A susceptor for supporting a semiconductor wafer during an epitaxial chemical vapor deposition process, the susceptor defining a wafer diameter, the susceptor includes a substantially cylindrical body portion having opposing upper and lower surfaces. The body portion has a diameter larger than the wafer diameter. The susceptor includes a set of holes circumferentially disposed at a first susceptor diameter, the set of holes is evenly spaced with respect to adjacent holes and extending through the upper and lower surfaces in an area. The first susceptor diameter is larger than the wafer diameter, and holes are omitted along the first diameter in a predetermined orientation.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
2.
A METHOD OF MANUFACTURING SILICON-ON-INSULATOR WAFERS
A method is provided for preparing multilayer semiconductor structures, such as silicon-on-insulator wafers, having reduced warp and bow. Reduced warp multilayer semiconductor structures are prepared by forming a dielectric structure on the exterior surfaces of a bonded pair of a semiconductor device substrate and a semiconductor handle substrate having an intervening dielectric layer therein. Forming a dielectric layer on the exterior surfaces of the bonded pair offsets stresses that may occur within the bulk of the semiconductor handle substrate due to thermal mismatch between the semiconductor material and the intervening dielectric layer as the structure cools from process temperatures to room temperatures.
A process is provided for evaluating oxygen precipitates in a single crystal silicon sample. The process comprises (a) annealing the single crystal silicon sample at a temperature sufficient to selectively grow as-grown oxygen precipitates having a size of about 25 nm or more and selectively dissolve as-grown oxygen precipitates having a size of about 25 nm or less; (b) cooling the single crystal silicon sample at a cooling rate sufficient to inhibit the nucleation of oxygen precipitates having a size of about 25 nm or less; (c) coating a surface of the single crystal silicon sample with a composition containing a metal capable of decorating oxygen precipitates; and (d) annealing the coated single crystal silicon sample at a temperature, for a duration, and in an atmosphere sufficient to decorate the oxygen precipitates in the single crystal silicon sample.
C30B 33/10 - Gravure dans des solutions ou des bains fondus
H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
G01N 21/95 - Recherche de la présence de criques, de défauts ou de souillures caractérisée par le matériau ou la forme de l'objet à analyser
Processes and systems for purifying silane-containing streams and, in particular, for purifying silane-containing streams that also contain ethylene are disclosed. The processes and systems may be arranged such that one or more ethylene reactors are downstream of light-end distillation operations.
Methods are disclosed for determining mounting locations of ingots on a wire saw machine. The methods include measuring a test surface of a test wafer previously sliced by the wire saw machine from a test ingot to calibrate the system. A magnitude and a direction of an irregularity of the measured test surface of the test wafer is then determined. The mounting location is then determined for another ingot to be mounted on the ingot holder based on at least one of the magnitude and direction of the irregularity of the measured test surface of the test wafer.
B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p.ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
6.
CRUCIBLES WITH A REDUCED AMOUNT OF BUBBLES, INGOTS AND WAFERS PRODUCED BY USE OF SUCH CRUCIBLES AND RELATED METHODS
Methods for producing crucibles for holding molten material that contain a reduced amount of gas pockets are disclosed. The methods may involve use of molten silica that may be outgassed prior to or during formation of the crucible. Crucibles produced from such methods and ingots and wafers that are produced from crucibles with a reduced amount of gas pockets are also disclosed.
C30B 35/00 - Appareillages non prévus ailleurs, spécialement adaptés à la croissance, à la production ou au post-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée
7.
CLAMPING APPARATUS FOR CLEAVING A BONDED WAFER STRUCTURE AND METHODS FOR CLEAVING
Apparatus and methods for mechanically cleaving a bonded wafer structure are disclosed. The apparatus and methods involve clamps that grip the bonded wafer structure and are actuated to cause the bonded structure to cleave.
H01L 21/67 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants
8.
DIRECT FORMATION OF GRAPHENE ON SEMICONDUCTOR SUBSTRATES
The invention generally related to a method for preparing a layer of graphene directly on the surface of a semiconductor substrate. The method includes forming a carbon-containing layer on a front surface of a semiconductor substrate and depositing a metal film on the carbon layer. A thermal cycle degrades the carbon-containing layer, which forms graphene directly upon the semiconductor substrate upon cooling. In some embodiments, the carbon source is a carbon-containing gas, and the thermal cycle causes diffusion of carbon atoms into the metal film, which, upon cooling, segregate and precipitate into a layer of graphene directly on the semiconductor substrate.
Process for detecting grown -in -defects in a semiconductor silicon substrate. The process includes contacting a surface of the semiconductor silicon substrate with a gaseous acid in a reducing atmosphere at a temperature and duration sufficient to grow grown-in -defects disposed in the semiconductor silicon substrate to a size capable of being detected by an optical detection device.
Systems and methods are disclosed for connecting an ingot (102) to a wire saw (103) with an ingot holder (110), a bond beam (130), and a bar (150). The bar (150) has an angled mating surface (160) that engages a recessed surface (140) formed in a slot (136) of the bond beam (130). Mechanical fasteners are used to connect the tee bar (150) to the ingot holder (110). The angle of the mating surface (160) with respect to the recessed surface (140) of the slot (136) prevents deformation of the bond beam (130) and prevents compromising the integrity of the adhesive bond between the ingot (102) and the bond beam (130).
B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet
B23D 57/00 - Machines à scier ou dispositifs de sciage non couverts par l'un des groupes
B23Q 1/42 - Supports mobiles ou réglables d'outils ou de pièces caractérisés par des particularités de structure concernant la coopération des organes animés d'un mouvement relatif; Moyens pour empêcher un déplacement relatif de ces organes utilisant des glissières en T, en V, en queue d'aronde ou des glissières similaires
11.
PRODUCTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON BY THE THERMAL DECOMPOSITION OF SILANE IN A FLUIDIZED BED REACTOR
Processes for producing polycrystalline silicon by thermal decomposition of silane are disclosed. The processes generally involve thermal decomposition of silane in a fluidized bed reactor operated at reaction conditions that result in a high rate of productivity relative to conventional production processes.
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solides; Appareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
C01B 33/03 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition d'halogénures de silicium ou de silanes halogénés ou réduction de ceux-ci avec de l'hydrogène comme seul agent réducteur
F23C 10/18 - Appareils dans lesquels la combustion a lieu dans un lit fluidisé de combustible ou d'autres particules - Parties constitutives; Accessoires
C30B 28/14 - Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée directement à partir de l'état gazeux par réaction chimique de gaz réactifs
12.
PRODUCTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON BY THE THERMAL DECOMPOSITION OF SILANE IN A FLUIDIZED BED REACTOR
Processes for producing polycrystalline silicon by thermal decomposition of silane are disclosed. The processes generally involve thermal decomposition of silane in a fluidized bed reactor operated at reaction conditions that result in a high rate of productivity relative to conventional production processes.
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solides; Appareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
C01B 33/03 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition d'halogénures de silicium ou de silanes halogénés ou réduction de ceux-ci avec de l'hydrogène comme seul agent réducteur
F23C 10/18 - Appareils dans lesquels la combustion a lieu dans un lit fluidisé de combustible ou d'autres particules - Parties constitutives; Accessoires
C30B 28/14 - Production de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée directement à partir de l'état gazeux par réaction chimique de gaz réactifs
Methods for producing silane by reacting a hydride and a halosilane are disclosed. Some embodiments involve use of a column which is not mechanically agitated and in which reactants may be introduced in a counter-current arrangement. Some embodiments involve use of a baffled column which has multiple reaction zones.
B01J 8/22 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solides; Appareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées l'agent fluidisant étant un liquide du gaz étant introduit dans le liquide
B01J 10/00 - Procédés chimiques généraux faisant réagir un liquide avec des milieux gazeux autrement qu'en présence de particules solides; Appareillage spécialement adapté à cet effet
B01J 19/00 - Procédés chimiques, physiques ou physico-chimiques en général; Appareils appropriés
B01J 19/18 - Réacteurs fixes avec éléments internes mobiles
14.
SILICON ON INSULATOR STRUCTURES HAVING HIGH RESISTIVITY REGIONS IN THE HANDLE WAFER AND METHODS FOR PRODUCING SUCH STRUCTURES
Silicon on insulator structures having a high resistivity region in the handle wafer of the silicon on insulator structure are disclosed. Methods for producing such silicon on insulator structures are also provided. Exemplary methods involve creating a non-uniform thermal donor profile and/or modifying the dopant profile of the handle wafer to create a new resistivity profile in the handle wafer. Methods may involve one or more SOI manufacturing steps or electronic device (e.g., RF device) manufacturing steps.
Methods for producing silicon on insulator structures with a reduced metal content in the device layer thereof are disclosed. Silicon on insulator structures with a reduced metal content are also disclosed.
H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
Systems and methods are provided for determining the size of particles within a fluidized bed reactor for use with thermally decomposable silicon-containing gas. The pressure of gas adjacent a gas inlet and adjacent a gas outlet of the reactor are measured with pressure sensors. An algorithm is applied to at least one of the pressure measurements to determine the size of particles within the reactor. The determined size of the particles can be used to control the operation of the reactor.
Systems and methods are provided for determining the size of particles within a fluidized bed reactor. The pressure of gas adjacent a gas inlet and adjacent a gas outlet of the reactor are measured with pressure sensors. An algorithm is applied to at least one of the pressure measurements to determine the size of particles within the reactor. The determined size of the particles can be used to control the operation of the reactor. A dosing system and method is provided for measuring defined volumes of particles for transport to the reactor.
Three-dimensional measurement of a crystal being pulled from a crucible is described. A first camera captures a first image of the crystal on a first image plane and a second camera captures a second image of the crystal on a second image plane. A mathematical model of a crystal during crystal growth is generated. The model includes a plurality of model sample points. A crystal growth feature is detected within the first image and the second image. A first error value is determined by comparing the model to the at least one crystal growth feature within the first image and a second error value is determined by comparing the model to the at least one crystal growth feature within the second image. An estimated 3-D metrology value associated with the at least one crystal growth feature is generated by adjusting the mathematical model to minimize the determined first error value and the determined second error value.
C30B 15/26 - Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiré; Commande de la section du cristal en utilisant des détecteurs photographiques ou à rayons X
19.
PRODUCTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON BY THE THERMAL DECOMPOSITION OF DICHLOROSILANE IN A FLUIDIZED BED REACTOR
Processes for producing polycrystalline silicon by thermal decomposition of dichlorosilane are disclosed. The processes generally involve thermal decomposition of dichlorosilane in a fluidized bed reactor operated at reaction conditions that result in a high rate of productivity relative to conventional production processes.
C01B 33/03 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition d'halogénures de silicium ou de silanes halogénés ou réduction de ceux-ci avec de l'hydrogène comme seul agent réducteur
Methods and systems for producing silane that use electrolysis to regenerate reactive components therein are disclosed. The methods and systems may be substantially closed-loop with respect to halogen, an alkali or alkaline earth metal and/or hydrogen.
Production of polycrystalline silicon in substantially closed-loop processes and systems is disclosed. The processes and systems generally involve disproportionation of trichlorosilane to produce silane or dichlorosilane and thermal decomposition of silane or dichlorosilane to produce polycrystalline silicon.
B01D 3/00 - Distillation ou procédés d'échange apparentés dans lesquels des liquides sont en contact avec des milieux gazeux, p.ex. extraction
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solides; Appareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
B01J 19/18 - Réacteurs fixes avec éléments internes mobiles
C01B 33/023 - Préparation par réduction de silice ou d'un matériau contenant de la silice
C01B 33/029 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition de monosilane
A process is disclosed for annealing a single crystal silicon wafer having a front surface and a back surface, and an oxide layer disposed on the front surface of the wafer extending over substantially all of the radial width. The process includes annealing the wafer in an annealing chamber having an atmosphere comprising oxygen. The process also includes maintaining a partial pressure of water slightly above a predetermined value such that the wafer maintains the oxide layer through the annealing process. The annealed front surface is substantially free of boron and phosphorus.
H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
23.
PRODUCTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON BY THE THERMAL DECOMPOSITION OF TRICHLOROSILANE IN A FLUIDIZED BED REACTOR
Processes for producing polycrystalline silicon by thermal decomposition of trichlorosilane are disclosed. The processes generally involve thermal decomposition of trichlorosilane in a fluidized bed reactor operated at reaction conditions that result in a high rate of productivity relative to conventional production processes.
C01B 33/03 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition d'halogénures de silicium ou de silanes halogénés ou réduction de ceux-ci avec de l'hydrogène comme seul agent réducteur
24.
PRODUCTION OF POLYCRYSTALLINE SILICON IN SUBSTANTIALLY CLOSED-LOOP PROCESSES AND SYSTEMS
Production of polycrystalline silicon in a substantially closed-loop process is disclosed. The processes generally include decomposition of trichlorosilane produced from metallurgical grade silicon.
C01B 33/027 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice
C01B 33/03 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition d'halogénures de silicium ou de silanes halogénés ou réduction de ceux-ci avec de l'hydrogène comme seul agent réducteur
C01B 33/039 - Purification par conversion du silicium en un composé, purification éventuelle du composé et reconversion en silicium
Processes and systems for purifying silane-containing streams are disclosed with relatively less silane being lost in impurity streams by use of distillation and/or condensation operations.
Method and systems are provided for retrofitting wafer etching systems. The method and systems use an adapter ring (120) to retrofit wafer etching systems designed for use with multiple piece electrodes such that single piece electrodes can be used in the etching systems. A portion of the adapter ring (120) is disposed in a receptacle formed in a thermal coupled plate (110) in th wafer etching system. Another portion of the adapter ring is positioned in a channel formed in an upper electrode (130).
H01J 37/32 - Tubes à décharge en atmosphère gazeuse
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
27.
SEMICONDUCTOR AND SOLAR WAFERS AND METHOD FOR PROCESSING SAME
A method for manufacturing a silicon-on-insulator structure including a substrate wafer, an active wafer, and an oxide layer between the substrate wafer and the active wafer. The method includes the steps of heat treating the structure, trapezoid grinding edges of the wafer, and grinding a surface of the wafer.
A silicon-on-insulator or bonded wafer includes an upper portion having a trapezoid shape in cross-section and a lower portion having an outer peripheral edge having a curved shape.
A grinding tool for trapezoid grinding of a wafer on a profiling machine includes an annular wheel including a central hole adapted for mounting the wheel on a spindle. The wheel includes at least two grooves disposed at an outer edge of the wheel and the grooves are sized for receiving an outer edge of the wafer. At least one of the grooves is adapted for rough grinding of the wafer. At least one other of the grooves is adapted for fine grinding of the wafer.
B24B 9/06 - Machines ou dispositifs pour meuler les bords ou les biseaux des pièces ou pour enlever des bavures; Accessoires à cet effet caractérisés par le fait qu'ils sont spécialement étudiés en fonction des propriétés de la matière propre aux objets à meuler de matière inorganique non métallique, p.ex. de la pierre, des céramiques, de la porcelaine
Methods and systems are disclosed for performing a passivation process on a silicon-on-insulator wafer in a chamber in which the wafer is cleaved. A bonded wafer pair is cleaved within the chamber to form the silicon-on-insulator (SOI) wafer. A cleaved surface of the SOI wafer is then passivated in-situ by exposing the cleaved surface to a passivating substance. This exposure to a passivating substance results in the formation of a thin layer of oxide on the cleaved surface. The silicon-on-insulator wafer is then removed from the chamber. In other embodiments, the silicon-on-insulator wafer is first transferred to an adjoining chamber where the wafer is then passivated. The wafer is transferred to the adjoining chamber without exposing the wafer to the atmosphere outside the chambers.
A heat exchanger for vaporizing a liquid and a method of using the same are disclosed herein. The heat exchanger includes a housing, a tube, a heater, and a plurality of non-reactive members. The tube is disposed in the interior of the housing and has an inlet and an outlet. The heater is configured to heat the tube. The plurality of non-reactive members are disposed in an interior cavity of the tube in an arrangement such that a plurality of voids are defined between the members and the tube. The arrangement also permits liquid to pass through the voids and travel from the inlet of the tube to the outlet of tube. The plurality of non-reactive members and the tube transfer heat to the liquid as the liquid passes through the plurality of voids in order to vaporize the liquid.
C01B 33/03 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition d'halogénures de silicium ou de silanes halogénés ou réduction de ceux-ci avec de l'hydrogène comme seul agent réducteur
F28D 1/04 - Appareils échangeurs de chaleur comportant des ensembles de canalisations fixes pour une seule des sources de potentiel calorifique, les deux sources étant en contact chacune avec un côté de la paroi de la canalisation, dans lesquels l'autre source d avec des canalisations d'échange de chaleur immergées dans la masse du fluide avec canalisations tubulaires
F28F 1/40 - Eléments tubulaires ou leurs ensembles avec moyens pour augmenter la surface de transfert de chaleur, p.ex. avec des ailettes, avec des saillies, avec des évidements les moyens étant uniquement à l'intérieur de l'élément tubulaire
An angle of repose valve for controlling the flow of granules and a method of repairing a leak in an angle of repose valve are disclosed herein. The angle of repose valve has a housing with an interior cavity, an inlet, and an outlet. A gas is used to convey granules through the valve and the housing has a thickness such that the gas can have a pressure of at least 70 psi. A saddle is disposed in the interior cavity of the housing and is coupled to a rotatable shaft that passes through an opening in the housing. A chevron seal is disposed between the shaft and a sealing member. A compression member is threadably engaged with the sealing member and is operable to exert force on the chevron seal to expand the chevron seal against the shaft and/or the housing to prevent and/or repair leaks of gas therethrough.
F16K 5/00 - Robinets à boisseau consistant seulement en un dispositif obturateur dont au moins une des faces d'obturation a la forme d'une surface de solide de révolution plus ou moins complète, le mouvement d'ouverture et de fermeture étant essentiellement rota
A wafer support ring and a method of using the same are disclosed herein. The support ring supports a wafer during a first processing operation. A top surface of the support ring is in contact with a first plurality of locations on a surface of the wafer during the first processing operation. A second wafer support structure is used to support the wafer during a second processing operation. A top surface of the second wafer support structure is in contact with a second, different plurality of locations on the surface of the wafer during the second processing operation. The wafer support ring may also have an outer lip disposed about an outer periphery of the support ring that has a depth such that it does not form part of the top surface of the support ring.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
34.
HYDROSTATIC PAD PRESSURE MODULATION IN A SIMULTANEOUS DOUBLE SIDE WAFER GRINDER
Systems and methods are disclosed for modulating the hydrostatic pressure in a double side wafer grinder having a pair of grinding wheels. The systems and methods use a processor to measure the amount of electrical current drawn by the grinding wheels. Pattern detection software is used to predict a grinding stage based on the measured electrical current. The hydrostatic pressure is changed by flow control valves at each stage to change the clamping pressure applied to the wafer and to thereby improve nanotopology in the processed wafer.
