotin compound, wherein the bonding structure is a structure in which a first metal member (for example, a lid of the container) is connected to a second metal member (for example, a container body of the container) via a metal gasket or a metal O-ring, and the metal gasket or the metal O-ring has a surface having a Vickers hardness set to be not less than lower than a Vickers hardness of a surface of a portion of the metal member, the portion being contacted with the metal gasket or the metal O-ring.
F16J 15/08 - Joints d'étanchéité entre surfaces immobiles entre elles avec garniture solide comprimée entre les surfaces à joindre exclusivement par garniture métallique
17.
SILICON-BASED THIN FILMS FROM N-ALKYL SUBSTITUTED PERHYDRIDOCYCLOTRISILAZANES
Low to moderate temperature vapor deposition processes are provided for the deposition of silicon-based thin films, such as silicon nitride films, silicon carbonitride films, silicon oxide films, and silicon films. The processes includes in a single cycle, heating a substrate to a predetermined temperature; providing a precursor containing an N-alkyl substituted perhydridocyclotrisilazane in the vapor phase to a reaction zone containing the substrate, forming a monolayer of the precursor by adsorption to the substrate surface, and exposing the adsorbed monolayer on the substrate in the reaction zone to a remote or direct soft plasma of a co-reactant. The adsorbed precursor monolayer reacts with the soft plasma and undergoes conversion to a discrete atomic or molecular layer of a silicon-based thin film via dissociation and/or decomposition due to or enabled by a substrate surface-induced process. The cycle is then repeated to form a silicon-based thin film of a desired thickness.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
18.
SILICON CARBIDE THIN FILMS AND VAPOR DEPOSITION METHODS THEREOF
A vapor deposition process is provided for the growth of as-deposited hydrogen-free silicon carbide (SiC) and SiC films including oxygen (SiC:O) thin films. For producing the SiC thin films, the process includes providing a silahydrocarbon precursor, such as TSCH (1,3,5-trisilacyclohexane), in the vapor phase, with or without a diluent gas, to a reaction zone containing a heated substrate, such that adsorption and decomposition of the precursor occurs to form stoichiometric, hydrogen-free, silicon carbide (SiC) in a 1:1 atom ratio between silicon and carbon on the substrate surface without exposure to any other reactive chemical species or co-reactants. For the SiC:O films, an oxygen source is added to the reaction zone to dope the SiC films with oxygen. In the silahydrocarbon precursors, every carbon atom is bonded to two silicon atoms, with each silicon atom being additionally bonded to two or more hydrogen atoms.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
A method for purifying a tin compound, including: making an inert gas pass through in, or on a surface of, a liquid containing a tin compound represented by a chemical formula RSnX3, where R represents a hydrocarbon group having 1 to 30 carbon atoms optionally substituted with a halogen atom, and X represents a hydrolysable substituent, to perform stripping, before or after a distillation step of the tin compound.
A silicone gel forming composition containing an α-dimethylvinylsiloxy-ω-dimethylhydride terminal polydimethylsiloxane; an α-dimethylvinylsiloxy-ω-n-butyl terminal polydimethylsiloxane; and a hydrosilylation catalyst is provided. When cured, the gel has good adhesion to skin and presents no pain upon application to and removal from the skin.
A series of norbornene compounds having heterocyclic functionality are described, as well as methods for their preparation. Also described are rapid, low-temperature, low-(VOC)-methods for attaching these norbornene compounds to surfaces for use as chemical attachment points for a variety of functional molecules.
A silicone gel forming composition containing an a-dimethylvinylsiloxy-co-dimethylhydride terminal polydimethylsiloxane; an a-dimethylvinylsiloxy-oj-n-butyl terminal polydimethylsiloxane; and a hydrosilylation catalyst is provided. When cured, the gel has good adhesion to skin and presents no pain upon application to and removal from the skin.
A series of norbornene compounds having heterocyclic functionality are described, as well as methods for their preparation. Also described are rapid, low-temperature, low-(VOC)-methods for attaching these norbomene compounds to surfaces for use as chemical attachment points for a variety of functional molecules.
Monoorgano tin trialkoxide compounds having chemical formula R′Sn(OR)3 and containing less than about 5 mol % diorgano tin dialkoxide are described. R′ is a linear or branched, optionally fluorinated, unsaturated hydrocarbon group having about 2 to about 20 carbon atoms and each R is independently a linear or branched, optionally fluorinated, alkyl group having about 1 to about 10 carbon atoms. Methods for synthesizing and purifying these compounds are also provided. The monoorgano tin compounds may be used for the formation of high-resolution EUV lithography patterning precursors and are attractive due to their high purity and minimal concentration of diorgano tin impurities.
Cyclic azastannanes and cyclic oxostannanes having formulas (I) and (II) where X is an alkoxy or dialkylamino group are a new class of cyclic compounds. These compounds have desirably high vapor pressure and high purity (containing low levels of polyalkyl contaminants after purification), and have particular interest for EUV photoresist applications. Methods for preparing these compounds are described.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
26.
HIGH PURITY ALKYL TIN COMPOUNDS AND MANUFACTURING METHODS THEREOF
Monoalkyl tin triamide compounds having purity of at least about 99 mol % and the chemical formula RSn(NMe2)3 are described. R1 is selected from RA, RB, and RC; RA is a primary alkyl group having about 1 to 10 carbon atoms, RB is a secondary alkyl group having about 3 to 10 carbon atoms, and RC is a tertiary alkyl group having about 3 to 10 carbon atoms; each R2 is independently an alkyl group having about 1 to 10 carbon atoms; and a content of R1Sn(NR22)2(N(R2)CH2NR22) is less than about 1 mol %. Methods for synthesizing, purifying, and storing these compounds are also provided. The monoalkyl tin compounds may be used for the formation of high-resolution EUV lithography patterning precursors and are attractive due to their high purity and minimal concentration of dialkyl tin and other tin impurities.
An excellent method of manufacturing a patterned substrate which is capable of easily patterning an insulation layer to provide a patterned substrate even when a difficult-to-etch material is used for the insulation layer, a patterned substrate obtained thereby, and a patterned substrate intermediate thereof are provided. The method of manufacturing a patterned substrate with the insulation layer and an electrode layer stacked in this order on a substrate comprising: forming an organic resist material layer; irradiating the organic resist material layer with radiation or an electromagnetic wave of a wavelength of 10 to 780 nm and developing the organic resist material layer to form a first patterning layer; and removing the first patterning layer.
H01L 21/3213 - Gravure physique ou chimique des couches, p. ex. pour produire une couche avec une configuration donnée à partir d'une couche étendue déposée au préalable
28.
High purity tin compounds containing unsaturated substituent and method for preparation thereof
3 and containing less than about 5 mol % diorgano tin dialkoxide are described. R′ is a linear or branched, optionally fluorinated, unsaturated hydrocarbon group having about 2 to about 20 carbon atoms and each R is independently a linear or branched, optionally fluorinated, alkyl group having about 1 to about 10 carbon atoms. Methods for synthesizing and purifying these compounds are also provided. The monoorgano tin compounds may be used for the formation of high-resolution EUV lithography patterning precursors and are attractive due to their high purity and minimal concentration of diorgano tin impurities.
Monoorgano tin trialkoxide compounds having chemical formula R′Sn(OR)3 and containing less than about 5 mol % diorgano tin dialkoxide are described. R′ is a linear or branched, optionally fluorinated, unsaturated hydrocarbon group having about 2 to about 20 carbon atoms and each R is independently a linear or branched, optionally fluorinated, alkyl group having about 1 to about 10 carbon atoms. Methods for synthesizing and purifying these compounds are also provided. The monoorgano tin compounds may be used for the formation of high-resolution EUV lithography patterning precursors and are attractive due to their high purity and minimal concentration of diorgano tin impurities.
33 and containing less than about 5 mol% diorgano tin dialkoxide are described. R' is a linear or branched, optionally fluorinated, unsaturated hydrocarbon group having about 2 to about 20 carbon atoms and each R is independently a linear or branched, optionally fluorinated, alkyl group having about 1 to about 10 carbon atoms. Methods for synthesizing and purifying these compounds are also provided. The monoorgano tin compounds may be used for the formation of high-resolution EUV lithography patterning precursors and are attractive due to their high purity and minimal concentration of diorgano tin impurities.
Monoalkyl tin triamide compounds having purity of at least about 99 mol % and the chemical formula RSn(NMe2)3 are described. R1 is selected from RA, RB, and RC; RA is a primary alkyl group having about 1 to 10 carbon atoms, RB is a secondary alkyl group having about 3 to 10 carbon atoms, and RC is a tertiary alkyl group having about 3 to 10 carbon atoms; each R2 is independently an alkyl group having about 1 to 10 carbon atoms; and a content of R1Sn(NR22)2(N(R2)CH2NR22) is less than about 1 mol %. Methods for synthesizing, purifying, and storing these compounds are also provided. The monoalkyl tin compounds may be used for the formation of high-resolution EUV lithography patterning precursors and are attractive due to their high purity and minimal concentration of dialkyl tin and other tin impurities.
233 are described. R1is selected from RA, RBand RC; RAis a primary alkyl group having about 1 to 10 carbon atoms, RBis a secondary alkyl group having about 3 to 10 carbon atoms, and RCis a tertiary alkyl group having about 3 to 10 carbon atoms; each R2is independently an alkyl group having about 1 to 10 carbon atoms; and a content of R1Sn(NR2222(N(R222NR222) is less than about 1 mol%. Methods for synthesizing, purifying, and storing these compounds are also provided. The monoalkyl tin compounds may be used for the formation of high -resolution EUV lithography patterning precursors and are attractive due to their high purity and minimal concentration of dialkyl tin and other tin impurities.
The disclosure relates to the inherently selective mixed oxide deposition of a dielectric film on non-metallic substrates without concomitant growth on metallic substrates using a sequence of exposure to metal alkyl, heteroatom silacyclic compound, and water. The resulting films show much higher growth rates than corresponding metal oxide and inherent selectivity towards non-metallic surfaces. Films as thick as 14 nm can be grown on dielectric substrates such as thermal oxide and silicon nitride without any growth observed on metallic films such as copper and without the use of an inhibitor. Such dielectric-on-dielectric (DoD) growth is a critical element of many proposed fabrication schemes for future semiconductor device fabrication such as fully self-aligned vias.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
The selective deposition of a metal oxide or dielectric layer on non-metallic substrates without concomitant growth on metallic substrates using cyclic azasilanes, cyclic thiasilanes, or cyclic tellurasilanes to inhibit growth on the metal surface is described. Films over seven nanometers thick can be grown on dielectric substrates, such as thermal silicon dioxide and silicon, without any growth observed on metallic areas such as copper. Such dielectric-on-dielectric (DoD) growth is a critical element of many proposed fabrication schemes for future semiconductor device fabrication such as fully self-aligned vias.
C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
The disclosure relates to the inherently selective mixed oxide deposition of a dielectric film on non-metallic substrates without concomitant growth on metallic substrates using a sequence of exposure to metal alkyl, heteroatom silacyclic compound, and water. The resulting films show much higher growth rates than corresponding metal oxide and inherent selectivity towards non-metallic surfaces. Films as thick as 15 nm can be grown on dielectric substrates such as thermal oxide and silicon nitride without any growth observed on metallic films such as copper and without the use of an inhibitor. Such dielectric-on-dielectric (DoD) growth is a critical element of many proposed fabrication schemes for future semiconductor device fabrication such as fully self-aligned vias.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/32 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couchesEmploi de matériaux spécifiés pour ces couches en utilisant des masques
36.
AREA SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF METAL OXIDE OR DIELECTRIC LAYER ON PATTERNED SUBSTRATE
The selective deposition of a metal oxide or dielectric layer on non-metallic substrates without concomitant growth on metallic substrates using cyclic azasilanes, cyclic thiasilanes, or cyclic tellurasilanes to inhibit growth on the metal surface is described. Films over seven nanometers thick can be grown on dielectric substrates, such as thermal silicon dioxide and silicon, without any growth observed on metallic areas such as copper. Such dielectric-on-dielectric (DoD) growth is a critical element of many proposed fabrication schemes for future semiconductor device fabrication such as fully self-aligned vias.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
37.
AREA SELECTIVE ATOMIC LAYER DEPOSITION OF METAL OXIDE OR DIELECTRIC LAYER ON PATTERNED SUBSTRATE
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
38.
INHERENT AREA SELECTIVE DEPOSITION OF MIXED OXIDE DIELECTRIC FILM
The disclosure relates to the inherently selective mixed oxide deposition of a dielectric film on non-metallic substrates without concomitant growth on metallic substrates using a sequence of exposure to metal alkyl, heteroatom silacyclic compound, and water. The resulting films show much higher growth rates than corresponding metal oxide and inherent selectivity towards non-metallic surfaces. Films as thick as 15 nm can be grown on dielectric substrates such as thermal oxide and silicon nitride without any growth observed on metallic films such as copper and without the use of an inhibitor. Such dielectric-on-dielectric (DoD) growth is a critical element of many proposed fabrication schemes for future semiconductor device fabrication such as fully self-aligned vias.
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 21/32 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour former des couches isolantes en surface, p. ex. pour masquer ou en utilisant des techniques photolithographiquesPost-traitement de ces couchesEmploi de matériaux spécifiés pour ces couches en utilisant des masques
39.
N-ALKYL SUBSTITUTED CYCLIC AND OLIGOMERIC PERHYDRIDOSILAZANES, METHODS OF PREPARATION THEREOF, AND SILICON NITRIDE FILMS FORMED THEREFROM
Novel N-alkyl substituted perhydridocyclic silazanes, oligomeric N-alkyl perhydridosilazane compounds, and N-alkylaminodihydridohalosilanes, and a method for their synthesis are provided. The novel compounds may be used to form high silicon nitride content films by thermal or plasma induced decomposition.
C08G 77/62 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des atomes d'azote
40.
FLUOROALKYL TRIS(DIALKYLAMINO) TIN COMPOUNDS AND METHODS FOR PREPARATION THEREOF
Fluorinated alkyltin compounds having formula (I) and formula (IV) are described, in which Rf is a fluorinated or partially fluorinated linear or branched alkyl group having about 1 to about 5 carbon atoms, X is a dialkylamino group having about 1 to about 4 carbon atoms, and n is 1 or 2, R′ is a primary or secondary monofluoroalkyl group having about 2 to about 10 carbon atoms and R is a primary, secondary, or tertiary alkyl group having about 1 to about 4 carbon atoms.
Fluorinated alkyltin compounds having formula (I) and formula (IV) are described, in which Rf is a fluorinated or partially fluorinated linear or branched alkyl group having about 1 to about 5 carbon atoms, X is a dialkylamino group having about 1 to about 4 carbon atoms, and n is 1 or 2, R′ is a primary or secondary monofluoroalkyl group having about 2 to about 10 carbon atoms and R is a primary, secondary, or tertiary alkyl group having about 1 to about 4 carbon atoms.
