A micro light-emitting element includes: a micro light-emitting diode (LED) element configured to emit excitation light; and a wavelength conversion portion containing a nano particle configured to absorb the excitation light to emit light having a longer wavelength than the excitation light. The wavelength conversion portion has, on at least a light emitting surface of the wavelength conversion portion, a stack of one or more layers including an oxygen absorption film.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
A semiconductor device includes a semiconductor substrate of a first conductivity type, a body region of the first conductivity type, a source region of a second conductivity type, a drain region of the second conductivity type, a gate electrode, a drift region of the second conductivity type, an implanted oxide layer, and a semiconductor region of the first conductivity type. The semiconductor region is formed to extend in a direction along the top face of the semiconductor substrate. A first distance and a second distance are set so that an intensity of 0.35 MV/cm or less is observed in an electric field of a first region including the end portion of the drift region and in an electric field of a second region between the end of the semiconductor region and the drain region.
A beam combining module combines a first beam corresponding to a first wavelength and a second beam corresponding to a second wavelength. The beam combining module includes a collimating lens, a first mirror, and second mirror. The collimating lens is configured to receive the first beam and the second beam that are parallel to each other and to emit the first beam and the second beam in respective non-parallel directions. The first mirror is configured to reflect the first beam emitted by the collimating lens. The second mirror is configured to reflect the second beam emitted by the collimating lens in a direction parallel to the first beam reflected by the first mirror and in such a manner that the second beam emitted by the collimating lens spatially overlaps the first beam reflected by the first mirror.
A light-emitting apparatus includes: a body having an inner space and an opening, the body incorporating at least one semiconductor laser element the body being made of a metal; and a sealing glass member joined to the body, to hermetically seal the inner space. The sealing glass member has a surface adjacent to the body, the surface of the sealing glass member being provided with a base joint layer in a joint region where the sealing glass member and the body are joined together, the base joint layer being made of a metal having a thermal expansion coefficient that falls between a thermal expansion coefficient of the sealing glass member and a thermal expansion coefficient of the metal constituting the body. The sealing glass member is joined to the body with the base joint layer and a solder-containing joint layer interposed between the sealing glass member and the body.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
A micro light emitting element includes: a nitride semiconductor layer in which an N-type layer, a light emitting layer, and a P-type layer are stacked. Viewing in a direction perpendicular to a surface of the nitride semiconductor layer, multiple V pits are arranged at positions corresponding to vertexes of a polygon in a one-to-one relation in a region of the nitride semiconductor layer.
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
A projector includes: a laser light source; a shaping section configured to shape a laser light emitted from the laser light source; and a scanning section configured to two-dimensionally scan, on a screen, a laser beam shaped by the shaping section. Under a situation where a distance from an optical emitting surface of the laser beam to the screen is constant, the laser light source and the shaping section are configured to perform two-dimensional scanning of the laser beam on the screen by using a tip of the laser beam corresponding to each of cross sections at a plurality of positions of a tapered portion of the laser beam from the scanning section to a beam waist of the laser beam.
G02B 13/16 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous à utiliser en combinaison avec des convertisseurs ou des amplificateurs d'image
An image display element includes pixels, a driving circuit substrate, a microlens, and an inter-pixel partition. The pixels are disposed in an array, each including a micro light emitting element. The driving circuit substrate includes a driving circuit configured to supply a current to the micro light emitting element and cause the micro light emitting element to emit light. The microlens is disposed for each of the pixels. The inter-pixel partition is disposed between the pixels and extends from a light emitting surface of the micro light emitting element to the microlens.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
G02B 13/00 - Objectifs optiques spécialement conçus pour les emplois spécifiés ci-dessous
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
G09F 9/33 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels à semi-conducteurs, p. ex. à diodes
An image display element, provided with a pixel region and a connection region, includes a light-emitting unit and a driving circuit substrate. The light-emitting unit includes a semiconductor layer obtained by layering a second conductive layer, a light-emitting layer, and a first conductive layer, mesa shapes formed by dividing the semiconductor layer, and a step portion separated from the mesa shapes by a groove. A first electrode is connected to the first conductive layer and a first driving electrode. The light-emitting unit further includes, between the mesa shapes adjacent to each other, a wiring line layer forming a conductive path, the wiring line layer being thinner than a layer thickness of a portion of each of the mesa shapes in the semiconductor layer. The wiring line layer extends to a top of the step portion and is connected to a common second electrode provided on the step portion.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
A laser element comprises a substrate; and an n-type semiconductor layer, a light emitting layer, a p-type semiconductor layer, and an electrode layer successively laminated on one principal surface of the substrate, wherein the p-type semiconductor layer includes a ridge raised in a stripe shape, the ridge including a contact layer formed in a layer including a principal surface on a side opposite to the substrate, a stepped portion defined by recessing the contact layer is formed in at least part of a boundary between a lateral surface among surfaces defining outer edges of the ridge, the lateral surface extending along a lengthwise direction of the ridge, and the principal surface of the ridge, and the electrode layer covers the principal surface of the ridge and the stepped portion.
A manufacturing method includes: a step of forming a light-emitting element layer by forming a semiconductor layer, a light-emitting layer, and a semiconductor layer in this order from a side with a first substrate on a surface, of the first substrate, on one side; a step of forming a separation trench in the light-emitting element layer to form a plurality of island shape light-emitting element layers; a step of forming a light shielding layer made of a material different from a material of the light-emitting element layer, in the separation trench; and a step of forming a plurality of light-emitting elements each including a corresponding one of the plurality of island shape light-emitting element layers having a height less than a height of the light shielding layer by etching a portion of the semiconductor layers of each of the plurality of island shape light-emitting element layers.
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
A semiconductor module comprises an underlayer substrate on which a drive circuit is formed; a light-emitting element electrically coupled to the drive circuit; and a color conversion layer formed on the light-emitting element and containing a color conversion material that absorbs light emitted from the light-emitting element and converts a luminescent color of the light-emitting element to another luminescent color, wherein the color conversion material contained in the color conversion layer is present more on a light-emitting element side of the color conversion layer than on a side opposite to the light-emitting element side of the color conversion layer.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
An image display element provides an image display element including a plurality of micro light-emitting elements arrayed in an array manner, and a semiconductor layer at which a drive circuit is disposed, the drive circuit being configured to supply a current to each of the plurality of micro light-emitting elements to cause light to be emitted, in which a transistor that constitutes the drive circuit and a wiring layer are disposed at a first surface of the semiconductor layer, the plurality of micro light-emitting elements are disposed at a second surface of the semiconductor layer that is an opposite side of the first surface, and the transistor and the wiring layer are electrically coupled to the micro light-emitting elements through a through substrate via that extends through the semiconductor layer.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
13.
Light-emitting device and light-emitting device set
A light-emitting device comprises a casing including an upper surface portion having one or more first through holes, and a front surface portion having an opening; a transparent member that closes off the one or more first through holes; one or more light-emitting elements that face the one or more first through holes, respectively, within the casing; and a lid member provided so as to close off the opening, wherein the casing is integrally formed using one material.
An image display device includes a drive circuit substrate, micro LED elements, and a wavelength conversion layer that converts excitation light emitted from the micro LED elements and that emits converted long-wavelength light to a side opposite to the drive circuit substrate, the micro LED elements and the wavelength conversion layer being sequentially stacked on the drive circuit substrate. The micro LED elements include a first multilayer film that reflects the long-wavelength light converted by the wavelength conversion layer.
H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
An image display device comprises a drive circuit substrate including a drive circuit that supplies currents to micro light-emitting elements to emit light; and the micro light-emitting elements arranged in an array shape on the drive circuit substrate, wherein a light-distribution control unit that increases forward light emission of the micro light-emitting elements is disposed on a light-emitting surface of each of the micro light-emitting elements, and a partition wall that does not transmit the light emitted by the micro light-emitting elements is disposed around the light-distribution control unit.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 27/16 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants thermomagnétiques
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
16.
Two-lens optical system, beam combining module, projector, and method for assembling two-lens optical system
[Object] To provide (i) a two-lens optical system, (ii) a beam combining module, (iii) a projector, and (iv) a method for assembling a two-lens optical system each of which allows for an improved lens positioning sensitivity [Means to Attain the Object] A two-lens optical system (100) includes a first lens (1) for use in collimation adjustment, the first lens being configured to move along only an optical axis of light emitted from a light source; and a second lens (2) for use in beam steering, the second lens being configured to move along only two axes perpendicular to the optical axis.
G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
G02B 27/14 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réflexion
In an image display device, a scattering unit has a size that covers a surface of a red conversion unit on a side that emits light having a second wavelength and a surface of a green conversion unit on a side that emits light having a third wavelength, and faces at most a part of a micro LED element.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
To enable manufacturing of a display device with a low defect rate and high yield, an integrated circuit chip includes a drive circuit that drives a light emitting unit, and the drive circuit includes a P-side electrode connected to an anode of the light emitting unit and a nonvolatile memory transistor that controls current supply to the P-side electrode.
G09G 3/30 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents
G09G 5/00 - Dispositions ou circuits de commande de l'affichage communs à l'affichage utilisant des tubes à rayons cathodiques et à l'affichage utilisant d'autres moyens de visualisation
G06F 3/038 - Dispositions de commande et d'interface à cet effet, p. ex. circuits d'attaque ou circuits de contrôle incorporés dans le dispositif
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
19.
Image display element and method for manufacturing image display element
An image display element includes micro light emitting elements disposed in an array on a driving circuit substrate. An excitation light emitting element includes a main body including a compound semiconductor, a metal electrode disposed on a side of the main body located closer to the driving circuit substrate, and a transparent electrode disposed on an opposite side to the driving circuit substrate, and a light emission layer included in the main body is disposed on a side opposite to the driving circuit substrate from a center portion of the main body.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
20.
Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device
A semiconductor device is provided with a first semiconductor chip and a second semiconductor chip that are arranged so as to oppose each other. The first semiconductor chip has a first connecting portion provided in a first hole portion, and the second semiconductor chip has an electrically conductive second connecting portion that is composed of a concave metal film formed on the front surface of a second electrode portion, the side surface of a second hole portion, and the front surface of a second protective film. The first electrode portion and the second electrode portion are electrically connected via the first connecting portion and the second connecting portion.
H01L 25/065 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
21.
Semiconductor module, display apparatus, and semiconductor module manufacturing method
A semiconductor module includes a ground substrate that is provided with a drive circuit, and a plurality of light emitting elements that are electrically coupled to the drive circuit, in which a distance between the light emitting elements adjacent to each other is equal to or less than 20 μm in a top view.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
A laser device includes a substrate including a principal surface and a recess provided in the principal surface; a laser oscillation unit fixed to the principal surface in direct contact with the principal surface or with an adhesive interposed between the laser oscillation unit and the principal surface, the laser oscillation unit having an emission surface from which laser light that diverges as the laser light travels is emitted along the principal surface; and a reflecting member fixed to a bottom surface of the recess and having an inclined surface that is inclined with respect to the principal surface so as to reflect the laser light. At least a portion of the inclined surface is positioned in a space inside the recess.
H01S 3/13 - Stabilisation de paramètres de sortie de laser, p. ex. fréquence ou amplitude
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
H01S 5/0236 - Fixation des puces laser sur des supports en utilisant un adhésif
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
An image display element includes micro light emitting elements arranged in an array, a drive circuit substrate that includes a drive circuit for supplying a current to the micro light emitting elements to cause light to be emitted, and an antenna arranged on a light emitting surface of each of the micro light emitting elements, in which the antenna includes isolated convex portions.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
A micro light emitting element includes: a body including a compound semiconductor layer in which a first conductive layer, a light emission layer, and a second conductive layer with a conductive type opposite to a conductive type of the first conductive layer are stacked in order from a light emitting surface side; a first electrode including a transparent electrode on the light emitting surface side; a second electrode including a metal film on a side opposite to the light emitting surface side; and a first reflective material covering a side surface of the body. The light emission layer is disposed on the light emitting surface side of the body. The side surface of the body is tapered at an inclination angle to open in a light emitting direction.
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
An image display device includes: a plurality of micro light emitting elements arranged in an array shape; a driving circuit substrate including a driving circuit that supplies electric current to the plurality of micro light emitting elements and that causes the plurality of micro light emitting elements to emit light; a plurality of micro lenses in contact with light emitting surfaces of the plurality of micro light emitting elements; and a plurality of partition walls disposed around the plurality of micro lenses in a direction parallel to the light emitting surfaces.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 25/04 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés
H01L 51/50 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED)
H01L 51/52 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés pour l'émission de lumière, p.ex. diodes émettrices de lumière organiques (OLED) ou dispositifs émetteurs de lumière à base de polymères (PLED) - Détails des dispositifs
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
A semiconductor module includes a base substrate; a plurality of light emitting elements; a plurality of color conversion layers being in contact with each upper portion of the plurality of light emitting elements adjacent to each other; and a light shielding layer disposed between the plurality of light emitting elements adjacent each other and between the color conversion layers adjacent to each other, and separating the plurality of light emitting elements and a plurality of color conversion layers.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
Provided is a micro light emission element including a compound semiconductor in which an N-side layer, a light emission layer, and a P-side layer are laminated sequentially from a side of a light emitting surface, in which an N-electrode coupled to the N-side layer and a P-electrode coupled to the P-side layer are disposed on another surface opposite to the light emitting surface, the P-electrode is disposed on the light emission layer, the N-electrode is disposed in an isolation region which is a boundary region of the micro light emission element and isolates the light emission layer from a light emission layer of another micro light emission element, a surface of the N-electrode on a side of the other surface and a surface of the P-electrode on the side of the other surface are flush with each other, and the N-electrode and the P-electrode are both formed of a single interconnection layer.
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01S 5/42 - Réseaux de lasers à émission de surface
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01S 5/02325 - Composants intégrés mécaniquement aux éléments de montage ou aux micro-bancs optiques
H01S 5/30 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
In an image display element, a side surface of a nitride semiconductor is covered with a reflection material inclined so as to open in a light emitting direction, wavelength conversion units are surrounded by partition walls, and side surfaces of the partition walls facing the wavelength conversion units are reflection surfaces inclined so as to open in the light emitting direction.
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
An image display device includes a plurality of micro light-emission elements that constitute a pixel and that are provided on a driving circuit substrate. The micro light-emission element displays an image by emitting light to a side opposite to the driving circuit substrate. A light convergence portion that converges light is disposed in the pixel.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
30.
Light emitting device and method of manufacturing light emitting device
A light emitting device includes a substrate; a semiconductor light emitting element provided on the substrate; a mirror that is formed on the substrate and reflects light emitted by the semiconductor light emitting element; a first resin disposed apart from the semiconductor light emitting element on an optical path and containing a light diffusing material; and a second resin disposed on the optical path between the semiconductor light emitting element and the low light diffusion portion and covering a light emitting surface of the semiconductor light emitting element at least in a region in which a density of the light is highest. A concentration of a light diffusing material in the second resin is lower than a concentration of the light diffusing material in the first resin.
H01S 5/02255 - Découplage de lumière utilisant des éléments de déviation de faisceaux lumineux
H01S 5/02257 - Découplage de lumière utilisant des fenêtres optiques, p. ex. spécialement adaptées pour réfléchir de la lumière sur un détecteur à l’intérieur du boîtier
A laser element includes a light emitting portion that has at least two or more light emitting points, and a terminal member on which the light emitting portion is mounted. The terminal member includes a base portion that has a mounting surface on which the light emitting portion is mounted, a base that has a front surface where the base portion is provided substantially at a center, and four pins that extend from a rear surface of the base. The light emitting portion is positioned in a range surrounded by the four pins as viewed from the front surface of the base.
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
A light-emitting device having four or more LEDs arranged on a substrate includes a first color conversion layer and a second color conversion layer. The first color conversion layer is continuously formed on light exit surfaces of two or more of the LEDs, and the second color conversion layer is continuously formed on light exit surfaces of two or more of the LEDs that are different from the LEDs on which the first color conversion layer is formed.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/36 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
An image display device includes: a plurality of LED elements that are mounted on a drive circuit substrate and emit light source light; a wavelength conversion layer that is stacked on a side of the LED elements opposite to the drive circuit substrate, converts the light source light emitted by the LED elements into long wavelength light, and emits the long wavelength light to a side opposite to the drive circuit substrate; and a first functional layer that is disposed on a light emitting surface side of the long wavelength light of the wavelength conversion layer, reflects the light source light, and transmits the long wavelength light.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A light emitting device includes a semiconductor light source device including a plurality of semiconductor light emitting elements, a wavelength conversion member that converts a wavelength of irradiation light from the semiconductor light source device, a concentrating lens that concentrates the irradiation light from the semiconductor light source device, and a cylindrical holder. The semiconductor light source device, the wavelength conversion member and the concentrating lens is supported by a support portion provided in an inner diameter portion of the cylindrical holder.
A micro light-emitting diode includes a first micro light-emitting diode including a first light-emitting layer and emitting light at a first wavelength, and a second micro light-emitting diode including the first light-emitting layer and a second light-emitting layer emitting light at a second wavelength longer than the first wavelength, in which the second light-emitting layer is a nitride semiconductor layer doped with a second rare earth element, and a nitride semiconductor of the first micro light-emitting diode and the nitride semiconductor of the second micro light-emitting diode are separated from each other.
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
An avalanche photodiode includes: a first semiconductor layer of a first conductivity type formed on a substrate of the first conductivity type; a second semiconductor layer of a second conductivity type formed under the first semiconductor layer; a third semiconductor layer of the first conductivity type formed in a shallow portion of the first semiconductor layer on the substrate, the third semiconductor layer having a higher concentration than an impurity concentration of the first semiconductor layer; a fourth semiconductor layer of the first conductivity type formed in a region in the first semiconductor layer immediately below the third semiconductor layer; a first contact electrically connected to the first semiconductor layer; and a second contact electrically connected to the second semiconductor layer. An impurity concentration of the fourth semiconductor layer is higher than that of the first semiconductor layer and is lower than that of the third semiconductor layer.
H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
H01L 31/028 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des éléments du groupe IV de la classification périodique
37.
LED unit, image display element, and method of manufacturing the same
An N electrode and a P electrode formed on the same surface are respectively bonded to a cathode electrode and an anode electrode of a drive circuit board through a connection step performed once. An LED unit includes a first wiring (21) that is disposed inside a groove formed in a nitride semiconductor (13) to penetrate between an N-type layer (10) and a P-type layer (12) and is electrically connected to the N-type layer (10), and a second wiring that includes a P electrode (30) connected to the P-type layer (12) and an N electrode (31) connected to the first wiring (21), in which the N electrode (31) and the P electrode (30) are formed on the same surface.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
In a semiconductor laser device, a semiconductor layer includes a first groove formed on both sides of a ridge, a pair of second recesses facing each other and between which the ridge is interposed on a side of a light emitting surface, and a pair of third grooves in parallel to the first groove from the light emitting surface and interposing the ridge therebetween.
H01S 5/10 - Structure ou forme du résonateur optique
H01S 5/062 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif en faisant varier le potentiel des électrodes
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
39.
Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus
A nitride semiconductor laser device at least includes a ridge part disposed on a second-conductivity-type semiconductor layer, a conductive oxide layer covering the upper surface of the ridge part and portions of opposite side surfaces of the ridge part, a dielectric layer covering a portion of the conductive oxide layer, and a first metal layer covering the conductive oxide layer and the dielectric layer, wherein a portion of the conductive oxide layer disposed on the upper surface of the ridge part is exposed through the dielectric layer and covered with the first metal layer.
A light emitting element (semiconductor laser element) includes a multilayer structure in which a substrate, semiconductor layers to, an insulating layer, and a metal layer are stacked in order. The light emitting element includes a plurality of light emitting portions each of which emits a laser beam. The plurality of light emitting portions each include a ridge (ridge waveguide). The distance from a specific position in an active region in at least one of the light emitting portions to an inner surface of the metal layer is different from that in another of the light emitting portions.
[Object] Collection efficiency of a reflector that reflects a converted beam, which is converted from a pump beam by a phosphor, and projects the resultant as a projection beam is increased.
[Solution] An optical member (4) of a light source unit (1) deflects a pump beam (PB) so that a first angle of incidence (α1) of a pump beam (PBX) relative to a surface of a phosphor (3) is larger than a second angle of incidence (α2) of the pump beam (PB), which is incident on the optical member (4), relative to the surface of the phosphor (3).
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
F21V 9/35 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent aux points focaux, p. ex. des réfracteurs, lentilles, réflecteurs ou réseaux de sources de lumière
b of the lens that is opposite to an optical light-emitting surface of the lens is fixed to the adjustment surface with an adhesive AD. A stepped portion that is recessed in the direction of the optical axis L is formed in a bonding portion in which the end surface of the lens and the adjustment surface are bonded together.
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/02253 - Découplage de lumière utilisant des lentilles
H01S 5/02326 - Dispositions pour le positionnement relatif des diodes laser et des composants optiques, p. ex. rainures dans le support pour fixer des fibres optiques ou des lentilles
A semiconductor module includes a base material, an alignment mark provided on a surface of the base material and plural semiconductor elements that are individually provided on the surface of the base material while being juxtaposed to the alignment mark and that are separated from each other. Accordingly, a semiconductor module and a method for manufacturing the semiconductor module are provided which may prevent an alignment mark from being peeled off and remaining as a foreign object and may improve reliability.
H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
44.
Semiconductor laser device and manufacturing method therefor
A semiconductor laser device includes a semiconductor laser element, a sub mount member, a mount section having an upper surface on which the semiconductor laser element is mounted with the sub mount member interposed therebetween, a lead pin disposed at left and right sides of the mount section, a retainer that retains the mount section and the lead pin together and that is composed of an insulative material, and a protrusion protruding toward the left and right sides of the mount section. A lower surface of the mount section is parallel to an upper surface of the mount section and protrudes from a lower surface of the retainer.
An embodiment of the present invention enables an improvement in image resolution. A projection device (1) includes: a light source (11); a MEMS mirror (14) which reflects and two-dimensionally scans the laser beam emitted from the light source; and a free-form lens (15) which changes focusing properties of the laser beam reflected by the scanning section such that, after propagation of the laser beam to a screen (20) onto which the image is to be projected, a shape of the laser beam when viewed on the screen has a first width that is shorter than a second width of the shape, the first width being along a horizontal direction corresponding to a primary scanning direction in which the MEMS mirror scans the laser beam, the second width being along a vertical direction.
G02B 26/12 - Systèmes de balayage utilisant des miroirs à facettes multiples
G02B 26/08 - Dispositifs ou dispositions optiques pour la commande de la lumière utilisant des éléments optiques mobiles ou déformables pour commander la direction de la lumière
G02B 27/14 - Systèmes divisant ou combinant des faisceaux fonctionnant uniquement par réflexion
G03B 21/14 - Projecteurs ou visionneuses du type par projectionLeurs accessoires Détails
In a micro light emitting element, a first metal film electrically connected to a second conductive layer is disposed on a surface on an opposite side of a light emitting surface side. The first metal film covers the second conductive layer. A first inclined angle of a first conductive layer side surface from a slope formed around a light emission layer to the light emitting surface is larger than a second inclined angle of the slope. The slope and the first conductive layer side surface are covered together by a second metal film. A first transparent insulating film is disposed between the slope and the second metal film.
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A light source unit provides enhanced control of a colour shift of white light reflected by a retro-reflector. The light source unit includes a pump light source, which emits laser pump light, a phosphor, which converts the laser pump light into white light, a retro-reflector, which has an output aperture that allows emission of part of the white light, the retro-reflector reflecting another part of the white light back to the phosphor, and scattering particles, which are adjusted to increase a blue light ratio of the white light.
F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
F21V 29/87 - Matériaux organiques, p. ex. composites polymères chargésProtection des dispositifs d'éclairage contre les détériorations thermiquesDispositions de refroidissement ou de chauffage spécialement adaptées aux dispositifs ou systèmes d'éclairage caractérisées par le matériau additifs thermo-conducteurs ou leurs revêtements
F21V 7/22 - Réflecteurs pour sources lumineuses caractérisés par les matériaux, traitements de surface ou revêtements
48.
AlGaInPAs-based semiconductor laser device and method for producing same
An AlGaInPAs-based semiconductor laser device includes a substrate, an n-type clad layer, an n-type guide layer, an active layer, a p-type guide layer composed of AlGaInP containing Mg as a dopant, a p-type clad layer composed of AlInP containing Mg as a dopant, and a p-type cap layer composed of GaAs. Further, the semiconductor laser device has, between the p-type guide layer and the p-type clad layer, a Mg-atomic concentration peak which suppresses inflow of electrons, moving from the n-type clad layer to the active layer, into the p-type guide layer or the p-type clad layer.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/20 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
A light source device includes: a driving circuit; a blue light emitting element made of a group III nitride semiconductor which has a light outgoing surface on a side opposite to a side with the driving circuit, is arranged on the driving circuit, and is electrically connected to the driving circuit; and a color conversion layer which is in contact with the light outgoing surface and converts a wavelength of light emitted from the light outgoing surface. The light outgoing surface is made of a group III nitride semiconductor.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
In a semiconductor laser device that includes: a semiconductor laser element that outputs light from an output portion; and a metal stem that holds the semiconductor laser element, the metal stem includes a base that has a reference surface on an upper surface and a protrusion portion that protrudes upward from the reference surface, and the protrusion portion is provided with an installation surface on which the semiconductor laser element is installed and a side surface which is disposed on an identical plane with a part of an outer circumferential surface of the base.
H01S 5/0233 - Configuration de montage des puces laser
H01S 5/024 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/02212 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type CAN, p. ex. boîtiers TO-CAN avec émission le long ou parallèlement à l’axe de symétrie
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/02218 - Matériaux du boîtierMatériaux de remplissage du boîtier
H01S 5/02208 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers
An avalanche photodiode includes a first-conductivity-type semiconductor layer; a first second-conductivity-type semiconductor layer; a second second-conductivity-type semiconductor layer; a third second-conductivity-type semiconductor layer; a fourth second-conductivity-type semiconductor layer; a fifth second-conductivity-type semiconductor layer.
The first-conductivity-type semiconductor layer and the second second-conductivity-type semiconductor layer form an avalanche junction. The first and third second-conductivity-type semiconductor layers are electrically connected together via the fourth second-conductivity-type semiconductor layer such that the semiconductor substrate and the first-conductivity-type semiconductor layer are electrically isolated from each other.
H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
To enable manufacturing of a display device with a low defect rate and high yield, an integrated circuit chip includes a drive circuit that drives a light emitting unit, and the drive circuit includes a P-side electrode connected to an anode of the light emitting unit and a nonvolatile memory transistor that controls current supply to the P-side electrode.
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
A semiconductor laser element that includes a stripe-shaped light-emitting region and that is formed by adhering a surface of the semiconductor laser element on a side opposite to a semiconductor substrate and a submount to each other by a solder layer includes a terrace section on a surface of the semiconductor laser element that is adhered by the solder layer, the terrace section being separated from a ridge portion, which is a current-carrying portion, by a grooved portion. A top surface of a region including the grooved portion is covered by a metal. The terrace section is divided into a plurality of portions that are disposed in a scattered manner.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
In a light projecting apparatus including a laser light source, a light projecting apparatus is divided into a laser-light-source module and a light-projecting optical module. In the laser-light-source module NOR laser beams from a plurality of laser light sources are combined by a beam combiner. The laser-light-source module and the light-projecting optical module are connected to each other by an optical fiber in a cable. A laser beam formed by the beam combiner is transmitted through the optical fiber to the light-projecting optical module, received by a fiber receptacle, and projected. In the laser-light-source module NOR a fiber-breakage countermeasure section that detects breakage of the optical fiber and takes countermeasures against the breakage is disposed.
Provided is an image display device including a micro light emission element that is connected onto a drive circuit substrate incorporating a drive circuit of the micro light emission element. The micro light emission elements has a light emission surface on an opposite side to a bonding surface with the drive circuit, at least one of a surface on a connecting surface side of the micro light emission element and a surface on a connecting surface side of the drive circuit substrate has a protrusion portion and a recess portion, an electrode of the micro light emission element and an electrode of the drive circuit substrate side are connected to each other via a metal nanoparticle, and a space formed between the surface on the connecting surface side of the micro light emission element and a side of the surface on the connecting surface of the drive circuit substrate is filled with a photo-curing resin.
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
A semiconductor chip stack includes a first semiconductor chip, a second semiconductor chip, and a connection via which the first electrode and the second electrode are electrically connected to each other. The connection includes a first column and a second column. The first column is constituted by a material having a higher degree of activity with respect to heat than a material that constitutes the second column and is smaller in volume than the second column. Further, the connection has an aspect ratio of 0.5 or higher in a height direction.
A three-dimensional display includes a plurality of micro-projectors, each of which including a display element and a projection optic, and a micro-lens array, and each micro-projector projects a display image displayed by the display element onto the micro-lens array through the projection optic and the display element includes a drive circuit substrate and a plurality of micro light emission elements formed on a surface on one side of the drive circuit substrate.
H04N 13/363 - Reproducteurs d’images utilisant des écrans de projection
G02B 17/00 - Systèmes avec surfaces réfléchissantes, avec ou sans éléments de réfraction
G02B 30/56 - Systèmes ou appareils optiques pour produire des effets tridimensionnels [3D], p. ex. des effets stéréoscopiques l’image étant construite à partir d'éléments d'image répartis sur un volume 3D, p. ex. des voxels en projetant une image aérienne ou flottante
58.
Micro light emission element and image display device
Provided is a micro light emission element including a compound semiconductor in which an N-side layer, a light emission layer, and a P-side layer are laminated sequentially from a side of a light emitting surface, in which an N-electrode coupled to the N-side layer and a P-electrode coupled to the P-side layer are disposed on another surface opposite to the light emitting surface, the P-electrode is disposed on the light emission layer, the N-electrode is disposed in an isolation region which is a boundary region of the micro light emission element and isolates the light emission layer from a light emission layer of another micro light emission element, a surface of the N-electrode on a side of the other surface and a surface of the P-electrode on the side of the other surface are flush with each other, and the N-electrode and the P-electrode are both formed of a single interconnection layer.
H01S 5/183 - Lasers à émission de surface [lasers SE], p. ex. comportant à la fois des cavités horizontales et verticales comportant uniquement des cavités verticales, p. ex. lasers à émission de surface à cavité verticale [VCSEL]
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01S 5/42 - Réseaux de lasers à émission de surface
H01L 25/18 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types prévus dans plusieurs différents groupes principaux de la même sous-classe , , , , ou
H01L 25/00 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
In a light-emitting element module, at least two or more first electrodes of a first substrate that includes a circuit element are joined to at least two or more light-emitting elements. The first substrate includes a first wiring line to an n-th wiring line (n is an integer of 2 or more) that are formed into layers in order from the at least two or more light-emitting elements in a thickness direction of the first substrate. The first wiring line that is located in one of the layers of the first substrate nearest to the at least two or more light-emitting elements is formed at least in an interelectrode region between the adjacent first electrodes of the first substrate in a plan view.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 23/522 - Dispositions pour conduire le courant électrique à l'intérieur du dispositif pendant son fonctionnement, d'un composant à un autre comprenant des interconnexions externes formées d'une structure multicouche de couches conductrices et isolantes inséparables du corps semi-conducteur sur lequel elles ont été déposées
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
H01L 49/02 - Dispositifs à film mince ou à film épais
H01L 23/528 - Configuration de la structure d'interconnexion
60.
Light source device, projector apparatus equipped with light source device, and illuminating apparatus equipped with light source device
A light source device includes a semiconductor laser that outputs laser light, a polarization rotator that rotates a polarization plane of the light, a polarization splitter that transmits and reflects the light in accordance with the polarization plane, and a fluorescent body that emits light by being excited by the laser light. The light source device controls an amount of the light that excites the fluorescent body by controlling a rotational angle of the polarization plane in the polarization rotator in a time-series fashion.
G03B 21/14 - Projecteurs ou visionneuses du type par projectionLeurs accessoires Détails
H04N 9/31 - Dispositifs de projection pour la présentation d'images en couleurs
F21V 9/14 - Éléments modifiant les caractéristiques spectrales, la polarisation ou l’intensité de la lumière émise, p. ex. filtres pour produire de la lumière polarisée
F21V 9/32 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source caractérisés par la disposition du matériau photoluminescent
An avalanche photodiode according to the present invention includes, inside a substrate semiconductor layer having a first conductivity type and a uniform impurity concentration, a first semiconductor layer having the first conductivity type, a second semiconductor layer having a second conductivity type, a third semiconductor layer having the second conductivity type, a fourth semiconductor layer having the second conductivity type, a fifth semiconductor layer having the first conductivity type and formed at a position away from the third semiconductor layer in a lateral direction, a sixth semiconductor layer having the second conductivity type, a first contact, and a second contact. The first semiconductor layer is positioned just under the second semiconductor layer and the fifth semiconductor layer in contact therewith. An avalanche phenomenon is caused at a junction between the first semiconductor layer and the second semiconductor layer.
H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 31/02 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails - Détails
A semiconductor light-emitting device 10 includes a heat sink and a semiconductor light-emitting element mounted on the heat sink. A gap is provided between a region of a part of a base bottom surface of a base of the semiconductor light-emitting element and an upper surface of the heat sink, and a lead is disposed in a region where the gap is provided so as to vertically pass through the base. A semiconductor laser chip is provided in a region where the gap is not provided so that its waveguide longitudinal direction is substantially parallel to an upper surface of the base. The lead has its lower end located within the gap and connected to a flexible substrate.
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/0683 - Stabilisation des paramètres de sortie du laser en surveillant les paramètres optiques de sortie
An image display device includes a drive circuit substrate, micro LED elements, and a wavelength conversion layer that converts excitation light emitted from the micro LED elements and that emits converted long-wavelength light to a side opposite to the drive circuit substrate, the micro LED elements and the wavelength conversion layer being sequentially stacked on the drive circuit substrate. The micro LED elements include a first multilayer film that reflects the long-wavelength light converted by the wavelength conversion layer.
H01L 33/10 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure réfléchissante, p.ex. réflecteur de Bragg en semi-conducteur
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
An image display device includes a plurality of micro light-emission elements that constitute a pixel and that are provided on a driving circuit substrate. The micro light-emission element displays an image by emitting light to a side opposite to the driving circuit substrate. A light convergence portion that converges light is disposed in the pixel.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
65.
Three-dimensional display and aerial three-dimensional display
A display portion including a plurality of pixel units that are paired with a plurality of micro lenses is provided, in which each of the pixel units has a plurality of pixels and each of the pixels includes a micro LED.
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
G02B 30/00 - Systèmes ou appareils optiques pour produire des effets tridimensionnels [3D], p. ex. des effets stéréoscopiques
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/30 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique
H01L 33/58 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique
G02B 30/26 - Systèmes ou appareils optiques pour produire des effets tridimensionnels [3D], p. ex. des effets stéréoscopiques en fournissant des première et seconde images de parallaxe à chacun des yeux gauche et droit d’un observateur du type autostéréoscopique
G02B 30/27 - Systèmes ou appareils optiques pour produire des effets tridimensionnels [3D], p. ex. des effets stéréoscopiques en fournissant des première et seconde images de parallaxe à chacun des yeux gauche et droit d’un observateur du type autostéréoscopique comprenant des réseaux lenticulaires
66.
Micro light emitting element and image display device
[Object] To provide a micro LED element that can reduce deterioration in light emission efficiency, even when the micro LED element is miniaturized in size.
[Solution] A micro LED element (100) includes: a nitride semiconductor layer (14) including an N-side layer (11), a light emission layer (12), and a P-side layer (13); and a plurality of micro-mesas each having a slope that surrounds the light emission layer (12) and is inclined at an angle within a prescribed range including 45° as an angle (θ) formed by the slope and the light emission layer, and a flat portion formed by a surface of the P-side layer.
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 27/15 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, spécialement adaptés pour l'émission de lumière
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/46 - Revêtement réfléchissant, p.ex. réflecteur de Bragg en diélectriques
H01L 33/44 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les revêtements, p.ex. couche de passivation ou revêtement antireflet
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
67.
Semiconductor laser device, manufacturing method thereof, and light emitting device
A semiconductor laser device includes an optical waveguide that extends toward a first end of the semiconductor laser device. The optical waveguide includes a first clad layer, an active layer, a second clad layer, and an electrode layer in this order. A reflecting surface, which has a dielectric film and a metal film in this order from the active layer, crosses the active layer at a second end of the optical waveguide.
H01S 5/40 - Agencement de plusieurs lasers à semi-conducteurs, non prévu dans les groupes
H01S 5/02 - Détails ou composants structurels non essentiels au fonctionnement laser
H01S 5/02216 - SupportsBoîtiers caractérisés par la forme des boîtiers du type papillon, c.-à-d. avec les broches d’électrode s’étendant latéralement depuis le boîtier
H01S 5/16 - Lasers du type à fenêtre, c.-à-d. avec une région en un matériau non absorbant entre la région active et la surface réfléchissante
H01S 5/02253 - Découplage de lumière utilisant des lentilles
68.
Light emitting device, vehicle headlamp, illumination device, and laser element
A light emitting device of the present invention includes a light-emitting section for generating fluorescence by receiving a laser beam, and a light irradiation unit for irradiating a light irradiated surface of the light emitting section with a laser beam that increases regularly in beam diameter in a direction in which the laser beam travels.
F21S 41/176 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
F21S 43/16 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
B60Q 1/00 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet
F21S 41/14 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par la source lumineuse caractérisés par le type de source lumineuse
A location displacement of an electrode of a device relative to an electrode pad of a semiconductor element is detected based on a conduction state between the electrode pad of the semiconductor element and the electrode of the device. The electrode pad of the semiconductor element is segmented into multiple portions and a first pad through a fourth pad uniformly arranged. A location displacement detector determines that no location displacement has occurred when the electrode pad of the semiconductor element is conductive to the electrode of the device, and determines that a location displacement has occurred when the electrode pad of the semiconductor element is non-conductive to the electrode of the device.
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
H01L 23/544 - Marques appliquées sur le dispositif semi-conducteur, p. ex. marques de repérage, schémas de test
H01L 29/417 - Electrodes caractérisées par leur forme, leurs dimensions relatives ou leur disposition relative transportant le courant à redresser, à amplifier ou à commuter
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
A nitride semiconductor laser device sequentially includes, between a nitride semiconductor substrate and an n-side cladding layer, a first nitride semiconductor layer formed of an AlGaN layer, a second nitride semiconductor layer that is formed of an AlGaN layer and has a lower Al content than the first nitride semiconductor layer, a third nitride semiconductor layer formed of a GaN layer, a fourth nitride semiconductor layer formed of an InGaN layer, and a fifth nitride semiconductor layer formed of an AlGaN layer.
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
y3P (0≤x3≤1, 0.45≤y3≤0.55). The width of the stripe structure is 10 μm or more, and the refractive index with respect to the laser oscillation wavelength of the first n-type cladding layer is less than or equal to the refractive index with respect to the laser oscillation wavelength of the second n-type cladding layer.
H01S 5/32 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
A photosensor includes a light emitting element that radiates light onto an object to be detected and a light receiving element that has a light-receiving surface for receiving light radiated from the light emitting element. An incident light regulation portion covering the light-receiving surface is provided on a path along which the light radiated from the light emitting element directed toward the light-receiving surface, and the incident light regulation portion transmits light having an incident angle less than a predetermined value and blocks light having the incident angle greater than or equal to the predetermined value among light incident on the light receiving element.
H01L 27/14 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des composants semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit ra
H01L 31/00 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails
H01L 31/153 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour la ou les sources lumineuses étant commandées par le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement, p.ex. convertisseurs d'images, amplificateurs d'images ou dispositifs de stockage d'image les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface formés dans, ou sur un substrat commun
H01L 31/107 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel fonctionnant en régime d'avalanche, p.ex. photodiode à avalanche
H01L 31/173 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails structurellement associés, p.ex. formés dans ou sur un substrat commun, avec une ou plusieurs sources lumineuses électriques, p.ex. avec des sources lumineuses électroluminescentes, et en outre électriquement ou optiquement couplés avec lesdites sour le dispositif à semi-conducteur sensible au rayonnement étant commandé par la ou les sources lumineuses les sources lumineuses et les dispositifs sensibles au rayonnement étant tous des dispositifs semi-conducteurs caractérisés par au moins une barrière de potentiel ou de surface formés dans, ou sur un substrat commun
H01L 31/103 - Dispositifs sensibles au rayonnement infrarouge, visible ou ultraviolet caractérisés par une seule barrière de potentiel ou de surface la barrière de potentiel étant du type PN à homojonction
G01S 17/02 - Systèmes utilisant la réflexion d'ondes électromagnétiques autres que les ondes radio
A housing provided to a light source device has a sliding surface to which a first lens portion is fixed and an inclined support surface to which a second lens portion is fixed. The sliding surface is vertical to a direction of an optical axis of a semiconductor laser and wider than a first fixing surface of the first lens portion that is fixed to the sliding surface. The inclined support surface is parallel to the direction of the optical axis and wider than a second fixing surface of the second lens portion that is fixed to the inclined support surface.
A group III nitride based laser light emitting device includes an n-side group III nitride based semiconductor region, a p-side group III nitride based semiconductor region, and a group III nitride based active region between the p-side group III nitride based semiconductor region and n-side group III nitride based semiconductor region. The group III nitride based active region includes first and second quantum well layers and a barrier layer between the first and second quantum well layers, the respective compositions of the first and second quantum well layers comprising different respective amounts of indium. The first quantum well is closer to the n-side group III nitride based semiconductor region than the second quantum well, the second quantum well is closer to the p-side group III nitride based semiconductor region than the first quantum well, and the first quantum well has a larger band gap than the second quantum well.
H01S 5/34 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH]
H01S 5/343 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des structures à puits quantiques ou à superréseaux, p. ex. lasers à puits quantique unique [SQW], lasers à plusieurs puits quantiques [MQW] ou lasers à hétérostructure de confinement séparée ayant un indice progressif [GRINSCH] dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
H01S 5/22 - Structure ou forme du corps semi-conducteur pour guider l'onde optique ayant une structure à nervures ou à bandes
75.
Wavelength conversion member and light emitting device
b), which has an area larger than those of divided planes, of the phosphor layer is {111}, and a plane orientation of some divided planes out of the plurality of divided planes is {1-10}.
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
H01S 5/06 - Dispositions pour commander les paramètres de sortie du laser, p. ex. en agissant sur le milieu actif
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
G02B 27/20 - Systèmes ou appareils optiques non prévus dans aucun des groupes , pour projection optique, p. ex. combinaison de miroir, de condensateur et d'objectif pour donner une image d'objets minuscules, p. ex. indicateur lumineux
F21K 9/65 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière spécialement adaptés à la modification des caractéristiques ou de la distribution de la lumière, p. ex. par réglage des parties
F21S 2/00 - Systèmes de dispositifs d'éclairage non prévus dans les groupes principaux ou , p. ex. à construction modulaire
F21V 11/10 - Écrans non couverts par les groupes , , ou utilisant des diaphragmes à une ou plusieurs ouvertures du type à iris
F21S 43/00 - Dispositifs de signalisation spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. feux de freinage, feux clignotants indicateurs de direction ou feux de recul
F21S 41/00 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares
F21V 9/30 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
F21K 9/68 - Détails des réflecteurs faisant partie de la source lumineuse
F21S 43/20 - Dispositifs de signalisation spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. feux de freinage, feux clignotants indicateurs de direction ou feux de recul caractérisés par des réfracteurs, des glaces de fermeture transparentes, des guides ou des filtres de lumière
Image capturing accuracy is improved while a simple optical system is used. An image capture device includes: a polarizing filter that blocks non-transmitted light that has been in polarized light of an infrared ray radiated from a light source and has not been transmitted through an image capturing target and transmitted light that has been in the polarized light and has been transmitted through the image capturing target without diffusion inside the image capturing target, and transmits transmitted light that has been in the polarized light and has been diffused inside the image capturing target and transmitted therethrough; and an image sensor that receives the light that has been transmitted through the polarizing filter and captures an image of the image capturing target.
G06K 9/00 - Méthodes ou dispositions pour la lecture ou la reconnaissance de caractères imprimés ou écrits ou pour la reconnaissance de formes, p.ex. d'empreintes digitales
H04N 5/335 - Transformation d'informations lumineuses ou analogues en informations électriques utilisant des capteurs d'images à l'état solide [capteurs SSIS]
A nitride semiconductor light-emitting element includes at least an n-type nitride semiconductor layer, a light-emitting layer, and a p-type nitride semiconductor layer. A multilayer body is provided between the n-type nitride semiconductor layer and the light-emitting layer, having at least one stack of first and second semiconductor layers. The second semiconductor layer has a greater band-gap energy than the first semiconductor layer. The first and second semiconductor layers each have a thickness of more than 10 nm and 30 nm or less. In applications in which luminous efficiency at room temperature is a high priority, the first semiconductor layer has a thickness of more than 10 nm and 30 nm or less, the second semiconductor layer has a thickness of more than 10 nm and 40 nm or less, and the light-emitting layer has V-shaped recesses in cross-sectional view.
H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p. ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c.-à-d. un dépôt chimique
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
An image-forming element includes a plurality of pixels, and projects and displays light emitted from the pixels. The image-forming element includes a light emitting element which includes a light source emitting the light and a mounting substrate on which a plurality of light emitting elements are provided on a mounting surface. A plurality of light sources which are segmented and included in at least one pixel are provided, and each of the light sources includes power supply electrodes provided on the same surface or a surface facing the mounting substrate. The mounting substrate includes a drive circuit which drives the light source and electrodes which are provided on the mounting surface and are electrically connected to the power supply electrodes of the light source. In each pixel, an area occupation ratio of the light source with respect to a region area of the pixel is 15% or more and 85% or less. The drive circuit includes a switch circuit which selectively short-circuits the electrodes electrically connected to the power supply electrodes of the light source with other electrodes or wirings in the drive circuit, or at least one non-volatile memory transistor for adjusting a light emission intensity of the light emitting element.
H01L 25/16 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant de types couverts par plusieurs des sous-classes , , , , ou , p. ex. circuit hybrides
G09G 3/3233 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] organiques, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes organiques [OLED] utilisant une matrice active avec un circuit de pixel pour commander le courant à travers l'élément électroluminescent
G09F 9/33 - Dispositifs d'affichage d'information variable, dans lesquels l'information est formée sur un support, par sélection ou combinaison d'éléments individuels dans lesquels le ou les caractères désirés sont formés par une combinaison d'éléments individuels à semi-conducteurs, p. ex. à diodes
G09G 3/32 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques pour la présentation d'un ensemble de plusieurs caractères, p. ex. d'une page, en composant l'ensemble par combinaison d'éléments individuels disposés en matrice utilisant des sources lumineuses commandées utilisant des panneaux électroluminescents semi-conducteurs, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED]
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
G09G 3/00 - Dispositions ou circuits de commande présentant un intérêt uniquement pour l'affichage utilisant des moyens de visualisation autres que les tubes à rayons cathodiques
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
H01L 21/66 - Test ou mesure durant la fabrication ou le traitement
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
Light emission efficiency is increased in an eye-safe light source by regulating light distribution properties. An eye-safe light source includes a package, a semiconductor laser that emits laser light from a left light emission end surface and a right light emission end surface, and a wire that is joined to the semiconductor laser. The semiconductor laser is joined to the package such that the laser light is emitted parallel to an upper surface of a lead frame of the package. The package includes reflection surfaces that face the left light emission end surface and the right light emission end surface and reflect the laser light. In top view, a direction in which the wire extends is perpendicular to a direction of emission of the laser light.
