Abrégé

3 or more at a depth of 1,500 nm or more from the surface of the bulk, which is a metastable layer.

Classes IPC  ?

• C30B 29/36 - Carbures
• C23C 16/32 - Carbures
• C30B 25/02 - Croissance d'une couche épitaxiale
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C01B 32/977 - Préparation à partir de composés organiques contenant du silicium
• C01B 32/956 - Carbure de silicium

Abrégé

The present invention relates to a chemical vapor deposition silicon carbide (SIC) bulk with improved etching characteristics, in which: the SIC is prepared by a chemical vapor deposition method using methyltrichlorosilane (MTS) and hydrogen (H2) and nitrogen (N2) gases; the SIC prepared by the chemical vapor deposition method is β- SiC(3C-SiC); 6H-SiC is present within the SIC prepared by the chemical vapor deposition method; five peaks having the reference code 03-065-0360 are present when the SIC bulk is XRD-analyzed such that peaks are checked, and a peak having a reference code 00-049-1428 is also present in the SIC bulk; and a nitrogen concentration value at a depth of 1,500 nm or more from the surface of the bulk, which is a metastable layer, is 4.0x1018 atoms/cm3 or more, and thus a SiC, of which etching characteristics are improved so as to improve yield rate in a semiconductor process and retention period is increased so as to reduce costs, can be provided, and an SiC, of which the uniformity of resistance value and nitrogen concentration is greatly improved so as to be usable in an ultra-fine process, can be provided.

Classes IPC  ?

• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
• C23C 16/32 - Carbures