B24B 7/17 - Machines ou dispositifs conçus pour une seule opération particulière pour meuler des faces d'extrémités de pièces, p.ex. de calibres, de rouleaux, d'écrous ou de segments de piston pour le meulage simultané des faces d'extrémités de pièce opposées et parallèles, p.ex. à disque de meulage double
35.
METHODS FOR REDUCING THE WIDTH OF THE UNBONDED REGION IN SOI STRUCTURES AND WAFERS AND SOI STRUCTURES PRODUCED BY SUCH METHODS
The disclosure relates to preparation of silicon on insulator structures with reduced unbonded regions and to methods for producing such wafers by minimizing the roll-off amount (ROA) of the handle and donor wafers. Methods for polishing wafers are also provided.
Fluidized bed reactor systems and distributors are disclosed as well as processes for producing polycrystalline silicon from a thermally decomposable silicon compound such as trichlorosilane. The processes generally involve reduction of silicon deposits on reactor walls during polycrystalline silicon production by use of a silicon tetrahalide.
B01J 8/02 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solides; Appareillage pour de tels procédés avec des particules immobiles, p.ex. dans des lits fixes
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solides; Appareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
B01J 8/24 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solides; Appareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées selon la technique du "lit fluidisé"
C01B 33/03 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition d'halogénures de silicium ou de silanes halogénés ou réduction de ceux-ci avec de l'hydrogène comme seul agent réducteur
F23C 10/20 - Entrées pour l'air de fluidisation, p.ex. grilles; Soles
F23D 14/22 - Brûleurs à gaz sans prémélangeur, c. à d. dans lesquels le combustible gazeux est mélangé à l'air de combustion à l'arrivée dans la zone de combustion avec des conduits d'alimentation en air et en gaz séparés, p.ex. avec des conduits disposés parallèlement ou se croisant
F27B 15/10 - Aménagement des dispositifs d'alimentation en air ou gaz
Methods for producing aluminum trifluoride by acid digestion of fluoride salts of alkali metal or alkaline earth metal and aluminum, optionally, in the presence of a source of silicon; methods for producing silane that include acid digestion of by-products of silane production to produce aluminum trifluoride.
This invention generally relates to a process for making a multi-layered crystalline structure. The process includes implanting ions into a donor structure, bonding the implanted donor structure to a second structure to form a bonded structure, cleaving the bonded structure, and removing any residual portion of the donor structure from the finished multi-layered crystalline structure.
H01L 21/18 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges les dispositifs ayant des corps semi-conducteurs comprenant des éléments du groupe IV de la classification périodique, ou des composés AIIIBV, avec ou sans impuretés, p.ex. des matériaux de dopage
39.
METHODS FOR PROCESSING SILICON ON INSULATOR WAFERS
Methods are provided for etching and/or depositing an epitaxial layer on a silicon-on-insulator structure comprising a handle wafer, a silicon layer, and a dielectric layer between the handle wafer and the silicon layer. The silicon layer has a cleaved surface defining an outer surface of the structure. The cleaved surface of wafer is then etched while controlling a temperature of the reactor such that the etching reaction is kinetically limited. An epitaxial layer is then deposited on the wafer while controlling the temperature of the reactor such that a rate of deposition on the cleaved surface is kinetically limited.
Methods for producing silicon tetrafluoride by acid digestion of fluoride salts of alkali metal or alkaline earth metal and aluminum, optionally, in the presence of a source of silicon; methods for producing silane that include acid digestion of by-products of silane production to produce silicon tetrafluoride.
A system and a wand are disclosed for the transport of a semiconductor wafer. The system and wand include a plate and a locator. The plate includes a plurality of plate outlets for directing a gas flow against the wafer to hold the wafer using the Bernoulli principle. The locator extends from the plate and includes a locating outlet for directing a gas flow to locate the wafer laterally relative to the plate. The plate outlets and the locating outlet operate to prevent the wafer from contacting the plate or the locator. In some embodiments, a plurality of locators are used to locate the wafer laterally relative to the plate.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
42.
METHODS FOR ANALYSIS OF WATER AND SUBSTRATES RINSED IN WATER
Methods are disclosed for predicting the amount of contaminants deposited on a substrate, such as a semiconductor wafer (W), after contacting the wafer with water in a container. The contaminants may include materials that negatively affect the properties of the wafer even when the amount of contaminants deposited on the surface of the wafer is below the threshold level of detection of known systems. The method includes contacting the wafer with water for a first period of time, the wafer having wafer surfaces, drying the wafer, analyzing the wafer to determine contaminants on the wafer surfaces, and predicting the amount of contaminants deposited on the wafer when contacting the wafer with water for a second period of time shorter than the first period of time.
Methods are disclosed for monitoring the amount of metal contamination imparted during wafer processing operations such as polishing and cleaning. The methods include subjecting a silicon-on-insulator structure to the semiconductor process, precipitating metal contamination in the structure and delineating the metal contaminants.
Systems and methods are provided for processing abrasive slurry used in cutting operations such as slicing a water from a silicon ingot with a wive saw. The slurry is mixed with a first solvent in a tank. The slurry is vibrated and/or ultrasonically agitated such that abrasive grain contained in the slurry separates from the other components of the slurry and the first solvent. After the abrasive grain has settled to a bottom portion of the container, the other components of the slurry and the first solvent are removed from the tank. The abrasive grain may then be washed with a second solvent. The abrasive grain is then heated and is suitable for reuse in an abrasive slurry.
B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet
B28D 5/04 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet par outils autres que ceux du type rotatif, p.ex. par des outils animés d'un mouvement alternatif
B01D 21/28 - Dispositifs mécaniques auxiliaires pour accélérer la sédimentation, p.ex. par des vibrateurs
B24B 55/12 - Dispositifs d'évacuation du nuage d'huile ou de l'agent de refroidissement; Dispositifs pour collecter ou récupérer des matériaux issus du meulage ou du polissage, p.ex. métaux précieux, pierres précieuses, diamants ou similaires
C10M 175/00 - Traitement des lubrifiants usés pour récupérer les produits utiles
B01D 21/00 - Séparation par sédimentation de particules solides en suspension dans des liquides
F26B 3/00 - Procédés de séchage d'un matériau solide ou d'objets impliquant l'utilisation de chaleur
B28D 1/02 - Travail de la pierre ou des matériaux analogues p.ex. briques, béton, non prévu ailleurs; Machines, dispositifs, outils à cet effet par sciage
Systems and methods are disclosed for measuring the weight of an object coupled to a first end of a cable while pulling the object. The cable is routed over a pulley suspended from a load cell. The force exerted by the cable on the pulley is used to calculate the weight of the object. The second end of the cable is coupled to a drum which when rotated pulls the object by wrapping the cable around the drum. An arm is coupled to the pulley at one end and to a frame at another end. A path travelled by the cable between the pulley and the drum is substantially parallel to a longitudinal axis of the arm. Horizontal force components are transmitted by the arm to the frame and do not affect a force measured by the load cell, thus increasing the accuracy of the calculated weight of the object.
