Systems, structures, packages, circuits, and methods provide magnetic current sensors with redundant magnetic field elements or groups of elements used for current sensing. Such systems, structures, packages, circuits, and methods allow for the measurement of a diagnostic channel to be similar in amplitude to the measurement of the main channel in the case of gradient magnetic fields. Some embodiments can utilize three magnetic sensing elements or groups of elements to provide redundant safety while using less area. The sensors can provide fault indications when comparisons between the measurements made for the main and diagnostic channels are outside of a specified range or do not compare favorably.
G01R 19/10 - Mesure d'une somme, d'une différence, ou d'un rapport
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
A redundant inductive sensor system includes at least two interface circuits, each associated with a respective transmitting coil that is electromagnetically coupled to one or more receiving coils. The first interface circuit transmits during a first transmitting interval and the second interface circuit transmits during a second transmitting interval that does not overlap with the first transmitting interval. The first interface circuit receives the second signal during a first listening interval of the first interface circuit encompassing the second transmitting interval and the second interface circuit receives the first signal during a second listening interval of the second interface circuit encompassing the first transmitting interval. By listening to transmissions from transmitting coils other than an associated transmitting coil, interface circuits can detect errors in other interface circuits.
G01B 7/00 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques
G01V 3/10 - Prospection ou détection électrique ou magnétiqueMesure des caractéristiques du champ magnétique de la terre, p. ex. de la déclinaison ou de la déviation fonctionnant au moyen de champs magnétiques ou électriques produits ou modifiés par les objets ou les structures géologiques, ou par les dispositifs de détection en utilisant des cadres inducteurs
3.
MAGENTIC FIELD SENSOR WITH INDEPENDENT MAGNETIC FEEDBACK LOOPS
A sensor, comprising: a first sensing bridge that is configured to generate, at least in part, a first sensing signal, the first sensing bridge including a plurality of first magnetic field sensing elements; a first amplifier that is configured to amplify the first sensing signal to generate a first amplified sensing signal; a first coil that is configured to receive the first amplified sensing signal and generate a feedback magnetic field in response; a second sensing bridge that is configured to generate, at least in part, a second sensing signal, the second sensing bridge including a plurality of second magnetic field sensing elements; a second amplifier that is configured to amplify the second sensing signal to generate a second amplified sensing signal; a second coil that is configured to receive the second amplified sensing signal and generate a second feedback magnetic field in response.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
The present disclosure concerns a magnetic sensor (100) for sensing an external magnetic field, comprising a plurality of magnetoresistive sensor elements (10), each comprising a reference layer (21) having a reference magnetization (210), a sense layer (23) having a sense magnetization (230) comprising a stable vortex configuration, and a tunnel barrier layer (22). In a layer plane (PL) of the layers (21, 22, 23), each magnetoresistive sensor element (10) has a regular polygon shape comprising n vertices and has a lateral size (D) in the layer plane (PL) between 0.2 pm and 5 pm. Each magnetoresistive sensor element (10) has an aspect ratio of its thickness (ty) to its lateral size (D) between 0.005 and 2. Each magnetoresistive sensor element (10) is rotated in the layer plane (PL) by 36072n relative to an adjacent magnetic sensor element (10). Alternatively, the reference magnetization (210) of each magnetoresistive sensor elements (10) is rotated by 36072n in the layer plane (PL) relative to the reference magnetization (210) of an adjacent magnetoresistive sensor element (10).
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
Tactile sensors have conductive traces disposed on a deformable conductive layer that is disposed on electrodes on a substrate. Monitoring circuitry can detect changes in conductivity, resistance, and/or current due to deformation of the deformable layer in response to applied forces and produce corresponding output signals indicative of the deformation of the deformable layer. Magnitude, direction, duration and/or location of the force or pressure causing the deformation can be determined from the output signals. Related methods of manufacturing tactile sensors are described.
G01L 1/22 - Mesure des forces ou des contraintes, en général en mesurant les variations de la résistance ohmique des matériaux solides ou des fluides conducteurs de l'électricitéMesure des forces ou des contraintes, en général en faisant usage des cellules électrocinétiques, c.-à-d. des cellules contenant un liquide, dans lesquelles un potentiel électrique est produit ou modifié par l'application d'une contrainte en utilisant des jauges de contrainte à résistance
6.
SYSTEMS, METHODS, AND TECHNIQUES FOR VARYING OUTPUT RESOLUTION OF A SENSOR DEVICE
Disclosed are example systems, methods, and techniques for adaptively varying a resolution of information output from a sensor device. In particular, described are example systems, methods, and techniques for adaptively varying a resolution of information output from a sensor device based on a frequency of rotation of a target. Also described herein are example systems, methods, and techniques for conveying which of a series of events caused information to be output from a sensor device.
G01D 5/243 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la phase ou la fréquence d'un courant alternatif
7.
CASCADE MAGNETIC SENSOR CIRCUIT AND A LINEAR MAGNETIC SENSOR DEVICE COMPRISING THE CASCADE MAGNETIC SENSOR CIRCUIT
The present disclosure concerns magnetic sensor device (10) for sensing an external magnetic filed vector (H) comprising a cascade magnetic sensor circuit (100) comprises N magnetic sensors (2n), wherein N equal to or greater than 2, wherein said N magnetic sensors (2n) comprises a first magnetic sensor (21) and at least another magnetic sensor (2n) electrically connected in cascade with each other. The first magnetic sensor (21) is configured to generate a first output voltage (Vout1) dependent on an external magnetic field vector (H) when inputted with an input bias voltage (Vdd). The output voltage of the nth magnetic sensor is used as input bias voltage of the next (n+1) magnetic sensor. The magnetic sensor device (10) further comprises at least one reference magnetic field sensor (2Ref). The corrected output voltage has improved linearity compared to the reference output voltage.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
A current sensor integrated circuit (IC) package is flip-chip bonded using a conductive film to connect the IC circuit bond pads to the lead frame. A conductive film is positioned between the die surface of a semiconductor die and at least one signal lead of the lead frame. The conductive film is conductive in a first direction between the die and the signal lead and nonconductive in other directions. The conductive film is further configured to control a gap height between the die and the lead frame to reduce die tilt, thus improving the sensitivity and performance consistency of the package.
Systems, structures, packages, circuits, and methods provide winding-less transformer structures, sub-assemblies and assemblies. Larger substate panels, e.g., a PCB or other type of substrate, can be constructed with designated locations in smaller subunits for transformer cores, which when placed at those designated locations create portions of transformers. The cores can be affixed onto the larger panels, which can then be partitioned or broken into smaller parts that can each form a subassembly. The subassemblies can then be combined with appropriate matching structures to complete the coil structures for the transformers. One or more integrated circuits such as gate drivers may be included with transformer sub-assemblies, assemblies, packages or modules.
H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants
H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
10.
ANGLE SENSOR HAVING HETEROGENOUS REDUNDANT SENSING
Methods and apparatus for having heterogenous redundant angle sensing. In embodiments, an angle sensor has inductive sensing and magnetic sensing for a target having a magnetic portion and a metallic portion. In embodiments, the magnetic portion includes a ring magnet centered within the metallic portion, which can be referred to as a cap. In some embodiments, the target-facing side of the cap is sloped. In some embodiments, the target-facing side of the cap and the ring magnet are sloped.
G01D 5/22 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile influençant deux bobines par une action différentielle
G01B 7/00 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques
G01B 7/30 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour mesurer des angles ou des cônesDispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes
G01D 5/243 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la phase ou la fréquence d'un courant alternatif
Methods and apparatus for having heterogenous redundant angle sensing. In embodiments, an angle sensor has inductive sensing and magnetic sensing for a target having a magnetic portion and a metallic portion. In embodiments, the magnetic portion includes a ring magnet centered within the metallic portion, which can be referred to as a cap. In some embodiments, the target-facing side of the cap is sloped. In some embodiments, the target-facing side of the cap and the ring magnet are sloped.
G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile
12.
DIFFERENTIAL SENSING ELEMENT PLACEMENT IN CURRENT SENSORS FOR HETEROGENEOUS STRAY FIELD IMMUNITY
A sensor, comprising: a conductor having a curved portion; a first anchor magnetic field sensing element that is formed at an intersection of a first axis and a second axis that is substantially perpendicular to the first axis, the first magnetic field sensing element being formed on a space that is partially enclosed by the curved portion; a first magnetic field sensing element that is formed on the first axis, the first magnetic field sensing element being disposed on an opposite side of the conductor from the first anchor magnetic field sensing element; and a second magnetic field sensing element that is formed on the second axis, the second magnetic field sensing element being disposed on an opposite side of the conductor from the first anchor magnetic field sensing element.
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
13.
Wireless power transmission with channel redundancy
Systems, structures, packages, circuits, and methods provide wireless power and communication signal transmission systems with channel redundancy. Embodiments can be used in mechanical systems having rotating components. Two emission coils can have different topologies and can be used with three or four reception coils. The chosen topologies can be selected to ensure and/or facilitate minimal mutual inductance across topologies when the reception coils are rotated relative to the emission coils. To minimize mutual inductance between coils of different power transmission channels, twists can be added to the coil topologies to alter coil field polarity. Angle sensing can be achieved by determining efficiency of power transmission between the transmission and reception coils.
