The present invention provides a method for producing a recycled polyol, the method comprising (a) a step for preparing a polyurethane pulverized product by pulverizing waste polyurethane, (b) a step for adding an amine compound and polyether polyol to the polyurethane pulverized product and producing a decomposition product of polyurethane by a decomposition reaction, and c) a step for cooling and filtering the decomposition product of polyurethane.
C08J 11/28 - Récupération ou traitement des résidus des polymères par coupure des chaînes moléculaires des polymères ou rupture des liaisons de réticulation par voie chimique, p.ex. dévulcanisation par traitement avec une substance organique par traitement avec des composés organiques contenant de l'azote, du soufre ou du phosphore
C08J 11/24 - Récupération ou traitement des résidus des polymères par coupure des chaînes moléculaires des polymères ou rupture des liaisons de réticulation par voie chimique, p.ex. dévulcanisation par traitement avec une substance organique par traitement avec des composés organiques contenant de l'oxygène contenant des groupes hydroxyle
2.
METHOD FOR MANUFACTURING POLISHING PAD WINDOW, AND POLISHING PAD WINDOW MANUFACTURED THEREBY
A method for manufacturing a window for a polishing pad is disclosed. The method includes: a) mixing a curing agent with a polyurethane prepolymer having a temperature of 50° C. or higher to less than 100° C. to prepare a mixture; b) injecting the mixture into a mold heated to a temperature of 30° C. or higher to less than 100° C. to a thickness of 5 mm or less; c) demolding a polyurethane cured product from the mold; and d) processing the polyurethane cured product to a thickness of the window of the polishing pad. A polishing pad including the window is also disclosed.
B29C 45/00 - Moulage par injection, c. à d. en forçant un volume déterminé de matière à mouler par une buse d'injection dans un moule fermé; Appareils à cet effet
B24B 37/24 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la composition ou les propriétés des matériaux du tampon
B29C 45/73 - Chauffage ou refroidissement du moule
B29K 75/00 - Utilisation de polyurées ou de polyuréthanes comme matière de moulage
B29K 105/00 - Présentation, forme ou état de la matière moulée
KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (République de Corée)
Inventeur(s)
Min, Byung Ju
Hong, Seok Ji
Kim, Seung Geun
Choi, Jung Hee
Kang, Min Woo
Oh, Nam Gue
Kim, Sanha
Jeong, Ji Hun
Ryu, Hyun Jun
Kang, Sukkyung
Kim, Seong Jae
Abrégé
A composite polishing pad for chemical mechanical polishing (CMP) and a method for producing the composite CMP. The composite polishing pad for CMP contains a polymer substrate layer including a plurality of protrusions formed on the upper surface thereof; and a carbon nanotube layer including carbon nanotubes embedded in and fixed to the upper portion of the substrate layer.
B24B 37/24 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la composition ou les propriétés des matériaux du tampon
B29C 41/00 - Façonnage par revêtement d'un moule, noyau ou autre support, c. à d. par dépôt de la matière à mouler et démoulage de l'objet formé; Appareils à cet effet
B29C 41/02 - Façonnage par revêtement d'un moule, noyau ou autre support, c. à d. par dépôt de la matière à mouler et démoulage de l'objet formé; Appareils à cet effet pour la fabrication d'objets de longueur définie, c. à d. d'objets séparés
B29C 41/42 - Démoulage des objets formés, des moules, des noyaux ou d'autres supports
B29C 41/50 - Moulage sous conditions particulières, p.ex. sous vide
B29C 59/00 - Façonnage de surface, p.ex. gaufrage; Appareils à cet effet
KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (République de Corée)
Inventeur(s)
Min, Byung Ju
Hong, Seok Ji
Kim, Seung Geun
Choi, Jung Hee
Kang, Min Woo
Oh, Nam Gue
Kim, Sanha
Jeong, Ji Hun
Ryu, Hyun Jun
Kang, Sukkyung
Kim, Seong Jae
Abrégé
The present invention provides a composite polishing pad for CMP, and a method for producing the same. The composite polishing pad for CMP comprises: a soft polymer substrate layer including a plurality of protrusions formed on the upper surface thereof; a carbon nanotube layer including carbon nanotubes embedded in and bound to the upper portion of the substrate layer; and a hard polymer coating layer having the carbon nanotubes protruding outwardly on the upper portion of the carbon nanotube layer embedded and bound thereto.
