- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 13/20 - Chauffage de la zone fondue par induction, p. ex. technique du fil chaud
Détention brevets de la classe C30B 13/20
Brevets de cette classe: 39
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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| Siltronic AG | 442 |
14 |
| ZHEJIANG JINGSHENG M & e CO., LTD | 27 |
4 |
| Sumco Corporation | 1108 |
3 |
| Tohoku University | 3065 |
3 |
| C & a Corporation | 25 |
3 |
| Raytheon Company | 8463 |
2 |
| PV Silicon Forschungs und Produktions GmbH | 4 |
2 |
| Sun Xing Chemical & Metallurgical Materials (Shenzhen) Co., Ltd. | 8 |
2 |
| Novel Crystal Technology, Inc. | 66 |
2 |
| Forschungsverbund Berlin e.V. | 192 |
1 |
| LPE S.p.A. | 81 |
1 |
| Luo Yang Jinnuo Jixie Gongcheng Youxian Company | 1 |
1 |
| Zakrytoe Akсionernoe Obschestvo "valensija" | 1 |
1 |
| Autres propriétaires | 0 |