H04B 1/00 - Détails des systèmes de transmission, non couverts par l'un des groupes Détails des systèmes de transmission non caractérisés par le milieu utilisé pour la transmission
H02J 50/40 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant plusieurs dispositifs de transmission ou de réception
H04B 5/79 - Systèmes de transmission en champ proche, p. ex. systèmes à transmission capacitive ou inductive spécialement adaptés à des fins spécifiques pour le transfert de données en combinaison avec le transfert d'énergie
H02J 50/12 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif du type couplage à résonance
Methods and apparatus for a lidar system having spatio-temporal filtering to reduce false alarms in image data. In embodiments, the probability of a lidar return being real and not a false alarm is calculated based on both the current and historical presence of other returns which are spatially adjacent to the return being calculated. The probability is used to filter false alarms through thresholding.
G01S 17/04 - Systèmes de détermination de la présence d'une cible
G01S 7/48 - Détails des systèmes correspondant aux groupes , , de systèmes selon le groupe
G01S 7/487 - Extraction des signaux d'écho désirés
H04N 25/40 - Extraction de données de pixels provenant d'un capteur d'images en agissant sur les circuits de balayage, p. ex. en modifiant le nombre de pixels ayant été échantillonnés ou à échantillonner
H04N 25/618 - Traitement du bruit, p. ex. détection, correction, réduction ou élimination du bruit pour les bruits aléatoires ou de haute fréquence
15.
MAGNETORESISTIVE ELEMENT FOR SENSING A MAGNETIC FIELD IN AN OUT-OF-PLANE DIRECTION WITH INCREASED SENSITIVITY
The present disclosure concerns a magnetoresistive sensor (MR) element, comprising a reference layer having a reference magnetization; a sense layer having a sense magnetization comprising a vortex configuration stable under the presence of an external magnetic field, the sense magnetization being reversibly movable in a direction out-of-plane relative to the reference magnetization when the external magnetic field varies in a direction out-of-plane; and a tunnel barrier layer between the reference layer and the sense layer. The MR element further comprises a dipolar assisting layer, configured to generate a dipolar stray field oriented substantially out-of-plane, such that the dipolar stray field is added to the out-of-plane external magnetic field, resulting in an effective magnetic field that is larger than and proportional to the external magnetic field. The present disclosure further concerns a magnetic sensor device comprising the MR element.
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
H01F 10/32 - Multicouches couplées par échange de spin, p. ex. superréseaux à structure nanométrique
A device, comprising: a position sensor including an optical sensing element and an image processor, the image processor being configured to use the optical sensing element to take images of a visual mark that is formed on a target, detect a position of the target based on the images, and generate a first signal that is indicative of the position of the target; a current sensor including one or more magnetic field sensing elements, the current sensor being configured to measure a level of electrical current through a conductor, and generate a second signal that is indicative of the level of the electrical current through the conductor; and a motor controller that is configured to receive the first and second signals and generate a third signal for powering an electric motor, the third signal being generated based on the first and second signals; and a semiconductor package.
G06V 10/764 - Dispositions pour la reconnaissance ou la compréhension d’images ou de vidéos utilisant la reconnaissance de formes ou l’apprentissage automatique utilisant la classification, p. ex. des objets vidéo
The present disclosure concerns a magnetoresistive sensor (MR) element, comprising a reference layer having a reference magnetization; a sense layer having a sense magnetization comprising a vortex configuration stable under the presence of an external magnetic field, the sense magnetization being reversibly movable in a direction out-of-plane relative to the reference magnetization when the external magnetic field varies in a direction out-of-plane; and a tunnel barrier layer between the reference layer and the sense layer. The MR element further comprises a dipolar assisting layer, configured to generate a dipolar stray field oriented substantially out-of-plane, such that the dipolar stray field is added to the out-of-plane external magnetic field, resulting in an effective magnetic field that is larger than and proportional to the external magnetic field. The present disclosure further concerns a magnetic sensor device comprising the MR element.
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
Systems, structures, circuits, packages and methods provide low-power devices such as sensors and sensor packages having one or more Wiegand coils that can be used for activation of a sensor or other device, as well as potentially supplying operating power. In some embodiments, one or more Wiegand coils can be located in a sensor package, e.g., as one or more discrete components in the package and/or on formed on or connected to a semiconductor die within the package, for providing wake-up and/or continuous power. The Wiegand coil(s) can be separated from the sensor die in some embodiments. In some embodiments, the Wiegand coil(s) can be constructed on the die itself.
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
H02J 50/00 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique
H02J 50/10 - Circuits ou systèmes pour l'alimentation ou la distribution sans fil d'énergie électrique utilisant un couplage inductif
19.
BANDWIDTH BY TUNING RELATIVE CONDUCTOR SIZE IN A VERTICAL SLIT CONDUCTOR
A system comprising: a conductor having a first through-hole and a second through-hole formed therein, the first and second through-holes being arranged to define a first leg, a second leg, and a third leg of the conductor, the first leg having a first width, the second leg having a second width that is substantially equal to the first width, and the third leg having a third width, the second leg being disposed between the first through-hole and the second through-hole, the first leg being disposed across the first through-hole from the second leg, and the third leg being disposed across the second through-hole from the second leg; and a current sensor that is disposed in the first through-hole, the current sensor being arranged to measure a level of electrical current through the conductor, wherein a ratio between the first width and the third width is in the range of 0.45-0.60.
G01R 19/25 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe utilisant une méthode de mesure numérique
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
20.
SYSTEM FOR COMPENSATING FOR AN OUTPUT LATENCY IN A SPEED SENSOR
A speed sensor device includes sensing elements to sense an angle of a moving target and to generate sine and cosine signals in response thereto; a signal condition circuit to process the sine and cosine signals, the processed sine and cosine signals having a phase lag introduced by the signal condition circuit; and a phase lead filter to receive the processed sine and cosine signals and to reduce the phase lag in the processed sine and cosine signals.
G01P 3/487 - Dispositifs caractérisés par l'utilisation de moyens électriques ou magnétiques pour mesurer la vitesse angulaire en mesurant la fréquence du courant ou de la tension engendrés de signaux ayant la forme d'impulsions délivrés par des aimants rotatifs
21.
SPARK GAP STRUCTURES AND METHODS IN AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE
Apparatus includes a substrate, a metal layer over the substrate, and a passivation layer over the metal layer. The metal layer includes a first metal portion coupled to a first bond pad and having a first terminal end and a second metal portion coupled to a second bond pad and having a second terminal end spaced from the first terminal end by a gap configured to form a spark gap between the first terminal end and the second terminal end. The apparatus may additionally or alternatively include a first die having a first ground contact and a first Through Silicon Via (TSV) and a second die having a second ground contact that is galvanically isolated from the first ground contact and a second TSV with the first TSV and the second TSV vertically aligned to form a second spark gap between the first die and the second die.
H01L 23/60 - Protection contre les charges ou les décharges électrostatiques, p. ex. écrans Faraday
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
H01T 1/14 - Moyens associés structurellement avec un éclateur pour le protéger contre la surcharge ou pour le déconnecter en cas de défaut
H02H 9/06 - Circuits de protection de sécurité pour limiter l'excès de courant ou de tension sans déconnexion sensibles à un excès de tension utilisant des éclateurs à étincelles
22.
TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND SENSOR HAVING INCREASED MEASUREMENT RANGE
The present disclosure concerns a tunnel magnetoresistance (TMR) element comprising a tunnel barrier layer sandwiched between a reference layer having a pinned reference magnetization and a sense layer having a sense magnetization that is orientable relative to the fixed reference magnetization in the presence of an external magnetic field. The sense magnetization comprises a stable vortex configuration having a vortex core magnetization polarity that is reversed when a vortex core polarity switching field is applied on the TMR element. The TMR element further comprises a shifting layer adjacent to the sense layer, the shifting layer having a shifting magnetization, the shifting layer being configured to induce a stray field on the sense layer and increases the vortex core polarity switching field. The present disclosure further concerns a TMR sensor comprising a plurality of the TMR elements. The TMR element and TMR sensor have improved robustness and field of application.
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
H01F 1/055 - Alliages caractérisés par leur composition contenant des métaux des terres rares et des métaux de transition magnétiques, p. ex. SmCo5
23.
TUNNEL MAGNETORESISTANCE ELEMENT AND SENSOR HAVING INCREASED MEASUREMENT RANGE
The present disclosure concerns a tunnel magnetoresistance (TMR) element comprising a tunnel barrier layer sandwiched between a reference layer having a pinned reference magnetization and a sense layer having a sense magnetization that is orientable relative to the fixed reference magnetization in the presence of an external magnetic field. The sense magnetization comprises a stable vortex configuration having a vortex core magnetization polarity that is reversed when a vortex core polarity switching field is applied on the TMR element. The TMR element further comprises a shifting layer adjacent to the sense layer, the shifting layer having a shifting magnetization, the shifting layer being configured to induce a stray field on the sense layer and increases the vortex core polarity switching field. The present disclosure further concerns a TMR sensor comprising a plurality of the TMR elements. The TMR element and TMR sensor have improved robustness and field of application.
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
H01F 10/32 - Multicouches couplées par échange de spin, p. ex. superréseaux à structure nanométrique
24.
SYSTEMS, METHODS, AND TECHNIQUES FOR POSITIONING A SENSOR DEVICE
Disclosed are example systems, methods, and techniques for positioning a sensor device. In particular, described are example systems, methods, and techniques for positioning a sensor device such that the sensor device is aligned with a rotation axis of a target. Using the systems, methods, and techniques disclosed herein, a sensor device may be centered over a rotation axis of a target in an end-of-shaft sensing application. The systems, methods, and techniques disclosed herein may be used to align a sensor device with a rotation axis of a target in a manner that is more efficient than traditional approaches for calibrating a sensor device.
G01D 5/14 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension
G01B 7/31 - Dispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour mesurer des angles ou des cônesDispositions pour la mesure caractérisées par l'utilisation de techniques électriques ou magnétiques pour tester l'alignement des axes pour tester l'alignement des axes
The structure includes one or more capacitors formed in metal layers of a semiconductor die with the capacitors connected in series. The dielectric thickness of the capacitors is optimized to decrease parasitic capacitance and increase the breakdown voltage of the capacitor assembly.
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
26.
METHOD AND APPARATUS FOR SENSING FLASH MEMORY OUTPUT
A read amplifier, comprising: a transistor having a first terminal and a second terminal, the second terminal being coupled to a sense node, the transistor being arranged to: (i) receive, on the second terminal, a data signal that is generated at least in part by a memory matrix, and (ii) output, on the sense node, an amplified data signal; and a feedback circuit arranged to generate, based at least in part on the data signal, a feedback signal that is applied at a gate of the transistor; and a pre-charge circuit that is configured to pre-charge the sense node to a predetermined value, such that, after the sense node is pre-charged, a voltage at the sense node settles at a value corresponding to the amplified data signal.
A relay, comprising: a housing enclosure; a first terminal; a second terminal; an armature arranged to assume one of an engaged and disengaged position, such that when the armature is in the engaged position the first terminal is electrically coupled to the second terminal by the armature, and when the armature is in the disengaged position, the first terminal is electrically isolated from the second terminal as a result of the armature being removed from at least one of the first terminal and/or the second terminal; a solenoid that is disposed inside the housing enclosure and arranged to actuate the armature between the disengaged position and the engaged position; and a position sensor that is disposed inside the housing enclosure, the position sensor being arranged to monitor a position of the armature and output an indication of whether the armature is in the disengaged position or the engaged position.
H01H 50/18 - Éléments mobiles de circuits magnétiques, p. ex. armature
G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile
Method for forming a magnetoresistive element by forming a sense layer having a free sense magnetization, a reference layer having a fixed reference magnetization, wherein the reference layer is formed by deposition in a Krypton atmosphere, a tunnel barrier layer between the reference layer and the sense layer, and a hard layer having a fixed reference magnetization layer opposite to that of the reference layer. The magnetoresistive element may be configured to measure an external magnetic field oriented substantially perpendicular to the plane of the reference layer. The reference magnetizations of the reference and hard layers may be oriented substantially perpendicularly to the plane of the reference and hard layers. The sense magnetization may have a vortex configuration in the absence of an external magnetic field.
H01F 41/32 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour appliquer un matériau conducteur, isolant ou magnétique sur une pellicule magnétique
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
C23C 14/14 - Matériau métallique, bore ou silicium
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
H01F 10/32 - Multicouches couplées par échange de spin, p. ex. superréseaux à structure nanométrique
Method for forming a magnetoresistive element by forming a sense layer having a free sense magnetization, a reference layer having a fixed reference magnetization, wherein the reference layer is formed by deposition in a Krypton atmosphere, a tunnel barrier layer between the reference layer and the sense layer, and a hard layer having a fixed reference magnetization layer opposite to that of the reference layer. The magnetoresistive element may be configured to measure an external magnetic field oriented substantially perpendicular to the plane of the reference layer. The reference magnetizations of the reference and hard layers may be oriented substantially perpendicularly to the plane of the reference and hard layers. The sense magnetization may have a vortex configuration in the absence of an external magnetic field.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
H01F 10/32 - Multicouches couplées par échange de spin, p. ex. superréseaux à structure nanométrique
30.
INTEGRATED CIRCUIT PACKAGE WITH SPLIT DIE ATTACH PADDLE
An integrated circuit package includes a lead frame with a split die-attach paddle (DAP) that supports a semiconductor die with one or more magnetic field sensing elements. The split paddle reduces magnetic reluctance for enhancing coupling to the die and reducing eddy currents. The package provides mechanical stability to prevent die tilt, limiting sensing errors and protecting the die from stress from downstream mechanical forces during test and assembly pick processes. The mechanical stability is provided by one or more leads, strip tie-bars and/or band bars.
A current sensor for sensing a current through a conductor includes a magnetic field sensing element configured to generate a magnetic field signal indicative of a magnetic field associated with the current through the conductor, a first processing path responsive to the magnetic field signal and configured to generate a first current sensor output signal, a resistive element coupled to the conductor, a second processing path coupled across the resistive element and configured to measure a voltage across the resistive element and generate a second current sensor output signal, and a shared processor configured to calibrate the first processing path and second processing path. The shared processor can be configured to generate one or more of a sensitivity calibration signal, a temperature calibration signal, an offset calibration signal, or a lifetime drift calibration signal.
Disclosed are systems, methods, and techniques for linearizing sensor device rotation angle measurements. In particular, described are systems, methods, and techniques for linearizing sensor device rotation angle measurements without knowledge of actual rotation angles of a target. That is, using systems, methods, and techniques disclosed herein, a sensor device may self-linearize rotation angle measurements of a target. In some embodiments, a linearization process may be applied continuously or periodically over time so as to address changes in the nonlinearities of a rotation angle measurement system.
G01D 5/244 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant les caractéristiques d'impulsionsMoyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques produisant des impulsions ou des trains d'impulsions
Provided are compact current sensing systems based on printed circuit boards (PCB) and/or integrated circuits (IC). Sensors are configured to detect or sense a current, such as a leakage current. Semiconductor die supporting magnetic field sensing elements are placed equidistantly and symmetrically from one or more conductors to sense a current in the conductor. A circuit may output a signal based on a difference between the outputs of the sensing elements.
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
G01R 19/10 - Mesure d'une somme, d'une différence, ou d'un rapport
Method and apparatus for a 3D sensor having die Hall element clusters located on first and second die. In an embodiment, a sensor IC package includes a first die having first, second, and third Hall clusters having different axes of magnetic field sensitivity and a second die having a fourth Hall cluster having sensitivity in the first and third axes of sensitivity. The sensor provides 3D field sensing for stroke, end of shaft and side shaft sensing applications.
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
G01D 5/14 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension
A signal encoding and decoding protocol to transmit both clock information and a data payload in a single line is disclosed. Data may be encoded in a unipolar non-return-to-zero line in which an initial pulse width determines a clock frequency, followed by a series of pulses indicating the data payload. Each clock transition following an initial synchronization pulse indicates a data bit in which the value of the bit is determined in relation to the previous bit. Edge information may indicate a change in bit value from the previous bit. If the transmission signal remains at the same level for a subsequent clock period, the bit value remains the same.
A magnetic sensor element is disclosed, comprising a magnetic tunnel junction (MTJ) comprising a reference layer, a tunnel barrier layer, a sense layer having a sense magnetization freely orientable in the presence of the external magnetic field. The reference layer has a reference magnetization and comprises a reference SAF structure and an in-plane sensitivity axis. A SOT electrode configured to pass a SOT current adapted to switch the first reference magnetization in two opposed directions along the sensitivity axis by a spin orbit torque interaction. Also disclosed is a sensing device comprising at least one sensing branch including at least one magnetic sensor element and a sensing operation using the sensing device for sensing an external magnetic field. The magnetic sensor element allows for sensing the external magnetic field with low 1/f noise.
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
H01F 10/32 - Multicouches couplées par échange de spin, p. ex. superréseaux à structure nanométrique
H10N 50/20 - Dispositifs à courant commandé à polarisation de spin
37.
STRUCTURES, METHODS, AND TECHNIQUES FOR DECREASING A LATERAL DIMENSION OF TUNNELING MAGNETORESISTANCE PILLARS
Disclosed are example structures that have tunneling magnetoresistance (TMR) pillars with a decreased lateral dimension. Also described are methods and techniques for forming these structures. Also described herein are structures, and methods and techniques for forming structures, where a conductive hard mask may be provided on top of TMR pillars for direct contact with a top metal layer. Using the methods and techniques described herein, TMR pillars with a decreased lateral dimension may be utilized in structures.
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
A system, comprising: a ring magnet that is coupled to a first portion of a mechanical element, the first portion extending in a first direction, the first ring magnet having npp1 pole pairs, where npp1 is an odd integer, and npp1≥3; a second ring magnet that is coupled to a second portion of a mechanical element, the second portion extending in a second direction that is opposite to the first direction, the second ring magnet having npp2 pole pairs, where npp2=4*m*npp2, m is an integer, and m≥1; first and second magnetic field sensor, the first and second magnetic field sensors being disposed at an angle of approximately 90/npp1 degrees relative to each other; and third and fourth magnetic field sensors, the third and fourth magnetic field sensors being disposed at an angle of approximately 180 degrees relative to each other.
G01L 3/10 - Dynamomètres de transmission rotatifs dans lesquels l'élément transmettant le couple comporte un arbre élastique en torsion impliquant des moyens électriques ou magnétiques d'indication
A system and method are disclosed to test signal paths within sensor signal channels by providing an additional signal channel having testing means. The additional signal channel has a test signal generator, a test signal evaluator, and a signal path that is provided in parallel to existing signal paths within the sensor. Signal paths between each sensing element and each output are manipulated by input and output path couplers so that sense signals always reach the correct outputs but the intermediary signal path(s) may be changed according to a self-test protocol. In particular, the signal path(s) may be selected for cyclical testing. The signal path under test is subjected to test signals from the test signal generator which are then evaluated by the test signal evaluator for correctness, and faults signaled. The test signals may be selected to test each signal processing function in the signal path.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
AC current sensors are described having a primary current path that is integrated in a substrate or separate from the substrate; one or more conductive loops integrated in the substrate and configured for inductive coupling with the primary current path; and an integrated circuit connected to the conductive loop(s) and configured to measure AC current in the primary current path. The one or more integrated coils or loops can include one or more twisted loops configured to provide differential sensing of current in the primary current path and reject stray magnetic fields. In some embodiments, the one or more integrated coils or loops include one or more pairs of integrated coils or loops, with one coil or loop of each pair on each side of the main current path.
G01R 15/18 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs inductifs, p. ex. des transformateurs
A magnetic sensor element is disclosed, comprising a magnetic tunnel junction (MTJ) comprising a reference layer, a tunnel barrier layer, a sense layer having a sense magnetization freely orientable in the presence of the external magnetic field. The reference layer has a reference magnetization and comprises a reference SAF structure and an in-plane sensitivity axis. A SOT electrode configured to pass a SOT current adapted to switch the first reference magnetization in two opposed directions along the sensitivity axis by a spin orbit torque interaction. Also disclosed is a sensing device comprising at least one sensing branch including at least one magnetic sensor element and a sensing operation using the sensing device for sensing an external magnetic field. The magnetic sensor element allows for sensing the external magnetic field with low 1/f noise.
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
42.
MULTI-SUBSTRATE TRANSFORMER PACKAGES WITH MAGNETOSTRICTION MANAGEMENT
Isolation transformer packages and structures and related methods reduce or minimize deleterious effects arising from magnetostriction during operation of the included transformer. An example transformer based integrated circuit package includes first and second substrates that include a space for receiving a magnetic core and that are joined together. A magnetic core is disposed in the space defined by the substrates, with the magnetic core including a soft ferromagnetic material. The space between surfaces of the substrates and an exterior surface of the magnetic core allows the magnetic core to expand and contract during operation. Pluralities of conductive traces of both substrates, having first and second galvanically separate groups, form first and second transformer coils disposed about the magnetic core. An injection port can be disposed in the first or second substrate to allow injection of underfill into one or more regions between the first substrate and the second substrate.
H01L 21/48 - Fabrication ou traitement de parties, p. ex. de conteneurs, avant l'assemblage des dispositifs, en utilisant des procédés non couverts par l'un uniquement des groupes ou
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
According to some embodiments, a sensor includes: one or more sensing elements configured to generate a magnetic field signal having a magnetic field component that varies in response to a magnetic field and an offset component contributed by the one or more sensing elements; a modulation circuit configured to modulate the magnetic field component of the magnetic field signal at a modulation frequency; an amplifier configured to receive the modulated signal and provide an amplified modulated signal having a current responsive to at least the magnetic field and the offset contributed by the one or more sensing elements; and a sample and hold circuit configured to receive the amplified modulated signal and provide a conditioned signal having a current that varies in response to the magnetic field signal and having substantially zero offset contribution from the one or more sensing elements and from the amplifier.
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
44.
TMR SENSOR HAVING VORTEX STACK TO ENHANCE LINEARITY
Methods and apparatus for devices including TMR elements with a free layer having a vortex layer to provide a magnetic vortex, a spacer layer, a reference layer, and a bias layer to offset the vortex by magnetic exchange bias. Sensor embodiments increase linearity for enhancing sensor performance.
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
Systems, structures, circuits, and methods provide coil pairs that are used with magnetic-field type current sensors. Coil pairs, with a smaller coil nested within a larger coil, can be employed with or for magnetic field/flux sensors or sensing elements to compensate for the degradation in sensitivity as the frequency of the sensed current increases. A coil pair can be integrated into or on a substrate having a field-based current sensor. In use, frequency-dependent current is induced in a larger coil that is then driven through a smaller coil which concentrates a magnetic field on the sensitive element. The larger coil is configured to provide an increasing current as the frequency of the ambient magnetic field increases and provide the increasing current to the second coil to compensate for a frequency-dependent coupling factor between the magnetic field sensor and the ambient magnetic field.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
46.
ASYNCHRONOUS STATE MACHINE BASED DRIVER FOR DC/DC REGULATORS
A device includes a signal generator configured to generate signals to control first and second switches coupled in a first half-bridge DC-DC converter configuration, the first and second switches being configured in a buck mode of operation or in a boost mode of operation.
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
H02M 3/158 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu sans transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrode de commande utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs avec commande automatique de la tension ou du courant de sortie, p. ex. régulateurs à commutation comprenant plusieurs dispositifs à semi-conducteurs comme dispositifs de commande finale pour une charge unique
47.
ASYNCHRONOUS STATE MACHINE BASED DRIVER FOR DC/DC REGULATORS
A device includes a signal generator configured to generate signals to control first and second switches coupled in a first half-bridge DC-DC converter configuration, the first and second switches being configured in a buck mode of operation or in a boost mode of operation.
H02M 3/335 - Transformation d'une puissance d'entrée en courant continu en une puissance de sortie en courant continu avec transformation intermédiaire en courant alternatif par convertisseurs statiques utilisant des tubes à décharge avec électrode de commande ou des dispositifs à semi-conducteurs avec électrodes de commande pour produire le courant alternatif intermédiaire utilisant des dispositifs du type triode ou transistor exigeant l'application continue d'un signal de commande utilisant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
G05B 19/045 - Commande à programme autre que la commande numérique, c.-à-d. dans des automatismes à séquence ou dans des automates à logique utilisant des machines à états logiques composées uniquement d'une mémoire ou d'un dispositif logique programmable contenant la logique de la machine commandée et dans lesquelles l'état de ses sorties dépend de l'état de ses entrées, ou d'une partie des états de sa propre sortie, p. ex. contrôleurs de décision binaire, automates finis
48.
MULTIPLE-SENSITIVITY SENSOR WITH DYNAMIC OFFSET CORRECTION AND HIGH DYNAMIC RANGE
A method is provided for use in a sensor, comprising: generating a sensing signal by using one or more sensing elements; amplifying the sensing signal by using a first gain to produce, at least in part, a first amplified signal, the first amplified signal having a first offset; amplifying the sensing signal by using a second gain to produce, at least in part, a second amplified signal, the second amplified signal having a second offset; generating an adjusted signal based on the first amplified signal, the second amplified signal, the first gain, and the second gain, the adjusted signal approximating a difference between the second amplified signal and an offset of the second amplified signal; and using the adjusted signal to generate an output of the sensor.
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
A magnetic field sensor comprises a die, first and second magnetic field sensing elements supported by the die, at respective spaced apart positions, and a lead frame supporting the die. The lead frame comprises a die attach segment having first and second openings formed therein, where there is no lead frame covering either magnetic field sensing element. The die attach segment includes a horizontal support portion disposed between the first and second openings, having a size configured to provide die support along a predetermined portion of at least one predetermined horizontal axis of the die. In other aspects, the lead frame comprises multiple die attach segments separated by slots, where at least one of the multiple die attach segments supports the die along its horizontal axis. At least one of the slots mitigates a current loop arising from operation of at least one of the magnetic field sensing elements.
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
50.
GMR LAYOUT FOR COMPACT TRANSDUCER WITH MISMATCH CONTROL
A magnetoresistance (MR) structure includes one or more MR elements each having a serpentine layout formed from two or more groups of parallel lines, the two or more groups of parallel lines connected by a first plurality of metal pads at a first end of the MR structure and a second plurality of metal pads at a second end of the MR structure opposite from the first end. A coil structure and technique for exciting the one or more magnetoresistance (MR) elements are also disclosed.
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
H10N 59/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comportant au moins un élément galvanomagnétique ou à effet Hall couvert par les groupes
Systems, circuits, and methods provide for detection of open-circuit states in an external conductor using inductive coupling. An on-chip coil is used to generate a reference magnetic field. An in-package conductor loop is connected to the external conductor. When the external conductor is continuous, the reference magnetic field generates an induced current in the in-package conductor whereas no induced current is generated when the external conductor is broken. The presence of an induced current produces an induced magnetic field, tending to cancel the reference magnetic field. The cancellation or attenuation of the reference magnetic field can be detected by an included magnetic field sensor and a comparator. Examples can include use of a closed loop acting as a feedback loop. The feedback loop can adjust the strength of a feedback magnetic field directed at the magnetic field sensor and used to compensate for nonlinearities of the magnetic field sensor.
G01R 31/327 - Tests d'interrupteurs de circuit, d'interrupteurs ou de disjoncteurs
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
G01R 19/165 - Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée
G01R 19/25 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe utilisant une méthode de mesure numérique
52.
GMR LAYOUT FOR COMPACT TRANSDUCER WITH MISMATCH CONTROL
A magnetoresistance (MR) structure includes one or more MR elements each having a serpentine layout formed from two or more groups of parallel lines, the two or more groups of parallel lines connected by a first plurality of metal pads at a first end of the MR structure and a second plurality of metal pads at a second end of the MR structure opposite from the first end. A coil structure and technique for exciting the one or more magnetoresistance (MR) elements are also disclosed.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
G01R 33/12 - Mesure de propriétés magnétiques des articles ou échantillons de solides ou de fluides
H10N 59/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comportant au moins un élément galvanomagnétique ou à effet Hall couvert par les groupes
53.
HEAT-SINK-COUPLED CONDUCTOR STRUCTURES WITH INTEGRATED CURRENT SENSORS AND EDDY CURRENT MITIGATION
Systems, circuits, and methods provide heat-sink-coupled conductive structures having eddy current mitigation structures, formed as S-notches, and integrated current sensors. An example conductive structure includes a high-current conductor structure having a main current path including an S-notch portion configured to mitigate eddy currents. The structure includes a low-current conductor structure connected to a first heat sink and having a main current path configured to conduct a second current. A differential current sensor is connected to the low-current conductor structure and configured to detect current flowing in the high-current conductor structure. A power module includes the conductive structure and a power converter that is configured to convert power between the first current in the high-current conductor structure and the second current in the low-current conductor structure. The conductive structures and power modules can be used for EV applications.
H02M 1/00 - Détails d'appareils pour transformation
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
G01R 19/10 - Mesure d'une somme, d'une différence, ou d'un rapport
54.
CORE-BASED CURRENT SENSORS WITH INTEGRATED COMPENSATION COILS
Systems, circuits, and methods provide core-based closed-loop current sensors utilizing a coil connected to an IC having a magnetic field sensor configured to measure current in one or more conductors such as busbars. A closed-loop current sensor includes a magnetic core having first and second ends separated by a gap and an aperture receiving the one or more conductors; a magnetic field sensor disposed on a substrate and integrated in an IC is disposed in the gap, where the magnetic field sensor is configured to receive magnetic flux from the gap, where the IC is configured to measure AC current in the one or more conductors; and a coil integrated with the substrate and coupled to the IC, wherein the coil is configured to provide negative magnetic feedback for closed-loop compensation.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 3/00 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des appareils de mesure
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
According to one aspect of the disclosure, a sensor includes a substrate; a back bias magnet arranged to generate a bias field at least having components in a plane parallel to a surface of the substrate, the bias field having a horizontal symmetry axis within the plane; and a plurality of sensing element groups disposed at different locations on a surface of the substrate and laid out along a common line aligned with the horizontal symmetry axis of the back bias magnet, each of the plurality of sensing element groups having one or more tunneling magnetoresistance (TMR) vortices having an axis of maximum sensitivity aligned with the common line.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
Methods and apparatus for heterogenous ASIL communication in an isolated gate driver. In embodiments, a gate driver includes an internal or external transformer to provide power and/or data communication from a primary side to a second side through an isolation barrier. One or more capacitive channels provide communication between the primary and secondary sides. By providing independent isolated channels of differing types, heterogenous ASIL functionality is provided.
A current sensor integrated circuit package includes a primary conductor having an input portion into which a current flows and an output portion from which the current flows, a plurality of secondary leads, and a semiconductor die disposed adjacent to a top surface of the primary conductor and positioned on an insulator portion. In some embodiments, at least one magnetic field sensing element is supported by the semiconductor die. In some embodiments, the package includes a package body with a first portion enclosing the semiconductor die and a first portion of the primary conductor and a second portion enclosing an elongated portion of the plurality of secondary leads, wherein a second portion of the primary conductor is exposed. A pad is secured to the package body and a pillar extends from the primary conductor to the pad.
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
H10N 59/00 - Dispositifs intégrés, ou ensembles de plusieurs dispositifs, comportant au moins un élément galvanomagnétique ou à effet Hall couvert par les groupes
58.
ISOLATION TRANSFORMER PACKAGES WITH MAGNETOSTRICTION MANAGEMENT
Isolation transformer packages and structures and related methods reduce or minimize deleterious effects arising from magnetostriction during operation of the included transformer. An example transformer based integrated circuit package includes a substrate including a cavity, with the cavity including an aperture. A magnetic core is disposed in the cavity, with the magnetic core includes a soft ferromagnetic material. The cavity is configured to provide a space between an interior surface of the cavity and an exterior surface of the magnetic core. A cap is disposed in the aperture and configured to seal the aperture. A plurality of conductive traces forming first and second coils is disposed about the magnetic core, with the first and second coils and magnetic core forming a transformer.
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
H01L 23/04 - ConteneursScellements caractérisés par la forme
H01L 23/06 - ConteneursScellements caractérisés par le matériau du conteneur ou par ses propriétés électriques
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
59.
HYBRID GaN AND BCD DEVICES USING HETEROEPITAXY ON SILICON
According to one aspect of the present disclosure, a semiconductor device includes a first substrate having a lattice structure, wherein the first substrate includes a gallium nitride (GaN) area adjacent to a bipolar junction transistor (BJT) complementary metal oxide semiconductor (CMOS) double diffused metal oxide semiconductor (DMOS) (BCD) area. In some embodiments, the GaN area comprises one or more GaN device layers disposed on the first substrate. In some embodiments, the BCD area comprises one or more BCD device layers. In some embodiments, the first substrate comprises a silicon (100) lattice structure configuration. In some embodiments, the GaN devices layers comprise one or more GaN device layers having a cubic structure and one or more GaN device layers having a wurtzite structure.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 27/092 - Transistors à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur complémentaires
H01L 29/04 - Corps semi-conducteurs caractérisés par leur structure cristalline, p.ex. polycristalline, cubique ou à orientation particulière des plans cristallins
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
A current sensor integrated circuit (IC) package includes an insulation structure disposed between a semiconductor die and a lead frame to control gap height and prevent the die from tilting and dropping the magnetic field coupling between the die the primary conductor. An insulation structure is disposed between the die and the lead frame such that the die remains level and magnetic coupling remains intact. An insulation structure may control the gap height between the lead frame and the die evenly during transfer molding, by supporting the die across its length and/or width. Epoxy dots are also or instead used to control the gap height and eliminate die tilt.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
61.
Closed loop magnetic field sensor with current control
Method and apparatus for a closed loop CAPS magnetic field sensor having an emitter coil current that corresponds to a distance from a target. An emitter coil drive circuit outputs an emitter current to an emitter coil for generating an emitter field and a reference coil drive circuit outputs a reference current to a reference coil for generating a reference field. The combined fields generate an applied field and a magnetic field sensing element generates an electric signal. The sensor has a closed loop configuration with a feedback path that includes the emitter coil drive circuit and the emitter coil and is configured to modify an amplitude of the emitter current signal based on a distance from the target to the magnetic field sensing element.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
62.
TRANSFORMER PACKAGES HAVING CORE COVERS WITH COIL PORTIONS
Systems, structures, packages, circuits, and methods provide transformer packages with transformers having core covers with coil portions. A first plurality of conductive traces in a substrate forms first portions of first and second transformer coils. A core cover includes a second plurality of conductive traces forming second portions of the transformer coils and configured to extend around a portion of a provided magnetic core. The core covers are configured such that first (primary) and second (secondary) transformer coils are formed when the second plurality of conductive traces is brought into contact with the first plurality of conductive traces. One or more integrated circuits may be included with transformer packages or modules. The packages and modules may include various types of circuits; in some examples, chip packages or modules may include a galvanically isolated gate driver or other high voltage circuit.
H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
63.
ELECTROSTATIC DISCHARGE PROTECTION FOR STACK DIE TECHNOLOGY
According to one aspect of the present disclosure, a semiconductor electrostatic discharge (ESD) device includes a substrate. In some embodiments one or more dielectric layers disposed on the substrate. In some embodiments, there are one or more polysilicon diodes disposed within the one or more dielectric layers. In some embodiments, there is a metallization layer with two or more metal interconnect pads. In some embodiments, there are two or more vias, wherein a first via is connected to a first metal interconnect pad and a second via is connected to a second metal interconnect pad, wherein the polysilicon diodes are connected to the two or more vias, wherein the one or more polysilicon diodes are configured to provide ESD protection at the metal interconnect pads.
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
H01L 27/08 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant un corps semi-conducteur comprenant uniquement des composants semi-conducteurs d'un seul type
64.
TRANSFORMER-BASED INTEGRATED CIRCUIT PACKAGES HAVING FRACTIONAL COIL STRUCTURES
Systems, structures, packages, circuits, and methods provide transformers (120; 350; 620) having fractional coil structures. A first plurality of conductive traces (104; 311; 604) in a substrate (101; 301; 601) forms first portions of first and second transformer coils (111a, 111b; 351a, 351b; 611a, 611b). Two or more fractional coil structures (108; 330; 630) are provided, with each including a second plurality of conductive traces forming second portions of the transformer coils and configured to extend around a portion of a provided magnetic core (106; 320; 606). The fractional coil structures are configured such that first (primary) and second (secondary) transformer coils are formed when the second plurality of conductive traces is brought into contact with the first plurality of conductive traces. A transformer having one or more fractional coil structures can be included in integrated circuit (chip) packages or modules. The packages and modules may include various types of circuits; in some examples, chip packages or modules may include a galvanically isolated gate driver or other high voltage circuit.
H01F 27/30 - Fixation ou serrage de bobines, d'enroulements ou de parties de ceux-ci entre euxFixation ou montage des bobines ou enroulements sur le noyau, dans l'enveloppe ou sur un autre support
65.
TRANSFORMER-BASED INTEGRATED CIRCUIT PACKAGES HAVING FRACTIONAL COIL STRUCTURES
Systems, structures, packages, circuits, and methods provide transformers having fractional coil structures. A first plurality of conductive traces in a substrate forms first portions of first and second transformer coils. Two or more fractional coil structures are provided, with each including a second plurality of conductive traces forming second portions of the transformer coils and configured to extend around a portion of a provided magnetic core. The fractional coil structures are configured such that first (primary) and second (secondary) transformer coils are formed when the second plurality of conductive traces is brought into contact with the first plurality of conductive traces. A transformer having one or more fractional coil structures can be included in integrated circuit (chip) packages or modules. The packages and modules may include various types of circuits; in some examples, chip packages or modules may include a galvanically isolated gate driver or other high voltage circuit.
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01F 1/06 - Aimants ou corps magnétiques, caractérisés par les matériaux magnétiques appropriésEmploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés magnétiques en matériaux inorganiques caractérisés par leur coercivité en matériaux magnétiques durs métaux ou alliages sous forme de particules, p. ex. de poudre
H01F 1/10 - Aimants ou corps magnétiques, caractérisés par les matériaux magnétiques appropriésEmploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés magnétiques en matériaux inorganiques caractérisés par leur coercivité en matériaux magnétiques durs substances non métalliques, p. ex. ferrites
H01F 1/34 - Aimants ou corps magnétiques, caractérisés par les matériaux magnétiques appropriésEmploi de matériaux spécifiés pour leurs propriétés magnétiques en matériaux inorganiques caractérisés par leur coercivité en matériaux magnétiques doux substances non métalliques, p. ex. ferrites
H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H05K 1/18 - Circuits imprimés associés structurellement à des composants électriques non imprimés
66.
Magnetoresistance element including a multi-layered free layer stack to tune hysteresis and output amplitude
According to one aspect of the present disclosure, a magnetic field sensor includes a magnetoresistance (MR) element. In some embodiments, the MR element includes a reference layer, a free layer, and a barrier layer. In some embodiments the free layer includes two or more cobalt iron boron (CoFeB) layers, wherein a first one of the CoFeB layers is in contact with the barrier layer, and two or more spacer layers. In some embodiments, the CoFeB layers and the spacer layers alternate to form a multilayered free layer structure. In some embodiments, the magnetic field sensor comprises an angle sensor or a current sensor. In some embodiments, the contact between the first one of the CoFeB layers and the barrier layer is configured to reduce hysteresis in the MR element. In some embodiments, the alternating CoFeB layers and spacer layers are configured to increase output amplitude of the MR element.
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
An integrated circuit package having more than one semiconductor die includes a spark gap to provide a current path designed to protect the device. The spark gap can be provided between an exposed portion of a corner lead and an exposed portion of a tie bar and/or between exposed portions of adjacent leads. The spark gap distance is designed to achieve required ratings for a given application. Stacked and side-by-side die configurations are described.
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
68.
INTEGRATED CIRCUIT PIN FOR REFERENCE VOLTAGE AND FAULT COMMUNICATION
A sensor integrated circuit includes a sensing circuit configured to generate the sensor output signal and a fault circuit to detect a fault and generate a fault signal indicative of the fault. A combined signal indicative of the fault signal when a fault is detected and indicative of a reference voltage associated with the sensor IC at other times is provided at a shared connection of the sensor IC. Embodiments include a current sensor IC and fault detectors configured to detect one or more faults.
G01R 19/165 - Indication de ce qu'un courant ou une tension est, soit supérieur ou inférieur à une valeur prédéterminée, soit à l'intérieur ou à l'extérieur d'une plage de valeurs prédéterminée
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
H02H 3/08 - Circuits de protection de sécurité pour déconnexion automatique due directement à un changement indésirable des conditions électriques normales de travail avec ou sans reconnexion sensibles à une surcharge
69.
LOW-POWER MAGNETIC SENSING DEVICE AND MAGNETIC SWITCH DEVICE COMPRISING THE MAGNETIC SENSING DEVICE
Magnetic sensing device integrated in a magnetic switch device that makes or breaks contact in the presence of an external magnetic field, comprising: a first transistor biased at a first terminal by a first bias voltage and a first magnetoresistive element having a first resistance variable with the external magnetic field. At a reference field strength, the first resistance has a first reference resistance value, and the first bias voltage is adjustable to control a first current at the second terminal of the first transistor at a first reference current value. When the external magnetic field is varied around the reference field strength, the first variable resistance varies around the first reference resistance value by a resistance delta, such that the first current modulates around the first reference current value by a current delta. A magnetic switch device comprising the magnetic sensing device is also disclosed.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/06 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
An integrated circuit (IC) package and assembly includes a stacked arrangement of one or more IC die to leverage additional functionality in a standard package width. Active IC die and high voltage IC capacitors may be stacked in various arrangements to minimize the footprint and width of the IC package. The die are interconnected with each other and a lead frame with wire bonds, silicon vias or other interconnections. Various bond pad configurations are used to interconnect the die. The stacked arrangement of the IC die reduces the width of the supporting lead frame and reduces the overall footprint of the IC package.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/48 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le ou hors du corps à l'état solide pendant son fonctionnement, p. ex. fils de connexion ou bornes
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
According to aspects of the disclosure, a method is provided for use in a sensor, the method comprising: detecting that a frequency of a first signal is in a first range, the first signal being generated, at least in part, by one or more first magnetic field sensing elements, the first signal being generated in response to a magnetic field that is associated with a rotating target, the rotating target including a plurality of pole pairs; identifying a first resolution that corresponds to the first range and causing the first resolution to become a current resolution of the sensor; and transmitting a data stream in accordance with the current resolution of the sensor, wherein transmitting the data stream includes: (i) transmitting a plurality of speed pulses that encode a speed of the rotating target, and (ii) transmitting a plurality of data pulse sets.
G01D 5/14 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension
G01P 3/487 - Dispositifs caractérisés par l'utilisation de moyens électriques ou magnétiques pour mesurer la vitesse angulaire en mesurant la fréquence du courant ou de la tension engendrés de signaux ayant la forme d'impulsions délivrés par des aimants rotatifs
An integrated circuit (IC) regulator includes a pass element and a buffer. The pass element has an input terminal coupled to the regulator input, an output terminal coupled to the regulator output, and a control terminal and the buffer has an output coupled to the regulator output. A pass element current between the input terminal and output terminal is independent of the load current associated with a functional circuit of the IC and the buffer is configured to shunt any portion of the pass element current that is greater than the load current.
G05F 1/56 - Régulation de la tension ou de l'intensité là où la variable effectivement régulée par le dispositif de réglage final est du type continu utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en série avec la charge comme dispositifs de réglage final
According to one aspect of the disclosure, a sensor for detecting speed of a target includes: one or more of magnetic field sensing elements operable to generate one or more magnetic field signals indicative of a magnetic field associated with the target having a speed; detection circuitry configured to detect one or more parameters of the target using the magnetic field signals or representations thereof; and an output circuit configured to generate a sensor output signal conveying information about the one or more parameters of the target at a fixed time interval independent of the target speed.
H04L 25/49 - Circuits d'émissionCircuits de réception à conversion de code au transmetteurCircuits d'émissionCircuits de réception à pré-distorsionCircuits d'émissionCircuits de réception à insertion d'intervalles morts pour obtenir un spectre de fréquence désiréCircuits d'émissionCircuits de réception à au moins trois niveaux d'amplitude
G01P 3/487 - Dispositifs caractérisés par l'utilisation de moyens électriques ou magnétiques pour mesurer la vitesse angulaire en mesurant la fréquence du courant ou de la tension engendrés de signaux ayant la forme d'impulsions délivrés par des aimants rotatifs
H03M 5/12 - Code à niveau biphasé, p. ex. code à décalage de phase, code ManchesterCode espace-marque biphasé, p. ex. code à double fréquence
74.