F21K 9/00 - Sources lumineuses utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en tant qu’éléments générateurs de lumière, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] ou des lasers
A gas analyzer and related methods are for measuring a concentration of a component of a gas mixture. The gas analyzer includes a gas cell defining an overall volume for housing the gas mixture, a gas inlet and a gas outlet, a light source that emits a light beam into the gas cell, and a light detector that detects a portion of the light of the light beam that has propagated through the gas mixture, the concentration of the component of the gas mixture being determined based on the portion of the light beam detected by the light detector. The gas cell defines an optical volume for travel of the light beam within the gas cell, and the optical volume comprises at least a portion of the overall volume and is configured to suppress turbulent flow of the gas mixture within the optical volume to reduce optical noise generated by the gas mixture.
G01N 33/497 - Analyse physique de matériau biologique de matériau biologique gazeux, p. ex. de l'haleine
G01N 21/33 - CouleurPropriétés spectrales, c.-à-d. comparaison de l'effet du matériau sur la lumière pour plusieurs longueurs d'ondes ou plusieurs bandes de longueurs d'ondes différentes en recherchant l'effet relatif du matériau pour les longueurs d'ondes caractéristiques d'éléments ou de molécules spécifiques, p. ex. spectrométrie d'absorption atomique en utilisant la lumière ultraviolette
A laser device includes a light source that emits a source light having a first peak wavelength. A nonlinear optical component performs a frequency conversion process that converts the source light into output light having a second peak wavelength. A stabilization component minimizes a mismatch error constituting a difference between the first peak wavelength and a wavelength for which the frequency conversion process in the nonlinear optical component has a maximum value. The stabilization component may include a housing that is thermally conductive between the light source and the nonlinear optical component to minimize a temperature difference between the light source and the nonlinear optical component. The laser device may include a focusing optical component that focuses the source light to have a convergence half angle that is larger than a convergence half angle that gives maximum output power, thereby increasing an acceptable range of the mismatch error.
H01S 3/04 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 3/109 - Multiplication de la fréquence, p. ex. génération d'harmoniques
H01S 3/137 - Stabilisation de paramètres de sortie de laser, p. ex. fréquence ou amplitude par commande de dispositifs placés dans la cavité pour la stabilisation de la fréquence
H01S 3/0941 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p. ex. pompage utilisant le pompage optique par de la lumière cohérente produite par un laser à semi-conducteur, p. ex. par une diode laser
d), a scattering member (51) that receives and scatters the near-infrared laser light beams, and a projecting member (61) that projects the near-infrared laser light beams scattered by the scattering member.
G02B 7/02 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques pour lentilles
G02B 7/182 - Montures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques pour prismesMontures, moyens de réglage ou raccords étanches à la lumière pour éléments optiques pour miroirs pour miroirs
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
A light emitting device of the present invention includes a light-emitting section for generating fluorescence by receiving a laser beam, and a light irradiation unit for irradiating a light irradiated surface of the light emitting section with a laser beam that increases regularly in beam diameter in a direction in which the laser beam travels.
F21V 9/16 - Emploi de matériaux luminescents spécifiés comme écrans de lumière
F21S 41/176 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
F21S 43/16 - Sources lumineuses où la lumière est générée par un matériau photoluminescent espacé par rapport à un élément générateur de lumière primaire
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
B60Q 1/00 - Agencement des dispositifs de signalisation optique ou d'éclairage, leur montage, leur support ou les circuits à cet effet
F21S 41/14 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par la source lumineuse caractérisés par le type de source lumineuse
A light beam separating and absorbing element includes a mirror that receives first and second light beams incident on a first surface, and the mirror is configured to transmit the first light beam and reflect the second light beam. A beam absorber receives the first light beam transmitted through the mirror, and absorbs a first light portion of the transmitted first light beam after the first light beam has been transmitted through the mirror. The beam absorber scatters a second portion of the first light beam, and the beam absorber and mirror are positioned such that at least a portion of the scattered light is incident on a second surface of the mirror. Transmissivity of the mirror for the scattered light incident on the second mirror surface may be lower as compared to transmissivity for the first light beam incident on the first mirror surface to enhance separation of the first and second light beams.
By using a light emitting device including an insulating substrate and a light emitting unit formed on the insulating substrate, the light emitting unit including: a plurality of linear wiring patterns disposed on the insulating substrate in parallel with one another, a plurality of light emitting elements that are mounted between the wiring patterns while being electrically connected to the wiring patterns, and a sealing member for sealing the light emitting elements, as well as a method for manufacturing thereof, it becomes possible to provide a light emitting device that achieves sufficient electrical insulation and has simple manufacturing processes so that it can be manufactured at a low cost, and a method for manufacturing the same.
H01L 33/50 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de conversion de la longueur d'onde
F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/36 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes
F21V 23/00 - Agencement des éléments du circuit électrique dans ou sur les dispositifs d’éclairage
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
F21K 9/20 - Sources lumineuses comprenant un moyen de fixation
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
F21K 9/00 - Sources lumineuses utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en tant qu’éléments générateurs de lumière, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] ou des lasers
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
F21Y 105/10 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle
F21K 9/232 - Sources lumineuses rétrocompatibles pour dispositifs d’éclairage avec un seul culot pour chaque source lumineuse, p. ex. pour le remplacement de lampes à incandescence avec un culot à baïonnette ou à vis spécialement adaptées à la génération de lumière essentiellement omnidirectionnelle, p. ex. avec une ampoule en verre
H01L 23/00 - Détails de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide
A nitride semiconductor light-emitting element includes at least an n-type nitride semiconductor layer, a light-emitting layer, and a p-type nitride semiconductor layer. A multilayer body is provided between the n-type nitride semiconductor layer and the light-emitting layer, having at least one stack of first and second semiconductor layers. The second semiconductor layer has a greater band-gap energy than the first semiconductor layer. The first and second semiconductor layers each have a thickness of more than 10 nm and 30 nm or less. In applications in which luminous efficiency at room temperature is a high priority, the first semiconductor layer has a thickness of more than 10 nm and 30 nm or less, the second semiconductor layer has a thickness of more than 10 nm and 40 nm or less, and the light-emitting layer has V-shaped recesses in cross-sectional view.
H01L 29/06 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les formes, les dimensions relatives, ou les dispositions des régions semi-conductrices
H01L 33/04 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel
H01L 33/02 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/24 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué de la région électroluminescente, p.ex. jonction du type non planaire
H01L 33/12 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure de relaxation des contraintes, p.ex. couche tampon
H01L 33/06 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure à effet quantique ou un superréseau, p.ex. jonction tunnel au sein de la région électroluminescente, p.ex. structure de confinement quantique ou barrière tunnel
88.
Optical receiver, portable electronic device, and method of producing optical receiver
Provided are an optical receiver that can realize a reduction in the variation of sensitivity in the ultraviolet light region and a reduction in noise in the visible light region and the infrared light region, a portable electronic device, and a method of producing an optical receiver. The first light-receiving device (PD1) and the second light-receiving device (PD2) of the optical receiver (1) are each constituted by forming a second conductivity-type N-type well layer (N_well) on a first conductivity-type P-type substrate (P_sub), forming a first conductivity-type P-type well layer (P_well) in the N-type well layer (N_well), and forming a second conductivity-type N-type diffusion layer (N) in the P-type well layer (P_well). The P-type substrate P_sub, the N-type well layer (N_well), and the P-type well layer (P_well) are electrically at the same potential or are short-circuited.
A laser device includes a light source that emits a source light having a first peak wavelength. A nonlinear optical component performs a frequency conversion process that converts the source light into output light having a second peak wavelength. A stabilization component minimizes a mismatch error constituting a difference between the first peak wavelength and a wavelength for which the frequency conversion process in the nonlinear optical component has a maximum value. The stabilization component may include a housing that is thermally conductive between the light source and the nonlinear optical component to minimize a temperature difference between the light source and the nonlinear optical component. The laser device may include a focusing optical component that focuses the source light to have a convergence half angle that is larger than a convergence half angle that gives maximum output power, thereby increasing an acceptable range of the mismatch error.
