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1.
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thalis
| Numéro d'application |
019175289 |
| Statut |
Enregistrée |
| Date de dépôt |
2025-04-18 |
| Date d'enregistrement |
2025-08-13 |
| Propriétaire |
Flexora GmbH (Allemagne)
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| Classes de Nice ? |
- 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
- 11 - Appareils de contrôle de l'environnement
- 42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception
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Produits et services
Temperature sensors; Heat sensors; Thermal sensors [thermostats]; Remote temperature sensors; Coolant-temperature sensors; Sensors for determining temperature; Sensors; Temperature indicators; Electronic sensors; Measurement apparatus; Meters. Temperature sensors [thermostatic valves] for central heating radiators. Calibration [measuring]; Research in measurement technology; Measurement services; Design of measurement systems.
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2.
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Flexora
| Numéro d'application |
018858921 |
| Statut |
Enregistrée |
| Date de dépôt |
2023-04-06 |
| Date d'enregistrement |
2023-07-26 |
| Propriétaire |
Flexora GmbH (Allemagne)
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| Classes de Nice ? |
- 09 - Appareils et instruments scientifiques et électriques
- 11 - Appareils de contrôle de l'environnement
- 38 - Services de télécommunications
- 42 - Services scientifiques, technologiques et industriels, recherche et conception
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Produits et services
Sensors used in plant control; Electric sensors; Internet of Things [IoT] sensors; Sensors. Heat accumulators. Data streaming. Engineering research; Advisory services relating to scientific research; Scientific research and development; Scientific research; Development of industrial machinery.
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3.
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CONTROLLED ORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
| Numéro d'application |
17904270 |
| Statut |
En instance |
| Date de dépôt |
2021-04-22 |
| Date de la première publication |
2023-03-16 |
| Propriétaire |
FLEXORA GMBH (Allemagne)
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| Inventeur(s) |
- Sawatzki, Michael
- Kleemann, Hans
- Leo, Karl
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Abrégé
In various embodiments, there is provided a controlled organic semiconductor device comprising a crystalline first organic semiconductor layer on or over a substrate, the crystalline first organic semiconductor layer having a first conductivity type; and a crystalline second organic semiconductor layer on or over the first organic semiconductor layer, the crystalline second organic semiconductor layer having a second conductivity type, the first conductivity type being different from the second conductivity type.
Classes IPC ?
- H01L 51/05 - Dispositifs à l'état solide qui utilisent des matériaux organiques comme partie active, ou qui utilisent comme partie active une combinaison de matériaux organiques et d'autres matériaux; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de tels dispositifs ou de leurs parties constitutives spécialement adaptés au redressement, à l'amplification, à la génération d'oscillations ou à la commutation et ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface; Condensateurs ou résistances à l'état solide, ayant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
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4.
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Organic thin film transistor and method for producing same
| Numéro d'application |
17418303 |
| Numéro de brevet |
12317665 |
| Statut |
Délivré - en vigueur |
| Date de dépôt |
2020-01-17 |
| Date de la première publication |
2021-12-16 |
| Date d'octroi |
2025-05-27 |
| Propriétaire |
Flexora GmbH (Allemagne)
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| Inventeur(s) |
- Kleemann, Hans
- Park, Seongae
- Vahland, Jörn
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Abrégé
An organic thin film transistor (OTFT), in particular thin-film field-effect transistor (OFET), that includes a substrate, a source electrode, a drain electrode, a gate electrode arranged in a top gate arrangement, and an organic semiconductor functional layer. The source electrode, the drain electrode, and the gate electrode are arranged in a coplanar layer structure. The organic thin-film transistor has an intermediate layer for the capacitive decoupling of the gate electrode from the source electrode and/or from the drain electrode.
Classes IPC ?
- H10K 10/46 - Transistors à effet de champ, p. ex. transistors organiques à couche mince [OTFT]
- H10K 10/84 - Électrodes ohmiques, p. ex. électrodes de source ou de drain
- H10K 10/88 - PassivationConteneursEncapsulations
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