(RfCH2)nSnX(4-n) (I)
Fluorinated alkyltin compounds having formula (I) and formula (IV) are described, in which Rf is a fluorinated or partially fluorinated linear or branched alkyl group having about 1 to about 5 carbon atoms, X is a dialkylamino group having about 1 to about 4 carbon atoms, and n is 1 or 2, R′ is a primary or secondary monofluoroalkyl group having about 2 to about 10 carbon atoms and R is a primary, secondary, or tertiary alkyl group having about 1 to about 4 carbon atoms.
(RfCH2)nSnX(4-n) (I)
R′Sn(NR2)3 (IV)
Fluorinated alkyltin compounds having formula (I) and formula (IV) are described, in which Rf is a fluorinated or partially fluorinated linear or branched alkyl group having about 1 to about 5 carbon atoms, X is a dialkylamino group having about 1 to about 4 carbon atoms, and n is 1 or 2, R′ is a primary or secondary monofluoroalkyl group having about 2 to about 10 carbon atoms and R is a primary, secondary, or tertiary alkyl group having about 1 to about 4 carbon atoms.
(RfCH2)nSnX(4-n) (I)
R′Sn(NR2)3 (IV)
A method for forming a fluorinated oxostannate film from the fluorinated alkyl tin compounds is also provided.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
G03F 7/16 - Procédés de couchageAppareillages à cet effet
Two classes of cyclic tin compounds, trioxa-aza-1-stannabicyclo-[3.3.3]-undecanes, also referred to as stannatranes, and tetraaza-1-stannabicyclo-[3.3.3] undecanes, also referred to as azastannatranes, are described, as are methods for their preparation. These cyclic tin compounds are resistant to rearrangement and the generation of dialkyltin impurities is not observed during the synthesis, purification or deposition of these compounds to form oxostannate films.
C23C 16/00 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD]
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
Two classes of cyclic tin compounds, trioxa-aza-1-stannabicyclo-[3.3.3]-undecanes, also referred to as stannatranes, and tetraaza-1-stannabicyclo-[3.3.3] undecanes, also referred to as azastannatranes, are described, as are methods for their preparation. These cyclic tin compounds are resistant to rearrangement and the generation of dialkyltin impurities is not observed during the synthesis, purification or deposition of these compounds to form oxostannate films.
C23C 16/00 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD]
G03F 7/00 - Production par voie photomécanique, p. ex. photolithographique, de surfaces texturées, p. ex. surfaces impriméesMatériaux à cet effet, p. ex. comportant des photoréservesAppareillages spécialement adaptés à cet effet
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
43.
AZASTANNATRANES, STANNATRANES, AND METHODS OF PREPARATION AND USE THEREOF
Two classes of cyclic tin compounds, trioxa-aza-1-stannabicyclo-[3.3.3]-undecanes, also referred to as stannatranes, and tetraaza-1-stannabicyclo-[3.3.3] undecanes, also referred to as azastannatranes, are described, as are methods for their preparation. These cyclic tin compounds are resistant to rearrangement and the generation of dialkyltin impurities is not observed during the synthesis, purification or deposition of these compounds to form oxostannate films.
A method of protecting hair from damage by applying a long-chain unhydrolyzed alkyltrialkoxysilane to hair shafts and then hydrolyzing and polymerizing the alkyltrialkoxysilane to form a non-penetrating outer layer on the hair shaft by utilizing pH adjusted water followed by the application of heat. Alternatively, the alkyltrialkoxysilane may be applied to the hair in combination with an alkyl or alkenyl succinic anhydride prior to the application of heat.
A61K 8/58 - Cosmétiques ou préparations similaires pour la toilette caractérisés par la composition contenant des composés organiques contenant des atomes autres que des atomes de carbone, hydrogène, halogène, oxygène, azote, soufre ou phosphore
A61Q 5/00 - Préparations pour les soins des cheveux
A method of protecting hair from damage by applying a long-chain unhydrolyzed alkyltrialkoxysilane to hair shafts and then hydrolyzing and polymerizing the alkyltrialkoxysilane to form a non-penetrating outer layer on the hair shaft by utilizing pH adjusted water followed by the application of heat. Alternatively, the alkyltrialkoxysilane may be applied to the hair in combination with an alkyl or alkenyl succinic anhydride prior to the application of heat.
A61K 8/58 - Cosmétiques ou préparations similaires pour la toilette caractérisés par la composition contenant des composés organiques contenant des atomes autres que des atomes de carbone, hydrogène, halogène, oxygène, azote, soufre ou phosphore
46.
HIGH PURITY POLYSILOXANE MACROMERS AND METHOD FOR MAKING THE SAME
A method of synthesizing a high purity acryloxyalkyldimethylchlorosilane involves (a) reacting an acrylate salt with a haloalkyldimethylalkoxysilane to form an acryloxy-substituted alkyldimethylalkoxysilane; and (b) displacing the alkoxy group in the acryloxy-substituted alkyldimethylalkoxysilane using a chloride-containing compound to form the acryloxyalkyldimethylchlorosilane. The acryloxyalkyldimethylchlorosilane, which may be used as an end-capper for AROP, has a purity of greater than about 99% and contains no detectable isomeric or hydrogenated impurities.
A method of synthesizing a high purity acryloxyalkyldimethylchlorosilane involves (a) reacting an acrylate salt with a haloalkyldimethylalkoxysilane to form an acryloxy-substituted alkyldimethylalkoxysilane; and (b) displacing the alkoxy group in the acryloxy-substituted alkyldimethylalkoxysilane using a chloride-containing compound to form the acryloxyalkyldimethylchlorosilane. The acryloxyalkyldimethylchlorosilane, which may be used as an end-capper for AROP, has a purity of greater than about 99% and contains no detectable isomeric or hydrogenated impurities.
C07F 7/18 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si ainsi qu'une ou plusieurs liaisons C—O—Si
C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
48.
METHODS AND COMPOSITIONS FOR THE PROTECTION OF HAIR
A method of protecting hair from damage by applying a long-chain unhydrolyzed alkyltrialkoxysilane to hair shafts and then hydrolyzing and polymerizing the alkyltrialkoxysilane to form a non-penetrating outer layer on the hair shaft by utilizing pH adjusted water followed by the application of heat. Alternatively, the alkyltrialkoxysilane may be applied to the hair in combination with an alkyl or alkenyl succinic anhydride prior to the application of heat.
A61K 8/58 - Cosmétiques ou préparations similaires pour la toilette caractérisés par la composition contenant des composés organiques contenant des atomes autres que des atomes de carbone, hydrogène, halogène, oxygène, azote, soufre ou phosphore
A61Q 5/00 - Préparations pour les soins des cheveux
A61K 8/36 - Acides carboxyliquesLeurs sels ou anhydrides
A61K 8/49 - Cosmétiques ou préparations similaires pour la toilette caractérisés par la composition contenant des composés organiques contenant des composés hétérocycliques
A45D 7/06 - Procédés pour onduler, décrêper ou boucler les cheveux chimiques et thermiques combinés
49.
HIGH PURITY POLYSILOXANE MACROMERS AND METHOD FOR MAKING THE SAME
A method of synthesizing a high purity acryloxyalkyldimethylchlorosilane involves (a) reacting an acrylate salt with a haloalkyldimethylalkoxysilane to form an acryloxy-substituted alkyldimethylalkoxysilane; and (b) displacing the alkoxy group in the acryloxy-substituted alkyldimethylalkoxysilane using a chloride-containing compound to form the acryloxyalkyldimethylchlorosilane. The acryloxyalkyldimethylchlorosilane, which may be used as an end-capper for AROP, has a purity of greater than about 99% and contains no detectable isomeric or hydrogenated impurities.
C08G 77/24 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes organiques contenant des atomes autres que le carbone, l'hydrogène et l'oxygène groupes contenant des halogènes
50.