LOW-POWER MAGNETIC SENSING DEVICE AND MAGNETIC SWITCH DEVICE COMPRISING THE MAGNETIC SENSING DEVICE
Magnetic sensing device integrated in a magnetic switch device that makes or breaks contact in the presence of an external magnetic field, comprising: a first transistor biased at a first terminal by a first bias voltage and a first magnetoresistive element having a first resistance variable with the external magnetic field. At a reference field strength, the first resistance has a first reference resistance value, and the first bias voltage is adjustable to control a first current at the second terminal of the first transistor at a first reference current value. When the external magnetic field is varied around the reference field strength, the first variable resistance varies around the first reference resistance value by a resistance delta, such that the first current modulates around the first reference current value by a current delta. A magnetic switch device comprising the magnetic sensing device is also disclosed.
H03K 17/95 - Commutateurs de proximité utilisant un détecteur magnétique
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
75.
COMPENSATION MECHANISM FOR EXTENDED LINEARITY OF MAGNETIC FIELD SENSORS
A device, comprising: a magnetic field sensor including: (i) one or more first magnetic field sensing elements arranged to produce a first magnetic field signal in response to a magnetic field, (ii) a programmable gain amplifier (PGA) that is configured to amplify the first magnetic field signal to produce an amplified signal, and (iii) a first circuitry that is configured to generate an output signal based on the amplified signal; and a compensation circuit including: (i) one or more second magnetic field sensing elements that are arranged to produce a second magnetic field signal in response to the magnetic field, and (ii) a second circuitry that is configured to adjust a gain of the PGA based on the second magnetic field signal, thereby causing a gain of the PGA to be increased or decreased based on the magnetic field at one or more second magnetic field sensing elements.
A magnetic field sensor includes magnetoresistance elements supported by a surface of the die defining a plane, and a concentrator layer over the surface of the die and having an aperture. A first magnetoresistance element is adjacent to a first edge of the aperture and has a first reference direction parallel to the surface of the die and substantially perpendicular to the first aperture edge and a second magnetoresistance element is adjacent to a second edge of the aperture and has the first reference direction. The concentrator layer redirects the applied magnetic field to present a differential field parallel to the plane of the die to the magnetoresistance elements in response to applied field perpendicular to the plane of the die and to present a reduced magnitude and common mode field to the magnetoresistance elements in response to the applied field parallel to the plane of the die.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
77.
Analog magnetic sensor device for measuring the orientation of an external magnetic field
G01V 3/00 - Prospection ou détection électrique ou magnétiqueMesure des caractéristiques du champ magnétique de la terre, p. ex. de la déclinaison ou de la déviation
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
G01R 33/24 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques faisant intervenir la résonance magnétique pour la mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques
78.
TRANSFORMER PACKAGES WITH MAGNETIC CORE SUSPENSION
According to one aspect of the present disclosure, a transformer based integrated circuit (IC) package includes a portion including a recess. In some embodiments, a magnetic core disposed in the recess, wherein the recess is configured to provide a space between an interior surface of the recess and an exterior surface of the magnetic core, wherein the magnetic core includes a soft ferromagnetic material. In some embodiments, two or more support structures disposed in the recess and connected to the magnetic core and package portion. In some embodiments, a plurality of conductive traces forming first and second coils disposed about the magnetic core, wherein the first and second coils and magnetic core are configured as a transformer. In some embodiments, a molding material is configured to encapsulate a surface of the package portion and the transformer, wherein the molding material is configured to form a package body.
H01F 27/38 - Organes de noyaux auxiliairesBobines ou enroulements auxiliaires
H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01D 5/14 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
Method and apparatus for trimming IC components. In an embodiment, a circuit includes a digital controller, a first programmable read only memory coupled to the controller, and a trimmable block having at least one trimmable component. A second programmable read only memory is coupled to the trimmable block, where the second programmable read only memory is independent of the first programmable read only memory.
A power source connection monitor in redundant power systems determines if valid connections are present to a positive and/or negative terminal of each of the power sources. A current detection integrated circuit serves as an internal tie between redundant control units creating an internal power source bus for each connection between the redundant external connections to each power source. The current detection integrated circuit monitors the current in the internal power source bus interconnections to determine its presence and direction. The current detection integrated circuit signals the control units of failing or failed connections to one or more of the power sources.
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
82.
Inductive linear stroke sensor using dual tracks with different periodicity
A system including: a target having a first track and a second track, a first receiving coil that is aligned with the first track, the first receiving coil having a first period length; a second receiving coil that is aligned with the first track the second receiving coil having a second period length; a third receiving coil that is aligned with the second track the third receiving coil having a third period length; and a fourth receiving coil that is aligned with the second track, the fourth receiving coil having a first period length; and a magnetic field sensor that is configured to generate an output signal that is indicative of a position of the target, wherein the respective target length is less than any of the first period length, the second period length, the third period length, and the fourth period length.
G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile
Variable magnetic coupling touch sensors are described which have a deformable layer with ferromagnetic material distributed throughout its volume, and one or more magnetic field sensing elements that can detect changes in a magnetic field due to deformation of the deformable layer. The ferromagnetic material can include soft ferromagnetic material in some embodiments. The ferromagnetic material can include hard ferromagnetic material in some embodiments. In some embodiments, e.g., ones having soft ferromagnetic material(s), one or more transmitting elements/antennas, e.g., coils, may be utilized to produce an applied magnetic field. Monitoring circuitry can detect changes in a magnetic field or magnetic coupling due to deformation of the deformable layer and produce a corresponding output signal indicative of the deformation of the deformable layer. Magnitude, direction, and/or location of the force or pressure causing the deformation can be determined from the output signal.
Aspects of the present disclosure include systems, structures, circuits, and methods providing voltage-isolation transformers having substrate extensions for the transformer core. First and second substrates are configured about a magnetic core and first and second transformer coils. The first substrate can have a recess for receiving the magnetic core. The second substrate can include a protruding member designed to fit within an aperture of the core to facilitate placement or centering of the core. The second substrate is disposed to cover the recess of the first substrate. The packages and modules may include various types of circuits; in some examples, chip packages or modules may include a galvanically isolated gate driver or other high voltage circuit.
H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H05K 1/03 - Emploi de matériaux pour réaliser le substrat
H05K 1/11 - Éléments imprimés pour réaliser des connexions électriques avec ou entre des circuits imprimés
H05K 1/16 - Circuits imprimés comprenant des composants électriques imprimés incorporés, p. ex. une résistance, un condensateur, une inductance imprimés
85.
LAMINATED SUBSTRATE PACKAGES CONFIGURED FOR COUPLING TO ISOLATION TRANSFORMERS
Systems, structures, packages, circuits, and methods provide IC packages with laminated substrates configured for use with or coupling to a transformer package or assembly. IC packages can include a substrate having an encapsulant presenting an encapsulating volume for encapsulation of one or more IC die. The encapsulating volume can be configured below, at, or above a main surface of the substrate, with the packages including receiving/mounting structures to accommodate coupling of a transformer assembly. The packages and modules may include various types of circuits; in some examples, chips, chip packages, or modules may include a gate driver or other high voltage circuit.
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/31 - Encapsulations, p. ex. couches d’encapsulation, revêtements caractérisées par leur disposition
H01L 23/36 - Emploi de matériaux spécifiés ou mise en forme, en vue de faciliter le refroidissement ou le chauffage, p. ex. dissipateurs de chaleur
H01L 23/498 - Connexions électriques sur des substrats isolants
H01L 23/538 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre la structure d'interconnexion entre une pluralité de puces semi-conductrices se trouvant au-dessus ou à l'intérieur de substrats isolants
86.
ISOLATION TRANSFORMER PACKAGES WITH LAMINATED WINDING STRUCTURES
Aspects of the present disclosure include systems, structures, circuits, and methods providing laminated winding structures with coil portions for transformers. Transformer packages can include substrates with winding portions that connect to laminated winding structures to form complete transformer coils configured about a transformer core. The laminated winding structures can include spaces to receive a transformer core when mounted on a substrate. The packages and modules may include various types of circuits; in some examples, chip packages or modules may include a galvanically isolated gate driver or other high voltage circuit.
H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments
H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
87.
Hall plate current sensor having stress compensation
Methods and apparatus for a voltage driven Hall plate current sensor integrated circuit (IC) package that includes a die including a Hall plate with a lateral epi resistor. A gm amplifier receives an output voltage from the Hall plate and a front end amplifier receives an output of the gm amplifier. A compensation circuit compensates for stress on the die that affects a resistance of the Hall plate and includes a lateral epi resistor coupled to a constant current for compensating for piezoresistive stress in the Hall plate.
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
According to an embodiment, a magnetic field sensor includes: one or more magnetic field sensing elements; and a magnet structure to provide a bias magnetic field about the one or more magnetic field sensing elements, the magnet structure includes alternating magnetic layers and non-magnetic layers with at least three magnetic layers.
G01R 33/07 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs à effet Hall
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
A system, comprising: a sensing element including a plurality of resistive elements; a switching matrix that is configured to change a total resistance of the sensing element by bringing online or offline one or more of the plurality of resistive elements, the total resistance of the sensing element, at any point in time, being based on respective resistances of only those of the plurality of resistive elements that are currently online; a matrix controller that is configured to detect when a value of a counter signal is updated and cause the switching matrix to change the total resistance of the sensing element by bringing offline or online one or more of the plurality of resistive elements based on the value of the counter signal; and a counter signal generator configured to detect whether an offset signal satisfies a predetermined condition and update the value of the counter signal.