H01S 3/109 - Multiplication de la fréquence, p. ex. génération d'harmoniques
H01S 3/04 - Dispositions pour la gestion thermique
H01S 3/08 - Structure ou forme des résonateurs optiques ou de leurs composants
H01S 3/137 - Stabilisation de paramètres de sortie de laser, p. ex. fréquence ou amplitude par commande de dispositifs placés dans la cavité pour la stabilisation de la fréquence
H01S 3/0941 - Procédés ou appareils pour l'excitation, p. ex. pompage utilisant le pompage optique par de la lumière cohérente produite par un laser à semi-conducteur, p. ex. par une diode laser
90.
Wavelength separating element for use in a nonlinear frequency conversion device
A wavelength separating element is provided for separating a converted beam from a fundamental beam in an NLFC device, wherein the converted beam has a wavelength different from a wavelength of the fundamental beam. The wavelength separating element includes a first mirror surface and a second mirror surface opposite to the first mirror surface. The first and second mirror surfaces may have a high reflectivity of the converted beam relative to a reflectivity of the fundamental beam, and the first and second mirror surfaces are configured such that the fundamental and converted beams undergo multiple reflections between the first mirror surface and the second mirror surface to separate the converted beam from the fundamental beam. The fundamental and converted beams undergo at least three reflections at the first and second mirror surfaces, and/or undergo at least two reflections at one of the first mirror surface or the second mirror surface.
H01L 33/38 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les électrodes ayant une forme particulière
H01L 33/00 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails
H01L 33/14 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une structure contrôlant le transport des charges, p.ex. couche semi-conductrice fortement dopée ou structure bloquant le courant
H01L 33/20 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les corps semi-conducteurs ayant une forme particulière, p.ex. substrat incurvé ou tronqué
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
92.
Substrate for light emitting devices and light emitting device
In order to provide a substrate for light emitting devices having high heat radiating properties, dielectric strength voltage properties, light reflectivity, and excellent mass productivity, a substrate (5) includes an intermediate layer (11) containing ceramic which is formed on the surface of the aluminum base (10) by using an aerosol deposition method.
H01L 29/49 - Electrodes du type métal-isolant-semi-conducteur
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/56 - Matériaux, p.ex. résine époxy ou silicone
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
F21K 9/00 - Sources lumineuses utilisant des dispositifs à semi-conducteurs en tant qu’éléments générateurs de lumière, p. ex. utilisant des diodes électroluminescentes [LED] ou des lasers
F21V 29/77 - Dispositions de refroidissement caractérisées par des éléments passifs de dissipation de chaleur, p. ex. puits thermiques avec ailettes ou lames avec ailettes ou lames en plans divergents essentiellement identiques, p. ex. avec une section en forme d’éventail ou d’étoile
H05K 3/44 - Fabrication de circuits à âme métallique isolée
F21Y 105/10 - Sources lumineuses planes comprenant un réseau bidimensionnel d’éléments générateurs de lumière ponctuelle
In a light emitting section, a phosphor layer including a first phosphor particle which receives excitation light and emits fluorescence with a first peak wavelength and a phosphor layer including a second phosphor particle which receives the excitation light and emits fluorescence with a second peak wavelength are stacked. In the light emitting section, when an upper surface is a surface from which illumination light is mostly emitted, the illumination light including the fluorescence emitted from the first phosphor particle and the fluorescence emitted from the second phosphor particle, a reflective member to reduce leakage of fluorescence is provided on a side surface of the light emitting section.
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
F21K 9/60 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière
F21S 41/14 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par la source lumineuse caractérisés par le type de source lumineuse
A light-emitting device includes a light-emitting portion that emits fluorescence in response to excitation light incident on a surface of the light-emitting portion, and a reflector that defines a light-emitting region on the surface of the light-emitting portion, the fluorescence being emitted from the light-emitting region. The excitation light has a top-hat energy intensity distribution on the surface of the light-emitting portion.
F21V 9/30 - Éléments contenant un matériau photoluminescent distinct de la source de lumière ou espacé de cette source
G02B 27/09 - Mise en forme du faisceau, p. ex. changement de la section transversale, non prévue ailleurs
F21K 9/61 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des guides de lumière
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
F21S 41/14 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par la source lumineuse caractérisés par le type de source lumineuse
F21S 41/20 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par des réfracteurs, des glaces de fermeture transparentes, des guides ou des filtres de lumière
A semiconductor laser element is provided with: a substrate formed of a semiconductor; a semiconductor laminated film, which is laminated on the substrate, and which includes an active layer; a first electrode and a second electrode, which are provided on surfaces parallel to the active layer on the side where the semiconductor laminated film is formed on the substrate; and a facet protection film that is provided on both the facets, which are perpendicular to the active layer, and which face each other. In the semiconductor laser element, the facet is used as a fixing surface for the semiconductor laser element, said facet having the facet protection film formed thereon.
H01S 5/323 - Structure ou forme de la région activeMatériaux pour la région active comprenant des jonctions PN, p. ex. hétérostructures ou doubles hétérostructures dans des composés AIIIBV, p. ex. laser AlGaAs
G02F 1/355 - Optique non linéaire caractérisée par les matériaux utilisés
A ceramic insulating film (150) having a heat conducting property and a light reflecting property is formed on a front surface of a substrate (100), and a light emitting element (110) is provided on the ceramic insulating film. This makes it possible to improve a heat dissipation characteristic and a light utilization efficiency of a light emitting apparatus (10) having the light emitting element (101) provided on the substrate (110).
H01L 33/62 - Dispositions pour conduire le courant électrique vers le corps semi-conducteur ou depuis celui-ci, p.ex. grille de connexion, fil de connexion ou billes de soudure
H01L 33/64 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments d'extraction de la chaleur ou de refroidissement
H01L 25/075 - Ensembles consistant en une pluralité de dispositifs à semi-conducteurs ou d'autres dispositifs à l'état solide les dispositifs étant tous d'un type prévu dans une seule des sous-classes , , , , ou , p. ex. ensembles de diodes redresseuses les dispositifs n'ayant pas de conteneurs séparés les dispositifs étant d'un type prévu dans le groupe
H01L 33/48 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs
H01L 33/60 - DISPOSITIFS À SEMI-CONDUCTEURS NON COUVERTS PAR LA CLASSE - Détails caractérisés par les éléments du boîtier des corps semi-conducteurs Éléments de mise en forme du champ optique Éléments réfléchissants
H01L 33/54 - Encapsulations ayant une forme particulière
An optical guide member (104) includes an optical guide section having an exit end surface (Rx1) including a side a, and an imaging lens (105) forms, on a front surface of a light emitting section (101), an image of the side a in an image of excitation light (L1) on the exit end surface (Rx1).
A light emitting device of the present disclosure includes a light emitting section that generates fluorescence by receiving laser light, a reflection film that reflects laser light which is radiated to the vicinity of the light emitting section, among laser light which is emitted toward the light emitting section from a rod lens, and a reflection mirror that collects the laser light reflected by the reflection film, in the light emitting section.
F21K 9/64 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des moyens de conversion de longueur d’onde distincts ou espacés de l’élément générateur de lumière, p. ex. une couche de phosphore éloignée
F21K 99/00 - Matière non prévue dans les autres groupes de la présente sous-classe
F21V 8/00 - Utilisation de guides de lumière, p. ex. dispositifs à fibres optiques, dans les dispositifs ou systèmes d'éclairage
F21K 9/61 - Agencements optiques intégrés dans la source lumineuse, p. ex. pour améliorer l’indice de rendu des couleurs ou l’extraction de lumière en utilisant des guides de lumière
F21S 41/14 - Dispositifs d’éclairage spécialement adaptés à l’extérieur des véhicules, p. ex. phares caractérisés par la source lumineuse caractérisés par le type de source lumineuse
brevets