METHOD FOR INDUCING GREATER WETTABILITY OF CONTACT LENS COMPOSITIONS DURING MOLDING
A method for producing a contact lens having a water contact angle below about 90° involves preparing a molding resin comprising a polyether modified polyolefin; forming the molding resin into a mold; preparing a contact lens composition; filling the contact lens composition into the mold; and polymerizing the contact lens composition to form a contact lens. A method of inducing water contact angle below 90° and improved surface wettability of a contact lens involves cast polymerizing a mixture of monomers in a mold formed from a molding resin containing a polyether modified polyolefin to form a contact lens having a water contact angle of less than about 90°. Single-use molds for contact lens manufacture are also provided.
A method for producing a contact lens having a water contact angle below about 90° involves preparing a molding resin comprising a polyether modified polyolefin; forming the molding resin into a mold; preparing a contact lens composition; filling the contact lens composition into the mold; and polymerizing the contact lens composition to form a contact lens. A method of inducing water contact angle below 90° and improved surface wettability of a contact lens involves cast polymerizing a mixture of monomers in a mold formed from a molding resin containing a polyether modified polyolefin to form a contact lens having a water contact angle of less than about 90°. Single-use molds for contact lens manufacture are also provided.
C08F 230/08 - Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et contenant du phosphore, du sélénium, du tellure ou un métal contenant un métal contenant du silicium
C08G 81/02 - Composés macromoléculaires obtenus par l'interréaction de polymères en l'absence de monomères, p. ex. polymères séquencés au moins un des polymères étant obtenu par des réactions ne faisant intervenir que des liaisons non saturées carbone-carbone
C08L 51/08 - Compositions contenant des polymères greffés dans lesquels le composant greffé est obtenu par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carboneCompositions contenant des dérivés de tels polymères greffés sur des composés macromoléculaires obtenus autrement que par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone
52.
METHOD FOR INDUCING GREATER WETTABILITY OF CONTACT LENS COMPOSITIONS DURING MOLDING
A method for producing a contact lens having a water contact angle below about 90° involves preparing a molding resin comprising a polyether modified polyolefin; forming the molding resin into a mold; preparing a contact lens composition; filling the contact lens composition into the mold; and polymerizing the contact lens composition to form a contact lens. A method of inducing water contact angle below 90° and improved surface wettability of a contact lens involves cast polymerizing a mixture of monomers in a mold formed from a molding resin containing a polyether modified polyolefin to form a contact lens having a water contact angle of less than about 90°. Single-use molds for contact lens manufacture are also provided.
C08F 230/08 - Copolymères de composés contenant un ou plusieurs radicaux aliphatiques non saturés, chaque radical ne contenant qu'une seule liaison double carbone-carbone et contenant du phosphore, du sélénium, du tellure ou un métal contenant un métal contenant du silicium
C08L 51/08 - Compositions contenant des polymères greffés dans lesquels le composant greffé est obtenu par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carboneCompositions contenant des dérivés de tels polymères greffés sur des composés macromoléculaires obtenus autrement que par des réactions faisant intervenir uniquement des liaisons non saturées carbone-carbone
C08G 81/02 - Composés macromoléculaires obtenus par l'interréaction de polymères en l'absence de monomères, p. ex. polymères séquencés au moins un des polymères étant obtenu par des réactions ne faisant intervenir que des liaisons non saturées carbone-carbone
53.
METHOD AND PRECURSORS FOR PRODUCING OXOSTANNATE RICH FILMS
A method for forming a fluorinated oxostannate film involves vaporizing a volatile fluorinated alkyltin compound having at least two hydrolytically sensitive functional groups or at least two reactive functional groups which are sensitive to oxidation at a temperature greater than 200° C.; providing a substrate; physisorbing or chemisorbing the fluorinated alkyltin compound onto the substrate; and exposing the physisorbed or chemisorbed fluorinated alkyltin compound to a sequence of hydrolysis, irradiation, and/or oxidation steps to form the fluorinated oxostannate thin film on the substrate. Fluorinated alkyltin compounds having formula (I) are also described, in which Rf is a fluorinated or partially fluorinated linear or branched alkyl group having about 1 to about 5 carbon atoms, X is a dialkylamino group having about 1 to about 4 carbon atoms, and n is 1 or 2:
A method for forming a fluorinated oxostannate film involves vaporizing a volatile fluorinated alkyltin compound having at least two hydrolytically sensitive functional groups or at least two reactive functional groups which are sensitive to oxidation at a temperature greater than 200° C.; providing a substrate; physisorbing or chemisorbing the fluorinated alkyltin compound onto the substrate; and exposing the physisorbed or chemisorbed fluorinated alkyltin compound to a sequence of hydrolysis, irradiation, and/or oxidation steps to form the fluorinated oxostannate thin film on the substrate. Fluorinated alkyltin compounds having formula (I) are also described, in which Rf is a fluorinated or partially fluorinated linear or branched alkyl group having about 1 to about 5 carbon atoms, X is a dialkylamino group having about 1 to about 4 carbon atoms, and n is 1 or 2:
(RfCH2)nSnX(4-n) (I)
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
A new class of compounds known as chalcogenosilacyclopentanes is described. These compounds are five-membered ring structures containing a silicon-selenium or silicon-tellurium bond, as shown in Formulas (I) and (II). In these compounds, the substituents on the silicon and on the ring carbons may be hydrogen, alkyl, alkoxy, aromatic, or ether groups. The chalcogenosilacyclopentane compounds undergo ring-opening reactions with hydroxyl and other protic functionalities and may be used to prepare substrates that are amenable to thin film deposition techniques such as ALD and CVD.
C07F 7/08 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si
C07F 7/18 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si ainsi qu'une ou plusieurs liaisons C—O—Si
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
55.
METHOD AND PRECURSORS FOR PRODUCING OXOSTANNATE RICH FILMS
A method for forming a fluorinated oxostannate film involves vaporizing a volatile fluorinated alkyltin compound having at least two hydrolytically sensitive functional groups or at least two reactive functional groups which are sensitive to oxidation at a temperature greater than 200°C; providing a substrate; physisorbing or chemisorbing the fluorinated alkyltin compound onto the substrate; and exposing the physi sorbed or chemisorbed fluorinated alkyltin compound to a sequence of hydrolysis, irradiation, and/or oxidation steps to form the fluorinated oxostannate thin film on the substrate. Fluorinated alkyltin compounds having formula (I) are also described, in which Rfis a fluorinated or partially fluorinated linear or branched alkyl group having about 1 to about 5 carbon atoms, X is a dialkylamino group having about 1 to about 4 carbon atoms, and n is 1 or 2: (Rf2(4-n)(4-n) (I)
A method for forming a fluorinated oxostannate film involves vaporizing a volatile fluorinated alkyltin compound having at least two hydrolytically sensitive functional groups or at least two reactive functional groups which are sensitive to oxidation at a temperature greater than 200°C; providing a substrate; physisorbing or chemisorbing the fluorinated alkyltin compound onto the substrate; and exposing the physi sorbed or chemisorbed fluorinated alkyltin compound to a sequence of hydrolysis, irradiation, and/or oxidation steps to form the fluorinated oxostannate thin film on the substrate. Fluorinated alkyltin compounds having formula (I) are also described, in which Rf is a fluorinated or partially fluorinated linear or branched alkyl group having about 1 to about 5 carbon atoms, X is a dialkylamino group having about 1 to about 4 carbon atoms, and n is 1 or 2: (RfCH2)nSnX(4-n) (I)
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
G03F 7/11 - Matériaux photosensibles caractérisés par des détails de structure, p. ex. supports, couches auxiliaires avec des couches de recouvrement ou des couches intermédiaires, p. ex. couches d'ancrage
Silicon-based tetrahydrocannabinol derivatives and methods for their synthesis are provided, in which the derivatives contain a tetrahydrocannabinol molecule and at least one silicon-based group containing Si-O-Si bonds. The derivatives are useful in topical and dermatological compositions, have potential beneficial topical properties, and enhance solubility and compatibility in topical and dermatological formulations containing the silicon-based materials.