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
Systems, structures, packages, circuits, and methods provide leadless transformer packages for galvanic isolation. An example leadless transformer includes a substrate including opposed first and second surfaces and a plurality of conductive traces. The plurality of conductive traces includes a first group and a second group that are galvanically separate. The first group includes a plurality of exposed portions that are exposed at a first area of the substrate and the second group includes a plurality of exposed portions that are exposed at a second area of the substrate. A magnetic core is disposed on the substrate. First and second coils are each disposed about the magnetic core and configured for connection to the first and second groups of conductive traces, respectively. The package includes a dam disposed on the substrate and configured to surround the magnetic core, and an encapsulant is within the dam, encapsulating the magnetic core.
H01F 41/02 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants
H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
A voltage-isolated transformer and integrated circuit package includes a substrate with opposed first and second surfaces and including a plurality of conductive traces, with a recess disposed in the second surface. The plurality of conductive traces includes a first group and a second group that are galvanically separate. A magnetic core is disposed on the first surface of the substrate. The magnetic core can include a soft ferromagnetic material. First and second coils are configured about the magnetic core and connected to the first and second groups of conductive traces, respectively, with the first and second coils and magnetic core being configured as a transformer. First and second integrated circuit die are disposed in the recess on the second surface. A dam is disposed on the first surface of the substrate and surrounding the magnetic core. An encapsulant disposed in the dam and encapsulating the magnetic core.
H01F 27/32 - Isolation des bobines, des enroulements, ou de leurs éléments
H01F 41/04 - Appareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication ou à l'assemblage des aimants, des inductances ou des transformateursAppareils ou procédés spécialement adaptés à la fabrication des matériaux caractérisés par leurs propriétés magnétiques pour la fabrication de noyaux, bobines ou aimants pour la fabrication de bobines
92.
Method and apparatus for limiting minority carrier injection
A driver circuit comprising: a substrate; a first terminal; a second terminal; a switching circuit that is formed on the substrate, the switching circuit including a first switch and a second switch, the first switch having a first drain and a first source, the second switch having a second drain and a second source, the first drain being coupled to the first terminal, the first source being coupled to the second drain, the second source being coupled to ground, and the second terminal being coupled to the first source and the second drain; an electrostatic discharge (ESD) diode that is formed on the substrate; a trigger circuit that is formed on the substrate, the trigger circuit being configured to divert a first electrical current when the trigger circuit is activated, the first electrical current being diverted from the second terminal to the first terminal via the first switch.
H03K 17/06 - Modifications pour assurer un état complètement conducteur
H03K 17/082 - Modifications pour protéger le circuit de commutation contre la surintensité ou la surtension par réaction du circuit de sortie vers le circuit de commande
H03K 17/687 - Commutation ou ouverture de porte électronique, c.-à-d. par d'autres moyens que la fermeture et l'ouverture de contacts caractérisée par l'utilisation de composants spécifiés par l'utilisation, comme éléments actifs, de dispositifs à semi-conducteurs les dispositifs étant des transistors à effet de champ
93.
SENSOR WITH COMMON MODE REJECTION AND OFFSET CORRECTION
A sensing bridge includes a first element type that is responsive to a magnetic field and a second element type that is not responsive to the magnetic field. The first element type can be a magnetoresistance element such as a TMR and the second element type can be a passive resistor. A switching matrix under control of a matrix controller is configured to change a total resistance of the sensing element by coupling or decoupling one or more dots of the TMR and/or passive resistor unit cells of the passive resistor to the sensing element. Test signal generation circuitry is configured to generate a common mode test magnetic field with which the common mode rejection ratio (CMRR) of a sensing bridge can be evaluated and corrected.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
94.
SELF-CALIBRATING MAGNETORESISTANCE-BASED MAGNETIC FIELD SENSORS
Systems, circuits, and methods provide self-calibration for magnetoresistance-based magnetic field sensors. Examples can include use of a closed loop acting as a feedback or calibration loop that is configured to process a reference signal applied to one or more magnetoresistance elements in a MR-based magnetic field sensor that also detects one or more external magnetic fields. The closed loop can adjust a bias voltage applied to the one or more magnetoresistance elements based on the reference signal. The calibration loop can accordingly provide for automatic or self-calibration of sensitivity of one or more magnetoresistance elements of the sensors to compensate for external factors affecting sensitivity of the one or more magnetoresistance elements.
G01R 33/00 - Dispositions ou appareils pour la mesure des grandeurs magnétiques
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
Systems, structures, packages, circuits, and methods provide leadframe-based packages with integrated IC-transformer structures having a transformer providing galvanic isolation for included IC die. An example leadframe-based voltage-isolated IC package includes a leadframe substrate with first and second leadframe, a magnetic core disposed on one side of the leadframe substrate, first and second IC die disposed on the other side of the leadframe substrate, a body including molding material encapsulating the first and second IC die; first and second coils configured about the magnetic core, and a wall configured to surround the magnetic core. The packages and modules may include various types of circuits; in some examples, chip packages or modules may include a galvanically isolated gate driver or other high voltage circuit.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
Methods and apparatus for a device having a TMR element that includes a free layer, a spacer layer, and a reference layer. In embodiments, the free layer comprises a vortex layer configured to provide a magnetic vortex, and a coupling layer magnetically coupled to the vortex layer to modulate the vortex in the vortex layer.
G01R 33/09 - Mesure de la direction ou de l'intensité de champs magnétiques ou de flux magnétiques en utilisant des dispositifs galvano-magnétiques des dispositifs magnéto-résistifs
H01F 10/32 - Multicouches couplées par échange de spin, p. ex. superréseaux à structure nanométrique
Methods and apparatus for a current sensor integrated circuit package that includes a die having a first magnetic field sensing element and a leadframe to support the die. The leadframe has a U-shaped current conductor loop with a throat region and a first notch in the throat region of the current conductor loop. A first magnetic field sensing element is positioned in relation to the first notch. In some embodiments, the first magnetic field sensing element is aligned with an edge of the first notch.
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
G01R 19/00 - Dispositions pour procéder aux mesures de courant ou de tension ou pour en indiquer l'existence ou le signe
98.
CURRENT SENSOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING DIFFERENT CURRENT PATH WIDTHS FOR DETECTING STRAY FIELDS
Methods and apparatus for a current sensor integrated circuit package including a current conductor, which may be a loop, having regions of different widths and first and second magnetic field sensing elements positioned in relation to the current loop. The first magnetic field sensing element generates a first output signal and the second magnetic field sensing element generates a second output signal. An adjustment circuit adjusts the output of the first magnetic field sensing element to generate an adjusted signal for the first magnetic field sensing element that is same as the second output signal. A diagnostic module receives the adjusted signal for the first magnetic field sensing element and the output of the second output signal to detect a presence of a stray field.
G01R 15/20 - Adaptations fournissant une isolation en tension ou en courant, p. ex. adaptations pour les réseaux à haute tension ou à courant fort utilisant des dispositifs galvano-magnétiques, p. ex. des dispositifs à effet Hall
Methods and apparatus for a signal isolator that mitigates the effects of CMTI strikes. In embodiments, a first die comprises a transmit module and the first die has a first voltage domain; and a second die comprises a receive module including a receive amplifier configured to receive from the transmit module a transmit signal that includes a differential signal and a common mode current. The second die may have a second voltage domain with the first and second die being separated by an isolation barrier. In embodiment, the receive amplifier includes a differential amplifier to receive the differential input signal from the transmit module; and a common mode module configured to sense the common mode current and sink or source the common mode current and minimize changes to an input impedance of the receive amplifier.
H03F 3/21 - Amplificateurs de puissance, p. ex. amplificateurs de classe B, amplificateur de classe C comportant uniquement des dispositifs à semi-conducteurs
In some embodiments, an absolute position sensing system includes a magnetic field sensor and a target structure. The sensor includes an emitting coil configured to generate a magnetic field in response to a current through the emitting coil, a first arrangement of magnetic field sensing elements, and a second arrangement of magnetic field sensing elements. The target structure includes a plurality of coil elements arranged such that, during movement of the target structure relative to the sensor, the emitted field induces a current in different ones of the coil elements resulting in the generation of non-uniform magnetic fields about the first and second arrangements of magnetic field sensing elements. The sensor is configured to process a first signal from the first arrangement of magnetic field sensing elements and a second signal from the second arrangement of magnetic field sensing elements to determine an absolute position of the target structure.
G01D 5/20 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier l'inductance, p. ex. une armature mobile
G01D 5/14 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension
G01D 5/16 - Moyens mécaniques pour le transfert de la grandeur de sortie d'un organe sensibleMoyens pour convertir la grandeur de sortie d'un organe sensible en une autre variable, lorsque la forme ou la nature de l'organe sensible n'imposent pas un moyen de conversion déterminéTransducteurs non spécialement adaptés à une variable particulière utilisant des moyens électriques ou magnétiques influençant la valeur d'un courant ou d'une tension en faisant varier la résistance
