Abrégé

System for treating an individual semiconductor wafer, comprising a process chamber having an interior volume, wherein a wafer positioned between first and second bodies in a closed position can be treated via the first and second bodies, wherein the system is configured to limit a net rate of increase of the free volume of the process chamber when the first and second bodies move away from each other so as to reduce their occupancy of the interior volume, wherein the limiting involves causing a third body to move in a direction from an outward position towards an inward position so as to increase its occupancy of the interior volume to compensate for the reduced occupancy of the interior volume by the first and second bodies. Advantageously, an overpressure in the process chamber can be maintained to prevent ingress of contaminants without excessive loss of process gas from the process chamber.

Classes IPC  ?

• H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p. ex. mandrins, pièces de serrage, pinces

Abrégé

An exhaust abatement apparatus comprising housing walls bounding an abatement chamber, and a nozzle extending through one of the housing walls. The nozzle includes a nozzle housing defining an outer channel, and a central pipe at least partially extending in and being concentric with the outer channel and bounding an inner channel. The central pipe has an inner channel outlet which is inside the abatement chamber and is bound by a distal end of the central pipe. The outer channel has an outer channel outlet which is ring-shaped and is bounded by the distal end of the central pipe and a distal end of the nozzle housing. The nozzle further comprises a drag flow interrupter being mounted on the distal end of the nozzle housing and having a transverse dimension which is substantially larger than an outer transverse dimension of the ring-shaped outer channel outlet.

Classes IPC  ?

• B01D 53/72 - Composés organiques non prévus dans les groupes , p. ex. hydrocarbures
• B01D 53/76 - Procédés en phase gazeuse, p. ex. utilisant des aérosols
• B01J 19/14 - Production de mélanges de gaz inertesUtilisation des gaz inertes en général
• B01J 19/26 - Réacteurs du type à injecteur, c.-à-d. dans lesquels la distribution des réactifs de départ dans le réacteur est effectuée par introduction ou injection au moyen d'injecteurs
• B05B 1/00 - Buses, têtes de pulvérisation ou autres dispositifs de sortie, avec ou sans dispositifs auxiliaires tels que valves, moyens de chauffage
• B05B 7/06 - Pistolets pulvérisateursAppareillages pour l'évacuation avec un orifice de sortie en entourant un autre situé approximativement dans le même plan
• B05B 15/16 - Aménagements pour empêcher ou réguler une détérioration structurelle des appareillages de pulvérisation ou de leurs sorties, p. ex. pour rompre à des emplacements souhaitésAménagements pour manipuler ou remplacer des parties détériorées pour empêcher un contact non prévu entre des têtes de pulvérisation ou des buses et des corps étrangers, p. ex. protecteurs de buses
• B05B 15/525 - Aménagements pour le nettoyageAménagements pour empêcher les dépôts, le séchage ou un blocageAménagements pour détecter une évacuation incorrecte en raison de la présence d’un corps étranger pour enlever les particules colmatantes en augmentant la section des orifices d’évacuation
• B05B 15/50 - Aménagements pour le nettoyageAménagements pour empêcher les dépôts, le séchage ou un blocageAménagements pour détecter une évacuation incorrecte en raison de la présence d’un corps étranger

Abrégé

An atomic layer deposition apparatus comprising a first single substrate process chamber, a second single substrate process chamber, and a transfer mechanism configured to transfer the substrate between the first and the second process chamber. Wherein both the first and second single substrate process chambers are bounded by a bottom part and a top part for accommodating a substantially flat substrate between them.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail

Produits et services

Machines for depositing a layer of silicon wafer in the semiconductor industry; industrial robots being electronically controlled apparatus and replacement parts therefore. Semiconductor wafer processing equipment, namely, thermal treatment reactors and chemical vapor deposition reactors, including components and replacement parts therefor.

Abrégé

An atomic layer deposition apparatus comprising a first single substrate process chamber, a second single substrate process chamber, and a transfer mechanism configured to transfer the substrate between the first and the second process chamber. Wherein both the first and second single substrate process chambers are bounded by a bottom part and a top part for accommodating a substantially flat substrate between them.

Classes IPC  ?

• C23C 16/04 - Revêtement de parties déterminées de la surface, p. ex. au moyen de masques
• C23C 16/18 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le dépôt d'un matériau métallique à partir de composés organométalliques
• C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
• C23C 16/46 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour le chauffage du substrat
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
• H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension

Abrégé

sbbss).

Classes IPC  ?

• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail

Abrégé

Disclosed is a process tunnel (102) through which substrates (140) may be transported in a floating condition between two gas bearings (124, 134). To monitor the transport of the substrates through the process tunnel, the upper and lower walls (120, 130) of the tunnel are fitted with at least one substrate detection sensor (S1,...,S6) at a respective substrate detection sensor location, said substrate detection sensor being configured to generate a reference signal reflecting a presence of a substrate between said first and second walls near and/or at said substrate detection sensor location. Also provided is a monitoring and control unit (160) that is operably connected to the at least one substrate detection sensor (S1,...,S6), and that is configured to record said reference signal as a function of time and to process said reference signal.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/52 - Commande ou régulation du processus de dépôt
• C23C 16/54 - Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail
• H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
• C23C 16/40 - Oxydes

Abrégé

A method of contactlessly advancing a substrate (140), comprising: -providing a process tunnel (102), extending in a longitudinal direction and bounded by at least a first (120) and a second (134) wall; -providing first and second gas bearings (124, 134) by providing substantially laterally flowing gas alongside the first and second walls respectively; -bringing about a first longitudinal division of the process tunnel into a plurality of pressure segments (116), wherein the gas bearings (124, 34) in a pressure segment have an average gas pressure that is different from an average gas pressure of the gas bearings in an adjacent pressure segment; -providing a substrate (140) in between the first wall (120) and the second wall (130); and 1 -allowing differences in average gas pressure between adjacent pressure segments (116) to drive the substrate along the longitudinal direction of the process tunnel.

Classes IPC  ?

• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• C23C 16/44 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement
• C23C 16/54 - Appareillage spécialement adapté pour le revêtement en continu
• B65G 51/02 - Transport des objets par écoulement direct de gaz, p. ex. fiches, feuilles, bas, réceptacles, pièces à usiner
• B65G 49/06 - Systèmes transporteurs caractérisés par leur utilisation à des fins particulières, non prévus ailleurs pour des matériaux ou objets fragiles ou dommageables pour des feuilles fragiles, p. ex. en verre
• C03B 35/24 - Transport des feuilles de verre chaud sur un support fluide, p. ex. sur du métal fondu sur un coussin gazeux

Abrégé

A method, comprising: - providing a process space atmosphere at a process space atmosphere pressure; - providing an exterior atmosphere at an exterior atmosphere pressure that is different from the process space atmosphere pressure; - providing a passage via which the exterior atmosphere is in open communication with the process space atmosphere, and via which substrates are exchangeable between the exterior atmosphere and the process space atmosphere; - injecting an exchange fluid into the passage at at least one exchange fluid injection point, so as to effect a flow of exchange fluid that extends through at least a part of the passage, wherein said flow is directed towards - the exterior in case the exterior atmosphere pressure is greater than the process space atmosphere pressure; or - the process space in case the exterior atmosphere pressure is smaller than the process space atmosphere pressure.

Classes IPC  ?

• C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continuDispositifs pour maintenir le vide, p. ex. fermeture étanche
• C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail

Abrégé

An apparatus (100) comprising: - a process tunnel (102) including a lower tunnel wall (120), an upper tunnel wall (130), and two lateral tunnel walls (108), wherein said tunnel walls together bound a process tunnel space (104) that extends in a transport direction (T); - a plurality of gas injection channels (122, 132), provided in both the lower and the upper tunnel wall, wherein the gas injection channels in the lower tunnel wall are configured to provide a lower gas bearing (124), while the gas injection channels in the upper tunnel wall are configured to provide an upper gas bearing (134), said gas bearings being configured to floatingly support and accommodate said substrate there between; and - a plurality of gas exhaust channels (110), provided in both said lateral tunnel walls (108), wherein the gas exhaust channels in each lateral tunnel wall are spaced apart in the transport direction.

Classes IPC  ?

• H01L 21/677 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitementAppareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le transport, p. ex. entre différents postes de travail