- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 13/16 - Chauffage de la zone fondue
Détention brevets de la classe C30B 13/16
Brevets de cette classe: 15
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3793 |
2 |
| National Taiwan University | 1236 |
2 |
| Northwestern University | 3417 |
2 |
| Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | 1231 |
1 |
| The Johns Hopkins University | 5714 |
1 |
| BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. | 1852 |
1 |
| Carnegie Mellon University | 1552 |
1 |
| Ewha University-industry Collaboration Foundation | 734 |
1 |
| Globalwafers Co., Ltd. | 648 |
1 |
| Radiation Monitoring Devices, Inc. | 83 |
1 |
| Saint-Gobain Ceramics & Plastics, Inc. | 837 |
1 |
| Siltronic AG | 423 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |