ALIS Corporation

États‑Unis d’Amérique

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Juridiction
        International 2
        États-Unis 1
Classe IPC
G01N 23/225 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en mesurant l'émission secondaire de matériaux en utilisant des microsondes électroniques ou ioniques 2
G01N 23/22 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en mesurant l'émission secondaire de matériaux 1
H01J 27/02 - Sources d'ionsCanons à ions 1
H01J 27/26 - Sources d'ionsCanons à ions utilisant l'ionisation de surface, p. ex. sources d'ions à effet de champ, sources d'ions thermo-ioniques 1
H01J 37/22 - Dispositifs optiques ou photographiques associés au tube 1
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Résultats pour  brevets

1.

ION BEAM IMAGING

      
Numéro d'application US2008085212
Numéro de publication 2009/079195
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2008-12-02
Date de publication 2009-06-25
Propriétaire ALIS CORPORATION (USA)
Inventeur(s)
  • Notte, John A., Iv
  • Carousso, Stephen
  • Ward, Billy W.

Abrégé

Disclosed are methods that include forming an image based on counting a number of detected pulses of secondary electrons (6030,6060) from a sample, the secondary electrons being produced by exposing the sample to an ion beam from a gas ion source, and each detected pulse exceeding a minimum pulse value (6080).

Classes IPC  ?

  • H01J 37/244 - DétecteursComposants ou circuits associés
  • H01J 37/28 - Microscopes électroniques ou ioniquesTubes à diffraction d'électrons ou d'ions avec faisceaux de balayage
  • G01N 23/22 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en mesurant l'émission secondaire de matériaux
  • G01N 23/225 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en mesurant l'émission secondaire de matériaux en utilisant des microsondes électroniques ou ioniques
  • H01J 37/22 - Dispositifs optiques ou photographiques associés au tube

2.

Ion sources, systems and methods

      
Numéro d'application 11600873
Numéro de brevet 07786452
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2006-11-15
Date de la première publication 2009-05-07
Date d'octroi 2010-08-31
Propriétaire ALIS Corporation (USA)
Inventeur(s)
  • Ward, Billy W.
  • Notte, Iv, John A.
  • Farkas, Iii, Louis S.
  • Percival, Randall G.
  • Hill, Raymond

Abrégé

Ion sources, systems and methods are disclosed.

Classes IPC  ?

  • H01J 49/10 - Sources d'ionsCanons à ions
  • H01J 27/02 - Sources d'ionsCanons à ions
  • H01J 27/26 - Sources d'ionsCanons à ions utilisant l'ionisation de surface, p. ex. sources d'ions à effet de champ, sources d'ions thermo-ioniques

3.

DETERMINING DOPANT INFORMATION BY USE OF A HELIUM ION MICROSCOPE

      
Numéro d'application US2008074143
Numéro de publication 2009/035841
Statut Délivré - en vigueur
Date de dépôt 2008-08-25
Date de publication 2009-03-19
Propriétaire ALIS CORPORATION (USA)
Inventeur(s) Notte Iv, John A.

Abrégé

A helium ion microscope is used for determining dopant information of a sample. Such information embraces the dopant concentration and dopant location. Concerning the dopant location it is possible to determine lateral dimensions of specific areas as well as depth profiles with the disclosed method. The helium ion microscope is adapted to detect in an energy- and angle resolved manner different types of particles, such as scattered heliums ions, secondary electrons, scattered helium atoms. Furthermore, the energy of the incident helium ion beam and its incident angle with respect to the surface are varied.

Classes IPC  ?

  • G01N 23/225 - Recherche ou analyse des matériaux par l'utilisation de rayonnement [ondes ou particules], p. ex. rayons X ou neutrons, non couvertes par les groupes , ou en mesurant l'émission secondaire de matériaux en utilisant des microsondes électroniques ou ioniques