G01G 19/18 - Appareils ou méthodes de pesée adaptés à des fins particulières non prévues dans les groupes pour peser des charges suspendues ayant des dispositifs électriques sensibles au poids
C30B 15/28 - Stabilisation, ou commande de la forme, de la zone fondue au voisinage du cristal tiré; Commande de la section du cristal en utilisant le changement de poids du cristal ou du bain fondu, p.ex. par les méthodes de flottation
G01G 23/12 - Moyens pour amortir les oscillations, p.ex. de fléaux de pesée spécialement adaptés pour empêcher des oscillations dues au mouvement de la charge
46.
PROCESSES AND SYSTEMS FOR PRODUCING SILICON TETRAFLUORIDE FROM FLUOROSILICATES IN A FLUIDIZED BED REACTOR
Processes and systems for preparing silicon tetrafluoride by the thermal decomposition of an alkali or alkaline earth-metal fluorosilicate in a fluidized bed reactor. A portion of silicon tetrafluoride that is generated in the decomposition reaction may be recycled to the reactor and used as a fluidizing gas to suspend the fluorosilicate material. Alkali or alkaline earth-metal fluoride residue generated in the decomposition reaction may be discharged from the reactor and reacted with fluorosilicic acid to produce an alkali or alkaline earth-metal fluorosilicate that may be introduced to the reactor for further generation of silicon tetrafluoride.
A method is disclosed for processing the cleaved surface of a silicon-on-insulator structure. The silicon-on-insulator structures comprises a handle wafer, a silicon layer, and a dielectric layer between the handle wafer and the silicon layer. The silicon layer has a cleaved surface defining an outer surface of the structure. The methods disclosed include an etching process to reduce the time and cost required to process the silicon-on-insulator structure to remove the surface damage and defects formed when a portion of the donor wafer is separated along a cleave plane from the silicon-on-insulator structure. The method includes, annealing the structure, etching the cleaved surface, and performing a non-contact smoothing process on the cleaved surface.
A method and a system are described herein for applying etchant to edges of a plurality of wafers. The system includes a sump configured for holding etchant, a roller having an outer surface in fluid communication with the sump and configured to have etchant thereon, a wafer cassette configured to retain wafers positioned therein so that edges of the wafers are in contact with the roller. The cassette permits axial rotation of the wafers about an axis. A method of applying etchant to the edge of the wafer includes placing the wafer edge in contact with the roller and rotating the roller about a longitudinal axis of the roller. At least a portion of the roller contact an etchant contained in a sump during rotation so that etchant is applied to the wafer edge.
H01L 21/04 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives les dispositifs présentant au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface, p.ex. une jonction PN, une région d'appauvrissement, ou une région de concentration de porteurs de charges
H01L 21/02 - Fabrication ou traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou de leurs parties constitutives
49.
SUPPORT FOR A SEMICONDUCTOR WAFER IN A HIGH TEMPERATURE ENVIRONMENT
A wafer support for supporting a semiconductor wafer during a process including varied temperature. The wafer support includes a body having a top surface adapted to receive the semiconductor wafer so a portion of the top surface supports the wafer. The top surface has a recessed area including an inclined surface rising from a bottom of the recessed area. The inclined surface has an incline angle that is no more than about ten degrees.
H01L 21/683 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
H01L 21/324 - Traitement thermique pour modifier les propriétés des corps semi-conducteurs, p.ex. recuit, frittage
50.
WAFER HOLDER FOR SUPPORTING A SEMICONDUCTOR WAFER DURING A THERMAL TREATMENT PROCESS
A wafer holder for holding a semiconductor wafer during a thermal wafer treatment process. The wafer holder includes at least three wafer supports. Each wafer support includes an upright shaft and a plurality of flexible fibers supported by the shaft in positions such that at least some of the fibers engage the semiconductor wafer when the wafer rests on the wafer supports.
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
51.
BULK SILICON WAFER PRODUCT USEFUL IN THE MANUFACTURE OF THREE DIMENSIONAL MULTIGATE MOSFETS
A method for preparing a semiconductor structure for use in the manufacture of three dimensional transistors, the structure comprising a silicon substrate and an epitaxial layer, the epitaxial layer comprising an endpoint detection epitaxial region comprising an endpoint detection impurity selected from the group consisting of carbon, germanium, or a combination.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
52.
METHOD AND DEVICE FOR CONTINUOUSLY MEASURING SILICON ISLAND ELEVATION
A method of continuously measuring an elevation and shape of an unmelted polycrystalline silicon island during a silicon meltdown process. The method comprises projecting a focused bright light on the silicon island to produce a bright dot on the silicon island. The method also includes electronically determining an elevation and a shape of the silicon island by tracking the bright dot during the meltdown process.
Controlling crystal growth in a crystal growing system is described. The crystal growing system includes a heated crucible including a semiconductor melt from which a monocrystalline ingot is grown according to a Czochralski and the ingot is grown on a seed crystal pulled from the melt. The method includes applying a cusped magnetic field to the melt by supplying an upper coil with a first direct current (IUDC) and supplying a lower coil with a second direct current (ILDC). The method also includes supplying the upper coil with a first alternating current (IUAC) and supplying the lower coil with a second alternating current (ILAC) to generate a time-varying magnetic field, wherein the time-varying magnetic field generates a pumping force in the semiconductor melt.
A support for a semiconductor wafer includes a plate having a support surface for supporting the wafer and a recessed surface spaced from the support surface and spaced from the wafer. A plurality of holes extends from the recessed surface, and the support surface is free of holes to inhibit contamination of the wafer.
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
55.