The present specification relates to polyester polyol, method for producing same, method for producing polyurethane using the method, polyurethane, and insulation material, polyester polyol comprising a first unit derived from a carboxylic acid compound represented by chemical formula 1, and a second unit derived from an aliphatic diol compound.
The present specification relates to polyurethane foam, a method for producing same, and insulation material comprising same, the value indicated by equation 1 for the polyurethane foam being 0.119 or greater.
Disclosed are a polishing pad equipped with a window and a method for manufacturing same, wherein, in the process of inserting and attaching a window into a polishing pad, no thermal melting/bonding scheme and no vibration melting/bonding scheme are applied such that the polishing pad is not deformed, and no polishing slurry leaks through a gap between the window and the polishing pad. The polishing pad equipped with a window comprises: a polishing layer having a first bored hole formed in the thickness direction; a window inserted/fixed into the first bored hole of the polishing layer; a lower support layer positioned below the polishing layer and the window, the lower support layer having a second bored hole formed on the lower end of the window so as to have a width smaller than that of the first bored hole or the window such that an optical beam is emitted therethrough; an attachment layer for mediating attachment between the polishing layer and the lower support layer, the adhesive layer having the same area as the lower support layer such that the adhesive layer partially overlaps a peripheral portion of the window and does not contact same; and a sealing attachment member positioned between the window and the attachment layer.
B24B 37/20 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes
B24B 37/22 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par une structure multicouche
B24B 37/24 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la composition ou les propriétés des matériaux du tampon
B24D 11/00 - Caractéristiques de construction des matériaux abrasifs flexibles; Caractéristiques particulières de la fabrication de ces matériaux
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
8.
SUB-PAD FOR POLISHING PAD, POLISHING PAD INCLUDING SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SUB-PAD FOR POLISHING PAD
KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (République de Corée)
Inventeur(s)
Min, Byung Ju
Kim, Seung Geun
Kang, Min Woo
Oh, Nam Gue
Kim, San Ha
Jeong, Ji Hun
Eom, Youn Sick
Abrégé
The present invention provides a sub-pad for a polishing pad, a polishing pad including same, and a method for manufacturing the sub-pad for a polishing pad, the sub-pad being stacked under a top pad that contacts and polishes a wafer and including a nanofiber non-woven fabric pad, wherein the nanofiber density of an outer circumferential part of the nanofiber non-woven fabric pad is 1.2-5 times that of another part inside the outer circumferential part.
The present invention provides a method for manufacturing a polishing pad window, a polishing pad window manufactured by the method, and a polishing pad including the window, the method comprising the steps of: a) producing a mixture by mixing a curing agent and a polyurethane prepolymer having a temperature of at least 50°C but not more than 100°C; b) injecting the mixture, to a thickness of 5 mm or less, into a mold heated to a temperature of at least 30°C but not more than 100°C; c) demolding a polyurethane cured product from the mold; and d) processing the polyurethane cured product to the thickness of a window of a polishing pad.
B24D 11/00 - Caractéristiques de construction des matériaux abrasifs flexibles; Caractéristiques particulières de la fabrication de ces matériaux
B24B 37/20 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes
B24B 37/24 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la composition ou les propriétés des matériaux du tampon
C08G 18/10 - Procédés mettant en œuvre un prépolymère impliquant la réaction d'isocyanates ou d'isothiocyanates avec des composés contenant des hydrogènes actifs, dans une première étape réactionnelle
C08G 18/65 - Composés à bas poids moléculaire contenant un hydrogène actif avec des composés à haut poids moléculaire contenant un hydrogène actif
10.
DOUBLE-SIDED ADHESIVE TAPE FOR ADHERING POLISHING PAD ALLOWING EASY AIR BUBBLE DISCHARGE, AND CHEMICAL-MECHANICAL POLISHING APPARATUS USING SAME
The present invention provides a double-sided adhesive tape for adhering a polishing pad, and a chemical-mechanical polishing apparatus using the adhesive tape, the adhesive tape comprising: an upper release film layer; a first adhesive layer; an adhesive tape substrate laminated on the lower surface of the first adhesive layer; a second adhesive layer laminated on the lower surface of the adhesive tape substrate; and a bubble discharge pattern-forming sheet layer laminated on the lower surface of the second adhesive layer and including a bubble discharge pattern formed as a protruding line on the laminated surface.
KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (République de Corée)
Inventeur(s)
Min, Byung Ju
Hong, Seok Ji
Kim, Seung Geun
Choi, Jung Hee
Kang, Min Woo
Oh, Nam Gue
Kim, San Ha
Jeong, Ji Hun
Ryu, Hyun Jun
Kang, Suk Kyung
Kim, Seong Jae
Abrégé
The present invention provides a composite polishing pad for CMP, and a method for producing same. The composite polishing pad for CMP comprises: a polymer substrate layer including a plurality of protrusions formed on the upper surface thereof; and a carbon nanotube layer including carbon nanotubes embedded in and fixed to the upper surface of the substrate layer.
B24B 37/24 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la composition ou les propriétés des matériaux du tampon
B24B 37/22 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par une structure multicouche
B24D 11/00 - Caractéristiques de construction des matériaux abrasifs flexibles; Caractéristiques particulières de la fabrication de ces matériaux
B29C 33/42 - Moules ou noyaux; Leurs détails ou accessoires caractérisés par la forme de la surface de moulage, p.ex. par des nervures ou des rainures
B29C 33/44 - Moules ou noyaux; Leurs détails ou accessoires comportant des moyens ou conçus spécialement pour faciliter le démoulage d'objets, p.ex. des objets à contre-dépouille
12.
COMPOSITE POLISHING PAD INCLUDING HIGHLY ABRASION-RESISTANT THIN FILM COATING BOUND WITH CARBON NANOTUBES, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
KOREA ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY (République de Corée)
Inventeur(s)
Min, Byung Ju
Hong, Seok Ji
Kim, Seung Geun
Choi, Jung Hee
Kang, Min Woo
Oh, Nam Gue
Kim, San Ha
Jeong, Ji Hun
Ryu, Hyun Jun
Kang, Suk Kyung
Kim, Seong Jae
Abrégé
The present invention provides a composite polishing pad for CMP, and a method for producing same. The composite polishing pad for CMP comprises: a soft polymer substrate layer including a plurality of protrusions formed on the upper surface thereof; a carbon nanotube layer including carbon nanotubes embedded in and bound to the upper portion of the substrate layer; and a hard polymer coating layer in which carbon nanotubes protruding outwardly are embedded in and bound to the upper portion of the carbon nanotube layer.
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. (République de Corée)
KPX CHEMICAL CO., LTD (République de Corée)
Inventeur(s)
Yun, Hyojin
Kim, Seungwon
Kim, Taeyoung
Park, Woojung
Bae, Jinhye
Shin, Hyunseop
Lee, Mintae
Han, Hoon
Kim, Moonyoung
Kim, Moonchang
Yang, Cheolmo
Choi, Yunseok
Abrégé
A photoresist-removing composition includes a polar organic solvent, an alkyl ammonium hydroxide, an aliphatic amine not including a hydroxy group, and a monovalent alcohol. To manufacture a semiconductor device, a photoresist pattern may be formed on a substrate, and the photoresist-removing composition may then be applied to the photoresist pattern. To manufacture a semiconductor package, a photoresist pattern including a plurality of via holes may be formed on a substrate. A plurality of conductive posts including a metal may be formed inside the plurality of via holes, and the photoresist pattern may be removed by applying a photoresist-removing composition of the inventive concept to the photoresist pattern. A semiconductor chip may be adhered to the substrate between the respective conductive posts.
01 - Produits chimiques destinés à l'industrie, aux sciences ainsi qu'à l'agriculture
Produits et services
Polyols; unprocessed polyurethane; ethyl carbamate; ethyl
urethane; unprocessed polyurethane resins; unprocessed
plastics for use in the manufacture of polyurethane;
industrial chemicals for use in the manufacture of
polyurethane; polyurethane adhesives for construction
purposes; chemicals for use in the manufacture of adhesives;
isocyanate; chemicals for use in the processing of plastics;
glycerine for industrial purposes; surfactants for
industrial purposes; non-ionic surfactants for use in
manufacture; polyvinyl alcohol resins; unprocessed
artificial resins and pulp; unprocessed synthetic resins for
use in the manufacture of plastic moulding compounds;
polyurethane adhesives; thermally curable unprocessed
synthetic resins; unprocessed artificial resins for use in
manufacture.
