An integrated circuit includes two different types of embedded memories, with cells that have different retention characteristics, and situated in different areas of the substrate. In some applications the cells are both non-volatile memories sharing a common gate layer but with different oxide layers, different thicknesses, etc. The first type of cell is a conventional flash cell which can be part of a logic/memory region, while the second type of cell uses capacitive coupling and can be located in a high voltage region. Because of their common features, the need for additional masks, manufacturing steps, etc. can be mitigated.
H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 27/11558 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes la grille de commande étant une région dopée, p.ex. cellules de mémoire en couche unique de polysilicium
H01L 27/11519 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la configuration vue du dessus
H01L 27/11517 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes
H01L 27/11541 - Fabrication simultanée de périphérie et de cellules de mémoire ne comprenant qu’un type de transistor de périphérie avec une couche de grille flottante également utilisée en tant que partie du transistor périphérique
H01L 29/10 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices avec des régions semi-conductrices connectées à une électrode ne transportant pas le courant à redresser, amplifier ou commuter, cette électrode faisant partie d'un dispositif à semi-conducteur qui comporte trois électrodes ou plus
H01L 29/66 - Types de dispositifs semi-conducteurs
H01L 27/11521 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs avec grilles flottantes caractérisées par la région noyau de mémoire
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
2.
Method of operating incrementally programmable non-volatile memory
t representing a particular binary logic state is changed over time. This allows for re-programming and emulating a few times or multi-time programmable device.
G11C 16/04 - Mémoires mortes programmables effaçables programmables électriquement utilisant des transistors à seuil variable, p. ex. FAMOS
G11C 11/56 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments d'emmagasinage comportant plus de deux états stables représentés par des échelons, p. ex. de tension, de courant, de phase, de fréquence
G11C 17/18 - Circuits auxiliaires, p. ex. pour l'écriture dans la mémoire
An ephemeral system includes an ephemeral communications device and associated ephemeral memory system (onboard or peripheral) for securing user data. Different secure operating modes are provided for customizing user security requirements across end-to-end communications links, including in exchanges of electronic data between smartphone devices.
G11C 16/14 - Circuits pour effacer électriquement, p. ex. circuits de commutation de la tension d'effacement
G06F 13/42 - Protocole de transfert pour bus, p. ex. liaisonSynchronisation
G06F 3/06 - Entrée numérique à partir de, ou sortie numérique vers des supports d'enregistrement
G11C 16/22 - Circuits de sécurité ou de protection pour empêcher l'accès non autorisé ou accidentel aux cellules de mémoire
G11C 16/26 - Circuits de détection ou de lectureCircuits de sortie de données
G11C 7/24 - Circuits de protection ou de sécurité pour cellules de mémoire, p. ex. dispositions pour empêcher la lecture ou l'écriture par inadvertanceCellules d'étatCellules de test
G11C 17/18 - Circuits auxiliaires, p. ex. pour l'écriture dans la mémoire
t representing a particular binary logic state is changed over time. This allows for re-programming and emulating a few times or multi-time programmable device.
G11C 16/22 - Circuits de sécurité ou de protection pour empêcher l'accès non autorisé ou accidentel aux cellules de mémoire
G11C 17/12 - Mémoires mortes programmables une seule foisMémoires semi-permanentes, p. ex. cartes d'information pouvant être replacées à la main utilisant des dispositifs à semi-conducteurs, p. ex. des éléments bipolaires dans lesquelles le contenu est déterminé lors de la fabrication par une disposition prédéterminée des éléments de couplage, p. ex. mémoires ROM programmables par masque utilisant des dispositifs à effet de champ
5.
Automatic valid vote count storage using secure embedded non volatile memory
A non-volatile memory system adapted for securely registering votes within a voting system is described. The votes are encoded as a set of logically grouped cells based on a voter's selection of an item. The encoding assures that the votes are easily distinguishable by a read circuit.
G06K 17/00 - Méthodes ou dispositions pour faire travailler en coopération des équipements couverts par plusieurs des groupes principaux , p. ex. fichiers automatiques de cartes incluant les opérations de transport et de lecture
A non-volatile memory cell and array structure is disclosed situated within a high voltage region of an integrated circuit. The cell utilizes capacitive coupling based on an overlap between a gate and a drift region to impart a programming voltage. Programming is effectuated using a drain extension which can act to inject hot electrons. The cell can be operated as a one-time programmable (OTP) or multiple-time programmable (MTP) device. The fabrication of the cell relies on processing steps associated with high voltage devices, thus avoiding the need for additional masks, manufacturing steps, etc.
A non-volatile memory cell and array structure is disclosed situated within a high voltage region of an integrated circuit. The cell utilizes capacitive coupling based on an overlap between a gate and a drift region to impart a programming voltage. Programming is effectuated using a drain extension which can act to inject hot electrons. The cell can be operated as a one-time programmable (OTP) or multiple-time programmable (MTP) device. The fabrication of the cell relies on processing steps associated with high voltage devices, thus avoiding the need for additional masks, manufacturing steps, etc.
H01L 21/336 - Transistors à effet de champ à grille isolée
H01L 29/78 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée
H01L 29/778 - Transistors à effet de champ avec un canal à gaz de porteurs de charge à deux dimensions, p.ex. transistors à effet de champ à haute mobilité électronique HEMT
H01L 27/115 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
H01L 29/423 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative ne transportant pas le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 29/788 - Transistors à effet de champ l'effet de champ étant produit par une porte isolée à grille flottante
An electronic logic circuit uses areal capacitive coupling devices coupled together to process a set of data inputs. Each areal capacitive coupling device can be configured such that a floating gate potential of such device can be altered to at least a first state or a second state in response to receiving an input signal from the set of data inputs, which is coupled electrically to the floating gate. A majority function logic circuit (and other similar circuits) can be interconnected this way using far fewer gates than with a conventional CMOS implementation. Selective logic gates can also be enabled or disabled by configuring them effectively as memory devices.
H03K 19/23 - Circuits de majorité ou de minorité, c.-à-d. donnant un signal de sortie dont l'état est celui de la majorité ou de la minorité des signaux d'entrée
H01L 27/115 - Mémoires mortes programmables électriquement; Procédés de fabrication à étapes multiples de ces dispositifs
H01L 27/118 - Circuits intégrés à tranche maîtresse
9.
INTEGRATED CIRCUIT EMBEDDED WITH NON-VOLATILE PROGRAMMABLE MEMORY HAVING VARIABLE COUPLING
A multi-programmable non-volatile device is operated with a floating gate that functions as a FET gate that overlaps a portion of a source/drain region and allows for variable coupling through geometry and/or biasing conditions. This allows a programming voltage for the device to be imparted to the floating gate through variable capacitive coupling, thus changing the state of the device. The invention can be used in environments such as data encryption, reference trimming, manufacturing ID, security ID, and many other applications.
G11C 11/34 - Mémoires numériques caractérisées par l'utilisation d'éléments d'emmagasinage électriques ou magnétiques particuliersÉléments d'emmagasinage correspondants utilisant des éléments électriques utilisant des dispositifs à semi-conducteurs
10.
INTEGRATED CIRCUIT EMBEDDED WITH NON-VOLATILE ONE-TIME-PROGRAMMABLE AND MULTIPLE-TIME PROGRAMMABLE MEMORY
A programmable non-volatile device uses a floating gate that functions as a FET gate that overlaps a portion of a source/drain region. This allows a programming voltage for the device to be imparted to the floating gate through capacitive coupling, thus changing the state of the device. The invention can be used in environments such as data encryption, reference trimming, manufacturing ID, security ID, and many other applications.
brevets