CONTROLLING A MELT-SOLID INTERFACE SHAPE OF A GROWING SILICON CRYSTAL USING AN UNBALANCED MAGNETIC FIELD AND ISO-ROTATION
A system for growing silicon crystals that facilitates controlling a shape of a melt-solid interface is described. The crystal growing system includes a heated crucible including a semiconductor melt from which a monocrystalline ingot is grown according to a Czochralski process. The ingot is grown on a seed crystal pulled from the melt. The method includes applying an unbalanced cusped magnetic field to the melt, and rotating the ingot and the crucible in the same direction while the ingot is being pulled from the melt.
C30B 15/30 - Mécanismes pour faire tourner ou pour déplacer soit le bain fondu, soit le cristal
C30B 30/04 - Production de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminée, caractérisée par l'action de champs électriques ou magnétiques, de l'énergie ondulatoire ou d'autres conditions physiques spécifiques en utilisant des champs magnétiques
Gas distribution units of fluidized bed reactors are configured to direct thermally decomposable compounds to the center portion of the reactor and away from the reactor wall to prevent deposition of material on the reactor wall and process for producing polycrystalline silicon product in a reactor that reduce the amount of silicon which deposits on the reactor wall.
B01J 8/18 - Procédés chimiques ou physiques en général, conduits en présence de fluides et de particules solides; Appareillage pour de tels procédés les particules étant fluidisées
C01B 33/029 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition de monosilane
C01B 33/03 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition d'halogénures de silicium ou de silanes halogénés ou réduction de ceux-ci avec de l'hydrogène comme seul agent réducteur
57.
METHODS FOR INCREASING POLYCRYSTALLINE SILICON REACTOR PRODUCTIVITY BY RECYCLE OF SILICON FINES
Processes for producing polycrystalline silicon include contacting silicon particles with a thermally decomposable silicon compound in a reaction chamber. A portion of the silicon decomposable compound decomposes to produce silicon dust which is discharged from and reintroduced into the reaction chamber. The discharged silicon dust agglomerates with the silicon particles.
C01B 33/029 - Préparation par décomposition ou réduction de composés de silicium gazeux ou vaporisés autres que la silice ou un matériau contenant de la silice par décomposition de monosilane
58.
SEMICONDUCTOR WAFER POLISHING APPARATUS AND METHOD OF POLISHING
A wafer polishing apparatus has a base (23) and a turntable (27) having a polishing pad (29) thereon and mounted on the base (23) for rotation of the turntable (27) and polishing pad (29) relative to the base (23) about an axis perpendicular to the turntable and polishing pad. The polishing pad (29) includes a work surface engageable with a front surface of a wafer for polishing the front surface of the wafer. A drive mechanism (45) is mounted on the base for imparting rotational motion about an axis substantially parallel to the axis of the turntable. A polishing head (63) is connected to the drive mechanism (45) for driving rotation of the polishing head. The polishing head (45) has a pressure plate (115) adapted to hold the wafer for engaging the front surface of the wafer with the work surface of the polishing pad (29). The pressure plate (115) has a generally planar position and is selectively movable from the planar position to a convex position and to a concave position.
The present disclosure generally relates to the manufacture of silicon wafers, and more particularly to edge etching apparatus and methods for etching the edge of a silicon wafer.
H01L 21/302 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour changer leurs caractéristiques physiques de surface ou leur forme, p.ex. gravure, polissage, découpage
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
H01L 21/306 - Traitement chimique ou électrique, p.ex. gravure électrolytique
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
60.
CARBON NANOTUBE REINFORCED WIRESAW BEAM USED IN WIRESAW SLICING OF INGOTS INTO WAFERS
A wiresaw beam for use in an apparatus for slicing wafers from an ingot, such as semiconductor wafers from a single crystal ingot or a polycrystalline silicon ingot. The wiresaw beam may be made from a polymer composite material comprising a thermoset polymer resin and carbon nanotubes.
B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet
61.
NANOTOPOGRAPHY CONTROL AND OPTIMIZATION USING FEEDBACK FROM WARP DATA
Processing a wafer using a double side grinder (101) having a pair of grinding wheels (209). Warp data is obtained by a warp measurement device (103) for measuring warp of a wafer as ground by the double side grinder (101). The warp data is received and a nanotopography of the wafer is predicted based on the received warp data. A grinding parameter is determined based on the predicted nanotopography of the wafer. Operation of the double side grinder (101) is adjusted based on the determined grinding parameter.
B24B 37/04 - Machines ou dispositifs de rodage; Accessoires conçus pour travailler les surfaces planes
B24B 49/03 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage comparant la cote instantanée de la pièce travaillée à la cote cherchée, la mesure ou le calibrage étant continus ou intermittents fonctionnant selon la cote finale de la pièce précédemment rectifiée
B24B 51/00 - Systèmes pour la commande automatique d'une série d'opérations successives du meulage d'une pièce
A susceptor for supporting a semiconductor wafer during a chemical vapor deposition process includes a body having opposing upper and lower surfaces. Support bosses extend downward from the lower face of the body. Each support boss has a boss opening sized and shaped for receiving a support post of a chemical vapor deposition device to mount the susceptor on the support post.
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
A barrel susceptor for supporting semiconductor wafers in a heated chamber having an interior space. Each of the wafers has a front surface, a back surface and a circumferential side. The susceptor includes a body having a plurality of faces arranged around an imaginary central axis of the body. Each face has an outer surface and a recess extending laterally inward into the body from the outer surface. Each recess is surrounded by a rim defining the respective recess. The susceptor also includes a plurality of ledges extending outward from the body. Each of the ledges is positioned in one of the recesses and includes an upward facing support surface for supporting a semiconductor wafer received in the recess. Each of the support surfaces is separate from the outer surface of the respective face.
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
64.
REDUCTION OF AIR POCKETS IN SILICON CRYSTALS BY AVOIDING THE INTRODUCTION OF NEARLY INSOLUBLE GASES INTO THE MELT
A process is provided for controlling the amount of insoluble gas carried by a charge of granular polycrystalline silicon. The process comprises (i) charging a feeding container with granular polycrystalline silicon, (ii) forming an ambient atmosphere in the feeding container, the ambient atmosphere having a mole fraction of at least 0.9 of a gas having a solubility in molten silicon of at least about 5x1013 atoms/cm3 at a temperature near the melting point of silicon and at a pressure of about 1 bar (about 100 kPa), and (iii) reducing the pressure inside the charged feeding container.