A61K 8/58 - Cosmétiques ou préparations similaires pour la toilette caractérisés par la composition contenant des composés organiques contenant des atomes autres que des atomes de carbone, hydrogène, halogène, oxygène, azote, soufre ou phosphore
Silicon-based tetrahydrocannabinol derivatives and methods for their synthesis are provided, in which the derivatives contain a tetrahydrocannabinol molecule and at least one silicon-based group containing Si—O—Si bonds. The derivatives are useful in topical and dermatological compositions, have potential beneficial topical properties, and enhance solubility and compatibility in topical and dermatological formulations containing the silicon-based materials.
Silicon-based tetrahydrocannabinol derivatives and methods for their synthesis are provided, in which the derivatives contain a tetrahydrocannabinol molecule and at least one silicon-based group containing Si-O-Si bonds. The derivatives are useful in topical and dermatological compositions, have potential beneficial topical properties, and enhance solubility and compatibility in topical and dermatological formulations containing the silicon-based materials.
Compositions and methods for reshaping keratin-rich substrates while forming adherent flexible films contain emulsified or soluble mixtures of silanols and hemiaminals or the reaction products of silanols and hemiaminals including silylated hemiaminals. A method for treating split-ends in hair is also described.
A61K 8/892 - Polysiloxanes saturés, p. ex. diméthicone, phényl triméthicone, C24-C28 méthicone, stéaryl diméthicone modifiés par un groupe hydroxyle, p. ex. diméthiconol
A61K 8/58 - Cosmétiques ou préparations similaires pour la toilette caractérisés par la composition contenant des composés organiques contenant des atomes autres que des atomes de carbone, hydrogène, halogène, oxygène, azote, soufre ou phosphore
A61Q 5/00 - Préparations pour les soins des cheveux
A61Q 5/06 - Préparations pour mettre les cheveux en forme, p. ex. pour mettre en forme ou colorer temporairement
63.
Process for thin film deposition through controlled formation of vapor phase transient species
A method for deposition of a thin film onto a substrate is provided. The method includes providing a source precursor containing on or more of elements constituting the thin film, generating a transient species from the source precursor, and depositing a thin film onto the substrate from the transient species. The transient species being a reactive intermediate that has a limited lifetime in a condensed phase at or above room temperature.
C23C 16/16 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de métaux carbonyles
C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
C23C 16/452 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs par activation de courants de gaz réactifs avant l'introduction dans la chambre de réaction, p. ex. par ionisation ou par addition d'espèces réactives
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
A vapor deposition process is provided for the growth of as-deposited hydrogen-free silicon carbide (SiC) and SiC films including oxygen (SiC:0) thin films. For producing the SiC thin films, the process includes providing a silahydrocarbon precursor, such as TSCH (1,3,5-trisilacyclohexane), in the vapor phase, with or without a diluent gas, to a reaction zone containing a heated substrate, such that adsorption and decomposition of the precursor occurs to form stoichiometric, hydrogen-free, silicon carbide (SiC) in a 1:1 atom ratio between silicon and carbon on the substrate surface without exposure to any other reactive chemical species or co-reactants. For the SiC:0 films, an oxygen source is added to the reaction zone to dope the SiC films with oxygen. In the silahydrocarbon precursors, every carbon atom is bonded to two silicon atoms, with each silicon atom being additionally bonded to two or more hydrogen atoms.
A vapor deposition process is provided for the growth of as-deposited hydrogen-free silicon carbide (SiC) and SiC films including oxygen (SiC:O) thin films. For producing the SiC thin films, the process includes providing a silahydrocarbon precursor, such as TSCH (1,3,5-trisilacyclohexane), in the vapor phase, with or without a diluent gas, to a reaction zone containing a heated substrate, such that adsorption and decomposition of the precursor occurs to form stoichiometric, hydrogen-free, silicon carbide (SiC) in a 1:1 atom ratio between silicon and carbon on the substrate surface without exposure to any other reactive chemical species or co-reactants. For the SiC:O films, an oxygen source is added to the reaction zone to dope the SiC films with oxygen. In the silahydrocarbon precursors, every carbon atom is bonded to two silicon atoms, with each silicon atom being additionally bonded to two or more hydrogen atoms.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
Low to moderate temperature vapor deposition processes are provided for the deposition of silicon-based thin films, such as silicon nitride films, silicon carbonitride films, silicon oxide films, and silicon films. The processes includes in a single cycle, heating a substrate to a predetermined temperature; providing a precursor containing an N-alkyl substituted perhydridocyclotrisilazane in the vapor phase to a reaction zone containing the substrate, forming a monolayer of the precursor by adsorption to the substrate surface, and exposing the adsorbed monolayer on the substrate in the reaction zone to a remote or direct soft plasma of a co-reactant. The adsorbed precursor monolayer reacts with the soft plasma and undergoes conversion to a discrete atomic or molecular layer of a silicon-based thin film via dissociation and/or decomposition due to or enabled by a substrate surface-induced process. The cycle is then repeated to form a silicon-based thin film of a desired thickness.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
68.
SILICON-BASED THIN FILMS FROM N-ALKYL SUBSTITUTED PERHYDRIDOCYCLOTRISILAZANES
Low to moderate temperature vapor deposition processes are provided for the deposition of silicon-based thin films, such as silicon nitride films, silicon carbonitride films, silicon oxide films, and silicon films. The processes includes in a single cycle, heating a substrate to a predetermined temperature; providing a precursor containing an N-alkyl substituted perhydridocyclotrisilazane in the vapor phase to a reaction zone containing the substrate, forming a monolayer of the precursor by adsorption to the substrate surface, and exposing the adsorbed monolayer on the substrate in the reaction zone to a remote or direct soft plasma of a co-reactant. The adsorbed precursor monolayer reacts with the soft plasma and undergoes conversion to a discrete atomic or molecular layer of a silicon-based thin film via dissociation and/or decomposition due to or enabled by a substrate surface-induced process. The cycle is then repeated to form a silicon-based thin film of a desired thickness.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C07F 7/10 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si azotés
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
C07F 7/21 - Composés cycliques ayant au moins un cycle comportant du silicium mais sans carbone dans le cycle
69.
GRADIENT GLASS-LIKE CERAMIC STRUCTURES AND BOTTOM-UP FABRICATION METHOD THEREOF
Thin glass-like ceramic films which possess organic or physically functional structures with thicknesses in the 15 to 500 nm range and bottom-up methods for their fabrication are described. SiCk-rich structures having gradient properties are formed from a silsesquioxane having an electronegative β substituent and at least one organofunctional silane or at least one metal alkoxide.
C23C 18/12 - Revêtement chimique par décomposition soit de composés liquides, soit de solutions des composés constituant le revêtement, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtementDépôt par contact par décomposition thermique caractérisée par le dépôt sur des matériaux inorganiques, autres que des matériaux métalliques
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
70.
N-alkyl substituted cyclic and oligomeric perhydridosilazanes, methods of preparation thereof, and silicon nitride films formed therefrom
Novel N-alkyl substituted perhydridocyclic silazanes, oligomeric N-alkyl perhydridosilazane compounds, and N-alkylaminodihydridohalosilanes, and a method for their synthesis are provided. The novel compounds may be used to form high silicon nitride content films by thermal or plasma induced decomposition.
