- Sections
- C - Chimiemétallurgie
- C30B - Croissance des monocristauxsolidification unidirectionnelle des matériaux eutectiques ou démixtion unidirectionnelle des matériaux eutectoïdesaffinage des matériaux par fusion de zoneproduction de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéemonocristaux ou matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéepost-traitement de monocristaux ou de matériaux polycristallins homogènes de structure déterminéeappareillages à cet effet
- C30B 13/24 - Chauffage de la zone fondue par irradiation ou par décharge électrique en utilisant des radiations électromagnétiques
Détention brevets de la classe C30B 13/24
Brevets de cette classe: 76
Historique des publications depuis 10 ans
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Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| General Electric Company | 14021 |
4 |
| The Trustees of Columbia University in the City of New York | 3666 |
4 |
| National Taiwan University | 1341 |
4 |
| North Carolina State University | 1604 |
4 |
| Siemens AG | 23943 |
3 |
| Applied Materials, Inc. | 20654 |
3 |
| Crystal Systems Corporation | 19 |
3 |
| Raytheon Company | 8457 |
2 |
| Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | 6173 |
2 |
| Nippon Telegraph and Telephone Corporation | 15898 |
2 |
| National Institute of Advanced Industrial Science and Technology | 3789 |
2 |
| Alcon, Inc. | 5953 |
2 |
| HRL Laboratories, LLC | 1644 |
2 |
| Rayton Solar Inc. | 7 |
2 |
| Tamura Corporation | 367 |
2 |
| Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | 6114 |
2 |
| Scidre Scientific Instruments Dresden GmbH | 2 |
2 |
| Rtx Corporation | 10240 |
2 |
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 159755 |
1 |
| Samsung Display Co., Ltd. | 39307 |
1 |
| Autres propriétaires | 27 |