C30B 15/02 - Croissance des monocristaux par tirage hors d'un bain fondu, p.ex. méthode de Czochralski en introduisant dans le matériau fondu le matériau à cristalliser ou les réactifs le formant in situ
Processes for purifying silicon tetrafluoride source gas by subjecting the source gas to one or more purification processes including: contacting the silicon tetrafluoride source gas with an ion exchange resin to remove acidic contaminants, contacting the silicon tetrafluoride source gas with a catalyst to remove carbon monoxide, by removal of carbon dioxide by use of an absorption liquid, and by removal of inert compounds by cryogenic distillation; catalysts suitable for removal of carbon monoxide from silicon tetrafluoride source gas and processes for producing such catalysts.
B01J 35/10 - Catalyseurs caractérisés par leur forme ou leurs propriétés physiques, en général solides caractérisés par leurs propriétés de surface ou leur porosité
B01J 37/02 - Imprégnation, revêtement ou précipitation
66.
METHOD FOR TREATMENT OF A GAS STREAM CONTAINING SILICON TETRAFLUORIDE AND HYDROGEN CHLORIDE
The present invention is directed to a method for treatment of a gas stream comprising silicon tetrafluoride and hydrogen chloride. For example, the present invention is directed to a method for treatment of such a gas stream that involves contacting the gas stream with a metal that reacts with the hydrogen chloride to provide a treated gas stream having reduced hydrogen chloride content. The present invention is further directed to methods for subjecting silicon tetrafluoride and hydrogen chloride-containing gas streams to elevated pressure to provide gas streams suitable for transport.
This invention generally relates to a process for suppressing silicon self-interstitial diffusion near the substrate/epitaxial layer interface of an epitaxial silicon wafer having a heavily doped silicon substrate and a lightly doped silicon epitaxial layer. Interstitial diffusion into the epitaxial layer is suppressed by a silicon self-interstitial sink layer comprising dislocation loops.
H01L 21/22 - Diffusion des impuretés, p.ex. des matériaux de dopage, des matériaux pour électrodes, à l'intérieur ou hors du corps semi-conducteur, ou entre les régions semi-conductrices; Redistribution des impuretés, p.ex. sans introduction ou sans élimination de matériau dopant supplémentaire
H01L 21/20 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
68.
SUPPRESSION OF OXYGEN PRECIPITATION IN HEAVILY DOPED SINGLE CRYSTAL SILICON SUBSTRATES
This invention generally relates to a process for suppressing oxygen precipitation in epitaxial silicon wafers having a heavily doped silicon substrate and a lightly N-doped silicon epitaxial layer by dissolving existing oxygen clusters and precipitates within the substrate. Furthermore, the formation of oxygen precipitates is prevented upon subsequent oxygen precipitation heat treatment.
H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
69.
SUSCEPTOR FOR IMPROVING THROUGHPUT AND REDUCING WAFER DAMAGE
A susceptor for supporting a semiconductor wafer in a heated chamber having an interior space. The susceptor includes a body having an upper surface and a lower surface opposite the upper surface. The susceptor also has a recess extending downward from the upper surface into the body along an imaginary central axis. The recess is sized and shaped for receiving the semiconductor wafer therein. The susceptor includes a plurality of lift pin openings extending through the body from the recess to the lower surface. Each of the lift pin openings is sized for accepting lift pins to selectively lift and lower the wafer with respect to the recess. The susceptor has a central opening extending through the body along the central axis from the recess to the lower surface.
H01L 21/68 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le positionnement, l'orientation ou l'alignement
This invention generally relates to a strained silicon on insulator (SSOI) structure, and to a process for making the same. The process includes forming a thin SiO2 layer on a strained silicon layer after it is formed on the donor wafer and before bonding to the handle wafer.
A platform for supporting a semiconductor wafer includes a body with channel having spaced apart first and second edge margins in contiguous relationship with a top surface of the body. At least one of the edge margins is generally convex along at least a portion of the channel.
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
H01L 21/687 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants pour le maintien ou la préhension en utilisant des moyens mécaniques, p.ex. mandrins, pièces de serrage, pinces
73.
CONTROLLING AGGLOMERATED POINT DEFECT AND OXYGEN CLUSTER FORMATION INDUCED BY THE LATERAL SURFACE OF A SILICON SINGLE CRYSTAL DURING CZ GROWTH
The present invention relates to a process for preparing a single crystal silicon ingot, as well as to the ingot or wafer resulting therefrom. In one embodiment, the process comprises controlling the growth velocity, v, and the effective or corrected axial temperature gradient, as defined herein, such that, within a given segment of the ingot, the ratio v/Geffective, or v/Gcorrected, is substantially near the critical value thereof over a substantial portion of the radius of that segment, and controlling the cooling rate of the segment between (i) solidification and about 1250 °C, and (ii) about 1250 °C and about 1000 °C, in order to manipulate the effect of the lateral incorporation of intrinsic point defects therein, and thus limit the formation of agglomerated intrinsic point defects and/or oxygen precipitate clusters in a ring extending radially inward from about the lateral surface of the ingot segment. In this or an alternative embodiment, the axial temperature gradient and/or the melt/solid interface may be controlled in order to limit the formation of agglomerated intrinsic point defects and/or oxygen precipitate clusters in the ring.
A double side grinder comprises a pair of grinding wheels and a pair of hydrostatic pads operable to hold a flat workpiece (e.g., semiconductor wafer) so that part of the workpiece is positioned between the grinding wheels and part of the workpiece is positioned between the hydrostatic pads. At least one sensor measures a distance between the workpiece and the respective sensor for assessing nanotopology of the workpiece. In a method of the invention, a distance to the workpiece is measured during grinding and used to assess nanotopology of the workpiece. For instance, a finite element structural analysis of the workpiece can be performed using sensor data to derive at least one boundary condition. The nanotopology assessment can begin before the workpiece is removed from the grinder, providing rapid nanotopology feedback. A spatial filter can be used to predict the likely nanotopology of the workpiece after further processing.
B24B 49/00 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage
B24B 49/02 - Appareillage de mesure ou de calibrage pour la commande du mouvement d'avance de l'outil de meulage ou de la pièce à meuler; Agencements de l'appareillage d'indication ou de mesure, p.ex. pour indiquer le début de l'opération de meulage comparant la cote instantanée de la pièce travaillée à la cote cherchée, la mesure ou le calibrage étant continus ou intermittents
H01L 21/304 - Traitement mécanique, p.ex. meulage, polissage, coupe
75.