C08G 77/62 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des atomes d'azote
71.
Process for thin film deposition through controlled formation of vapor phase transient species
A method for deposition of a thin film onto a substrate is provided. The method includes providing a source precursor containing on or more of elements constituting the thin film, generating a transient species from the source precursor, and depositing a thin film onto the substrate from the transient species. The transient species being a reactive intermediate that has a limited lifetime in a condensed phase at or above room temperature.
C23C 16/16 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de métaux carbonyles
C23C 16/448 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs
C23C 16/452 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs par activation de courants de gaz réactifs avant l'introduction dans la chambre de réaction, p. ex. par ionisation ou par addition d'espèces réactives
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
H01L 21/285 - Dépôt de matériaux conducteurs ou isolants pour les électrodes à partir d'un gaz ou d'une vapeur, p. ex. condensation
Silicon-based cannabidiol derivatives and methods for their synthesis are provided, in which the derivatives contain a cannabidiol molecule and at least one silicon-based group containing Si-O-Si bonds. The derivatives are useful in cosmetic and topical compositions, have potential beneficial topical properties, and enhance solubility and compatibility in cosmetic formulations containing the silicon-based materials. Silicone elastomers infused with compositions containing the silicon-based cannabidiol derivatives and trisiloxanes are also provided.
A61K 8/58 - Cosmétiques ou préparations similaires pour la toilette caractérisés par la composition contenant des composés organiques contenant des atomes autres que des atomes de carbone, hydrogène, halogène, oxygène, azote, soufre ou phosphore
A61Q 1/00 - Préparations pour le maquillagePoudres corporellesPréparations pour le démaquillage
A61Q 5/00 - Préparations pour les soins des cheveux
A61Q 17/04 - Préparations topiques pour faire écran au soleil ou aux radiationsPréparations topiques pour bronzer
A61Q 19/00 - Préparations pour les soins de la peau
A61P 17/00 - Médicaments pour le traitement des troubles dermatologiques
C07C 43/305 - Composés comportant des groupes les atomes de carbone de l'acétal étant des chaînons cycliques ou étant liés à des atomes de carbone de cycles autres que des cycles aromatiques à six chaînons
Silicon-based cannabidiol derivatives and methods for their synthesis are provided, in which the derivatives contain a cannabidiol molecule and at least one silicon-based group containing Si—O—Si bonds. The derivatives are useful in cosmetic and topical compositions, have potential beneficial topical properties, and enhance solubility and compatibility in cosmetic formulations containing the silicon-based materials. Silicone elastomers infused with compositions containing the silicon-based cannabidiol derivatives and trisiloxanes are also provided.
A61K 8/58 - Cosmétiques ou préparations similaires pour la toilette caractérisés par la composition contenant des composés organiques contenant des atomes autres que des atomes de carbone, hydrogène, halogène, oxygène, azote, soufre ou phosphore
C07F 7/08 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si
C07F 7/18 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si ainsi qu'une ou plusieurs liaisons C—O—Si
01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture
05 - Produits pharmaceutiques, vétérinaires et hygièniques
Produits et services
Mold, mildew, bacteria, and fungus inhibiting chemicals of water and alcohol base for preventing growth of mold, mildew, bacteria, and fungus on various surfaces Water and alcohol-based antimicrobial coatings to treat the growth of and destroy mold, mildew, bacteria and fungus on various surfaces
76.
COMPOSITIONS AND METHODS FOR RESHAPING KERATIN-RICH SUBSTRATES AND FORMING ADHERENT FLEXIBLE FILMS
Compositions and methods for reshaping keratin-rich substrates while forming adherent flexible films contain emulsified or soluble mixtures of silanols and hemiaminals or the reaction products of silanols and hemiaminals including silylated hemiaminals. A method for treating split-ends in hair is also described.
Compositions and methods for reshaping keratin-rich substrates while forming adherent flexible films contain emulsified or soluble mixtures of silanols and hemiaminals or the reaction products of silanols and hemiaminals including silylated hemiaminals. A method for treating split-ends in hair is also described.
A61K 8/892 - Polysiloxanes saturés, p. ex. diméthicone, phényl triméthicone, C24-C28 méthicone, stéaryl diméthicone modifiés par un groupe hydroxyle, p. ex. diméthiconol
A61K 8/58 - Cosmétiques ou préparations similaires pour la toilette caractérisés par la composition contenant des composés organiques contenant des atomes autres que des atomes de carbone, hydrogène, halogène, oxygène, azote, soufre ou phosphore
A new class of compounds known as chalcogenosilacyclopentanes is described. These compounds are five-membered ring structures containing a silicon-selenium or silicon-tellurium bond, as shown in Formulas (I) and (II). In these compounds, the substituents on the silicon and on the ring carbons may be hydrogen, alkyl, alkoxy, aromatic, or ether groups. The chalcogenosilacyclopentane compounds undergo ring-opening reactions with hydroxyl and other protic functionalities and may be used to prepare substrates that are amenable to thin film deposition techniques such as ALD and CVD.
C07F 7/08 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C07F 7/18 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si ainsi qu'une ou plusieurs liaisons C—O—Si
A thin film deposition process is provided. The process includes, in a single cycle, providing a precursor in the vapor phase with or without a carrier gas to a reaction zone containing a substrate, such that a monolayer of the precursor is adsorbed to a surface of the substrate and the adsorbed monolayer subsequently undergoes conversion to a discrete atomic or molecular layer of a thin film, without any intervening pulse of or exposure to other chemical species or co-reactants.
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/16 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de métaux carbonyles
C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
A heterofunctional poly(alkyleneoxide) according to the invention contains a first polymer terminus containing a protected, unprotected, or derivatized amine or aminoalkyl functionality and a second polymer terminus containing an unsaturated functionality. Reaction products, derivatives, and methods of making these materials are also described.
C08G 65/337 - Polymères modifiés par post-traitement chimique avec des composés organiques contenant d'autres éléments
C08G 65/329 - Polymères modifiés par post-traitement chimique avec des composés organiques
C08G 65/336 - Polymères modifiés par post-traitement chimique avec des composés organiques contenant du silicium
C08G 65/26 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant une liaison éther dans la chaîne principale de la macromolécule à partir d'éthers cycliques par ouverture d'un hétérocycle à partir d'éthers cycliques et d'autres composés
C08G 77/46 - Polymères séquencés ou greffés contenant des segments de polysiloxanes contenant des segments de polyéthers
C08G 77/14 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes contenant de l'oxygène
Hydridosilapyrroles and hydridosilaazapyrrole are a new class of heterocyclic compounds having a silicon bound to carbon and nitrogen atoms within the ring system and one or two hydrogen atoms on the silicon atom. The compounds have formula (I):
in which R is a substituted or unsubstituted organic group and R′ is an alkyl group. These compounds react with a variety of organic and inorganic hydroxyl groups by a ring-opening reaction and may be used to produce silicon nitride or silicon carbonitride films.
Materials containing the reaction products of a cyclic azasilane with water and a compound or polymer containing an isocyanate or epoxy functional group and methods for their synthesis are provided. Stable mixtures containing a cyclic azasilane and a compound or polymer containing an isocyanate or epoxy functional group according to invention are stored under anhydrous conditions. The invention also provides a novel class of materials, mono and bis(cycloaza)disiloxanes comprising one or two cyclic structures bridged by an Si—O—Si bond.
