- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 13/14 - Creusets ou récipients
Détention brevets de la classe C30B 13/14
Brevets de cette classe: 27
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Korea Institute of Energy Research | 902 |
5 |
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 6134 |
2 |
| Northwestern University | 3567 |
2 |
| Crystal Systems Corporation | 19 |
2 |
| X-Energy, LLC. | 70 |
2 |
| Sumitomo Electric Industries, Ltd. | 16345 |
1 |
| Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1179 |
1 |
| Corning Incorporated | 10532 |
1 |
| Sumitomo Chemical Company, Limited | 8967 |
1 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3790 |
1 |
| Access e.V. | 2 |
1 |
| BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. | 1930 |
1 |
| Carnegie Mellon University | 1647 |
1 |
| Globalwafers Co., Ltd. | 732 |
1 |
| Mitsubishi Materials Electronic Chemicals Co., Ltd. | 142 |
1 |
| Momentive Performance Materials Inc. | 890 |
1 |
| Sumco Corporation | 1107 |
1 |
| Univerzita Karlova V Praze | 49 |
1 |
| Meishan Boya Advanced Materials Co., Ltd. | 92 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |