- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 1/12 - Croissance des monocristaux à partir de l'état solide par traitement sous pression pendant la croissance
Détention brevets de la classe C30B 1/12
Brevets de cette classe: 34
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
Proprétaire |
Total
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Cette classe
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NGK Insulators, Ltd. | 4817 |
4 |
Rutgers, The State University of New Jersey | 1857 |
3 |
Universal Matter Inc. | 17 |
2 |
Canon Inc. | 38762 |
1 |
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 5511 |
1 |
Rolls-Royce PLC | 3006 |
1 |
Commissariat à l'énergie atomique et aux energies alternatives | 10707 |
1 |
Purdue Research Foundation | 3508 |
1 |
Ceracomp Co., Ltd. | 24 |
1 |
Circassia Limited | 39 |
1 |
Disco Corporation | 1827 |
1 |
First Solar, Inc. | 507 |
1 |
Leibniz-institut fur Festkorper-und Werkstoffforschung Dresden e.V. | 63 |
1 |
National Institute for Materials Science | 1104 |
1 |
Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | 132 |
1 |
Rolls-Royce Deutschland Ltd & Co KG | 800 |
1 |
Worcester Polytechnic Institute | 483 |
1 |
Element Six (UK) Limited | 206 |
1 |
Circassia Pharmaceuticals plc | 3 |
1 |
SLT Technologies, Inc. | 129 |
1 |
Autres propriétaires | 8 |