C08G 18/73 - Polyisocyanates ou polyisothiocyanates acycliques
C08G 18/28 - Polymérisats d'isocyanates ou d'isothiocyanates avec des composés contenant des hydrogènes actifs caractérisés par l'emploi de composés spécifiés contenant un hydrogène actif
C07F 7/18 - Composés comportant une ou plusieurs liaisons C—Si ainsi qu'une ou plusieurs liaisons C—O—Si
C08L 63/00 - Compositions contenant des résines époxyCompositions contenant des dérivés des résines époxy
A new class of cyclotrisiloxanes having alkyl ether substituents on one, two, or three of the ring silicon atoms and a method for their preparation are provided. These compounds undergo living anionic ring-opening polymerization to generate unique polymer structures. A new class of hydridosilylethylcyclotrisiloxanes is also described.
A new class of cyclotrisiloxanes having hydridosiloxanylalkyl substituents on one, two, or three of the ring silicon atoms and a method for their preparation are provided. These compounds undergo living anionic ring-opening polymerization to generate unique polymer structures.
C08G 77/12 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à l'hydrogène
C08G 77/50 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels au moins deux atomes de silicium, mais pas la totalité, sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des liaisons au carbone
C07F 19/00 - Composés métalliques couverts par plus d'un des groupes principaux
C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
C07F 7/21 - Composés cycliques ayant au moins un cycle comportant du silicium mais sans carbone dans le cycle
85.
Methods and System for the Integrated Synthesis, Delivery, and Processing of Source Chemicals for Thin Film Manufacturing
An integrated system for synthesis of a film-forming precursor, consumption of the precursor and formation of a thin film on a substrate is provided. The integrated system includes a raw material source, a precursor synthesis chamber in communication with the raw material source, a thin film processing chamber in communication with the precursor synthesis chamber for supplying the precursor from the precursor synthesis chamber to the thin film processing chamber in a controlled manner for consumption of the precursor to form the thin film on the substrate, a monitoring system for monitoring of the thin film formation in the thin film processing chamber and/or the precursor synthesis in the precursor synthesis chamber, and a controller for controlling a rate of the precursor synthesis, precursor consumption and/or thin film formation. The rate of precursor synthesis is synchronized with the rate of precursor consumption for formation of the thin film.
C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
C23C 16/16 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de métaux carbonyles
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23F 4/00 - Procédés pour enlever des matériaux métalliques des surfaces, non couverts par le groupe ou
86.
UV curable adhesive and coating compositions activated by surface hydroxyl groups or moisture
Compositions which undergo cure by irradiation with UV, visible light or electron beam only after activation by hydroxylated surfaces or exposure to moisture are based on mixtures of cyclic thiasilanes and unsaturated silanes, siloxanes or hydrocarbons.
C08G 77/28 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes organiques contenant des atomes autres que le carbone, l'hydrogène et l'oxygène groupes contenant du soufre
C09D 4/00 - Compositions de revêtement, p. ex. peintures, vernis ou vernis-laques, à base de composés non macromoléculaires organiques ayant au moins une liaison non saturée carbone-carbone polymérisable
C08G 77/20 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes aliphatiques non saturés
87.
High-speed moisture-cure hybrid siloxane/silsesquioxane-urethane and siloxane/silsesquioxane-epoxy systems with adhesive properties
Materials containing the reaction products of a cyclic azasilane with water and a compound or polymer containing an isocyanate or epoxy functional group and methods for their synthesis are provided. Stable mixtures containing a cyclic azasilane and a compound or polymer containing an isocyanate or epoxy functional group according to invention are stored under anhydrous conditions. The invention also provides a novel class of materials, mono and bis(cycloaza)disiloxanes comprising one or two cyclic structures bridged by an Si—O—Si bond.
C08G 18/73 - Polyisocyanates ou polyisothiocyanates acycliques
C08G 18/28 - Polymérisats d'isocyanates ou d'isothiocyanates avec des composés contenant des hydrogènes actifs caractérisés par l'emploi de composés spécifiés contenant un hydrogène actif
A stabilized mixture containing an alkyltrialkoxysilane hydrolysate solution and an amine functional silicone emulsion is provided. The stabilized mixture may be utilized in a masonry treatment product or a cellulosic or wood treatment product, such as to provide waterproofing properties, or in a hair care treatment product for improving hair combability. A method of preparing the mixture involves hydrolyzing an alkoxysilane to form an aqueous solution containing alkylsilanetriols and/or oligomeric alkylsilanetriol condensates; and stabilizing the solution by adding an amine functional silicone.
A61K 8/58 - Cosmétiques ou préparations similaires pour la toilette caractérisés par la composition contenant des composés organiques contenant des atomes autres que des atomes de carbone, hydrogène, halogène, oxygène, azote, soufre ou phosphore
A61K 8/898 - Polysiloxanes contenant des atomes autres que du silicium, du carbone, de l'oxygène et de l'hydrogène, p. ex. diméthicone copolyol phosphate contenant de l'azote, p. ex. amodiméthicone, triméthyl silyl amodiméthicone, diméthicone propyl PG-bétaïne
A61Q 5/00 - Préparations pour les soins des cheveux
C04B 41/00 - Post-traitement des mortiers, du béton, de la pierre artificielle ou des céramiquesTraitement de la pierre naturelle
C04B 41/49 - Composés comportant au moins une liaison carbone-métal ou carbone-silicium
C04B 41/64 - Composés comportant au moins une liaison carbone-métal ou carbone-silicium
A61Q 5/12 - Préparations contenant des agents de conditionnement des cheveux
B05D 5/08 - Procédés pour appliquer des liquides ou d'autres matériaux fluides aux surfaces pour obtenir des effets, finis ou des structures de surface particuliers pour obtenir une surface antifriction ou anti-adhésive
C04B 103/00 - Fonctions ou propriétés de l'ingrédient actif
C08G 77/26 - Polysiloxanes contenant du silicium lié à des groupes organiques contenant des atomes autres que le carbone, l'hydrogène et l'oxygène groupes contenant de l'azote
C08G 77/00 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone
89.
Hydridosilapyrroles, hydridosilaazapyrroles, thiasilacyclopentanes, method for preparation thereof, and reaction products therefrom
Hydridosilapyrroles and hydridosilaazapyrrole are a new class of heterocyclic compounds having a silicon bound to carbon and nitrogen atoms within the ring system and one or two hydrogen atoms on the silicon atom. The compounds have formula (I):
in which R is a substituted or unsubstituted organic group and R′ is an alkyl group. These compounds react with a variety of organic and inorganic hydroxyl groups by a ring-opening reaction and may be used to produce silicon nitride or silicon carbonitride films.
Hydridosilapyrroles and hydridosilaazapyrrole are a new class of heterocyclic compounds having a silicon bound to carbon and nitrogen atoms within the ring system and one or two hydrogen atoms on the silicon atom. The compounds have formula (I):
in which R is a substituted or unsubstituted organic group and R′ is an alkyl group. These compounds react with a variety of organic and inorganic hydroxyl groups by a ring-opening reaction and may be used to produce silicon nitride or silicon carbonitride films.
A novel synthetic route to new classes of polymeric coupling agents using substituted epoxy monomers is reported. In the presence of an initiating agent and tris(pentafluorophenyl)borane catalyst, substituted epoxy monomers bearing polyalkylene oxide and trialkoxysilane moieties undergo a ring-opening polymerization. The polymerization is highly versatile and allows for the fine-tuning of functional, structural, and architectural features of the resulting polymeric coupling agents. These new polyalkylene oxides substituted with organosilyl groups are capable of bonding to and modifying inorganic surfaces. The products of this invention form thin hydrophilic films.