SILICON STRUCTURES WITH IMPROVED RESISTANCE TO RADIATION EVENTS
A silicon structure with improved protection against failures induced by excess radiation-induced charge carrier migration from the bulk region into the near-surface region. The structure comprises bulk and near-surface regions that are doped with a dopant, wherein the concentration in the near-surface region is at least 10 times the maximum concentration, c, of dopant in the bulk region. The structure further comprises a transition region between the bulk and near-surface regions extending less than about 1 쎽m from the near-surface region toward the central plane.
H01L 21/265 - Bombardement par des radiations ondulatoires ou corpusculaires par des radiations d'énergie élevée produisant une implantation d'ions
H01L 21/322 - Traitement des corps semi-conducteurs en utilisant des procédés ou des appareils non couverts par les groupes pour modifier leurs propriétés internes, p.ex. pour produire des défectuosités internes
H01L 23/556 - Protection contre les radiations, p.ex. la lumière contre les rayons alpha
H01L 29/16 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, mis à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, seulement des éléments du groupe IV de la classification périodique, sous forme non combinée
H01L 29/32 - Corps semi-conducteurs ayant des surfaces polies ou rugueuses les défectuosités étant à l'intérieur du corps semi-conducteur
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H01L 21/205 - Dépôt de matériaux semi-conducteurs sur un substrat, p.ex. croissance épitaxiale en utilisant la réduction ou la décomposition d'un composé gazeux donnant un condensat solide, c. à d. un dépôt chimique
76.
SEMICONDUCTOR WAFER WITH HIGH THERMAL CONDUCTIVITY
This invention generally relates to an epitaxial silicon semiconductor wafer with increased thermal conductivity to transfer heat away from a device layer, while also having resistance to common failure mechanisms, such as latch-up failures and radiation event failures. The semiconductor wafer comprises a lightly-doped device layer, a highly-doped protective layer, and a lightly-doped substrate. The invention is also directed to a process for forming such an epitaxial silicon wafer.
H01L 27/02 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface
H01L 29/36 - Corps semi-conducteurs caractérisés par la concentration ou la distribution des impuretés
H01L 31/0352 - Dispositifs à semi-conducteurs sensibles aux rayons infrarouges, à la lumière, au rayonnement électromagnétique d'ondes plus courtes, ou au rayonnement corpusculaire, et spécialement adaptés, soit comme convertisseurs de l'énergie dudit rayonnement e; Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de ces dispositifs ou de leurs parties constitutives; Leurs détails caractérisés par leurs corps semi-conducteurs caractérisés par leur forme ou par les formes, les dimensions relatives ou la disposition des régions semi-conductrices
77.
WIRE SAW INGOT SLICING SYSTEM AND METHOD WITH INGOT PREHEATING, WEB PREHEATING, SLURRY TEMPERATURE CONTROL AND/OR SLURRY FLOW RATE CONTROL
A system and method for slicing an ingot into wafers using the wire saw process. A slurry collection system collects and supplies slurry to a slurry handling system for controlling temperatures and/or flow rates of the slurry thereby providing slurry output at a controlled temperature and/or a controlled flow rate to slicing system for cutting the ingot, which may be preheated.
B28D 5/00 - Travail mécanique des pierres fines, pierres précieuses, cristaux, p.ex. des matériaux pour semi-conducteurs; Appareillages ou dispositifs à cet effet
78.
ARSENIC AND PHOSPHORUS DOPED SILICON WAFER SUBSTRATES HAVING INTRINSIC GETTERING
A process for the preparation of low resistivity arsenic or phosphorous doped (N+/N++) silicon wafers which, during the heat treatment cycles of essentially any arbitrary electronic device manufacturing process, reliably form oxygen precipitates.
The present invention is directed to a strained silicon on insulator (SSOI) structure having improved surface characteristics, such as reduced roughness, low concentration of LPDs, and lower contamination, and a method for making such a structure.
H01L 27/12 - Dispositifs consistant en une pluralité de composants semi-conducteurs ou d'autres composants à l'état solide formés dans ou sur un substrat commun comprenant des éléments de circuit passif intégrés avec au moins une barrière de potentiel ou une barrière de surface le substrat étant autre qu'un corps semi-conducteur, p.ex. un corps isolant
80.
STRAINED SILICON ON INSULATOR (SSOI) STRUCTURE WITH IMPROVED CRYSTALLINITY IN THE STRAINED SILICON LAYER
This invention generally relates to strained silicon on insulator (SSOI) structure, and to a process for making the same. The process includes a high temperature thermal anneal of a SSOI structure to improve the crystallinity of the strained silicon layer, while maintaining the strain present therein.
The present invention generally relates to a high resistivity CZ silicon wafer, or a high resistivity silicon structure derived therefrom, and a process for the preparation thereof. In particular, the high resistivity silicon structure comprises a large diameter CZ silicon wafer as the substrate thereof, wherein the resistivity of the substrate wafer is decoupled from the concentration of acceptor atoms (e.g., boron) therein, the resistivity of the substrate being substantially greater than the resistivity as calculated based on the concentration of said acceptor atoms therein.
A wafer boat (1) for use in heat treatment of semiconductor wafers in a vertical furnace comprises support rods (3) extending generally vertically when the wafer boat is placed in the vertical furnace. Fingers (13) are supported by and extend along vertical extent of the support rods. Wafer holder platforms are adapted to be supported by groups of fingers lying in generally different common horizontal planes. The fingers are adapted to underlie the wafer holder platforms and support the platforms at the support locations. The fingers and wafer holder platforms each have a respective first overall maximum thickness. The support location of at least one of the fingers and the wafer holder platforms have a second maximum thickness less than the first overall maximum thickness.
C23C 16/458 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour supporter les substrats dans la chambre de réaction
H01L 21/673 - Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide pendant leur fabrication ou leur traitement; Appareils spécialement adaptés pour la manipulation des plaquettes pendant la fabrication ou le traitement des dispositifs à semi-conducteurs ou des dispositifs électriques à l'état solide ou de leurs composants utilisant des supports spécialement adaptés
C23C 16/455 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD) caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour introduire des gaz dans la chambre de réaction ou pour modifier les écoulements de gaz dans la chambre de réaction
C23C 16/00 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c. à d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur (CVD)
brevets