A method of manufacturing a polishing pad includes producing an urethane prepolymer having a viscosity of 20,000 cps (at 25° C.) to 40,000 cps (at 25° C.) by mixing a plurality of polymers, mixing the urethane prepolymer with an inert gas and a low-boiling blowing agent having a boiling point of 60° C. to 150° C., and manufacturing a polishing layer including porous pores by causing a mixture produced at the mixing to be subjected to gelation and curing in a predetermined cast.
B24B 37/24 - Tampons de rodage pour travailler les surfaces planes caractérisés par la composition ou les propriétés des matériaux du tampon
C08J 9/06 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolaires; Leur post-traitement utilisant des gaz de gonflage produits par un agent de gonflage introduit au préalable par un agent chimique de gonflage
B29C 44/34 - Moulage par pression interne engendrée dans la matière, p.ex. par gonflage ou par moussage - Eléments constitutifs, détails ou accessoires; Opérations auxiliaires
B29C 44/56 - Post-traitement d'objets, p.ex. pour changer leur forme
B29C 69/00 - Combinaisons de techniques de façonnage non prévues dans un seul des groupes principaux , p.ex. associations de techniques de moulage et d'assemblage; Appareils à cet effet
C08G 18/76 - Polyisocyanates ou polyisothiocyanates cycliques aromatiques
C08J 9/12 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolaires; Leur post-traitement utilisant des gaz de gonflage produits par un agent de gonflage introduit au préalable par un agent physique de gonflage
C08J 9/14 - Mise en œuvre de substances macromoléculaires pour produire des matériaux ou objets poreux ou alvéolaires; Leur post-traitement utilisant des gaz de gonflage produits par un agent de gonflage introduit au préalable par un agent physique de gonflage organique
C08G 18/12 - Procédés mettant en œuvre un prépolymère impliquant la réaction d'isocyanates ou d'isothiocyanates avec des composés contenant des hydrogènes actifs, dans une première étape réactionnelle utilisant plusieurs composés contenant un hydrogène actif dans le premier stade de la polymérisation
B29K 75/00 - Utilisation de polyurées ou de polyuréthanes comme matière de moulage
According to the present invention, a method for manufacturing a polishing pad comprises the steps of: mixing a plurality of polymers so as to generate a urethane prepolymer having a viscosity of 20,000 cps (25°C) to 40,000 cps (25°C); mixing, in the urethane prepolymer, an inert gas and a low-boiling point foaming agent of which the boiling point is 60°C-150°C; and gelling and hardening the generated mixture in a predetermined mold so as to manufacture a polishing layer including porous pores.
The present invention relates to a composition for a synthetic resin sleeper and a method for preparing the same, and more specifically, to a composition for a synthetic resin sleeper which comprises a polyol mixture, isocyanate, a natural reinforcing agent, a silicon foam stabilizer, a foaming agent, and a catalyst, the polyol mixture containing: 1) 40-80 wt% of polyether polyol having functionality of not less than three but less than four; 2) 15-45 wt% of polyether polyol having functionality of not less than four but less than five; 3) 5-20 wt% of polyether polyol having functionality of not less than five but not more than six; and 4) 2-15 wt% of polyester polyol having functionality of two, the polyol mixture having a viscosity of 500-2000 cps (25℃), the natural reinforcing agent including a fiber type or a fabric type, thereby enhancing mechanical strength in an eco-friendly and semi-permanent manner and facilitating the processability and maintenance, and to a method for preparing the same.
E01B 3/44 - Traverses ou longrines; Autres supports de rails reposant directement sur le ballast faites d'autres matériaux, uniquement si ce matériau est essentiel
B21K 7/06 - Fabrication de pièces de chemin de fer; Fabrication de pièces de véhicules de pièces pour la voie de traverses
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Ahn, Bong-Su
Jang, Young-Jun
Jeong, Jin-Su
Lee, Sang-Mok
Song, Kee-Cheon
Kim, Seung-Geun
Seo, Jang-Won
Choo, Jeong-Seon
Kang, Hak-Su
Kong, Gyoung-Pyo
Abrégé
According to the present invention, the method for manufacturing a polishing pad by mixing a polishing layer forming material and solidifying the material through a chemical reaction includes: a step of forming micro organic particles by pulverizing an organic material using a physical method; a step of mixing the micro organic particles formed in the above step with the polishing layer forming material; a step of forming gaseous pores by mixing the mixture obtained in the above step with a pore size-controllable inert gas, a capsule-type foaming agent, or a chemical foaming agent; a step of producing a polishing layer by gelating and curing the mixture obtained in the above step; and a step of distributing the pores through the opening of the gaseous pores on a surface by processing the polishing layer.
