Disinfectant apparatus for medical purposes; Disinfecting ultraviolet lamps housed in a container or cover for disinfecting objects placed therein; Air sterilisers; Air sterilising apparatus; Air sterilizers; Air sterilizers for household purposes; Air sterilizing apparatus; Dish sterilizers; Sanitizing apparatus for linens using ultraviolet light, ozone sterilization and low pressure techniques; Shoe sterilizers for household purposes; Water sterilisers; Water sterilizers; Water treatment equipment, namely, ultraviolet sterilization units; all the foregoing for preventing the transmission of the coronavirus and other pathogens
The present disclosure generally relates to systems and methods for growing group III-V nitride crystals. In particular the systems and methods include diffusing constituent species of the crystals through a porous body composed of the constituent species, where the species freely nucleate to grow large nitride crystals.
The disclosure provides an insulated metal substrate (IMS) including a substrate having a first side and a second side. The IMS may also include a first dielectric layer on the first side of the substrate. The dielectric layer may include a metal-based oxynitride and/or a metalloid-based oxynitride layer, oxygen is from 0.1 at% to 49.9 at%, nitrogen is from 0.1 at% to 49.9 at% and a sum of oxygen and nitrogen is about 50 at%. The first dielectric layer comprises a material selected from a group consisting of aluminum oxynitride (AION), aluminum oxyhydronitride (AIHON), aluminum oxycarbonitride (AICON), SiGeON, GaON, SiON, and GeON. The substrate comprises one of Cu, Al, AISi, C-AI, W-Cu, or Ti.
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
C23C 16/30 - Dépôt de composés, de mélanges ou de solutions solides, p. ex. borures, carbures, nitrures
H01L 23/14 - Supports, p. ex. substrats isolants non amovibles caractérisés par le matériau ou par ses propriétés électriques
The present disclosure generally relates to systems and methods for growing and preferentially volumetrically enhancing group III-V nitride crystals. In particular the systems and methods include diffusing constituent species of the crystals through a porous body composed of the constituent species, where the species freely nucleate to grow large nitride crystals. The systems and methods further include using thermal gradients and/or chemical driving agents to enhance or limit crystal growth in one or more planes.
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
C30B 25/00 - Croissance des monocristaux par réaction chimique de gaz réactifs, p. ex. croissance par dépôt chimique en phase vapeur
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
The present disclosure generally relates to systems and methods for growing group III-V nitride crystals. In particular the systems and methods include diffusing constituent species of the crystals through a porous body composed of the constituent species, where the species freely nucleate to grow large nitride crystals.
C03B 25/12 - Recuisson des articles de verre en continu avec déplacement vertical des produits en verre des feuilles de verre
H01L 33/32 - Matériaux de la région électroluminescente contenant uniquement des éléments du groupe III et du groupe V de la classification périodique contenant de l'azote
H01L 31/0304 - Matériaux inorganiques comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
The present disclosure generally relates to systems and methods for growing group III-V nitride crystals. In particular the systems and methods include diffusing constituent species of the crystals through a porous body composed of the constituent species, where the species freely nucleate to grow large nitride crystals.
C23C 14/06 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le matériau de revêtement
C23C 14/22 - Revêtement par évaporation sous vide, pulvérisation cathodique ou implantation d'ions du matériau composant le revêtement caractérisé par le procédé de revêtement
H01J 27/04 - Sources d'ionsCanons à ions utilisant une décharge réflex, p. ex. sources d'ions Penning
H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p. ex. implantation d'ions
C23C 14/56 - Appareillage spécialement adapté au revêtement en continuDispositifs pour maintenir le vide, p. ex. fermeture étanche
C23C 14/32 - Évaporation sous vide par explosionÉvaporation sous vide par évaporation suivie d'une ionisation des vapeurs
8.
INORGANIC MATERIALS, METHODS AND APPARATUS FOR MAKING SAME, AND USES THEREOF
H01J 37/317 - Tubes à faisceau électronique ou ionique destinés aux traitements localisés d'objets pour modifier les propriétés des objets ou pour leur appliquer des revêtements en couche mince, p. ex. implantation d'ions
C23C 14/32 - Évaporation sous vide par explosionÉvaporation sous vide par évaporation suivie d'une ionisation des vapeurs
C23C 16/452 - Revêtement chimique par décomposition de composés gazeux, ne laissant pas de produits de réaction du matériau de la surface dans le revêtement, c.-à-d. procédés de dépôt chimique en phase vapeur [CVD] caractérisé par le procédé de revêtement caractérisé par le procédé utilisé pour produire des courants de gaz réactifs, p. ex. par évaporation ou par sublimation de matériaux précurseurs par activation de courants de gaz réactifs avant l'introduction dans la chambre de réaction, p. ex. par ionisation ou par addition d'espèces réactives
9.
Process for high-pressure nitrogen annealing of metal nitrides
The disclosure provides a process to anneal group III-V metal nitride crystals, wafers, epitaxial layers, and epitaxial films to reduce nitrogen vacancies. In particular, the disclosure provides a process to perform slow annealing of the group III-V metal nitrides in a high temperature and high pressure environment.
H01L 21/00 - Procédés ou appareils spécialement adaptés à la fabrication ou au traitement de dispositifs à semi-conducteurs ou de dispositifs à l'état solide, ou bien de leurs parties constitutives
10.
DEVICE AND METHOD FOR PRODUCING BULK SINGLE CRYSTALS
The disclosure provides a device and method used to produce bulk single crystals. In particular, the disclosure provides a device and method used to produce bulk single crystals of a metal compound by an elemental reaction of a metal vapor and a reactant gas by an elemental reaction of a metal vapor and a reactant gas.
The disclosure provides a device and method used to produce bulk single crystals. In particular, the disclosure provides a device and method used to produce bulk single crystals of a metal compound by an elemental reaction of a metal vapor and a reactant gas by an elemental reaction of a metal vapor and a reactant gas.
The disclosure provides a process to anneal group III-V metal nitride crystals, wafers, epitaxial layers, and epitaxial films to reduce nitrogen vacancies. In particular, the disclosure provides a process to perform slow annealing of the group III-V metal nitrides in a high temperature and high pressure environment.
H01L 29/20 - Corps semi-conducteurs caractérisés par les matériaux dont ils sont constitués comprenant, à part les matériaux de dopage ou autres impuretés, uniquement des composés AIIIBV