This invention pertains to UV-absorbing coatings that may optionally be covered with an anti-reflective layer and that are applied to exterior-facing surfaces such as a window or other glass surface that are transparent or translucent. Such coatings are visible to various species of birds, but are generally transparent to humans. The UV absorbing coatings have a silane- or silane-derived chromophore or a combination of a silane- or siloxane-based material and a chromophore, which chromophores absorb UV light at about 300 to about 400 nm. More particularly, the silane- or siloxane-based chromophore is 2-hydroxy-4-(3-triethoxysilylpropoxy) diphenylketone or a derivative thereof.
G02B 1/04 - Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faitsRevêtements optiques pour éléments optiques faits de substances organiques, p. ex. plastiques
C03C 17/30 - Traitement de surface du verre, p. ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement par des matières organiques avec des composés contenant du silicium
C03C 17/34 - Traitement de surface du verre, p. ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement avec au moins deux revêtements ayant des compositions différentes
A01M 29/08 - Épouvantails ou dispositifs répulsifs, p. ex. pour oiseaux utilisant des moyens visuels, p. ex. épouvantails, éléments en mouvement, formes spécifiques, motifs ou éléments similaires spécifiques utilisant des reflets, des couleurs ou des films avec une transparence ou un pouvoir réfléchissant spécifiques
B32B 37/24 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p. ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par les propriétés des couches avec au moins une couche qui ne présente pas de cohésion avant la stratification, p. ex. constituée de matériau granulaire projeté sur un substrat
B32B 17/06 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une feuille de verre ou de fibres de verre, de scorie ou d'une substance similaire comprenant du verre comme seul composant ou comme composant principal d'une couche adjacente à une autre couche d'une substance spécifique
E04B 1/72 - Lutte contre la dégradation par des organismes vivants
E06B 5/10 - Portes, fenêtres ou fermetures analogues à buts particuliersStructures de cadrage à leur effet pour protection contre les raids aériens ou autres actes de guerrePortes, fenêtres ou fermetures analogues à buts particuliersStructures de cadrage à leur effet pour d'autres buts de protection
E06B 9/24 - Écrans ou autres dispositifs protecteurs contre la lumière, notamment contre la lumière solaireÉcrans similaires pour protection de l'intimité ou pour des raisons esthétiques
Hydridosilapyrroles and hydridosilaazapyrrole are a new class of heterocyclic compounds having a silicon bound to carbon and nitrogen atoms within the ring system and one or two hydrogen atoms on the silicon atom. The compounds have formula (I):
in which R is a substituted or unsubstituted organic group and R′ is an alkyl group. These compounds react with a variety of organic and inorganic hydroxyl groups by a ring-opening reaction and may be used to produce silicon nitride or silicon carbonitride films.
Novel N-alkyl substituted perhydridocyclic silazanes, oligomeric N-alkyl perhydridosilazane compounds, and N-alkylaminodihydridohalosilanes, and a method for their synthesis are provided. The novel compounds may be used to form high silicon nitride content films by thermal or plasma induced decomposition.
C08G 77/62 - Composés macromoléculaires obtenus par des réactions créant dans la chaîne principale de la macromolécule une liaison contenant du silicium, avec ou sans soufre, azote, oxygène ou carbone dans lesquels tous les atomes de silicium sont liés autrement que par des atomes d'oxygène par des atomes d'azote
This invention pertains to UV-absorbing coatings that may optionally be covered with an anti-reflective layer and that are applied to exterior-facing surfaces such as a window or other glass surface that are transparent or translucent. Such coatings are visible to various species of birds, but are generally transparent to humans. The UV absorbing coatings have a silane- or silane-derived chromophore or a combination of a silane- or siloxane-based material and a chromophore, which chromophores absorb UV light at about 300 to about 400 nm. More particularly, the silane- or siloxane-based chromophore is 2-hydroxy-4-(3-triethoxysilylpropoxy)diphenylketone or a derivative thereof.
C03C 17/00 - Traitement de surface du verre, p. ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement
B32B 17/00 - Produits stratifiés composés essentiellement d'une feuille de verre ou de fibres de verre, de scorie ou d'une substance similaire
B32B 27/00 - Produits stratifiés composés essentiellement de résine synthétique
G02B 1/04 - Éléments optiques caractérisés par la substance dont ils sont faitsRevêtements optiques pour éléments optiques faits de substances organiques, p. ex. plastiques
C03C 17/30 - Traitement de surface du verre, p. ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement par des matières organiques avec des composés contenant du silicium
C03C 17/34 - Traitement de surface du verre, p. ex. du verre dévitrifié, autre que sous forme de fibres ou de filaments, par revêtement avec au moins deux revêtements ayant des compositions différentes
A01M 29/08 - Épouvantails ou dispositifs répulsifs, p. ex. pour oiseaux utilisant des moyens visuels, p. ex. épouvantails, éléments en mouvement, formes spécifiques, motifs ou éléments similaires spécifiques utilisant des reflets, des couleurs ou des films avec une transparence ou un pouvoir réfléchissant spécifiques
B32B 37/24 - Procédés ou dispositifs pour la stratification, p. ex. par polymérisation ou par liaison à l'aide d'ultrasons caractérisés par les propriétés des couches avec au moins une couche qui ne présente pas de cohésion avant la stratification, p. ex. constituée de matériau granulaire projeté sur un substrat
97.
High-speed moisture-cure hybrid siloxane/silsesquioxane-urethane and siloxane/silsesquioxane-epoxy systems with adhesive properties
Materials containing the reaction products of a cyclic azasilane with water and a compound or polymer containing an isocyanate or epoxy functional group and methods for their synthesis are provided. Stable mixtures containing a cyclic azasilane and a compound or polymer containing an isocyanate or epoxy functional group according to invention are stored under anhydrous conditions. The invention also provides a novel class of materials, mono and bis(cycloaza)disiloxanes comprising one or two cyclic structures bridged by an Si—O—Si bond.
C08G 18/73 - Polyisocyanates ou polyisothiocyanates acycliques
C08G 18/28 - Polymérisats d'isocyanates ou d'isothiocyanates avec des composés contenant des hydrogènes actifs caractérisés par l'emploi de composés spécifiés contenant un hydrogène actif
2 (I).
3, m is an integer of 1 to about 24, R″ is a hydrocarbon bridge having 1 to about 11 carbon atoms, n is an integer from 0 to 2, and X is H, Cl or an alkoxy group. The inventive materials may be used to produce siloxanes or silicones by hydrolytic condensation and have utility in surface modification.
A continuous or semi-continuous process for producing a high purity germane includes (a) preparing a reaction mixture containing hydrogen and crude germane and (b) separating the hydrogen from the crude germane by a pressure swing adsorption process. The pressure swing adsorption process results in a hydrogen-rich product stream and a germane-rich product stream. The method further includes (c) purifying the germane-rich product stream by continuous distillation thereof to remove impurities therefrom and to produce a high purity germane containing less than 0.1 volume percent of impurities.
B01D 53/04 - Séparation de gaz ou de vapeursRécupération de vapeurs de solvants volatils dans les gazÉpuration chimique ou biologique des gaz résiduaires, p. ex. gaz d'échappement des moteurs à combustion, fumées, vapeurs, gaz de combustion ou aérosols par adsorption, p. ex. chromatographie préparatoire en phase gazeuse avec adsorbants fixes
F25J 3/08 - Séparation des impuretés gazeuses des gaz ou des mélanges gazeux
C01B 3/56 - Séparation de l'hydrogène ou des gaz contenant de l'hydrogène à partir de mélanges gazeux, p. ex. purification par contact avec des solidesRégénération des solides usés
C01B 6/06 - Hydrures d'aluminium, de gallium, d'indium, de thallium, de germanium, d'étain, de plomb, d'arsenic, d'antimoine, de bismuth ou de poloniumMonoboraneDiboraneLeurs complexes d'addition