B24D 11/00 - Caractéristiques de construction des matériaux abrasifs flexibles; Caractéristiques particulières de la fabrication de ces matériaux
B24D 3/16 - Propriétés physiques des corps ou feuilles abrasives, p.ex. surfaces abrasives de nature particulière; Corps ou feuilles abrasives caractérisés par leurs constituants les constituants étant utilisés comme agglomérants et étant essentiellement inorganiques céramiques, c. à d. agglomérants vitrifiés à structure à grain fin, c. à d. à haute densité
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Ahn, Bong-Su
Jang, Young-Jun
Lee, Sang-Mok
Chung, Hwi-Kuk
Song, Kee-Cheon
Kim, Seung-Geun
Seo, Jang-Won
Choo, Jeong-Seon
Abrégé
The method for manufacturing a polishing pad according to the present invention includes the steps of: mixing materials for forming a polishing layer; forming at least two types of pores by mixing the mixture of the above step with at least two of an inert gas, a capsule type foaming agent, a chemical foaming agent, and a liquid state differential element, each of which has a controllable pore size; manufacturing a polishing layer which includes at least two types of pores by gelating or hardening the mixture which is produced through the above steps; and a step of processing the polishing layer so as to distribute the pores of at least two types on the surface by opening up the pores.
B24D 3/10 - Propriétés physiques des corps ou feuilles abrasives, p.ex. surfaces abrasives de nature particulière; Corps ou feuilles abrasives caractérisés par leurs constituants les constituants étant utilisés comme agglomérants et étant essentiellement inorganiques métalliques à structure poreuse ou alvéolaire, p.ex. pour utiliser avec des diamants en tant qu'abrasifs
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. (République de Corée)
KPX CHEMICAL CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kang, Dong-Min
Bae, Dongchan
Cho, Kyoochul
Choi, Baiksoon
Ahn, Seunghyun
Park, Myungkook
Kim, Goun
Abrégé
Provided are a composition for removing a photoresist and a method of manufacturing a semiconductor device using the composition. The composition includes about 60-90 wt % of dimethyl sulfoxide, about 10-30 wt % of a polar organic solvent, about 0.5-1.5 wt % of hydroxy alkyl ammonium and about 1-10 wt % of an amine containing no hydroxyl group.
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. (République de Corée)
KPX CHEMICAL CO., LTD. (République de Corée)
Inventeur(s)
Kang, Dong-Min
Bae, Dongchan
Cho, Kyoochul
Choi, Baiksoon
Ahn, Seunghyun
Park, Myungkook
Kim, Goun
Abrégé
Provided are a composition for removing a photoresist and a method of manufacturing a semiconductor device using the composition. The composition includes about 60-90 wt % of dimethyl sulfoxide, about 10-30 wt % of a polar organic solvent, about 0.5-1.5 wt % of hydroxy alkyl ammonium and about 1-10 wt % of an amine containing no hydroxyl group.
A composition for etching a silicon oxide layer, a method of etching a semiconductor device, and a composition for etching a semiconductor device including a silicon oxide layer and a nitride layer including hydrogen fluoride, an anionic polymer, and deionized water, wherein the anionic polymer is included in an amount of about 0.001 to about 2 wt % based on the total weight of the composition for etching a silicon oxide layer, and an etch selectivity of the silicon oxide layer with respect to a nitride layer is about 80 or greater.
C09K 13/08 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage contenant un acide inorganique contenant un composé du fluor
C09K 13/00 - Compositions pour l'attaque chimique, la gravure, le brillantage de surface ou le décapage
H01L 21/302 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
24.
Composition for etching silicon oxide and method of forming a contact hole using the same
In a composition for etching silicon oxide, and a method of forming a contact hole using the composition, the composition which includes from about 0.01 to about 2 percent by weight of ammonium bifluoride, from about 2 to about 35 percent by weight of an organic acid, from about 0.05 to about 1 percent by weight of an inorganic acid, and a remainder of a low polar organic solvent. The composition may reduce damages to a metal silicide pattern that may be exposed in an etching process performed for forming the contact hole.
H01L 21/302 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/461 - Traitement de corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer les caractéristiques physiques ou la forme de leur surface, p.ex. gravure, polissage, découpage